Republica Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Educación

Instituto Universitario Politécnico Santiago Mariño
Extensión - Maracay

Componentes Generadores
y
Amplificadores de Microondas

Facilitador Bachiller:
Ing. Yonni García Miguel Marchena
C.I 26.713.440

Maracay, 17 de julio de 2019

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 Componentes generadores y amplificadores de microondas

Existe una variedad de componentes generadores y amplificadores de

microondas entre los primeros se encuentran, el klistrón, el TWT
(Traveling wave tuve) o tubo de ondas progresivas, el Magnetrón, el
oscilador Gunn y algunos mas modernos como el laser. El klistrón
pertenece a un tipo de válvulas o dispositivos de vacío basados en la
modulación de un haz de electrones . El klistrón de varias cavidades es
una válvula que contiene un generador de cañón electrónico constituido
por el cátodo con su filamento, una rejilla de control que actúa como
primer ánodo acelerador y que a través de un orificio deja salir el haz de
electrones y unas cavidades resonantes a través de las cuales pasa el haz
para terminar en un segundo ánodo. Estas cavidades suelen ser 2 o 3
según la aplicación de klistrón.

El TWT es un dispositivo de interacción entre un cañón de electrones

y una onda que viaja alrededor del haz por una línea de transmisión por
un conductor helicoidal. Tiene una cierta analogía con el klistrón de
varias cavidades, solo que las cavidades han sido sustituidas por el
conductor helicoidal.
Como elementos amplificadores se tienen varios tipos de Diodos, tales
como el Varactor, el PIN, el Schocktty, el Esaki (Tunnel)
 El Klistrón
El klistrón o klystron es una válvula de vacío de electrones en la cual se produce una
modulación inicial de velocidad impartida a los electrones. En la última etapa se genera
un campo eléctrico que es función de la velocidad modulada del haz de electrones y que
finalmente genera una corriente de microondas. Se utiliza como amplificador en la
banda de microondas o como oscilador. Fue inventada en 1937 por los hermanos Russell
y Sigurd Varian quienes estudiaban y trabajaban en la universidad estadounidense de
Stanford.

Se distinguen dos tipos de klistrones:

klistrón de dos cavidades: en una cavidad se modula el haz de electrones por la señal de
entrada, y en la segunda cavidad se extrae la señal amplificada.
klistrón reflex: sólo contiene una cavidad. El haz de electrones la atraviesa dos veces: en
la primera se modula con la señal; se refleja en un electrodo negativo, llamado reflector,
y regresa a la cavidad, donde se extrae la señal. Fue de amplio uso como oscilador de
microondas en radares y equipos de laboratorio.
Los klistrones pueden trabajar a frecuencias que superan los 200 GHz. Los de varias
cavidades se utilizan como amplificadores de alta potencia.

Con mayor número de cavidades se consigue mayor ganancia. Algunos tienen hasta
siete cavidades.
Sintonizando todas las cavidades a la misma frecuencia se consigue la máxima ganancia
y el menor ancho de banda y variando la sintonía de las cavidades se aumenta el ancho
de banda y la ganancia disminuye.

Se utilizan en radares, transmisores de TV, satélites, medicina, etc.


El Magnetrón es un dispositivo que transforma la energía eléctrica en
energía electromagnética en forma de microondas. Fue desarrollado
hacia el final de los años 30 con el fin de alimentar al radar mediante una
fuente radioeléctrica potente (varios cientos de vatios) y con una
longitud de onda centimétrica, por lo tanto unas frecuencias elevadas
para la época de 300 MHz a 3 GHz (ondas decimétricas) y más allá de 3
GHz (ondas centimétricas).
Los osciladores de tubos utilizados anteriormente eran incapaces de
proporcionar tanta potencia (lo que suponía un alcance insuficiente de
los radares), a frecuencias tan elevadas (de donde una discriminación
angular débil).
El Magnetrón
Básicamente consiste en un cilindro metálico, en el que hay dispuestas de forma radial una serie de
oquedades o cavidades resonadoras, que se comunican con una cavidad central mayor, en cuyo eje existe un
filamento metálico de titanio. Esta válvula fue desarrollada originalmente a partir de la válvula Klystron, en
la Universidad de Birmingham (Inglaterra) por el profesor M.L. Oliphant, en el otoño de 1939. La idea
básica es utilizar la válvula para producir señales de potencias elevadas en la gama de microondas para los
sistemas de radar que todavía no estaban suficientemente desarrollados. El cilindro se comporta como
ánodo y el filamento central como cátodo. El filamento, conectado al polo negativo de una fuente de
corriente continua, se pone incandescente y emite electrones por efecto termoiónico. El cilindro se conecta
al polo positivo y atraerá a los electrones. Todo este conjunto se encuentra dispuesto entre los polos de un
potente electroimán.
Por acción de este potente campo magnético, los electrones, en lugar de ir en línea recta hacia el
cilindro, al ser atraídos hacia las oquedades, realizan una trayectoria circular y, al penetrar en ella, se
movilizan en remolino.
El espacio abierto entre la placa y el cátodo se llama el espacio de interacción. En este espacio los
campos eléctricos y magnéticos interactúan para ejercer la fuerza sobre los electrones. Dado que toda carga
eléctrica en movimiento crea a su alrededor un campo electromagnético, todos los electrones en
movimiento circular en las oquedades producen ondas electromagnéticas –en este caso microondas–
perpendiculares al desplazamiento de los mismos y de una frecuencia dependiente del tamaño de las
oquedades. Sin embargo, la frecuencia no es precisamente controlable, varía con los cambios en la
impedancia de carga, con cambios en la intensidad, y con la temperatura del tubo. Mediante un cable
coaxial, se transmite la energía a un director o radiador, constituido por una antena.
 Fases internas del Magnetrón
Fase 1: La producción y la aceleración de un haz de electrones
Cuando no existe campo magnético, se produce un movimiento uniforme y directo
de los electrones desde el cátodo a la placa. Si la intensidad del campo magnético
aumenta, la curva que dibujan los electrones es más pronunciada. Cuando se alcanza
el valor del campo crítico, los electrones son desviados lejos de la placa y la
intensidad en la placa cae. Cuando la intensidad de campo se hace aún mayor, las
caídas de corriente de placa llegan a cero o casi cero.
Fase 2: La velocidad de modulación del haz de electrones
El campo eléctrico en el oscilador magnetrón es el producto de los campos de CA y
CC. El campo de CC se extiende radialmente a partir de segmentos adyacentes del
ánodo al cátodo. Los campos de corriente alterna, que se extienden entre los
segmentos adyacentes, se muestran en un instante de la magnitud máxima de una
alternancia de las oscilaciones de radio frecuencia que se producen en las cavidades.
Los electrones que se mueven hacia los segmentos de ánodo cargado positivamente
se aceleran. Obtienen una mayor velocidad tangencial. Por otro lado los electrones
que se mueven hacia los segmentos con carga negativa reducen su velocidad. Como
consecuencia de una velocidad tangencial menor.
Fase 3: Formación de un "espacio de carga de la rueda"
La acción acumulativa de muchos electrones regresando al cátodo, mientras que otros se
mueven hacia el ánodo forma un patrón parecido a los radios de una rueda en movimiento
conocido como "el espacio de carga de la rueda". La rueda de carga espacial gira alrededor
del cátodo a una velocidad angular de 2 polos (segmentos de ánodo) por ciclo del campo de
corriente alterna. Esta relación de fase permite la concentración de electrones para liberar de
forma permanente energía para mantener las oscilaciones de radiofrecuencia.
Fase 4: Distribuir la energía para el campo de CA
Recordemos que un electrón en movimiento contra un campo E es acelerado por el campo y
toma la energía del campo. Además, si prescindimos de la energía de un electrón en un
campo y se ralentiza el movimiento en la misma dirección que el campo (de positivo a
negativo). El electrón pasa la energía de cada cavidad a medida que pasa el tiempo y llega al
ánodo cuando su energía se gasta. Por lo tanto, el electrón ha ayudado a mantener las
oscilaciones, ya que ha tomado la energía del campo de CC y la ha dado al campo de
corriente alterna.
Normalmente, para que los imanes permanentes no dejen de funcionar por alcanzar la
temperatura de Curie, los magnetrones industriales se enfrían con agua, o en su defecto, con
un sistema de dispersión que consiste en placas metálicas, que a la vez filtran las ondas
electromagnéticas producidas, gracias al principio de resonancia.
El Magnetrón puede producir salidas de potencia continua de más de 1 kW de potencia a una
frecuencia de 1 GHz. La salida baja a medida que la frecuencia aumenta. Por ejemplo, a los
10 GHz, un magnetrón puede producir de 10 a 20 vatios de la radio frecuencia de salida
continua.
 Usos del Magnetrón
El radar, donde ahora tiene la competencia del Klistrón, el carcinotron, el tubo de ondas
progresivas y los semiconductores.

El horno microondas. Se dice que se descubrió la aplicación cuando los técnicos veían a
los gorriones quemados tras pasar cerca de las antenas de los primeros radares ingleses, las
ondas emitidas por el dispositivo son guiadas por un orificio para llegar hasta los
alimentos a calentar, excitando sus moléculas de agua e incrementando su temperatura, por
ello los que son en su mayor parte líquidos con un punto de ebullición menor al de otros
sólidos se calientan más rápidamente. La principal empresa fabricante de magnetrones en
la Segunda Guerra Mundial fue la Raytheon Inc. Uno de sus ingenieros descubrió con
sorpresa cómo un chocolate que llevaba en el bolsillo para almorzar se había convertido en
crema al estar trabajando al lado del radar [cita requerida]. Esto le llevó a pensar en el uso
doméstico de este invento, llevando a la preparación del primer horno microondas.

En medicina física, las microondas se utilizan como método de calentamiento profundo

(diatermia). La producción de calor se basa en el hecho de que las moléculas orgánicas y
de agua vibran con gran energía (vibración forzada) al ser sometidas a microondas de
determinada frecuencia. La fricción producida entre las moléculas en vibración genera
rápidamente calor. En definitiva, la penetración y la absorción de las microondas en los
tejidos biológicos depende, fundamentalmente, de tres factores:
Longitud de onda. A medida que la longitud de onda disminuye (aumenta la frecuencia),
disminuye la penetración.
Conductividad del absorbente. La energía de las microondas tiende a penetrar tejidos con
baja conductividad y a ser absorbida en tejidos con elevada conductividad eléctrica.
Esencialmente, cuanto mayor es el contenido en agua del tejido, mayor es la absorción.
Espesor de grasa subcutánea. Cuanto mayor es, dicho espesor, la penetración se ve
disminuida.
 El Tubo de onda progresiva
(TWT)
Un tubo de onda progresiva (en inglés, Traveling-Wave Tube o TWT)
es un dispositivo electrónico usado para amplificar señales de radio
frecuencia (RF) mediante un montaje electrónico llamado amplificador
de tubo de onda progresiva (TWTA). Los TWT pueden ser de banda
estrecha o de banda ancha, siendo estos últimos los más comunes,
llegando hasta una octava. El rango de frecuencias se encuentra
comprendido entre los 300 MHz hasta los 50 GHz. La ganancia de
tensión del tubo puede llegar hasta los 70 decibelios.
El dispositivo consta de un tubo de vacío alargado con un cañón electrónico
(cátodo emisor de electrones). En el cañón, los electrones viajan desde el cátodo
caliente hacia el ánodo (efecto Edison). Alrededor del tubo, un campo magnético de
contención concentra los electrones en un haz. El haz llega al centro de un circuito de
RF (siendo una cavidad acoplada o espiral), que se extiende desde la entrada de RF
hasta la salida de RF. El haz pasa luego al terminal colector. Un acoplador direccional,
que puede ser una guía de onda o una bobina electromagnética (EM), es alimentado
con la señal de baja potencia que se va a amplificar. El acoplador direccional se
coloca cerca del emisor, induciendo corriente en la hélice.
El circuito de RF actúa como una línea de retardo en la que la señal de RF viaja casi a
la misma velocidad a lo largo del tubo que el haz electrónico. El campo EM generado
por la señal de RF en el circuito de RF, actúa sobre el haz electrónico, causando el
agrupamiento de los electrones (efecto llamado modulación de la velocidad). El
campo EM generado por la corriente del haz induce de nuevo más corriente sobre el
circuito de RF. Se acumula entonces la corriente, amplificándose cada vez más.
Un segundo acoplador direccional, colocado cerca del colector, recibe una
amplificación de la señal de entrada desde el otro extremo del circuito de RF. Los
atenuadores que se encuentran a lo largo del circuito de RF evitan que la onda
reflejada vuelva atrás hacia el extremo colector.
 Origen y prototipo del TWT
El diseño original y el prototipo del TWT fue hecho por el ruso Andrew
Vasily Haeff hacia 1931 mientras trabajaba como estudiante de doctorado en
el Laboratorio de Radiación Kellogg en Caltech. Su patente original, «Device
for and Method of Controlling High Frequency Currents» [Dispositivo y
Método para control de corrientes de alta frecuencia], fue solicitada en 1933 y
concedida en 1936.
La invención del TWT se atribuye a menudo a Rudolf Kompfner y la fecha es
situada entre 1942 y 1943. También el ingeniero e inventor estadounidense
Nils Lindenblad, quien trabajaba en Radio Corporation of America (RCA)
presentó una patente para un dispositivo similar el día 04 de mayo de 19403
que era notablemente similar al dispositivo de Kompfner.4:2 Ambos
dispositivos eran mejoras sobre el diseño original de Haeff ya que ambos De cualquier modo, Kompfner inventó de manera independiente el TWT, construyendo el
utilizaron el entonces recién inventado cañón de precisión de electrones como primer dispositivo funcional en un laboratorio británico de radar durante la segunda
fuente del haz de electrones y ambos dirigieron el haz hacia abajo, al centro de guerra mundial. Su primer boceto del TWT data del 12 de noviembre de 1942,
la hélice, en lugar de fuera de él. construyendo su primer tubo a principios de 1943. El TWT fue perfeccionado por
Kompfner, John Pierce, y Lester M. Field en los laboratorios Bell.

Por la década de 1950, tras mayores desarrollos en el laboratorio de tubos electrónicos de

Hughes Aircraft Company, en Culver City (California, Estados Unidos), los TWT
empezaron a producirse en dicha empresa, y para la década de 1969, los TWT fueron
producidos además por compañías como las británicas English Electric Valve Company y
Ferranti International PLC, en la década de 1970.

El 10 de julio de 1962, el primer satélite de comunicaciones, Telstar 1, fue lanzado con un

transpondedor RCA TWT de 2 W y 4 GHz, usado para transmitir señales de RF hacia la
Tierra. Syncom 2, el primer satélite sincrónico (el Syncom 1 no alcanzó la órbita final),
fue lanzado el 26 de julio de 1963 con dos grandes transpondedores TWT de 2 W y 1850
MHz (uno activo y otro de repuesto).
 El Girotron

Es una fuente de radiación de microondas de alta frecuencia y alta potencia. Se considera el primer
dispositivo generador de rayos de microondas de alta frecuencia de la historia, perteneciente a la familia
de los tubos de vacío.

Su principio de funcionamiento El Girotron tiene alta potencia en longitudes de onda milimétricas

(decenas de MW, dependiendo de la frecuencia) porque, a diferencia de los anteriores tubos de vacío
convencionales, las dimensiones del tubo en este caso pueden ser mucho mayores que la longitud de onda
y no se depende de las propiedades de los materiales que conforman el tubo.

Como se ha comentado anteriormente, en los tubos de haz lineal, se aceleraban y desaceleraban los
electrones dentro de un campo magnético porque se pretendía conseguir una aglomeración o
concentración de éstos para, posteriormente, inducir una corriente a la salida del tubo. En el caso del
Girotron ocurre algo parecido, solo que se pretende potenciar una microonda electromagnética a la salida.
En este caso, el haz de electrones entra en la cavidad hueca de resonancia del tubo, que se encuentra en un
campo magnético axial y la agrupación de electrones depende de un efecto relativista llamado Cyclotron
Resonance Maser Instability. Esto quiere decir que la velocidad del haz de electrones en un Girotron es
ligeramente relativista (comparable a, pero no igual a la velocidad de la luz).

A su vez, máser es un acrónimo de Microwave Amplification by Stimulated Emission of Radiation

(amplificador de microondas por la emisión estimulada de radiación). El máser es un fenómeno de
amplificación similar al láser, pero que opera en la región de frecuencia a la que pertenecen las
microondas. Cuando una molécula o un átomo se hallan en un estado energético adecuado y pasa cerca de
una onda electromagnética, ésta puede inducirles a emitir energía en forma de otra radiación
electromagnética con la misma longitud de onda que refuerza la onda de paso y desencadena una cascada
de fenómenos que llevan a aumentar mucho la intensidad de la onda electromagnética original.
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 El laser
Un láser (del acrónimo inglés LASER, light amplification by
stimulated emission of radiation; amplificación de luz por emisión
estimulada de radiación) es un dispositivo que utiliza un efecto de la
mecánica cuántica, la emisión inducida o estimulada, para generar un haz
de luz coherente tanto espacial como temporalmente. La coherencia
espacial se corresponde con la capacidad de un haz para permanecer con
un pequeño tamaño al transmitirse por el vacío en largas distancias y la
coherencia temporal se relaciona con la capacidad para concentrar la
emisión en un rango espectral muy estrecho.

Elementos básicos de un láser

Un láser típico consta de tres elementos básicos de operación. Una
cavidad óptica resonante, en la que la luz puede circular, que consta
habitualmente de un par de espejos de los cuales uno es de alta
reflectancia (cercana al 100 %) y otro conocido como acoplador, que
tiene una reflectancia menor y que permite la salida de la radiación láser
de la cavidad.

Dentro de esta cavidad resonante se sitúa un medio activo con

ganancia óptica, que puede ser sólido, líquido o gaseoso (habitualmente
el gas se encontrará en estado de plasma parcialmente ionizado) que es el
encargado de amplificar la luz. Para poder amplificar la luz, este medio
activo necesita un cierto aporte de energía, llamada comúnmente
bombeo. Este bombeo es generalmente un haz de luz (bombeo óptico) o
una corriente eléctrica (bombeo eléctrico).

Elementos básicos de un laser
Cavidad láser
La cavidad óptica resonante, conocida también como cavidad láser, existe en la gran
mayoría de los dispositivos láser y sirve para mantener la luz circulando a través del medio
activo el mayor número de veces posible. Generalmente está compuesta de dos espejos
dieléctricos que permiten reflectividades controladas que pueden ser muy altas para
determinadas longitudes de onda.
El espejo de alta reflectividad refleja cerca del 100 % de la luz que recibe y el espejo
acoplador o de salida, un porcentaje ligeramente menor. Estos espejos pueden ser planos o
con determinada curvatura, que cambia su régimen de estabilidad.
Según el tipo de láser, estos espejos se pueden construir en soportes de vidrio o cristales
independientes o en el caso de algunos láseres de estado sólido pueden construirse
directamente en las caras del medio activo, disminuyendo las necesidades de alineación
posterior y las pérdidas por reflexión en las caras del medio activo.
Algunos láseres de excímero o la mayoría de los láser de nitrógeno, no utilizan una
cavidad propiamente dicha, en lugar de ello un sólo espejo reflector se utiliza para dirigir
la luz hacia la apertura de salida. Otros láser como los construidos en micro cavidades
ópticas7 emplean fenómenos como la reflexión total interna para confinar la luz sin
utilizar espejos.
Medio activo
El medio activo es el medio material donde se produce la amplificación óptica.
Puede ser de muy diversos materiales y es el que determina en mayor medida las
propiedades de la luz láser, longitud de onda, emisión continua o pulsada, potencia,
etc.
El medio activo es donde ocurren los procesos de excitación (electrónica o de
estados vibracionales) mediante bombeo de energía, emisión espontánea y emisión
estimulada de radiación. Para que se dé la condición láser, es necesario que la
ganancia óptica del medio activo sea inferior a las pérdidas de la cavidad más las
pérdidas del medio.
Dado que la ganancia óptica es el factor limitante en la eficiencia del láser, se tiende
a buscar medios materiales que la maximicen, minimizando las pérdidas, es por esto
que si bien casi cualquier material puede utilizarse como medio activo,8 sólo algunas
decenas de materiales son utilizados eficientemente para producir láseres.
Bombeo
Para que el medio activo pueda amplificar la radiación, es necesario excitar sus
niveles electrónicos o vibracionales de alguna manera. Comúnmente un haz de luz
(bombeo óptico) de una lámpara de descarga u otro láser o una corriente eléctrica
(bombeo eléctrico) son empleados para alimentar al medio activo con la energía
necesaria.
El bombeo óptico se utiliza habitualmente en láseres de estado sólido (cristales y
vidrios) y láseres de colorante (líquidos y algunos polímeros) y el bombeo eléctrico
es el preferido en láseres de semiconductor y de gas. En algunas raras ocasiones se
utilizan otros esquemas de bombeo que le dan su nombre, por ejemplo a los láseres
químicos o láseres de bombeo nuclear9 que utilizan la energía de la fisión nuclear.
Debido a las múltiples pérdidas de energía en todos los procesos involucrados, la
potencia de bombeo siempre es mayor a la potencia de emisión láser
 Tipos de Laser
Semiconductores

Diodos láser, es el emisor láser más común, utiliza una unión semiconductora p-n similar a
la que se utiliza en los led pero en este caso está colocada en una cavidad reflectora. Son
utilizados en punteros láser, impresoras láser, grabadores/reproductores de CD, DVD, Blu-
Ray, HD-DVD y como energía de bombeo de muchos láseres de estado sólido.
Láser de punto cuántico, un tipo de láser semiconductor que usa puntos cuánticos como el
medio activo en su región de emisión de luz. Debido al denso confinamiento de los
portadores de carga en los puntos cuánticos, exhiben una estructura electrónica similar a la
de los átomos.
Los láseres fabricados con medios tan activos exhiben un comportamiento bastante cercano a
los láseres de gas, pero no presentan algunos de los inconvenientes asociados a los
tradicionales láseres de semiconductores basados en medios activos sólidos o de pozo
cuántico.

Se han observado mejoras en la modulación de ancho de banda, umbral de excitación,

ruido relativo de intensidad, factor de realce de ancho de línea y estabilidad con la
temperatura. La región activa del punto cuántico puede diseñarse para operar con diferentes
longitudes de onda variando el tamaño y la composición del punto cuántico. Esto permite
que este tipo de láser pueda fabricarse para operar en longitudes de onda imposibles de
obtenerse con la tecnología de láser semiconductor actual.11
Láser de cascada cuántica (comúnmente llamado QCL en inglés), funciona con inyección
eléctrica en un material semiconductor estructurado. Bajo un determinado potencial
eléctrico, la inversión de población es realizada cuando niveles energéticos de la banda de
conducción se alinean de una forma determinada. Estos niveles energéticos se repiten de
forma periódica a lo largo de toda la estructura del láser formando, desde el punto de vista
energético, una serie de «cascadas» o «escalones energéticos». Un electrón, al recorrer una a
una estas cascadas energéticas, genera quantos de luz, fotones, en cada uno de estos saltos
energéticos.
Gas
Láser de Helio-Neón, o láser HeNe, es un tipo de láser de gas que utiliza como medio
activo una mezcla gaseosa de helio y neón. Los láseres de helio-neón emiten,
habitualmente, a una longitud de onda de 633 nm, luz visible de color rojo. Son un
tipo de láser habitual en laboratorios docentes o en el caso de láseres estabilizados, en
aplicaciones de metrología de alta precisión.
El medio activo del láser es una mezcla de helio y de neón contenida en un tubo de
vidrio cerrado, en una proporción de 5:1 aproximadamente y a una presión
relativamente baja (habitualmente alrededor de 300 Pa). La energía para el bombeo se
consigue con una descarga eléctrica de unos 1.000 V a través de dos electrodos
situados a cada extremo del tubo. La cavidad resonante suele estar formada por un
espejo plano de alta reflectancia en un extremo y un espejo cóncavo con una
transmisión de un 1% al otro extremo, separados normalmente unos 15-20 cm. Los
láseres de helio-neón tienen unas potencias de salida de entre 1 mW y 100 mW.
La longitud de onda es de 632.816 nm en el aire, que corresponde a una longitud de
onda de 632,991 nm en el vacío. En cada caso particular, la longitud de onda obtenida
se encuentra en un intervalo de 0.002 nm alrededor de este valor, debido a las
fluctuaciones térmicas que provocan pequeñas oscilaciones de las dimensiones de la
cavidad.
Láser de dióxido de Carbono, emite en el infrarrojo lejano a 10.6 µm.
Láser de Nitrógeno, emite en el UV a 337 nm normalmente en régimen de operación
pulsado.
Láser excimer, el medio activo puede estar formado por diversas moléculas excímeras
de vida muy corta formadas por gases nobles y halógenos, producen luz ultravioleta.
Láser de Argón, tiene varias líneas de emisión aunque las principales son 514 nm y
488 nm. Trabaja en régimen continuo con potencias de hasta unas decenas de W.
Estado sólido
Estos láseres emplean típicamente vidrios, cristales o fibras dopadas
como medio activo. Aunque los semiconductores son también de estado
sólido, se suelen tomar en una categoría diferente. Algunos láseres de
estado sólido son:
Materiales dopados con tierras raras:
Láser neodimio-YAG, El medio activo es un cristal YAG (Yttrium
Aluminium Garnet) dopado con neodimio trivalente. Emite en el
infrarrojo cercano a 1064 nm. Es frecuentemente convertido a verde 532
nm utilizando un cristal no lineal que dobla la frecuencia como por
ejemplo, el KTP.
YAG dopado con erbio trivalente, emite a eficientemente a 2900nm pero
también puede operar a 1645 nm.
YAG dopado con tulio trivalente, que opera normalmente a 2015 nm.
YAG dopado con holmio trivalente, que emite a 2090 nm. Es absorbido
de manera explosiva por tejidos impregnados de humedad en secciones
de menos de un milímetro de espesor. Generalmente opera en modo
pulsante y pasa a través de dispositivos quirúrgicos de fibra óptica. Se
utiliza para quitar manchas de los dientes, vaporizar tumores
cancerígenos y deshacer cálculos renales y vesiculares.
YVO dopado con neodimio trivalente. El medio activo es el
ortovanadato de itrio, similar al Nd:YAG pero permite mayores
eficiencias que éste, en láseres continuos de potencia media-baja.
Láser de fibra dopada con erbio, un tipo de láser formado de una fibra
óptica especialmente fabricada, se utiliza principalmente como
amplificador para comunicaciones ópticas de larga distancia.
Materiales dopados con metales de transición:
Láser de rubí (Cristal de zafiro dopado con cromo trivalente). Fue el
primer láser construido, en 1960, mediante una barra de rubí excitada por
un pulso de flash de Xenón. Emite luz a 694.3 nm, visible como un rojo
profundo.
Láser de zafiro dopado con titanio trivalente, es un láser sintonizable
desde el rojo hasta el infrarrojo cercano, entre 650 y 1100 nm. Tienen la
característica de, según el diseño óptico de la cavidad, puede operar en
modo continuo o emitiendo pulsos ultra cortos.
Láser de Alejandrita, aluminato de berilio dopado con cromo trivalente.
Emite típicamente en el infrarrojo cercano a 750 nm ,12 es usado en
algunos sistemas de depilación.
 El oscilador YIG
El Oscilador de microondas que emplea un filtro yig (ytrium−iron−garnet),
dispuesto en un campo magnético, lo que permite una sintonía sobre una amplia
gama de frecuencias.
El YIG se utiliza para crear los circuitos resonantes en los osciladores de
microondas y filtros. Lo que la diferencia de otros tipos de resonadores de
microondas es que pueden resonar sobre rangos de frecuencia muy amplio. Por lo
tanto, son ideales para aplicaciones muy de banda ancha. También están teniendo
muy estable el ruido de fase muy bajo.

Formación

El oscilador YIG está formado por una resistencia negativa que produce las
oscilaciones y un resonador con un elevado factor de calidad que proporciona una
señal de una gran pureza espectral. El resonador está constituido por una esfera de
una forma cristalina de ferrita (denominada granate) de itrio y hierro (YIG), que
está inmersa en un campo magnético DC.
La resistencia negativa del oscilador se puede conseguir utilizando distintos
elementos activos. Así, para frecuencias comprendidas en el intervalo 1-20 GHz
se suele utilizar un transistor bipolar de RF, mientras que para frecuencias de 7 a
40 GHz se utiliza un FET de GaAs. Los bipolares proporcionan señales de salida
con mayores fluctuaciones de frecuencia (ruido de fase o ruido FM) que los FET y
su frecuencia máxima de operación es más baja. La eficiencia media de un
oscilador YIG que utiliza un transistor como elemento activo es del orden del
30%.
Los osciladores YIG pueden alcanzar frecuencias superiores a 100 GHz si se
utilizan como elementos activos diodos Gunn. Los YIG basados en diodos son
más inestables que los basados en transistores y tienen una eficiencia
sensiblemente menor, del orden del 10%.
Donde RL y LL representan las perdidas y la inductancia del bucle de acoplo del
campo RF respectivamente. Cy y Ly establecen la condición de resonancia y R las
pérdidas del factor Q de la esfera YIG.
Para que se produzca la oscilación, la parte real de la impedancia del resonador debe
ser igual a la resistencia negativa del elemento activo. Si Zel y Zy, son la impedancia
del elemento activo y la impedancia del resonador, respectivamente, entonces en
situación de resonancia la parte real de Zel es negativa y el coeficiente de reflexión, es
mayor que la unidad, produciéndose la oscilación. Se puede obtener una variación
muy lineal de la frecuencia modificando el valor del campo H0. Cuando se precisa
modular en frecuencia, se hace pasar una corriente modulada en FM por una serie de
espiras colocadas en el polo del imán, tal y como se muestra en la Figura izquierda.
 Características y aplicaciones del oscilador YIG

 Excelente linealidad
 Plana Potencia de salida vs Frecuencia
 Bajo ruido de fase
 Temperatura Estable.
 Cerradura de la fase y modulación de capacidad.
 Conductores analógicos y digitales disponibles.

Sintetizadores de bajo ruido

El sintetizador crea sonidos mediante manipulación directa de corrientes eléctricas
(como los sintetizadores analógicos), mediante la manipulación de una onda FM
digital (sintetizadores digitales), manipulación de valores discretos usando
ordenadores (sintetizadores basados en software), o combinando cualquier método.

Receptor de los osciladores locales y equipos de defensa electrónica.

Jammer Exciters
ATE Módulos
Un ATE puede ser un simple multímetro digital controlado por ordenador , o un
complicado sistema que contiene docenas de instrumentos de prueba complejas
(equipo de prueba electrónico real o simulada ), capaces de poner a prueba de forma
automática y el diagnóstico de fallas en sofisticados componentes electrónicos
Módulos de Equipos de prueba automática
 Diodo Schottky

Es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los

estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm
de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo,
aunque en inglés se refieren a ella como "knee", es decir, rodilla). La tensión de codo es la
diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como conductor en lugar
de circuito abierto; esto, dejando de lado la región Zener, que es cuando existe una
diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que a pesar de estar polarizado en
inversa éste opere de forma similar a como lo haría regularmente.

Su funcionamiento se basa en frecuencias bajas. Un diodo normal puede conmutar

fácilmente cuando la polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta
la frecuencia el tiempo de conmutación puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el
dispositivo.

El diodo Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor (barrera de

Schottky), en lugar de la unión convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada
por los diodos normales.

Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador

mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor está dopado con impurezas
tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones móviles) desempeñarán un papel
significativo en la operación del diodo y no se realizará la recombinación aleatoria y lenta
de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que
la operación del dispositivo será mucho más rápida.
 Características del Diodo Schottky
 La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy alta frecuencia y
eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.

• A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensión umbral —
valor de la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce— de 0,7 V, los diodos
Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V empleándose,
por ejemplo, como protección de descarga de células solares con baterías de plomo
ácido.
• La limitación más evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir
resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes
inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en
circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades
de conmutación y mediante su poca caída de voltaje en directo permite su operación
con un reducido gasto de energía. Otra aplicación del diodo Schottky es en variadores
de frecuencia (inverters) y circuitos controladores de motores paso a paso, cuando el
circuito controlador efectua la desconexión de los bobinados del motor estos diodos se
encargan de drenar los picos de corriente inductiva que regresan de los bobinados de un
motor y devolverlos al bus de continua para que estos no quemen los transistores IGBT
del chopper, destruyendo el dispositivo. Cuando el motor se comporta como generador,
la corriente circula hacia el bus de continua a través de los diodos y no es absorbida por
los IGBTs.

• El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lógica TTL. Por ejemplo
los diodos tipo ALS y AS permiten que los tiempos de conmutación entre los
transistores sean mucho menores puesto que son más superficiales y de menor tamaño
por lo que se da una mejora en la relación velocidad/potencia. El tipo ALS permite
mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de
velocidad que las Schottky TTL con la misma potencia.
 Diodo PIN

El Diodo PIN es una estructura de tres capas, siendo la intermedia

semiconductor intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N
(estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la práctica,
la capa intrínseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta
resistividad (π) o bien por una capa n de alta resistividad (ν). La región
intrínseca amplia es en contraste con un diodo PN ordinaria. La región
intrínseca amplia hace que el diodo PIN un rectificador inferiores, pero
hace que el diodo PIN adecuado para atenuadores, interruptores rápidos,
fotodetectores, y aplicaciones de electrónica de potencia de alta tensión.

Su descubrimiento se remonta
En 1971 C.A. Burrus desarrolla un nuevo tipo de emisor de luz, el
LED, de pequeña superficie radiante, idónea para el acoplamiento en
F.O. Por lo que se refiere a los fotodetectores, los diodos PIN y los de
avalancha a base de Si, fueron desarrollados sin dificultades y ofrecían
buenas características. Sin embargo, no podían aplicarse en longitud de
onda > 1100 nm. El Ge era un buen candidato a ser utilizado para
trabajar entre 1100 y 1600 nm, y ya en 1966 se disponía de ellos con
elevadas prestaciones eléctricas. Sin embargo, la corriente de oscuridad
(ruido) del Ge es elevada y da motivo a ensayos con fotodiodos con
materiales como InGaAsP (arseniuro fosfuro de indio y galio). El primer
PIN de InGaAs (arseniuro de indio y galio) se realiza en 1977.
 Funcionamiento del diodo PIN

Un diodo PIN opera bajo lo que se conoce como la inyección de alto

nivel. En otras palabras, la región intrínseca "i" se inunda con los
portadores de carga de las regiones de "n", "p" y. Su función se puede
comparar a llenar un cubo de agua con un agujero en el lado. Una vez
que el agua alcanza el nivel del agujero en el que comenzará a derramar.
Del mismo modo, el diodo conducir la corriente una vez que los
electrones y los huecos inundados llegan a un punto de equilibrio, donde
el número de electrones es igual al número de agujeros en la región
intrínseca.
Cuando el diodo está polarizado hacia adelante, la concentración de
portadores inyectada es típicamente varios órdenes de magnitud más alta
que la concentración de portadores nivel intrínseco. Debido a esta
inyección de alto nivel, que a su vez se debe al proceso de agotamiento,
el campo eléctrico se extiende profundamente en la región. Este campo
eléctrico ayuda en la aceleración del transporte de portadores de carga
desde la P a la región N, que se traduce en un funcionamiento más rápido
del diodo, por lo que es un dispositivo adecuado para operaciones de alta
frecuencia.
 Características y aplicaciones del diodo PIN
 Un diodo PIN obedece a la ecuación del diodo estándar para señales de
baja frecuencia. A frecuencias más altas, el diodo se parece a una
resistencia casi perfecta. Hay una gran cantidad de carga almacenada en la
región intrínseca. A bajas frecuencias, la carga se puede quitar y el diodo
se apaga. A frecuencias más altas, no hay tiempo suficiente para retirar la
acusación, por lo que el diodo no se apaga nunca. El diodo PIN tiene un
mal tiempo de recuperación inverso.
 La resistencia de alta frecuencia es inversamente proporcional a la
corriente continua de polarización a través del diodo. Un diodo PIN,
adecuadamente sesgada, por lo tanto, actúa como una resistencia variable.
Esta resistencia de alta frecuencia puede variar en un amplio intervalo.
 La región intrínseca amplia también significa que el diodo tendrá una
capacitancia baja polarizado inversamente.
 En un diodo PIN, la región de agotamiento existe casi por completo dentro
de la región intrínseca. Esta región de agotamiento es mucho más grande
que en un diodo PN, y casi constante de tamaño, independiente de la
polarización inversa aplicada al diodo. Esto aumenta el volumen en el que
los pares electrón-hueco pueden ser generados por un fotón incidente.
Algunos dispositivos fotodetectores, tales como fotodiodos PIN y
fototransistores, utilizan una unión pin en su construcción.
 El diseño de diodo tiene algunas ventajas y desventajas de diseño. El
aumento de las dimensiones de la región intrínseca permite que el diodo se
vea como una resistencia a frecuencias más bajas. Se afecta negativamente
el tiempo necesario para apagar el diodo y su capacitancia en derivación.
Diodos PIN se adaptarán para un uso particular.
 Interruptores de RF y microondas Bajo el sesgo cero o inversa, un diodo PIN tiene una capacidad baja.
La baja capacidad no va a pasar mucho de una señal de RF. En virtud de un sesgo hacia adelante de 1
mA, un diodo PIN típico tendrá una resistencia de RF de aproximadamente 1 ohmio, por lo que es un
buen conductor de RF. En consecuencia, el diodo PIN hacen un buen interruptor de RF. Aunque los
relés de RF se pueden utilizar como interruptores, cambian muy lentamente. Un interruptor de diodo
PIN puede cambiar mucho más rápidamente.
 La capacitancia de un diodo PIN fuera discreta podría ser 1 pF. A 320 MHz, la reactancia de 1 pF trata-
J500 ohm. Como un elemento de la serie en un sistema de 50 ohmios, la atenuación de estado
desactivado sería -20 veces la base 10 de registro de la relación de la impedancia de carga a la suma de
la carga, el diodo y la fuente de impedancias, o más o menos 20 dB, lo que no puede ser adecuada. En
aplicaciones donde se necesita un mayor aislamiento, tanto la derivación y elementos de las series se
pueden utilizar, con los diodos de derivación sesgadas de manera complementaria a los elementos de la
serie. Adición de elementos de derivación reduce de manera efectiva la fuente y impedancias de carga,
la reducción de la relación de impedancia y el aumento de la atenuación del estado de desactivación.
 RF y microondas atenuadores variables Al cambiar la corriente de polarización a través de un diodo
PIN, es posible cambiar rápidamente la resistencia RF. A altas frecuencias, el diodo PIN aparece como
un resistor cuya resistencia es una función inversa de la corriente directa. En consecuencia, el diodo
PIN se puede utilizar en algunos diseños atenuador variable como moduladores de amplitud o circuitos
de nivelación de salida.
 Limitadores Diodos PIN veces se utilizan como dispositivos de protección de entrada para sondas de
prueba de alta frecuencia. Si la señal de entrada está dentro del rango, el diodo PIN tiene poco impacto
como una pequeña capacidad. Si la señal es grande, entonces el diodo PIN se inicia para llevar a cabo y
se convierte en una resistencia que desvía la mayor parte de la señal a tierra.
 -Célula fotoeléctrica y fotovoltaica El fotodiodo PIN fue inventado por Jun-ichi Nishizawa y sus
colegas en 1950. Fotodiodos PIN se utilizan en las tarjetas de red de fibra óptica y los interruptores.
Como un fotodetector, el diodo PIN está polarizado inversamente. En polarización inversa, el diodo
normalmente no realiza. Un fotón entrar en la región intrínseca libera un portador. El campo de
polarización inversa barre el portador fuera de la región y crea una corriente.
 Diodo Túnel
El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se produce el
efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la
característica corriente-tensión.1
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como componente activo
(amplificador/oscilador).
También se conocen como diodos Esaki, en honor del físico japonés Leo Esaki quien descubrió
que una fuerte contaminación con impurezas podía causar un efecto de tunelización de los
portadores de carga a lo largo de la zona de deplexión en la unión. Una característica importante del
diodo túnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarización
directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En
consecuencia, el diodo túnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable.
Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran
microondas y que están relativamente libres de los efectos de la radiación.
Su descubrimiento se remonta
Este diodo fue inventado en 1958 por el físico japonés Leo Esaki, por lo cual recibió un Premio
Nobel en 1973. Descubrió que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de
contaminación del material básico mucho mas elevado que lo habitual exhiben una característica
tensión-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a
la tensión aplicada hasta alcanzar un valor máximo, denominado corriente de cresta.
A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensión aplicada, la corriente comienza a
disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mínimo, llamado corriente de valle, desde el cual de
nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada
vez más rápido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera.
Su descripción
El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual
se produce el efecto tunel que da origen a una conductancia diferencial
negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión. Los
diodos Tunel son generalmente fabricados en Germanio, pero también en
silicio y arseniuro de galio.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como
componente activo(amplificador/oscilador). Una característica importante del
diodo tunel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes
de polarización directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente
disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tunel puede
funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable.
Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para
aplicaciones que involucran microondas y que están relativamente libres de
los efectos de la radiación.
Si durante su construcción a un diodo invertido se le aumenta el nivel de
dopado, se puede lograr que su punto de ruptura ocurra muy cerca de los 0V.
Los diodos construidos de esta manera, se conocen como diodos tunel. Estos
dispositivos presentan una característica de resistencia negativa; esto es, si
aumenta la tensión aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una
disminución de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva
característica del diodo). Este fenómeno de resistencia negativa es útil para
aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales
pueden generar una señal senoidal a partir de la energía que entrega la fuente
de alimentación.
 Curva característica del diodo tunel y su aplicación

 Cuando se aplica una pequeña tensión, el diodo tunel empieza a conducir (la corriente empieza a
fluir). Si se sigue aumentando esta tensión la corriente aumentará hasta llegar un punto después
del cual la corriente disminuye. La corriente continuará disminuyendo hasta llegar al punto
mínimo de un "valle" y después volverá a incrementarse. esta ocasión la corriente continuará
aumentando conforme aumenta la tensión.

 Los diodos tunel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy
rápidamente, cambiando de estado de conducción al de no conducción incluso más rápido que
los diodos Schottky.

 Este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de fuga muy grande cuando están polarizados
en reversa. Así estos diodos sólo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia.
 Su efecto tunel , los diodos de efecto tunel son dispositivos muy versátiles que pueden operar como detectores, amplificadores y
osciladores. Poseen una región de juntura extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos voltajes de
polarización directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.
Estos dispositivos presentan una característica de resistencia negativa; esto es, si aumenta la tensión aplicada en los terminales del
dispositivo, se produce una disminución de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva característica del diodo). Este
fenómeno de resistencia negativa es útil para aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales pueden
generar una señal senoidal a partir de la energía que entrega la fuente de alimentación.

El efecto tunel es un fenómeno nanoscópico por el que una partícula viola los principios de la mecánica clásica penetrando una
barrera potencial o impedancia mayor que la energía cinética de la propia partícula. Una barrera, en términos cuánticos aplicados al
efecto tunel, se trata de una cualidad del estado energético de la materia análogo a una "colina" o pendiente clásica, compuesta por
crestas y flancos alternos, que sugiere que el camino más corto de un móvil entre dos o más flancos debe atravesar su correspondiente
cresta intermedia si dicho objeto no dispone de energía mecánica suficiente como para imponerse con la salvedad de atravesarlo.
 Diodo Varactor o Varicap
El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su
funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una
unión PN varíe en función de la tensión inversa aplicada entre sus extremos.

Su funcionamiento se basa en
El fenómeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unión PN varíe
en función de la tensión inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensión,
aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo así la capacidad del diodo. De este
modo se obtiene un condensado variable controlado por tensión. Los valores de
capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensión inversa mínima tiene que ser de 1
V.

La capacidad formada en extremos de la unión PN puede resultar de suma utilidad

cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca precisamente utilizar
dicha capacidad en provecho del circuito en el cual está situado el diodo.

Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, además de las zonas

constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de
muy bajo valor óhmico, lo que conforma un condensador de elevadas pérdidas. Sin
embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia paralelo que aparece
es de un valor muy alto, lo cual hace que el diodo se pueda comportar como un
condensador con muy bajas pérdidas. Si aumentamos la tensión de polarización inversa
las capas de carga del diodo se espacian lo suficiente para que el efecto se asemeje a una
disminución de la capacidad del hipotético condensador (similar al efecto producido al
distanciar las placas de un condensador estándar).

La capacitancia es función de la tensión aplicada al diodo. Si la tensión aplicada al

diodo aumenta la capacitancia disminuye, Si la tensión disminuye la capacitancia
aumenta.
 Curva característica del diodo Varactor y su aplicación

Su modo de operación depende de la capacitancia que existe en la unión P-N cuando

el elemento está polarizado inversamente. En condiciones de polarización inversa, se
estableció que hay una región sin carga en cualquiera de los lados de la unión que en
Aplicación
conjunto forman la región de agotamiento y definen su ancho Wd. La capacitancia de
transición (CT) establecida por la región sin carga se determina mediante:
La utilización más solicitada para este tipo de
diodos suele ser la de sustituir a complejos sistemas
CT = E (A/Wd) donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el
mecánicos de condensador variable en etapas de
área de la unión P-N y Wd el ancho de la región de agotamiento.
sintonía en todo tipo de equipos de emisión y
recepción.
Conforme aumenta el potencial de polarización inversa, se incrementa el ancho de la
Ejemplo, cuando se actúa en la sintonía de un viejo
región de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transición. El pico
receptor de radio se está variando (mecánicamente) el
inicial declina en CT con el aumento de la polarización inversa. El intervalo normal de
eje del condensador variable que incorpora éste en su
VR para [diodo]s varicap se limita aproximadamente 20V. En términos de la polarización
etapa de sintonía; pero si, por el contrario, se actúa
inversa aplicada, la capacitancia de transición se determina en forma aproximada
sobre la ruedecilla o, más comúnmente, sobre el
mediante: CT = K / (VT + VR)n
botón (pulsador) de sintonía del receptor de TV a
color lo que se está haciendo es variar la tensión de
dónde:
polarización inversa de un diodo varicap contenido
en el módulo sintonizador del equipo.
K = constante determinada por el material semiconductor y la técnica de construcción.
VT = potencial en la curva según se definió en la sección
VR = magnitud del potencial de polarización inversa aplicado
n = ½ para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión
 Diodo Gunn

Es un tipo de diodo usado en la electrónica de alta frecuencia. A diferencia de los

diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene regiones del
tipo N, razón por lo que impropiamente se le conoce como diodo. Existen en este
dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una
delgada región intermedia de material ligeramente dopado. Cuando se aplica un voltaje
determinado a través de sus terminales, en la zona intermedia el gradiente eléctrico es
mayor que en los extremos. Finalmente esta zona empieza a conducir esto significa que
este diodo presenta una zona de resistencia negativa.

La frecuencia de la oscilación obtenida a partir de este efecto, es determinada

parcialmente por las propiedades de la capa o zona intermedia del diodo, pero también
puede ser ajustada exteriormente. Los diodos Gunn son usados para construir osciladores
en el rango de frecuencias comprendido entre los 10 Giga Hertz y frecuencias aún más
altas (hasta Tera Hertz). Este diodo se usa en combinación con circuitos resonantes
construidos con guías de ondas, cavidades coaxiales y resonadores YIG (monocristal de
granate Itrio y hierro, Yttrium Iron Garnet por sus siglas en inglés) y la sintonización es
realizada mediante ajustes mecánicos, excepto en el caso de los resonadores YIG en los
cuales los ajustes son eléctricos.

Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200
GHz, mientras que los de nitruro de galio pueden alcanzar los 3 Tera Hertz.

El dispositivo recibe su nombre del científico británico, nacido en Egipto, John

Battiscombe Gunn quien produjo el primero de estos diodos basado en los cálculos
teóricos del profesor y científico británico Cyril Hilsum.
 Curva característica del diodo Gunn y su Efecto
Funcionamiento de resistencia positiva
El arseniuro de galio es uno de los pocos materiales semiconductores que en una
muestra con dopado tipo N, tiene una banda de energía vacía más alta que la más elevada
de las que se encuentran ocupadas parcial o totalmente.

Cuando se aplica una tensión a una placa (tipo N) de arseniuro de galio, los electrones,
que el material tiene en exceso, circulan y producen corriente. Si se aumenta la tensión,
la corriente aumenta.

Funcionamiento de resistencia negativa

Si a la placa anterior se le sigue aumentando la tensión, se les comunica a los
electrones una mayor energía, pero en lugar de moverse más rápido, los electrones saltan
a una banda de energía más elevada, que normalmente está vacía, disminuyen su
velocidad y, por ende, la corriente. Así, una elevación de la tensión en este elemento
causa una disminución de la corriente.
Finalmente, la tensión en la placa se hace suficiente para extraer electrones de la banda
de mayor energía y menor movilidad, por lo que la corriente aumentará de nuevo con la
tensión. La característica tensión contra corriente se parece mucho a la del diodo túnel.
El efecto fue descubierto por John B. Gunn en 1963. Este efecto es un instrumento
eficaz para la generación de oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales
semiconductores. Gunn observó esta característica en el arseniuro de galio (GaAs) y el
fosfuro de indio (InP).
El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la
unión misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de tensión y corriente y
no es afectado por campos magnéticos.
Cuando se aplica una pequeña tensión continua a través de una placa delgada de
arseniuro de galio, ésta presenta características de resistencia negativa. Todo esto ocurre
bajo la condición de que el campo eléctrico aplicado a la placa sea mayor a los 3,3
kilovoltios/cm. Si dicha placa es conectada a una cavidad resonante, se producirán
oscilaciones y todo el conjunto se puede utilizar como oscilador.

Este efecto sólo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones) y las
oscilaciones se dan sólo cuando existe un campo eléctrico. Estas oscilaciones corresponden
aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan para atravesar la placa de material
tipo N cuando se aplica la tensión continua.
 Diodo LED
Es una fuente de luz constituida por un material semiconductor dotado de dos
terminales. Se trata de un diodo de unión p-n, que emite luz cuando está activado.6 Si se
aplica una tensión adecuada a los terminales, los electrones se recombinan con los
huecos en la región de la unión p-n del dispositivo, liberando energía en forma de
fotones. Este efecto se denomina electroluminiscencia, y el color de la luz generada (que
depende de la energía de los fotones emitidos) viene determinado por la anchura de la
banda prohibida del semiconductor. Los ledes son normalmente pequeños (menos de 1
mm2) y se les asocian algunas componentes ópticas para configurar un patrón de
radiación.7
Los primeros ledes fueron fabricados como componentes electrónicos para su uso
práctico en 1962 y emitían luz infrarroja de baja intensidad. Estos ledes infrarrojos se
siguen empleando como elementos transmisores en circuitos de control remoto, como
son los mandos a distancia utilizados dentro de una amplia variedad de productos de
electrónica de consumo. Los primeros ledes de luz visible también eran de baja
intensidad y se limitaban al espectro rojo. Los ledes modernos pueden abarcar longitudes
de onda dentro de los espectros visible, ultravioleta e infrarrojo, y alcanzar
luminosidades muy elevadas.
Su funcionamiento se basa en
Una unión P-N puede proporcionar una corriente eléctrica al ser iluminada.
Análogamente una unión P-N recorrida por una corriente directa puede emitir fotones
luminosos. Son dos formas de considerar el fenómeno de la electroluminiscencia. En el
segundo caso esta podría definirse como la emisión de luz por un semiconductor cuando
está sometido a un campo eléctrico. Los portadores de carga se recombinan en una unión
P-N dispuesta en polarización directa. En concreto, los electrones de la región N cruzan
la barrera de potencial y se recombinan con los huecos de la región P. Los electrones
libres se encuentran en la banda de conducción mientras que los huecos están en la banda
de valencia. De esta forma, el nivel de energía de los huecos es inferior al de los
electrones. Al recombinarse los electrones y los huecos una fracción de la energía se
emite en forma de calor y otra fracción en forma de luz.
Polarización directa de la unión P-N en un diodo led. Producción de fotones como
consecuencia de la recombinación entre electrones y huecos (parte superior). El
fenómeno de la recombinación observado en un diagrama de bandas de energía (parte
inferior).
El fenómeno físico que tiene lugar en una unión PN al paso de la corriente en
polarización directa, por tanto, consiste en una sucesión de recombinaciones electrón-
hueco. El fenómeno de la recombinación viene acompañado de la emisión de energía. En
los diodos ordinarios de Germanio o de Silicio se producen fonones o vibraciones de la
estructura cristalina del semiconductor que contribuyen, simplemente, a su
calentamiento. En el caso de los diodos led, los materiales semiconductores son
diferentes de los anteriores tratándose, por ejemplo, de aleaciones varias del tipo III-V
como son el arseniuro de galio ( AsGa ), el fosfuro de galio (PGa) o el fosfoarseniuro de
galio (PAsGa ).
 Aplicaciones del Diodo LED
Indicadores y lámparas de señales
El bajo consumo de energía, la poca necesidad de mantenimiento y el tamaño pequeño de los ledes ha
propiciado su uso como indicadores de estado y visualización en una gran variedad de equipos e
instalaciones. Las pantallas led de gran superficie se utilizan para retransmitir el juego en los estadios,
como pantallas decorativas dinámicas y como señales de mensajes dinámicos en las autopistas. Las
pantallas ligeras y delgadas con mensajes se utilizan en los aeropuertos y estaciones de ferrocarril y como
paneles de información de destinos en los trenes, autobuses, tranvías y transbordadores.
Las luces de un solo color son adecuadas para los semáforos, las señales de tráfico, los letreros de
salida, la iluminación de emergencia de los vehículos, las luces de navegación, los faros (los índices
estándar de cromaticidad y de luminancia fueron establecidos en el Convenio Internacional de Prevención
de Colisiones en el Mar de 1972 Anexo 1 y por la Comisión Internacional de Iluminación o CIE) y las
luces de Navidad compuestas de ledes. En regiones de climas fríos, los semáforos led pueden permanecer
cubiertos de nieve.162 Se usan ledes rojos o amarillos en indicadores y pantallas alfanuméricas, en
ambientes donde se debe mantener una visión nocturna: cabinas de aviones, puentes submarinos y de
buques, observatorios astronómicos y en el campo por ejemplo para la observación de animales durante la
noche y aplicaciones militares del campo.
Iluminación
Para alentar el cambio a las lámparas de ledes, el Departamento de Energía de los Estados Unidos ha
creado el premio L. La bombilla led Philips Lighting North America ganó el primer premio el 3 de agosto
de 2011 después de completar con éxito 18 meses de pruebas intensivas de campo, laboratorio y
producto.163
Comunicaciones ópticas
La luz puede utilizarse para transmitir datos y señales
analógicas. Por ejemplo, los ledes blancos pueden ser
utilizados en sistemas para ayudar a la gente a orientarse en
espacios cerrados con el objetivo de localizar disposiciones u
objetos.168
Los dispositivos de audición asistida de muchos teatros y
espacios similares utilizan matrices de ledes infrarrojos para
enviar el sonido a los receptores de los espectadores. Los ledes
(y también los láseres de semiconductor) se utilizan para enviar
datos a través de muchos tipos de cable de fibra óptica. Desde
los cables TOSLINK para la transmisión de audio digital hasta
a los enlaces de fibra de ancho de banda muy elevado que
constituyen la espina dorsal de Internet. Durante algún tiempo
los ordenadores estuvieron equipados con interfaces IrDA, que
les permitían enviar y recibir datos de los equipos próximos
mediante radiación infrarroja.

Los ledes se utilizan como luces de la calle y en iluminación arquitectónica. La robustez mecánica y la
vida útil larga se utilizan en la iluminación automotriz en los coches, las motocicletas y las luces de la
bicicleta. La emisión de luz led puede controlarse eficazmente mediante el uso de principios ópticos de no
imagen.
 Bandas de Radar
El espectro de las ondas electro-magnéticas muestra las frecuencias hasta 1024 Hz.
Esta extensa y completa gama es subdivida en subgrupos para tener en cuenta las
propiedades físicas de las ondas que lo componen.
La división de las frecuencias en los distintos rangos fue determinada teniendo en
cuenta criterios pasados, los cuales surgieron históricamente y se fueron quedando
obsoletos, entonces una nueva división de las bandas de frecuencia que se utilizan a nivel
internacional surgió mientras tanto. El nombre tradicional de banda de frecuencias
todavía se utiliza en la literatura, sin embargo.
Los sistemas de radar trabajan en una amplia banda de
frecuencias de transmisión. Cuanto mayor sea la frecuencia de
un sistema de radar, tanto más se ve afectada por condiciones
meteorológicas como la lluvia o las nubes. Pero entre mayor es
la frecuencia de transmisión, mejor es la precisión del sistema
de radar.
 Banda A y B (Banda Radar HF y VHF)
Estas bandas de radar por debajo de 300 MHz tienen una larga
tradición histórica, porque estas frecuencias representan la frontera
de la tecnología de radio en el tiempo durante la Segunda Guerra
Mundial. Hoy en día estas frecuencias se utilizan para los radares de
alerta temprana llamados radares sobre el horizonte (OTH).
Utilizando estas frecuencias más bajas, es más fácil obtener
transmisores de alta potencia. La atenuación de estas ondas
electromagnéticas es más bajo que el uso de frecuencias más altas.
Por otra parte, la precisión es limitada, ya que una menor frecuencia
requiere antenas físicamente muy grandes, las cuales determinan el
ángulo de precisión y el ángulo de resolución. Estas bandas de
frecuencia son utilizadas por otros sistemas de comunicaciones y por
los servicios de radiodifusión también, por lo tanto el ancho de
banda de este radar es limitado (a expensas de la precisión y la
resolución).
Estas bandas de frecuencia están experimentando actualmente un
regreso y se les está dando un significado especial en aplicaciones
militares, mientras que las tecnologías de ocultación utilizados
actualmente en el „bombardero Stealth” no tienen el efecto deseado
en las frecuencias extremadamente bajas.
Banda C (Banda Radar UHF)
Existen algunos conjuntos de radares especializados, desarrollados
para esta banda de frecuencia (300 MHz to1 GHz). Es una buena
frecuencia para el funcionamiento de los radares, para la detección y el
seguimiento de satélites y misiles balísticos cubriendo largas distancias.
Estos radares funcionan para alerta temprana y detección de objetivos
como radar de vigilancia para el Sistema de Defensa Aérea Extendida
Media (Medium Extended Air Defense System, MEADS). Para algunas
aplicaciones como radar meteorológico, ejemplo: perfiladores de viento
trabajan con estas frecuencias ya que las ondas electromagnéticas son
muy poco afectadas por las nubes y la lluvia.
La nueva tecnología de radares de banda ultra ancha (Ultrawideband,
UWB) utiliza todas las frecuencias de las bandas A-a-C. Los radares
UWB transmiten pulsos muy bajos en todas las frecuencias
simultáneamente. Estos son utilizados para examinar técnicamente
materiales y como Radar de Penetración Terrestre (Ground Penetrating
Radar, GPR) para exploraciones arqueológicas.

Banda D (Banda Radar L)
Esta banda de frecuencias (1 a 2 GHz) es la preferida para el
funcionamiento de los radares de vigilancia aérea de largo
alcance por encima de 250 NM (≈400 km). Estos radares
transmiten pulsos de alta potencia, ancho de banda amplio y una
modulación intrapulsada. Debido a la curvatura de la tierra, el
rango máximo alcanzable es limitado para los objetivos que
vuelan con baja altitud. Estos objetos desaparecen muy rápido
tras el horizonte del radar.
En el manejo del tráfico aéreo (ATM), los radares de
vigilancia de largo alcance como el radar de vigilancia de ruta
aéreas (ARSR) trabaja en esta banda de frecuencia. Acoplado
con un radar de vigilancia de mono pulso secundario (MSSR)
que utilizan una proporción relativamente grande, y muy lenta
rotación de antena. Como una especie de rima nemotécnica se
puede recordar que los radares de banda L tienen antena de gran
tamaño o largo alcance.
Banda E/F (Banda Radar S)
En la banda de frecuencia de 2 a 4 GHz la atenuación
atmosférica es ligeramente superior que en la Banda D. Los
equipos de radar en esta banda necesitan una potencia de
transmisión mayor a la usada en los rangos más bajos de
frecuencia para lograr un alcance máximo bueno. Como ejemplo
dado, el radar de energía media (MPR), con una potencia de
impulso de hasta 20 MW. En este rango de frecuencia la
influencia de las condiciones meteorológicas es mayor que en la
banda D. De cualquier modo, algunos radares meteorológicos
trabajan esta Banda E/F, pero sobre todo en condiciones
climáticas subtropicales y tropicales, porque es aquí donde el
radar puede ver más allá de una fuerte tormenta.
Radares Especiales de Vigilancia en Aeropuertos (ASR) se
utilizan en los aeropuertos para detectar y mostrar la posición de
la aeronave en el terminal aéreo con un alcance medio de
hasta 50…60 NM (≈100 km). Un ASR sirve para apoyar a los
controladores aéreos pues detecta la posición de las aeronaves
y las condiciones meteorológicas en las proximidades de los
aeropuertos civiles y militares. Como una especie de rima
nemotécnica se puede recordar que los radares de banda S
(contrario a la banda L) tienen una antena pequeña o corto
alcance.

Banda G (Banda Radar C)
En la banda de frecuencia G hay
muchos sistemas móviles de vigilancia
usados en el campo de batalla militar,
control de misiles y conjuntos de radares
de vigilancia con un corto o mediano
alcance. El tamaño de las antenas
proporciona una excelente precisión y
resolución, además que su tamaño no es un
inconveniente para un rápido traslado. La
influencia de condiciones meteorológicas
adversas es muy alta. Por lo tanto los
radares de vigilancia aérea son en su
mayoría equipados con antenas de
polarización circular. Esta banda de
frecuencias está predeterminada para la
mayoría de los tipos de radares
meteorológicos usados para localizar
precipitaciones en zonas templadas como
Europa.
Banda I/J (Banda de Radar X & Ku)
En esta banda de frecuencia (8 a 12 GHz) la relación entre la longitud de onda
utilizada y el tamaño de la antena es considerablemente mejor que en las bandas
de menor frecuencia. La Banda I/J- es una banda de radar relativamente popular
para aplicaciones militares como radares aerotransportados para el ejercicio de las
funciones de interceptor, caza y ataque de combatientes enemigos y objetivos en
tierra. El tamaño de la antena muy pequeña proporciona un buen rendimiento.
Sistemas de guía de misiles en la banda I/J son de un tamaño conveniente y por
tanto de interés para las aplicaciones donde la movilidad y el peso ligero son
importantes y el alcance lejano no es un requisito importante.
Esta banda de frecuencia es ampliamente usada por radares civiles y militares
para la navegación marítima. Las antenas más pequeñas y económicas, con alta
velocidad de rotación son perfectas para proporcionar una cobertura suficiente y
una buena precisión. La guía de ondas ranurada y las pequeñas antenas de
remiendo son usadas como antenas de radar protegidas bajo una cúpula
protectora.
Esta banda de frecuencia es también popular para los radares de imágenes
espaciales o aéreas usando como base el radar de apertura sintética (Synthetic
Aperture Radar, SAR), tanto para la inteligencia electrónica militar y/o para ser
aplicado en el estudio geográfico de la superficie terrestre (creación de mapas).
Un radar de apertura sintética inversa especial es usado como instrumento de
vigilancia marítima para el control de la polución, buscando prevenir la
contaminación del medio ambiente.
 Banda K (Banda Radar K & Ka) Banda V W-Band

Aquí aparecen dos fenómenos de atenuación

Cuanto más alta es la frecuencia, más altas son
atmosférica: un máximo de atenuación de
la absorción y la atenuación atmosféricas de las
Debido a la dispersión alrededor de unos 75 GHz y un mínimo relativo
ondas. Por otra parte, la exactitud y la resolución en
molecular (En este caso se trata de a unos 96 GHz Ambos rangos de frecuencia
distancia se incrementan también. Los usos del
la influencia de la humedad del prácticamente están en uso. En la ingeniería
radar en esta banda de frecuencia proporcionan muy
aire). Esta banda de frecuencia automotriz pequeños dispositivos de radar que
poco cubrimiento en distancia, resolución muy alta
genera una alta atenuación. La funcionan a 75…76 GHz para asistentes de
y datos de alta tasa de renovación. En el ATM estos
aplicación para los radares esta frenado y asistente de estacionamiento. La
sistemas de radar son llamados: Radares de
limitada para una corta distancia de atenuación alta (aquí la influencia de las
Movimiento en la Superficie (Surface Movement
un par de metros. moléculas de oxígeno O2) mejora la inmunidad
Radar, SMR) o Equipo de detección en la superficie
a la injerencia de estos conjuntos de radar.
del aeropuerto (Airport Surface Detection
Equipment, ASDE). La utilización de pulsos de
Hay conjuntos de radar operando de 96 a 98
transmisión muy cortos de unos nanosegundos
GHz como equipos de laboratorio aún. Estas
permite una resolución en distancia que deja
aplicaciones ofrecen una vista preliminar para
visualizar el contorno del avión en la pantalla de los
un uso del radar en frecuencias extremadamente
radares.
más altas como 100 GHz.
 S U
O R
S P N
I A I O
AC N C
R
G AT E