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Two s
orbitals
overlap
Two p
orbitals
overlap
7
Aplicando la TEV
Enlace químico en el BF3
•• ••
F ••
Configuración electrónica del Boro
B
•••• •••
F F• 1s 2s 2p
•• ••
Molécula
trigonal plana
Ángulo de
enlace = 120o
8
Enlaces en el BF3
Enlaces en el BF3
2s 2p
Hibridación Reordenamiento de los e-
Enlaces en el BF3
F B
F
12
Enlaces en el CH4
¿Cómo dar cuenta de los 4
enlaces sigma C-H
separados por 109,5o? o
109
Necesitamos 4 orbitales
atómicos — s, px, py, pz —
para formar 4 nuevos
orbitales híbridos
orientados en la dirección
correcta (geometría
tetraédrica).
13
Enlaces en el CH4
4 orbitales
atómicos del C se
hibridan para
formar 4 orbitales
híbridos sp3
14
Enlaces en el CH4
4 orbitales atómicos
del C se hibridan
para formar 4
orbitales híbridos
sp3
15
Enlaces en el CH4
16
Hibridación de orbitales
2 lineal 2 sp 2p
3 trigonal 3 sp2 1p
plana
4 tetraédrica 4 sp3 -
17
18
Enlaces en
la glicina
3
sp 2
H O sp
••
H N C C
••
H H O H
sp
3 ••
3
sp
19
Enlaces en
la glicina
3
sp 2
H O sp
••
H N C C
••
H H O H
sp
3 ••
3
sp
20
Enlaces en
la glicina
3
sp 2
H O sp
••
H N C C
••
H H O H
sp
3 ••
3
sp
21
Enlaces en
la glicina
3
sp 2
H O sp
••
H N C C
••
H H O H
sp
3 ••
3
sp
22
Enlaces en
la glicina
3
sp 2
H O sp
••
H N C C
••
H H O H
sp
3 ••
3
sp
23
Enlaces múltiples
Consideremos el eteno (C2H4)
H H
120° C C sp 2
H H
24
Enlaces pi en el C2H4
Los orbitales p no
hibridados de cada
átomo de carbono
contienen un electrón.
Estos orbitales p se
traslapan lateralmente
con el orbital p vecino
para formar un enlace π.
2s 2p 3 sp 2 p
orb.
hybrid for š
orbitals bond
26
Enlaces pi en el C2H4
Los orbitales p no hibridados de cada átomo de
carbono contienen un electrón. Estos orbitales
p se traslapan lateralmente con el orbital p
vecino para formar un enlace π.
27
Enlace múltiple en el
C2H4
28
Enlaces y π en el C2H4
Figure 10.11
29
Enlaces y π en el CH2O
Figure 10.12
30
Enlaces y π en el C2H2
Figure 10.13
31
• Puede explicar:
– Brillo
– Conductividad eléctrica y térmica
– Maleabilidad
• Conductividad eléctrica
La “banda” está
completamente llena
Esto nos da 2
enlaces por átomo
de Si
47
Calor de vaporización
• El ∆H de vaporización es una buena
medida de la fuerza del enlace en
sólidos.
Niveles e-
vacíos energía
Niveles +
llenos
Banda de valencia
51
Conductividad eléctrica
Aislantes
Pocos e- de la
banda de valencia
tienen energía
6 eV en el diamante suficiente para
pasar a la banda
de conducción.
La banda
de valencia
está llena
53
Semiconductores
• Elementos del grupo 4A
• C (diamante) es un aislante
– Si, Ge y Sn “gris” son
semiconductores.
» Todos los anteriores
tienen la estructura
del diamante que
aparece como
favorable al
comportamiento
semiconductor
• Sn “blanco” y Pb son
metales
54
Semiconductores
• Muchos compuestos
inorgánicos son
semiconductores.
• Los más conocidos son
compuestos de los grupos
“III-V” de la Tabla
Periódica
• GaAs = “Ge”
• InSb = “Sn”
• Tienen una estructura
similar a la del ZnS.
55
Semiconductores
y teoría de bandas
• Los semiconductores tienen una estructura parecida
a la de los aislantes.
• Pero su “banda prohibida” es más angosta
• Banda prohibida = 0.5 a 3.0 eV
• Algunos electrones tienen energía térmica suficiente
para ser promovidos a la banda de valencia.
Semiconductores
56
y teoría de bandas
Banda de conducción
• Los semiconductores tienen una
estructura parecida a la de los
e- e- e- aislantes.
• Los electrones pueden ser
Pequeña banda prohibida promovidos térmicamente.
• Cuanto mayor sea T, más
+ + + electrones serán promovidos.
Banda de valencia
57
Semiconductores intrínsecos
Grupo 4A Band gap (eV)
Banda de C 6.0
conducción Si 1.1
Ge 0.7
e- e- e-
Sn gris (>13 ˚C) 0.1
Pequeña banda prohibida Sn blanco (<13 ˚C) 0
+ + + Plomo 0
Banda de
valencia
Semiconductores extrínsecos
• La conductividad es controlada por
trazas de dopantes como Ga, Al o As
• El átomo dopante toma el lugar de un
átomo de Si.
• Algunos dopantes tienen menos
electrones de valencia que el Si (Ga, Al)
o más electrones que el Si (As).
Agregando un átomo del grupo 3A
59
• Si la concentración de Ga
es pequeña, el nivel de
“aceptores” es discreto y no
se extiende sobre toda la
red.
• Los huecos positivos en la
banda de valencia pueden
ser usados en la
conducción.
• Si + Ga (o Al) tienen
“huecos positivos. Forman
un semiconductor de tipo-p.
Semiconductor “tipo p”
60
+ + +
Banda de valencia
Semiconductor “tipo n”
61
• Si agregamos As — tiene
Banda de conducción 5e- agregamos un e- extra.
• El nivel de dadores tiene
e- e- e- electrones.
Nivel de dadores • Los electrones son
1.1 eV promovidos del nivel de
dadores a la banda de
conducción.
• Los electrones son
portadores de carga
Banda de valencia
positiva y predominan en
un semiconductor de tipo-n.
62
Sumario