Sesión 02:

DIODOS SEMICONDUCTORES

ASIGNATURA: ELECTRÓNICA.
DOCENTE: Ing. Midward Charaja Copaja
AÑO: 2012
Repaso de la conf. anterior.
• Qué es la electrónica?.
• Dispositivos electrónicos.
• Tubo de vacío o válvula de
diodo.
• Transistor.
• Circuito integrado.
• Microprocesador.
• Sistemas electrónicos.
• Señales eléctricas.
• Tipos según su naturaleza.
• Tipos según su periodicidad.
• Equipos electrónicos de
laboratorio.
CONTENIDO
Materiales Semiconductores.
• El silicio y el germanio.
• Conductividad de un semiconductor.
El Diodo.
• Polarización
• Curva característica.
• Representación.
• Tipos.
 MATERIALES SEMICONDUCTORES

o Los mejores conductores tienen un electrón de valencia,

mientras que los mejores aislantes tienen 8 electrones de
valencia.
o Un semiconductor es un elemento con propiedades eléctricas
entre las de un conductor y un aislante, por tanto, los mejores
semiconductores tienen 4 electrones de valencia.
 Semiconductores
Materiales conductores y
semiconducores.
 Semiconductores
Conductores, aislantes y
semiconductores.
CONDUCTOR AISLANTE SEMICONDUCTOR
 Semiconductores
Regla general de clasificación.

CONDUCTOR AISLANTE SEMICONDUCTOR

Menos de cuatro Mas de cuatro Igual a cuatro
electrones de electrones de electrones de
valencia (e- en el valencia (e- en el valencia (e- en el
último nivel) último nivel) último nivel)
 Semiconductores
El silicio y el germanio.
Los dos elementos
semiconductores más
importantes, silicio y germanio,
se encuentran en el cuarto grupo
y según esto tienen cuatro
electrones en su capa más externa.
Debido a estos cuatro electrones de
valencia, al Si y al Ge se los
denomina como tetravalentes.
 Semiconductores
Unión entre dos átomos de silicio.

Unión de cinco átomos de silicio.

Malla cristalina de silicio.
 Semiconductores
Representación bidimensional.
 Semiconductores
Conductividad en un
semiconductor.
Un cristal semiconductor, al no tener electrones
libres, no puede conducir con facilidad la
corriente.

Existen dos formas para que un semiconductor

pueda conducir la corriente:

Elevando la temperatura Dopando con impurezas al

del cristal cristal
Conductividad Conductividad
intrínseca extrínseca
 Semiconductores
Conductividad intrínseca.
Conductividad
intrínseca

Al aumentar la
temperatura del
cristal los átomos
empiezan a vibrar
(movilidad
intrínseca térmica).
Por esta razón
algunos electrones
de valencia quedan
libre, así como,
cargas positivas
(huecos).
 Semiconductores
Resistividad vs temperatura.
Conductividad
intrínseca
Resistividad del
silicio, germanio y
cobre en función de
la temperatura.

Al aumentar la
temperatura, los
materiales
semiconductores
disminuyen su
resistividad al paso
de corriente;
mientras que los
materiales
conductores
aumentan su
resistividad.
 Semiconductores
Conductividad extrínseca.
Conductividad
extrínseca

tipo N

tipo P
 Semiconductores
Mecanismo de conducción.
Conductividad
(semiconductor tipo N) extrínseca

Material tipo N
= conducción
NEGATIVA
(electrones)
 Semiconductores
Mecanismo de conducción.
Conductividad
(semiconductor tipo P) extrínseca

Material tipo P
= conducción
POSITIVA(proto
nes)
 EL DIODO

Los diodos están formados

por dos tipos de materiales
semiconductores:
- Tipo N
- Tipo P

Según la polarización a
que se le someta, este dejará
que la corriente fluya por
el.
 EL DIODO
Polarización de un diodo.
(zona de agotamiento)

En condiciones sin
polarización, los
portadores minoritarios
(huecos) en el material
tipo N que se
encuentran dentro de
la región de
agotamiento pasarán
directamente al
material tipo P y
viceversa
 EL DIODO
Polarización directa.

La aplicación de una
polarización directa
"presionará" a los
electrones en el
material tipo N y a los
huecos en el material
tipo P para recombinar
con los iones de la
frontera y reducir la
anchura de la región de
agotamiento hasta
desaparecerla cuando
VD ³ 0.7 V para diodos
de Silicio.
 EL DIODO
Polarización inversa.

Bajo esta condición el

número de iones positivos
descubiertos en la región
de agotamiento del
material tipo N
aumentará debido al
mayor número de
electrones libres
arrastrados hacia el
potencial positivo del
voltaje aplicado. De forma
similar – inversa ocurre
en el material tipo P.
Como consecuencia la
región de agotamiento se
ensancha.
 EL DIODO
Curva característica.

Silicio:
URmáx = 80V - 1500V

Germanio:
URmáx =40V - 100V.
 EL DIODO
Representación.

Simbología. Presentación Física

 EL DIODO
Prueba de un diodo
Con una multímetro analógico

• En polarización directa
(menor que 200 ohm)
• En polarización inversa
(mayor a 1M ohm)

Con un multímetro digital

• En polarización directa
(0.5 a 0.7v para silicio)
• En polarización inversa
(circuito abierto)
 EL DIODO
Resumen de funcionamiento.
 EL DIODO
Elección de un diodo.
Para seleccionar un diodo se deben conocer
como mínimo los siguientes datos:
a) Corriente (pico y promedio) en
polarización directa.
b) Voltaje máximo en polarización
inversa.
c) Frecuencia de las señales.

Silicio:
URmáx = 80V - 1500V

Germanio:
URmáx =40V - 100V.
 EL DIODO
Disipación de potencia Elección de un diodo.
de un diodo.
PD = VD . ID
En conducción se tiene un valor máximo de corriente:

Pmax
IF 
0 .7 V
Ejemplo: Un diodo de silicio soporta una potencia máxima de 2W.
¿Se quemará si por el pasa una corriente de 1A?

2Watt
IF   2.86 A
0.7 V
 EL DIODO
Elección de un diodo.

Los fabricantes, a parte de las

especificaciones básicas de un diodo,
ofrecen características técnicas o valores
nominales para un correcto
funcionamiento de sus componentes.
 EL DIODO
Características técnicas. Elección de un diodo.
(Valores nominales de tensión)
 EL DIODO
Características técnicas. Elección de un diodo.
(Valores nominales de corriente)
 EL DIODO
Características técnicas.
(Valores nominales de temperatura)

Tstg = Indica los valores máximos y

mínimos de la temperatura de
almacenamiento.

Tj = Valor máximo de la
temperatura que soporta la
unión de los semiconductores.

TJmáx = 70 ºC hasta 90 ºC (germanio)

TJmáx = 150 ºC hasta 200 ºC (silicio).
 EL DIODO

Tipos de diodos
 EL DIODO
Encapsulados
TIPOS
 EL DIODO
Diodo rectificador.
TIPOS
Su construcción está basada en la unión PN
siendo su principal aplicación como rectificadores.
Este tipo de diodos (normalmente de silicio)
soportan elevadas temperaturas (hasta 200ºC en
la unión), siendo su resistencia muy baja y la
corriente en tensión inversa muy pequeña.
 EL DIODO
Diodo schottky.
TIPOS
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky,
llamado así en honor del físico alemán Walter H.
Schottky, es un dispositivo semiconductor que
proporciona conmutaciones muy rápidas entre los
estados de conducción directa e inversa (menos
de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de
diámetro) y muy bajas tensiones umbral.

Aplicaciones.

• Circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten

grandes velocidades de conmutación y mediante su poca caída de
voltaje en directo permite poco gasto de energía. .
 EL DIODO
Diodo Zener.
TIPOS
El diodo Zener es un diodo de silicio 1 que se ha
construido para que funcione en las zonas de
rupturas, recibe ese nombre por su inventor, el Dr.
Clarence Melvin Zener. El diodo zener es la parte
esencial de los reguladores de tensión casi
constantes con independencia de que se
presenten grandes variaciones de la tensión de
red, de la resistencia de carga y temperatura.
 EL DIODO
Diodo de capacidad variable
TIPOS
(varicap).
Son diodos que basan su funcionamiento en el
principio que hace que la anchura de la barrera de
potencial en una unión PN varia en función de la
tensión inversa aplicada entre sus extremos. Al
aumentar dicha tensión, aumenta la anchura de esa
barrera, disminuyendo así la capacidad del diodo.
De este modo se obtiene un condensador variable
controlado por tensión.

Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a

500 pF. La tensión inversa mínima tiene que ser de 1
V.
 EL DIODO
Diodo PIN.
TIPOS
Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas,
siendo la intermedia semiconductor intrínseco, y
las externas, una de tipo P y la otra tipo N
(estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin
embargo, en la práctica, la capa intrínseca se
sustituye bien por una capa tipo P de alta
resistividad (π) o bien por una capa n de alta
resistividad (ν).

El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:

• conmutador de RF
• resistencia variable
• protector de sobretensiones
• fotodetector
 EL DIODO
Diodo túnel.
TIPOS
• Cuando se aplica una pequeña tensión, el diodo tunnel
empieza a conducir (la corriente empieza a fluir).
• Si se sigue aumentando esta tensión la corriente
aumentará hasta llegar un punto después del cual la
corriente disminuye.
• La corriente continuará disminuyendo hasta llegar al
punto mínimo de un "valle" y después volverá a
incrementarse. En esta ocasión la corriente continuar
áaumentando conforme aumenta la tensión.

Los diodos tunnel tienen la cualidad

de pasar entre los niveles de
corriente Ip e Iv muy rápidamente,
cambiando de estado de conducción
al de no conducción incluso más
rápido que los diodos Schottky.
 EL DIODO
Diodo LED (Light Emitting Diode).
TIPOS
Es un diodo que presenta un
comportamiento parecido al de un diodo
rectificador sin embargo, su tensión de
umbral, se encuentra entre 1,3 y 4v
dependiendo del color del diodo.

Se utilizan como señal visual y en el caso COLOR TENSIÓN

de los infrarrojos en los mandos a Infrarrojo 1,3 v
distancia. Rojo 1,7 v
Naranja 2,0 v
Amarillo 2,5 v
Verde 2,5 v
Azul 4,0 v
 EL DIODO
Fotodiodo.
TIPOS
Son dispositivos semiconductores
construidos con una unión PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja.

Debido a su construcción se comportan

como células fotovoltaicas, es decir, en
ausencia de tensión exterior, generan una
tensión muy pequeña con el positivo en el
ánodo y el negativo en el cátodo.