aleatorio. Es la memoria que utilizan los ordenadores para almacenar los datos y programas a los que necesita tener un rápido acceso. Se trata de una memoria de tipo volátil. Que es la memoria RAM
El almacenamiento es considerado temporal por que
los datos y programas permanecen en ella mientras que la computadora este encendida o no sea reiniciada. Se le llama RAM por que es posible acceder a cualquier ubicación de ella aleatoria y rápidamente. Arquitectura de las RAM Es útil pensar en la RAM como si consistiera de un numero de registros, cada uno de los cuales almacena una sola palabra de datos y tiene una dirección única. Por lo general las RAM tienen capacidades de palabras de 1K, 4K, 8K, 16K, 64K, 128K, 256K Y 1024K, con tamaños de palabra de uno, cuatro u ocho bits.
RAM que almacena 64 palabras de 4 bits (64 x 4)
Operación de lectura
El código de dirección selecciona un registro en el
chip de memoria para leer o escribir. Para poder leer el registro del contenido seleccionado, la entrada LEER/ESCRIBIR(R/W) debe ser un 1. Ademas, la entrada SELECCIÓN DE CHIP (CS) debe activarse un 0 en este caso. La combinación R/W=1 y CS=0, habilita los búferes de salida, de manera que aparecerá el contenido del registro seleccionado en las 4 salidas de datos. R/W=1 también deshabilita los búferes de entrada, de manera que las entradas de datos no afecten a la memoria durante una operación de lectura. Operación de escritura
Para escribir una nueva palabra de 4bits en el
registro seleccionado se requiere que R/W=0 y CS=0. Esta combinación habilita los búferes de entrada, de manera que la palabra de 4bits que se aplica a las entradas de datos se cargue en el registro seleccionado. La condición R/W=0 también deshabilita los búferes de salida, los cuales son triestado y, por lo tanto, las salidas de datos se encontraran en su estado Hi-Z durante una operación de escritura. Desde luego que la operación de escritura destruye la palabra que estaba almacenada antes en esa dirección. Las Memorias RAM se dividen en estáticas y dinámicas.
Una memoria estática mantiene su contenido
inalterado mientras esté alimentada. Una memoria dinámica la lectura es destructiva, es decir que la información se pierde al leerla, para evitarlo hay que restaurar la información contenida en sus celdas, operación denominada refresco. Memorias RAM Estáticas (SRAM)
En esencia las celdas de la SRAM son flip-flops que
permanecerán en un estado dado (almacenan un bit) de manera indefinida, siempre y cuando no se interrumpa la energía del circuito. Las SRAM están disponibles en las tecnologías bipolar, MOS y BiCMOS. La mayoría de las aplicaciones utilizan RAMs NMOS o CMOS Sincronización de las SRAM
El uso de las SRAM es como memoria interna de una
computadora. El CPU realiza de manera continua operaciones de lectura y escritura en esta memoria a una velocidad bastante rápida la cual depende de las limitaciones del CPU. Los chips de memoria que se integran al CPU deben ser lo suficientemente rápidas para responder a las instrucciones de lectura y escritura. Comportamiento de la SRAM en el ciclo de lectura y escritura de datos SRAM Real
La SRAM MCM6264C CMOS de 8k X 8 es un
ejemplo de SRAM real, con tiempos de ciclo de lectura y ciclo de escritura de 12ns. Memorias RAM Dinámicas (DRAM)
Se fabrican mediante el uso de tecnología MOS y se
distinguen por su alta capacidad, bajo requerimiento de energía y velocidad moderada de operación. Las DRAM almacenan 1s y 0s en forma de cargas en un pequeño capacitor MOS. En los chips DRAM cada celda de memoria debe regenerarse cada 2, 4 u 8ms o se perderán sus datos. Memorias RAM Dinámicas (DRAM)
Debido a su estructura de celdas simples, las DRAM
tienen 4 veces la densidad de las SRAM. Este aumento en densidad permite colocar 4 veces mas capacidad de memoria en una sola tarjeta. La memoria interna de las microcomputadoras utilizan DRAM debido a su alta capacidad y bajo consumo de energía. Estructura y operación de la DRAM
La arquitectura se puede visualizar como un arreglo
de celdas de un bit, cada celda ocupa una posición única de fila y columna. Las DRAM con un tamaño de palabra de 4bits o mayor tienen una distribución de celdas similar, solo que cada posición en el arreglo contiene 4 celdas y cada dirección que se aplica selecciona un grupo de 4celdas para una operación de lectura o escritura. Aquí se ordenan 16.384 celdas en un arreglo de 128 X 128 . Se necesitan 14 entradas de dirección para seleccionar una de las celdas (2^14=16.384) Representación simbólica de una celda de memoria dinámica. Durante una operación de escritura se cierran los interruptores y semiconductores SW1 y SW2. Durante una operación de lectura se cierran todos los interruptores excepto SW1.