RESPUESTA EN BAJA

FRECUENCIA
Integrantes:
Apaza Quispe, Guillermo 17190185
Bautista Aquino, Jhosep Renato 17190016
Castelo Huaranca, Carol 17190191
Galindo Vizcarra, Christian Robert 17190260
Raymundo Pacheco, Alejandro Junior 17190292
Toribio Torres, Gabriel Jesus 17190043
 Respuesta en baja frecuencia en
configuraciones con transistor BJT
Para el análisis de esta sección
emplearemos la configuración de
polarización por medio del divisor
de voltaje para el BJT. Los
capacitores Cs, CC y CE
determinarán la respuesta en baja
frecuencia de la red.
A continuación examinaremos el
impacto de cada uno de forma
independiente del orden mostrado.
Cs: Este capacitor comúnmente está conectado entre la
fuente aplicada y el dispositivo activo, la red de la
figura establece la forma general de la configuración
RC.
La frecuencia de corte definida por Cs se establece
manipulando la ecuación anterior en forma estándar o
utilizando los resultados de la sección 9.6
Por ende, la ganancia seria:

Recordando las frecuencias de banda media, el capacitor hubiera

actuado como cortocircuito y:
Entonces la relación entre ambas ganancias es:

La frecuencia de corte esta dada por:

El equivalente de ca localizado para Cs

El valor de Ri es igual a
Cc: Como el capacitor de acoplamiento normalmente se conecta entre la
salida del dispositivo activo y la carga, la configuración de RC que
determina la frecuencia de corte inferior debida a Cc es:

La red equivalente de ca para sección de salida con Vi = 0 V aparece en la

siguiente figura:
CE: Para determinar fLE , debemos ver la red de
la siguiente manera.
Entonces la frecuencia de corte producida por
CE es:

El equivalente de ca visto por CE aparece

en la siguiente figura.

Por consiguiente, el valor de Re se determina como

Ejemplos …..
Determine la frecuencia de corte inferior para la red, empleando los
siguientes parámetros:
𝐶s = 10𝜇𝐹 𝐶e = 20𝜇𝐹 𝐶c = 1𝜇𝐹

𝑅𝑠 = 1𝑘Ω 𝑅1 = 40𝑘Ω 𝑅2 = 10𝑘Ω 𝑅𝑒 = 2𝑘Ω 𝑅𝐿 = 2.2𝑘Ω

B= 100 𝑟𝑒 = ∞Ω 𝑉𝑐𝑐 = 20𝑉

𝑃𝑎𝑟𝑎 𝐶𝑠 𝑡𝑒𝑛𝑒𝑚𝑜𝑠 𝑅𝑖 = 𝑅1 𝑅2 𝛽𝑟𝑒 =40k 10𝐾 1.576K≡1.32k
1 1
𝐹𝐿𝑠 = =
2 ⫪ (𝑅𝑠 +𝑅𝑖 )𝐶𝑠 6.28 ∗ 1𝑘 + 1.32𝑘 10µ𝐹

𝐹𝐿𝑠 = 6.86𝐻𝑧

10K(20𝑉)
Hallaremos 𝐵𝑟𝑒 𝐻𝑎𝑙𝑙𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑉𝑏 ≡ (𝑉𝑐𝑐 ∗ 𝑅2 )/(𝑅2 + 𝑅1 ) = 10𝐾+40𝐾 = 4

4−7 3.3
𝐿𝑢𝑒𝑔𝑜 𝐼𝑒 = (𝑉𝑒 )/(𝑅𝑒 ) = = = 165𝑚𝐴
10𝐾+40𝐾 2𝑘

26mV
Re = 1.65𝑚𝐴 = 15.67 = 1.576kΩ

𝐵𝑟𝑒 = 100 15.76 = 1.576kΩ

𝑃𝑎𝑟𝑎 𝐶𝑐 𝑡𝑒𝑛𝑒𝑚𝑜𝑠
1 1
𝐹𝐿𝑐 = =
2 ⫪ (𝑅𝑠 +𝑅𝑖 )𝐶𝑐 6.28 ∗ 4𝑘 + 2.2𝑘 1µ𝐹

𝐹𝐿𝑠 = 25.68𝐻𝑧

𝑃𝑎𝑟𝑎 𝐶𝑒 𝑡𝑒𝑛𝑒𝑚𝑜𝑠

𝑅𝑠 ′ = 𝑅s 𝑅1 𝑅2 =1k 40𝐾 10K≡0.889k

𝑅s ′
𝑅𝑒 = 𝑅E ( + 𝑟𝑒 )=2k∥ 26.65≡24.35Ω
𝐵

1 1
𝐹𝐿𝑒 = =
2 ⫪ (𝑅𝑒 )𝐶𝑒 6.28 ∗ 24.35 20µ𝐹

𝐹𝐿𝑒 = 327𝐻𝑧
Calcular el valor de las capacidades para obtener una frecuencia de
corte inferior fL = 150Hz y una frecuencia de corte superior fH =
250KHz:
Calculo de 𝑐1 , 𝑐2 y 𝑐𝑒
Aplicamos las ecuaciones anteriores para calcular 𝑅𝑐1 , 𝑅𝑐2 y 𝑅𝑐𝑒

RCE < RC1 < RC2

Escogemos el condensador que ve la menor resistencia para introducir el polo

dominante:
Fijamos el resto de las capacidades para que la frecuencia sociada se
encuentre lejos del polo dominante:
Como la frecuencia de corte superior introducida por el transistor es mayor que la
exigida, podemos reducirla con un condensador CX en paralelo con Cžu
 Respuesta en baja frecuencia en
configuraciones con transistor FET
El análisis del amplificador con FET en la región de baja frecuencia será
muy semejante al del amplificador con BJT
• CG: Para el capacitor de acoplamiento entre la fuente y el dispositivo
activo, la red equivalente de ca es la que se muestra en la figura
siguiente:

• La frecuencia de corte determinada por CG es:

1
𝑓=
2𝜋 𝑅𝑠𝑖𝑔 + 𝑅𝑖 𝐶𝐺
• CC: Para el capacitor de acoplamiento entre el dispositivo activo y la
carga se obtiene la red de la siguiente figura:

• La frecuencia de corte resultante es:

1
𝑓=
2𝜋 𝑅0 + 𝑅𝐿 𝐶𝑐
• Para el circuito:

𝑅0 = 𝑅𝐷 //𝑟𝑑

• Para el capacitor de fuente CS, el nivel de resistencia de

importancia lo define la siguiente figura:
• La frecuencia de corte está definida por

1
𝑓=
2𝜋 𝑅𝑒𝑞 𝐶𝑠
Valor resultante de Req es:

𝑅𝑠
𝑅𝑒𝑞 =
1 + 𝑅𝑠 1 + 𝑔𝑚 𝑟𝑑 / 𝑟𝑑 + 𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿

la cual, para 𝑟𝑑 ≅ ∞Ω se vuelve

1
𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝑆 ∥
𝑔𝑚
Cuando 𝑟𝑑 ≅ ∞Ω se vuelve
1
𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝑆 ∥
𝑔𝑚
• Ejemplo
Determine la frecuencia de corte mas baja para la red de la siguiente figura
con los siguientes datos
𝐶𝐺 = 0.01 𝜇𝐹 𝐶𝐺 = 0.5 𝜇𝐹 𝐶𝑆 = 2 𝜇𝐹 𝑅𝑠𝑖𝑔 = 10𝑘Ω 𝑅𝐺 = 1𝑀Ω
𝑅𝐷 = 1 𝑘Ω 𝑅𝐿 = 2.2 𝑘Ω 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 8 𝑚𝐴 𝑉𝑃 = −4 𝑉 𝑟𝑑 = ∞Ω 𝑉𝐷𝐷 = 20𝑉
Análisis de cd: Trazando la curva de transferencia 𝐼𝐷 = (1 − 𝑉𝐺𝑆 /𝑉𝑃 )2 y
suponiendo la curva definida por 𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝑆 se obtiene una
intersección en 𝑉𝐺𝑆𝑄 = −2 𝑉 e 𝐼𝐷𝑄 = 2𝑚𝐴
2𝐼𝐷𝑆𝑆 2(8𝑚𝐴)
𝑔𝑚0 = = = 4𝑚𝑆
𝑉𝑃 4𝑉

𝑉𝐺𝑆𝑄 −2𝑉
𝑔𝑚0 = 𝑔𝑚0 1 − = 4𝑚𝑆 1 − = 2𝑚𝑆
𝑉𝑃 −4𝑉

1 1
𝐶𝐺 : 𝑓𝐿𝐺 = = ≅ 15.8 𝐻𝑧
2𝜋 𝑅𝑠𝑖𝑔 +𝑅𝑖 𝐶𝐺 2𝜋 10𝑘Ω+1𝑀Ω (0.01𝜇𝐹)

1 1
𝐶𝑐 : 𝑓𝐿𝐶 = = ≅ 46.13 𝐻𝑧
2𝜋 𝑅0 +𝑅𝐿 𝐶𝐶 2𝜋 4.7𝑘Ω+2.2𝑘Ω (0.5𝜇𝐹)
 1 1
𝐶𝑆 : 𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝑆 ∥ = 1𝑘Ω ∥ = 1𝑘Ω ∥ 0.5𝑘Ω = 333.33Ω
𝑔𝑚 2𝑚𝑆

1 1
𝑓𝐿𝑠 = = = 238.73 𝐻𝑧
2𝜋𝑅𝑒𝑞 𝐶𝑆 2𝜋(333.33Ω)(2𝜇𝐹)
• Como 𝑓𝐿𝑠 es la mas grande de las tres frecuencias de corte, define la
frecuencia de corte inferior para la red en el grafico mostrado
• Trace la respuesta en frecuencia utilizando una grafica de Bode.
La ganancia de banda media del sistema esta determinada por
𝑉0
𝐴𝑣𝑚𝑒𝑑𝑖𝑎 = − 𝑔𝑚 𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐽 = −(2𝑚𝑆)(4.7𝑘Ω ∥ 2.2𝑘Ω)
𝑉𝑖
= − 2𝑚𝑆 1.499𝑘Ω
≅ −3
• Utilizando la ganancia de banda media para normalizar la respuesta de
la red, obtenemos la grafica de frecuencia.
 CAPACIDAD PARASITA

DEFINICION:
Es un fenómeno indeseado en un circuito ya que
produce serios problemas de rendimiento.
Por ejemplo:
• El ruido se haga mas grande
• La respuesta de frecuencia sea más baja
 CAPACIDAD DE DIFUSIÓN
Surge cuando consideramos la juntura base-emisor, en este caso la
señal de corriente pasara por la base que por efecto de la tensión
de entrada(Vi), se polariza directamente con el emisor y no permitirá
que llegue al colector entonces tenderá ir al emisor.
 CAPACIDAD DE DEPLEXIÓN
Surge cuando consideramos la unión base-colector polarizado
inversamente.
Capacitancia de Efecto
Miller
Sea el Amplificador Inversor (produce un valor negativo de Av):

𝐼2

𝐶𝑓
𝐼𝑖 𝐼1

𝑍𝑖 𝑉𝑂
𝑉𝑖 𝑅𝑖 𝐴𝑉 = 𝑉𝑜
𝑉𝐼
• Al aplicar la Ley de Corrientes de Kirchhoff obtenemos:

• Utilizando la Ley de Ohm el resultado es:

• Y

• Sustituyendo obtenemos:
• Y

• Pero

• Haciendo

• Se tiene

• Finalmente
En general, la capacitancia de Miller se define como:

Se establece la siguiente red equivalente:

𝐼𝑖

𝑍𝑖
𝑉𝑖 𝑅𝑖
• Esto nos demuestra que:
“Para cualquier amplificador inversor, la capacitancia de entrada se
incrementará por una capacitancia de efecto Miller sensible a la ganancia del
amplificador y a la capacitancia (parasita) entre electrodos entre las
terminales de entrada y salida del dispositivo activo.”
El efecto Miller también incrementara el nivel de la capacitancia de salida
𝐼2

𝐶𝑓
𝐼1 𝐼𝑖

𝑉𝑂
𝑉𝑖 𝐴𝑉 = 𝑅𝑜 𝑉𝑜
𝑉𝐼
• Al aplicar la ley de Corrientes de Kirchhoff obtenemos:

• con

• La resistencia suele ser lo bastante grande como para ignorar

el primer termino
𝑅𝑜 de la ecuación comparado con el segundo y
suponiendo que:
• Sustituyendo

• Resulta
• De este modo se obtiene:

• Para