EL TRANSISTOR

Fundamentos de Materiales Semiconductores

Dispositivo de tres terminales gracias al cual es posible controlar un gran potencia a
partir de una pequeña. En la figura se puede ver un ejemplo cualitativo del
funcionamiento del mismo.

Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y en el
terminal de base (B) se aplica la señal de control gracias a la que controlamos la
potencia.

Con pequeñas variaciones de corriente a través del terminal de base, se consiguen

grandes variaciones a través de los terminales de colector y emisor. Si se coloca una
resistencia se puede convertir esta variación de corriente en variaciones de tensión
según sea necesario.
Unión no polarizada

p n p

r r
E E

V V0
El transistor polarizado (saturación)

IE p n IB p IC

r r
E E

V V0
IB + IC = IE

similar a dos diodos con polarización directa

El transistor polarizado (corte)

p n p

r r
E E

V
IE = IC = IB = 0
V0

similar a dos diodos con polarización inversa

Transistor polarizado en forma activa

p n p

r r
E E

(P) Emisor (N) Base (P) Colector

IpB

IE IC IC  I B
InB InC
IBB

IB
 (P) Emisor (N) Base (P) Colector

IpB, huecos que por difusiónIpB

IE base.
pasan del emisor a la IC
InB InC
IBB

InB, electrones que pasan

de la base al emisor. IB

IBB, electrones procedentes del InC, débil corriente de electrones del

circuito para cubrir las colector a la base.
recombinaciones.

IE = IpB + InB IB = -InC + IBB +InB IC = IpB - IBB + InC

Configuraciones del transistor

Hay 4 variables que dependen del tipo de

conexión:
Vsalida, Ventrada, Isalida, Ientrada.

E C
B C B E

E C
B

Base común Emisor común Colector común

Variables: Variables: Variables:
VBE, VCB, IE, IC VBE, VCE, IB, IC VCB, VCE, IB, IE
 IB = f(VBE, VCE) Característica de
entrada

VCB IC
+

IB -
VCE
+
VBE
-
IE
-

IC = f(VCE, IB) Característica de salida

 Configuración en emisor común

RC
C
RB
B IC

IB VCE
V VBE V
BB CC
E
IC = 99mA

C
1% n
99 % RC
RB

B p

VBB IB = 1mA VCC

100 %
n
Ic
  99 E
IE = 100 mA
IE
Curva característica de entrada

RC IB
C
RB
B IC

VCE
IB VCC
VBB VBE
E

VBE = VBB - IB RB

VBE  0,7 V 0,7 V VBE

 Curva característica de salida

RC
C
RB
B IC

VCE
IB VCC
VBB VBE
E IC
(mA) IB = 60µA

IB = 40µA

IB = 20 µA
VCE = VCC - IC RC
VCE (V)
 Emisor común: variables

RC
Variables: V BE, VCE, IB, I C
RB
IC

VBE  0,7 V para silicio VBB

IB VBE VCE
VCC

VBE = VBB - IB RB
+VCC
IC
IC = IB RC

RB
Vsalida
VCE = VCC - IC RC IB
Ventrada
 Equivalente hidráulico del transistor

h2 Caudal Apertura

h1 - h2

h1
Curvas características del transistor

EC
IB = 80 µA
    Región de saturación
IC ( mA)

IB = 60 µA
 Región activa
IB = 40 µA
 Región de corte
IB = 20 µA  Ruptura
R C
IB = 0 µA RB

VCE (V) VCC
VBB VBE VCE

• En región activa: unión EB con polarización directa, BC con

polarización inversa. Aplicación en amplificación.
• En región de corte: las dos uniones polarizadas inversamente:
circuito abierto.
• En región de saturación: las dos uniones polarizadas
directamente: cortocircuito.
 Línea de carga y punto de Funcionamiento
VBE  0,7 V
 = 100
RC =1 k
VBE = -IB RB+ VBB
RB=16 k
IC VBB VBE 2  0,7
IB    81,25A
VBB = 2 V RB 16000
IB VBE VCE
VCC=10 V
Ic = IB = 8,125 mA

VCE = VCC - IC RC = 10 - 8,125 = 1,875 V

IC V B B (V) V C E (V) I c ( m A) I B (A)

0,7 10 0 0 Corte
VCC Q IB4 0,8 9,375 0,625 6,25
0,9 8,75 1,25 12,5
RC

Región activa
1 8,125 1,875 18,75

Q IB3
1,2
1,4
6,875
5,625
3,125
4,375
31,25
43,75
1,6 4,375 5,625 56,25
1,8 3,125 6,875 68,75
2 1,875 8,125 81,25
2,2 0,625 9,375 93,75
IB2 2,3 0 10 100 Saturación

IB1
Q
VCE
VCC = 10 V
 RC
Línea de carga y punto de Funcionamiento
RB

VCC
VBB VBE VCE
IC

VCC
RC IB4

IB3 VCE = -IC RC+ VCC

Q
IB2

VCC VCE
IB1 IC 
RC
O VCC VCE

VCE IC RC
Punto de funcionamiento: IB

IC

VCC IB4
RC RC
IB3
RB
IC

IB2 IB VBE VCE

VBB VCC

IB1

VCC VCE
Punto de funcionamiento: RC

IC

VCC IB4
RC1 RC
IB3
VCC RB
IC
RC2
VCC IB2 IB VBE VCE
VBB VCC
RC3
IB1

VCC VCE
Punto de funcionamiento: VCC

IC
VCC3
IB4
RC
RC
VCC2 IB3
RB
RC IC
VCC1 IB2 VCE
IB VBE VCC
RC VBB

IB1

VCC1 VCC2 VCC3 VCE

 El transistor como conmutador

Si VBB , IB = , IE IC = VCC/RC

zona de saturación
C

cortocircuito CE VCE = 0 B
IC

B E

Si VBB = 0 o < 0,7 V, IB = 0,

IE IC  0, VCE = VCC
Zona de corte
circuito abierto VCE = VCC

VCC VCE
Circuito inversor simple

+VCC V B B (V) V C E (V) I c ( m A) I B (A)

0,7 10 0 0
RC 0,8 9,375 0,625 6,25
0,9 8,75 1,25 12,5
1 8,125 1,875 18,75
1,2 6,875 3,125 31,25
RB 1,4 5,625 4,375 43,75
Vsalida 1,6 4,375 5,625 56,25
1,8 3,125 6,875 68,75

Ventrada 2
2,2
1,875
0,625
8,125
9,375
81,25
93,75
2,3 0 10 100

INVERSOR Y = not A

A Y

Ventrada Vsalida
Transistor de unión: amplificador

IE IC
P N P
Emisor Base Colector A
E C

B
IB
RL
D

VEB V
VAD = RLIC
(-IC) = gm VEB VAD
 RL g m
gm : transconductancia VEB
La relación de corrientes de un transistor es

𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 + 𝑰𝑩
Donde
𝑰𝑪 ≈ 𝑰𝑬 y 𝑰𝑩 ≪ 𝑰𝑪

Alfa de un transistor
Es la relación entre la I de colector y la I de Emisor

𝑰𝑪
∝=
𝑰𝑬
Beta de un transistor
Es la relación entre la I de colector y la I de Base. Se conoce como ganancia de corriente,
ya que una muy pequeña corriente de base produce una corriente de colector mucho
mas grande

𝑰𝑪
𝜷= 𝑰𝑪 = 𝜷 + 𝑰𝑩
𝑰𝑩
Siendo en transistores de 1W entre 100 y 300 y en mas de 1 W (alta potencia) entre20 y
100.
en un transistor montado en polarización por resistencia de base se
desea que exista una tensión colector-emisor de 5V, y
una corriente de colector de 50mA. ¿Qué resistencias debemos colocar
si tenemos β = 100 y la tensión de alimentación es de 12V? Vbe = 0,7V.
transistor de β = 100 que queremos situar en un punto de reposo con Vce = 5V e
Ic = 50 mA. Deberemos colocar los siguientes valores de resistencia:
Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones continuas
que aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente decididos.
Es posible polarizar el transistor en zona activa, en saturación o en corte, cambiando las
tensiones y componentes del circuito en el que se engloba.

Se quiere polarizar un transistor bipolar en zona activa. Se ha de

conseguir que sus tensiones y corrientes cumplan las condiciones
de estar en activa: VBE = 0,7V, VCE > 0,2V. Una primera opción
sería usar un circuito como este.
Se puede ver cómo conseguimos polarizar la unión base-emisor
mediante una resistencia (R) conectada a alimentación.
Por la base del transistor circulará una corriente igual a (VCC-
VBE)/R, y en colector-emisor tendremos VCE = VCC > VCEsat.

Un circuito un poco más complejo, y con el que se puede

conseguir polarizar al transistor en las tres regiones de
funcionamiento es el de la figura 18. Vemos que en este caso la
tensión colector-emisor depende directamente de la corriente de
base (VCE=VCC-βIBRC), y dicha corriente se fija actuando sobre la
resistencia de base (IB=(VCC-VBE)/RB).
Si queremos que la polarización sea
estable (es decir, que no varíe con
factores externos), se usan redes de
polarización más complejas, que
fijan la tensión en base.
 Resolución de un circuito

Los estados posibles son activa, corte o saturación. En general, a no ser que la experiencia
nos indique lo contrario, supondremos que el transistor está en activa, y a partir de ahí
comenzará la resolución del ejercicio.
Una vez decidido que suponemos activa, resolvemos el circuito y se pueden presentar
dos casos:
1. que se compruebe que el transistor está en activa, con lo que habremos terminado
2. que las corrientes y tensiones resultantes sean imposibles; en este caso la suposición de
activa será incorrecta, elegiremos otro
estado (corte o saturación), y volveremos a resolver.
En nuestro caso, una vez supuesto activa, el siguiente paso es analizar:
1. de qué datos se dispone, y
2. qué podemos averiguar a partir de dichos datos.
Tenemos las diferentes tensiones y corrientes presentes en el circuito. De estas tensiones y corrientes
sólo conocemos 2, que vienen dadas por los datos (recordamos la suposición de activa)
Una vez resuelto hemos de comprobar que la suposición hecha al
principio era correcta, es decir, que el transistor efectivamente se
encontraba en activa. Para realizar esta comprobación basta con
observar que todas las corrientes y tensiones obtenidas son coherentes,
y además que se verifica que:
VCE > VCEsat
50
Características reales de un Transistor, Datos del Fabricante
Características reales de un Transistor, Datos del Fabricante
Características reales de un Transistor, Datos del Fabricante
Características reales de un Transistor, Datos del Fabricante
Características reales de un Transistor, Datos del Fabricante
Características reales de un Transistor, Datos del Fabricante

56
transistor 2N3055, cápsula (T03)