FIS-913- TÓPICOS EM MATERIAIS

Aula #12: Propriedades Elétricas

12. 1- Condutividade elétrica, lei de Ohm
12.2- Condutividade Eletrônica
12.3- Condutividade Iônica
12.4- Propriedades dielétricas
Mecanismos de polarização
Perda dielétrica
Ruptura Dielétrica
12.5- Piezeletricidade
12.6- Ferroeletricidade
 Condutividade elétrica e lei de ohm
A lei que relaciona a diferença de potencial (V), a
resistência elétrica (R) e a corrente elétrica ( I) :
V  I* R
l
O valor de R depende de: R  
- material A
- geometria do condutor
(é para muitos materiais independente da corrente
elétrica)
A resistividade , é independente da geometria da amostra, más
está relacionada a Resistência
A resistividade elétrica ρ é uma propriedade do
material e está relacionada com a resistência elétrica da
seguinte maneira:

A Ωm
R Ωcm
l
Onde:
A= área da secção reta perpendicular à direção da
corrente
l= distancia entre dois pontos em que a tensão é
medida
 A A= área da secção reta perpendicular à
R direção da corrente
l l= distancia entre dois pontos em que a tensão
é medida
Resistor variável

Amperímetro I
Bateria
l

Área de seção reta “A” V Amostra

Voltímetro
A condutividade elétrica () indica a facilidade
com que um material conduz corrente elétrica e
é o inverso da resistividade:

1 (Ωm)-1

 (Ωcm)-1
 Em função dos valores de condutividade ou de
resistividade, os materiais podem ser classificados
como:
- condutores,
- semicondutores e,
- isolantes

Materiais distintos têm diferente capacidade de

transmitir ou conduzir uma carga elétrica quando
um campo elétrico é aplicado.
A condutividade elétrica () é determinada pelo
número de transportadores de carga (n), a carga de
cada transportador (q), e a velocidade (mobilidade)
dos transportadores (v).

  n*q *v
dependem
da temperatura

Transportadores de carga (condutores) ►

Elétrons e vazios eletrônicos
condução eletrônica
(electron holes)

e iônica Ânions , cátions

 Condução eletrônica

A magnitude da condutividade elétrica () é fortemente

dependente do número de elétrons que está disponível para
participar do processo de condução.
Não todos os elétrons presentes no átomo
serão acelerados na presença de um campo
elétrico

está relacionado

Arranjo dos estados ou níveis eletrônicos em relação à

energia
À maneira segundo a qual esses estados
são ocupados pelos elétrons
Átomos  configuração eletrônica
número quântico principal n é quem determina a
distância média do elétron ao núcleo
(afeta muito mais a energia do estado)

os elétrons se distribuem em camadas de mesmo

número quântico n, cada camada= 2n2 elétrons

O número quântico orbital l também tem influência

significativa na energia do estado.

cada camada n se subdivide em subcamadas (nl),

denominadas orbitais, cada subcamada (orbital)=
2(2l+1) estados quânticos.
Orbitais correspondentes a número quântico orbital l:
l = 0, 1, 2, 3, 4, 5 (são indicados pelas letras:)
s, p, d, f, g, h, (respectivamente)
Observe então a designação dos orbitais nl :
(s) (p) (d) (f) (g) (h)
l=0 l=1 l=2 l=3 l=4 l=5
n=1 1s
n=2 2s 2p
n=3 3s 3p 3d
n=4 4s 4p 4d 4f
n=5 5s 5p 5d 5f 5g
n=6 6s 6p 6d 6f 6g 6h
Configuração eletrônica de átomo
He (Z= 2) 1s2
Ne (Z = 10) 1s2 2s2 2p6
AI (Z = 13) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p1
Ar (Z = 18) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
descrita pela seqüência dos
orbitais total ou parcialmente
ocupados
número de elétrons

Mn (Z = 25) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d5 4s2

Kr (Z = 36) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2

Nb (Z = 41) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p6 4d4 4f 0 5s1

Xe (Z=54) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p6 4d10 4f 0 5s2 5p6

Rn (Z= 86) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p6 4d10 4f 14 5s2 5p6
5d10 5f 0 6s2 6p6
 átomo

Camadas (números
Níveis energéticos discretos inteiros 1, 2, 3....)
Sub-camadas (letra s, p
d, f)
ocupados
elétrons
Preenchem somente os estados que possuem as energias
mais baixas, dois elétrons com spin oposto por cada
estado, de acordo com o principio de exclusão de Pauli
AI (Z = 13) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p1

1s2 2s2 2p6 3s2 3p1

Orbitais atômicos ou estados quânticos
 Materiais sólidos N átomos, separados
inicialmente, os quais são
subseqüentemente agrupados
e ligados  formando o
arranjo atômico ordenado
Banda de energia eletrônica (material cristalino)
Na medida que os átomos se
aproximam os elétrons
formando sentem a ação dos elétrons e
núcleos dos átomos
adjacentes

Cada estado atômico distinto pode se dividir

em uma série de estados eletrônicos
proximamente espaçados no sólido
 Agregado de 12 átomos

Estados energéticos permitidos individuais

separação entre bandas

A formação de bandas pode

não ocorrer para as
subcamadas eletrônicas
más próximas ao núcleo
 As propriedades elétricas de um material sólido são
conseqüência da sua estrutura de banda eletrônica

Banda de
Banda condução Banda de
vazia Banda vazia condução
vazia vazia

espaçamento
espaçamento espaçamento

estados vazios Banda de

Banda Banda de
preenchida valência valência
estados preenchida preenchida
preenchidos

Metais Metais
Banda preenchida
EF= Nível (energia) de Fermi: é a energia que corresponde ao
estado preenchido mais alto
 Cristais com a mesma estrutura (diamante e o silício)

Valor Eg da banda proibida de energia

T= 295 K
Eg
E g ( sílicio)  1,11 eV
E g (diamante )  5,48 eV
Relação entre a energia de um fóton e seu comprimento de onda
c hc
no vácuo
E  h  h 
 E
Para E  5,48eV  5,48 * 1,60.10 19 J  8,77.1019 J , temos
6,63.10-34 Js * 3.108 m / s
 19
 0,226m
8,77.10 J
 Para E  5,48eV    0,226m  226nm

A energia de um fóton de luz visível é menor que Eg, e portanto

insuficiente para excitar um elétron do diamante da banda de
valência para a banda de condução
Cristal diamante é incapaz de absorver luz visível.
Conseqüentemente, o diamante (puro) é um cristal
transparente e incolor.

Silicio  E g  1,11eV ,    1,12m  1120nm

Portanto, qualquer fóton de luz visível tem energia
suficiente para excitar um elétron do silício da banda de
valência para a banda de condução.

buraco

Por esse mecanismo, a luz visível é intensamente

absorvida pelo silício, e por isso ele é um cristal opaco.
 Fatores que afetam a mobilidade dos elétrons

O aumento da temperatura produz vibração térmica

que têm um efeito de distorção da rede que reduz o livre
caminho médio.
Como conseqüência a condutividade eletrônica
decresce a medida que a temperatura cresce.

↑ Temperatura  a condutividade elétrica ↓

Impurezas, solução sólida e deformação plástica

também promovem não uniformidades na estrutura e
diminuem o livre caminho médio dos elétrons.
Condutividade Iônica

Um segundo mecanismo de condutividade elétrica

num material é a condutividade iônica.
Neste caso, o “transportador da carga elétrica” é um
íon, e os principais materiais que possuem este
comportamento são cerâmicas que apresentam ligações
iônicas.
Enquanto a carga transportada por uma elétron é 1,6 x
10-19 Coulomb, a carga transportada por um íon é igual
a Valencia vezes a carga de um elétron.
Por exemplo, um íon monovalente transporta a mesma
carga de um elétron, e um íon bivalente transporta duas
vezes a carga
Elétrons são relativamente livres para se mover num
condutor sob a influencia de um campo elétrico, mas
íons são prejudicados devido a sua posição na estrutura
cristalina.
Cada íon positivo (cátion) é rodeado por íons
negativos (anions) e cada anion é rodeado por cátions.
A carga final é balanceada e todos os íons estão em
equilíbrio.
É preciso adicionar energia antes que um íon se
mova.
É preciso que o íon ultrapasse uma barreira energética
fornecida pela carga oposta do íon que tenta segurar o
mesmo numa posição de equilíbrio
A barreira energética a movimentação iônica é alta a 0 K
e para a maioria das cerâmicas iônicas a temperatura
ambiente. No entanto, a medida que a temperatura é
aumentada, vibrações térmicas deslocam os íons entre si
da sua posição de equilíbrio e facilitam a passagem desta
barreira energética.

Quando a energia térmica é suficientemente grande para

que se ultrapasse esta barreira, sob a ação de um campo
elétrico este material de torna ionicamente condutor.

O grau de condutividade iônica aumenta então, a medida

que se aumenta a temperatura.

↑ Temperatura  a condutividade iônica ↑

Um íon precisa arranjar um espaço para se mover
sem que o balanço de carga do sistema seja alterado.

A presença de posições vazias na rede (interstícios) e

defeitos pontuais, aumentam significativamente a
facilidade com que os íons se movem ou difundam
através da estrutura cerâmica.

Um interstício na rede pode ser uma região não

completamente preenchida. Quando estas regiões na
rede são parcialmente preenchidas os íons têm uma
menor energia de rede, facilitando o movimento
Defeitos pontuais são defeitos na estrutura cristalina. São quatro
os principais defeitos pontuais: (a) Schottky; (b) Frenkel; (c)
Vacâncias e (d) Intersticiais,

Figura 3 – Defeitos pontuais comuns em um cristal simples

Os defeitos podem ser particularmente importantes para
propiciar uma condução iônica controlada.
A concentração de defeitos pode ser controlada durante a
fabricação do material. Isto é acompanhado pela
substituição de íons de tamanho similar, mas cargas
eletrônicas diferentes.
Um exemplo é a substituição de CaO em ZrO2.
Para cada Ca2+ que é substituído por Zr4+, uma vacância
devido ao oxigênio deve surgir para que o balanço de cargas
seja mantido.
A elevadas temperaturas a barreira energética é baixa o
suficiente para que o íon de oxigênio difunda através das
vacâncias da estrutura campo um campo elétrico é aplicado
Propriedades dielétricas
Materiais dielétricos: não conduzem eletricidade e são de
importância crítica como elementos capacitivos em aplicações
eletrônicas e como isolantes.
condutores elétricos vs dielétricos
movimentação de longo movimento de curto
alcance de alcance destes
“transportadores de carga” “transportadores” sob
a influência de um
campo externo
aplicado
Nos sólidos, em especial nas cerâmicas, várias entidades
carregadas (elétrons, prótons, cátions, ânions, e defeitos de
carga) são capazes de se polarizar.
Os mais importantes mecanismos de polarização nas cerâmicas
são:
Tipos de Polarização Fora do campo elétrico Aplicando um campo elétrico
E

Polarização eletrônica  

   
     
Polarização iônica
   
     

Polarização dipolar
Polarização Eletrônica

Fora do campo elétrico Aplicando um campo elétrico

E

 

•O campo elétrico pode ocasionar um ligeiro

deslocamento da nuvem eletrônica de qualquer átomo na
cerâmica. Quando os elétrons são deslocados de suas
posições de equilíbrio com relação a seus núcleos
atômicos, se produz um momento dipolar induzido .
 Polarização iônica
Fora do campo elétrico Aplicando um campo elétrico
E
   
     
   
     

Ocorre somente nos materiais iônicos.

O campo elétrico atua no deslocamento dos cátions em uma
direção e dos ânions na direção oposta.
Portanto, a distribuição eletrônica não está simetricamente
compartilhada, os “íons” estão fora de suas posições de
equilíbrio, criando assim um momento dipolar induzido.
A magnitude do momento dipolo, para cada par iônico é “pi”, e é
igual ao produto do deslocamento relativo “di”, pela carga de cada
íon, ou seja: p  q*d
i i
Polarização dipolar
Fora do campo elétrico Aplicando um campo elétrico
E

•Aparece em materiais que apresentam dipolos permanentes.

Quando estes materiais são colocados sob um campo elétrico
externo, os dipolos permanentes se orientam na direção do
campo elétrico.
•A polarização dipolar é lenta; requer aproximadamente 10-9
segundos, posto que o alinhamento dos dipolos permanentes
na direção do campo (polarização) está relacionado com o
movimento de moléculas em um meio viscoso.
•A polarização (a resposta do material ante o campo elétrico
externo) representa uma alteração do equilíbrio
termodinâmico do sistema, pois os dipolos induzidos ou
permanentes se deslocam de suas posições aleatórias de
equilíbrio para orientar-se com o campo externo.

•Quando o campo elétrico externo é retirado, o sistema tende

a voltar a seu estado de equilíbrio, e este processo se
conhece como “relaxação”.

•Portanto, o termo relaxação representa a restauração de um

processo de equilíbrio. A velocidade com que se alcança o
equilíbrio está relacionada à probabilidade do sistema de
passar de um estado excitado ao equilíbrio. O inverso da
probabilidade é o que conhecemos como tempo de relaxação
().
Conceitos básicos relacionados às propriedades dielétricas dos
materiais

Quando uma voltagem é aplicada através de um capacitor, uma

placa se torna positivamente carregada e a outra negativamente
carregada.

Está relacionada a quantidade de cargas

Capacitância (C):
armazenada em cada uma das placas
Q Q= quantidade de carga armazenada em cada
C uma das placas
V
V= voltagem aplicada
Coulomb/volt
(F)
 Dielétrico
Vácuo (material cerâmico)

A
C  0
A C 
l l

0= permissividade do vácuo= 8,85*10-12 F/m = permissividade do meio

A= área das placas
l= distância entre as placas
constante dielétrica

A capacitância de um condensador mede a extensão na qual o

condensador é capaz de armazenar a carga.
 constante dielétrica ’

quantidade de energia elétrica armazenada num material

dielétrico quando este é colocado entre as placas paralelas
de um condensador

Dielétrico
Vácuo (material cerâmico)

é uma medida da facilidade com a qual o material dielétrico

(sob um campo elétrico) é capaz de orientar seus dipolos
com o campo, contendo assim a energia elétrica que passa
através das placas condutoras do condensador
Razão entre a capacitância (C) de
Cdielétrico  A l  um condensador de placas
 '   paralelas medida com e sem o
Cvácuo 0 A l 0 material dielétrico colocado entre as
placas.
 Como se determina experimentalmente a capacitância do
vácuo?:
1- Considere duas placas de metal paralelos de área “A”
separados por uma distância “d” no vácuo. Anexando estas duas
placas a um simples circuito elétrico, e fechando o circuito surge
uma corrente que rapidamente decai para zero.
Vácuo

2- A carga (Q) que passou através do circuito é área sob a curva

da corrente em função do tempo.

3- Repetindo o experimento a voltagens diferentes você pode

realizar o gráfico voltagem (V) em função de Q e gerará uma linha
e a relação: A
Q  C *V C  0
l
Onde C é a capacitância das placas paralelas no vácuo.
 Como se determina experimentalmente a capacitância do
material dielétrico?:
1- Considere que um material dielétrico foi introduzido entre as
placas de um capacitor. O experimento anterior é repetido a
corrente passa através do circuito externo e é armazenada no
capacitor.
Dielétrico
(material cerâmico)

2- A carga (Q) que passou através do circuito e é armazenada no

interior do material dielétrico é maior. E é determinada pela área
sob a curva da corrente em função do tempo.

3- Repetindo o experimento para diferentes voltagens e plotando

o total de carga armazenada no capacitor contra a voltagem
teremos também uma linha porém com uma inclinação maior ,
dada agora por : A
Q  C *V C 
l
A discussão anterior pode ser resumida assim:
Quando uma voltagem é aplicada a um
capacitor de placas paralelas no vácuo o
capacitor armazena carga. Na presença de um
dielétrico uma coisa adicional acontece com o
dielétrico que permite ao capacitor armazenar
mais carga.
 Comportamento dielétrico dos materiais isolantes

material dielétrico = material isolante = exibe uma estrutura de

dipolo elétrico

dipolo elétrico existe uma separação entre a carga + e -

Momento dipolo “p”, está associado com cada dipolo pela seguinte
equação:
p  q*d q= magnitude da carga
d= distância de separação entre elas
E
-q E
d Força
p
-q +q
+q
Força
polarização
 Dielétrico
(material cerâmico)

“D” = densidade de carga da superfície = quantidade de carga

por unidade de área da
placa do capacitor
vácuo ~ E (campo elétrico ) (C/m2)
material
dielétrico
D0   0 * E
D   *E Polarização = densidade de carga acima
(C/m2) daquela para o vácuo
D  0 * E  P
Q´= carga na superfície do
Q´ dielétrico
P A= área de cada placa
A
 Perda dielétrica (´´ )
• A perda dielétrica é uma medida da energia dissipada na
unidade dielétrica por unidade de tempo quando um
campo elétrico é aplicado.

• Esta perda de energia representa um desperdício de

energia bem como um aquecimento indesejável do
dielétrico. Se a taxa de aquecimento é maior do que
pode ser dissipada, o dielétrico irá aquecer.

• Ainda mais, à medida que a temperatura aumenta a

constante dielétrica está sujeita a mudanças, as quais
podem criar sérios problemas.

• Para reduzir as perdas dielétricas é imperativo:

Utilizar sólidos que são bastante isolantes, σ→0. Em
outras palavras, utilizar materiais com largos gaps de
energia os quais possuam o menor número de
portadores de carga livres.
 Como a temperatura normalmente tende a
aumentar a condutividade das cerâmicas às
perdas dielétricas podem ser substanciais. Em
todos os casos o aumento da mobilidade dos
cátions resulta em aumento das perdas
dielétricas. O efeito das impurezas aumenta
também a condutividade.
 Ruptura Dielétrica
• Quando um dielétrico é submetido a um aumento do
campo elétrico, em algum ponto ocorre um pequeno
curto circuito.

• Ruptura dielétrica é definida como o gradiente de

voltagem ou campo elétrico suficiente para causar este
curto circuito.

• Este fenômeno depende de muitos fatores, como:

espessura da amostra,
temperatura,
composição,
porosidade.

Nas cerâmicas existem dois tipos básicos de ruptura:

intrínseco e térmico
 Nas cerâmicas existem dois tipos básicos de ruptura:
intrínseco e térmico

Intrínseco: neste mecanismo, elétrons da banda de condução são

acelerados a um ponto que começam a ionizar os íons de rede.
Quanto mais os íons de rede são ionizados e o número de
elétrons livres aumenta um efeito avalanche é criado.
Claramente, quanto maior o campo elétrico aplicado, mais rápido
os elétrons serão acelerados e mais efetivo será este mecanismo.

Térmico: o critério para ruptura térmica é que a taxa de geração

de calor no dielétrico, como resultado de perdas, deve ser maior
que a taxa de remoção do calor pela peça. Quando esta condição
ocorrer o dielétrico irá aquecer, o que aumentará a condutividade,
que aumentará as perdas etc.
 Piezeletricidade

•A piezeletricidade é a capacidade de polarização de um

monocristal através de uma força aplicada na superfície.

•Um lado do cristal adquire carga positiva, e o outro, carga

negativa.

•Para que um material seja piezelétrico ele deve ser

formado por um monocristal que não apresente centro de
simetria.

(o centro de simetria pode ser definido, atravessando-se

com uma reta a célula unitária ligando os vértices opostos.
Se todas as retas cruzarem a célula unitária em um único
ponto, o cristal apresenta centro de simetria (CS). Se nem
todas as retas passarem por um mesmo ponto o cristal não
possui centro de simetria)
Tendo em vista que os cristais precisam ser anisotrópicos
é razoável afirmar que eles expressam suas propriedades
piezelétricas em direções preferenciais.

É necessário que a força aplicada sobre o cristal ocasione

uma distorção na rede, que permita que cargas diferentes
estejam exclusivamente situadas em posições opostas,
sem que átomos vizinhos às equilibrem.
O efeito piezelétrico não se restringe a polarização pela
deformação direcional, pode ocorrer também efeito inverso que
consiste na deformação do cristal na aplicação de um campo
elétrico estático.

Para a realizar a medição dos coeficientes piezelétricos é

largamente utilizado este efeito inverso, pois é muito difícil aplicar
forças de tração em direções específicas do cristal.
Quando o efeito piezelétrico for inverso (aplicar um campo
elétrico para gerar uma deformação), a equação é:
 jk d ijk Ei
onde: “E” é o potencial elétrico, “” é a deformação, e “d” o
coeficiente piezelétrico.
A formação do dipolo ocorre com diferentes intensidades de
acordo com as várias direções da rede cristalina, por esse motivo
o coeficiente piezelétrico “d” é tratado como um tensor, onde seus
elementos dependem do tipo de célula unitária do material
analisado.
Em 1941 R. B. Gray patenteou uma cerâmica
piezelétrica policristalina denominada de titanato de
bário. Esta foi uma das mais importantes descobertas
na área, pois a cerâmica policristalina era mais
resistente e mais durável que os monocristais e não
solúveis em água. A piezeletricidade em policristalinos
desenvolveu-se culminando na invenção do titanato
zirconato de chumbo em 1954, que possuía alta
constante dielétrica.
•Atualmente os materiais piezelétricos têm muitas
aplicações na industria eletrônica.

•Suas aplicações podem ser vista em larga escala nos

relógios digitais, sonares, hidrofones, podendo estes ser
construídos com cristais de quartzo.

•A partir de 1930, pequenos cristais de rochelle salt foram

usados em microfones. Eles eram os acoplados a um
diafragma e uma bateria. Conforme o diafragma vibrava,
as pressões exercidas no cristal eram convertidas em
pulsos elétricos transcodificando a energia mecânica em
sonora.
Ferroeletricidade

Materiais que exibem polarização espontânea (isto é,

polarização na ausência de campo elétrico).
Os materiais ferroelétricos se caracterizam por ter dipolos
elétricos permanentes

Titanato de Bário (BaTiO3)

no centro do cubo
Ba2+
nos vértices

no centro das fases

Quê é a Ferroeletricidade?
A capacidade de certos materiais de reter informação na sua estrutura
cristalina, sim a necessidade de estar conectados a uma fonte de
energia (como pilas o corrente elétrica).
A informação é armazenada graças à polarização elétrica que eles
possuem, que pode ser ativada externamente por uma voltagem, e
ainda que a voltagem seja retirada, a polarização persiste.

Estes materiais, são chamados

ferroelétricos e seu uso massivo
está nas memórias portáteis ou
“pendrives”.
 Materiais Ferroelétricos

(comumente são cerâmicas, exemplos)

Formula Abreviação Nome

1) (Sr,Ba)TiO3 SBT Titanato de Bário Estrôncio
2) Pb(Zr,Ti)O3 PZT Titanato Zirconato de chumbo
3) BaTiO3 BTO Titanato de Bário
4) Pb1-xLaxZr1-yTiyO3 PLZT Titanato Zirconato de Chumbo
Lantânio
.
5) Bi4Ti3O12 BiT Titanato de Bismuto