El Mercado IC- MOSFET

Semiconductor Fundamental
La industria del semiconductor vende
alrededor de 600 Billones de dólares al año

Militar
2% Comunicaciones
Computadoras 24%
42%

Industrial
8% Transporte
8% Electrónica de consumo
16%
MOSFET (Geometría de fabricación)

 Dispositivo que nace en los años 30 en su base conceptual, y

recién en los años 60 se hace realidad. Posee una geometría
de fabricación y a partir de ahí se deduce la ley voltaje-
corriente, que será de característica no lineal
 MOSFET (Características)
 Son usados como amplificador y como interruptor.
 La corriente está conducida por un solo tipo de portador (electrones o
huecos)
 Existen MOSFET de canal n y canal p
 Suelen llamarse transistor unipolar,o también FET de compuerta aislada
(IGFET)
 Posee cuatro terminales: Puerta (Gate), Fuente (Source), Drenador
(Drain), y Cuerpo o Sustrato (Body). Por lo general se usan los tres
primeros.
 Se puede hacer uso indistinto de los terminales S y D sin alterar el
funcionamiento del MOSFET
 Las dimensiones del MOSFET para L están entre 0.1 a 3m y
W entre 2 a 100m (micras)
 La capa de óxido de silicio tiene un espesor entre 2 a 50nm
convirtiéndolo en un excelente aislador eléctrico
Un transistor NMOS tipo enhancement con tensión positiva en el gate.
Se induce un canal n en la parte superior del substrato debajo del
gate.
 Corrientes en los terminales
 Si por D se aplica un voltaje vDS, notamos que por la capa de óxido
(aislante eléctrico) hace que iG sea CERO siempre, de modo que la
corriente iD fluYa de D a S

Dispositivos y Circuitos Analógicos

Región Triodo. Operación como resistencia variable cuyo
valor es controlado por Vgs
Operación del MOSFET si Vds se incrementa. El canal adquiere forma
trapezoidal y su resistencia se incrementa conforme Vds lo hace.
Vgs>Vt
Voltaje Pinch-Off se da en Vds=Vgs-Vt
Ids vs Vds
 Característica Ids vs Vds

TRIODO SATURACIÓN
 Símbolos del MOSFET
 También el MOSFET posee un voltaje umbral Vt que nace de la
acumulación de electrones móviles que se acumulan en la región del
canal para formar un canal conductor. Para un MOSFET de canal n,
Vt es positivo y para el canal p, el Vt es negativo.
 Esto sirve para usar adecuadamente el símbolo del dispositivo para
aplicar las leyes v-i correspondientes.

iD iD
+
vGS
-

MOSFET de canal n MOSFET de canal p

Niveles de tensión entre los terminales de un NMOS para
operación en triodo o saturación
 Un incremento de Vds encima de Vds sat causa el
desplazamiento del pinch-off del canal, un poco más lejos
del drain, reduciéndose L
 Efecto de Vds sobre Ids en la región de saturación. VA
depende de la tecnología y su valor depende de la longitud
del canal
PMOS
Característica Id vs Vds - PMOS
Regiones de Operación del PMOS
Niveles de tensión entre los terminales de un PMOS para
operación en triodo o saturación
 El NMOSFET – Curva de Transferencia
 Es un dispositivo electrónico
de comportamiento v-i NO
lineal.
 Tiene tres zonas de operación
según los niveles de voltaje y
corriente que hay entre sus
terminales: Zona de amplificación

 Corte: a través del dispositivo

NO circula corriente alguna
 Triodo: es una zona no lineal,
no apropiada para la
amplificación
 Saturación: es la zona más
apropiada para realizar la
amplificación de señales (AC)
El MOSFET – Curva de Transferencia

Notar la importancia de trabajar en la

zona lineal del amplificador, para ello
el cálculo o ajuste del punto Q (DC)
en el Mosfet es esencial.
 Leyes v-i para el MOSFET
 Zona de Corte: si vGS  Vt
iD  0
 Zona de Triodo: si vDS  vGS - Vt
W  1 2
iD  K n ' ( ) (vGS  Vt )vDS  vDS 
L  2 
 Zona de Saturación: si vDS  vGS - Vt

iD 
1
2
W

(  nCox )( ) (vGS  Vt ) 2
L

1
2
W

iD  K n ' ( ) (vGS  Vt ) 2
L

Vt suele estar entre 1 a 3V (MOSFET de enriquecimiento)
Kn’ (W/L) se llama “parámetro de transconductancia del proceso”
Dispositivos y Circuitos Analógicos
 Característica cuadrática
 Notar que para
situarnos en la región iD 
1
2
W

K n ' ( ) (vGS  Vt ) 2
L

de amplificación
(saturación), en DC,
la magnitud VGS debe
ser superior al Vt y
además debemos
ubicarnos en la zona
más lineal de la
curva cuadrática para Región de amplificación
luego analizar en AC
cuando se aplican
señales de entrada vi
BIAS a V GS constante
BIAS con Rs

VG = VGS + RSID
 Ejemplos de aplicación (DC)

1.- Diseñe el circuito de la figura 1 para que

el transistor opere a ID = 0.4mA y VD = +0.5V.
El NMOS tiene Vt = 0.7V, nCox = 100A/V2,
L = 1m y W = 32m.

2.- Diseñe el circuito de la figura 2 para que Figura 1

el transistor opere a ID = 80A. Encuentre el
valor de VD. El NMOS tiene Vt = 0.6V,
nCox = 200A/V2, L = 0.8m y W = 4m.

Figura 2
 Ejemplos de aplicación (DC)

3.- Diseñe el circuito de la figura 3 para que

el transistor opere a VD = +0.1V.
El NMOS tiene Vt = 1V, kn’(W/L) = 1mA/V2,

Figura 3

4.- Analice el circuito de la figura 4 y halle todas

las corrientes y voltajes de nodo. El NMOS tiene
Vt = 1V y kn’(W/L) = 1mA/V2.

Figura 4
 Ejemplos de aplicación (DC)

5.- Diseñe el circuito de la figura 5 para que

el transistor opere en saturación con ID = 0.5mA
y VD = +3V. El PMOS tiene Vt = -1V y
kp’(W/L) = 1mA/V2.

Además, ¿Cuál es el valor máximo de RD para

que el PMOS se mantenga en la región de
saturación?

Figura 5
 Ejemplos de aplicación (DC)

6.- Suponga que el NMOS

y el PMOS poseen
parámetros coincidentes,
es decir: El PMOS tiene
Vtn = 1V = -Vtp. kn’(W/L) =
kn’(W/L) = 1mA/V2.

Halle las corrientes IDN e

IDP, además del voltaje vo
para vI=0V, +2.5V y -2.5V

Figura 6
 Análisis del Mosfet en DC
Circuitos de Polarización

Se proponen una serie de configuraciones de circuitos en DC para ajustar

el punto de operación del Mosfet en la región de saturación.
En punto Q queda definido por el par de datos de ID y VGS.
 Análisis del Mosfet en DC
Circuitos de Polarización (cont.)
 Análisis del Mosfet en AC (señal)
 Se parte de la ley v-i para la
zona de saturación:
1 W

iD  K n ' ( ) (vGS  Vt ) 2
2 L


 No olvidar que la señal iG es

siempre CERO gracias a la
capa del óxido de silicio y
hace la Rin en señal sea 
 Considerando al voltaje de Early
 VA = es la prolongación de
todas las curvas vGS, que
hace que exista la resistencia
ro que está definido como:

VA
ro 
ID
 Modelo considerando a ro
 Con esta base se puede a proceder a
evaluar el modelo aproximado en pequeña
señal del MOSFET considerando a ro.
 Modelando al NMOSFET
 Partiendo de:

1
2
W

i D  Kp' ( ) (v sg  Vt ) 2
L


Se define la transconductancia
W
g m  K n ' ( )(VSG  Vt )
L
 Modelado en señal
 Tener en cuenta que para
amplificar señales, éstas
estarán en la curva
cuadrática (tramo casi lineal)
en la zona de saturación.
CPS MOSFET

iDS = ½ Kn (vGS – Vt)2

vGS= VGS + vgs

iDS = ½ Kn (VGS + vgs – Vt)2

iDS = ½ Kn (VGS - Vt)2 + Kn (VGS – Vt)vgs + ½ Kn v2gs

Kn (VGS – Vt)vgs >> ½ Kn v2gs

vgs<<2(VGS – Vt)

vgs≤ 0.2(VGS – Vt) Condición de Pequeña Señal

 Modelado en señal
 Tener además en cuenta las
magnitudes de señales que
hacen referencia al concepto
de CPS
Modelando al PMOS

W
g m  K p ' ( )(VSG  Vt )
L
 Ejemplo de uso de modelos
 Se reemplaza el MOSFET en
su modelo equivalente y
luego se completa el circuito,
de acuerdo a la ubicación de
los elementos restantes.

Dispositivos y Circuitos Analógicos

 Análisis del MOSFETen pequeña
señal (una etapa)
 Una vez que el MOSFET ha sido polarizado,
se procede a analizar al circuito usando el
modelo que pequeña señal
Los parámetros
 En pequeña señal (AC), existen diversos típicos analíticos
modelos o configuraciones que el Mosfet son:
puede estar sujeto
 Los modelos son:  Av
Fuente Común (Source)  Rin
Fuente Común con R en Fuente (Source)  Rout
Drenador Común (Drain)
Puerta Común (Gate)
Cada configuración tiene sus propias
características de operación.
 Configuraciones del Mosfet

Fuente común

Circuito característico
 Configuración Fuente Común

 Modelo en señal
 Los parámetros típicos
analíticos son:
 Av
 Rin
 Rout

Evaluación del
circuito directamente Dispositivos y Circuitos Analógicos
 Configuración Fuente Común con
resistencia en Source

Circuito característico
 Configuración Fuente Común con
resistencia en source

Modelo en señal
 Los parámetros típicos
analíticos son:

 Av
 Rin
 Rout
 Configuración Puerta Común

Circuito característico
 Configuración Puerta Común

 Modelo en señal
 Los parámetros típicos
analíticos son:

 Av
 Ai
 Rin
 Rout
 Configuración Dren Común

Circuito característico
 Configuración Dren Común

 Modelo en señal
 Los parámetros típicos
analíticos son:

 Av
 Rin
 Rout
 Configuración Dren Común

 Forma analítica
para evaluar Rin
 Configuración Dren Común

 Forma analítica
para evaluar Rout
 Tarea
 Evaluar Rin
y Rout directamente
Tarea
 Evaluar Rin
y Rout directamente
Amplificador en CS
Respuesta en frecuencia del CS anterior