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Chapter 1

Diodos
Semiconductor Diodes
semicondutores
Prof. Clovis Fonseca

slide 1
Diodos

• O diodo é um dispositivo de dois terminais.

• Idealmente, um diodo conduz somente em uma única direção.

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Características do diodo

Região de condução Região de não condução

• A tensão ao longo do diodo é de 0 V • Toda a tensão fica ao longo do diodo


• A corrente é infinita • A corrente é de 0 A
• A corrente direta é definida pela • A resistência reversa é definida pela
fórmula RF = VF / IF fórmula RR = VR / IR
• O diodo se comporta como um curto • O diodo se comporta como aberto

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Materiais semicondutores

• Materiais geralmente utilizados no desenvolvimento de dispositivos


semicondutores:

o Silício (Si).
o Germânio (Ge).
o Arseneto de gálio (GaAs).

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Dopagem

• As características elétricas do silício e do germânio são melhoradas


pela adição de materiais em um processo denominado dopagem.
• Há somente dois tipos de materiais semicondutores dopados:

tipo n tipo p

Materiais do tipo n contêm Materiais do tipo p contêm


excesso de elétrons na um excesso de lacuna na
banda de condução. banda de valências.

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Junções p-n

• Uma extremidade de um cristal de silício ou germânio pode ser


dopada como um material do tipo p e a outra extremidade como um
material do tipo n.

• O resultado é uma junção p-n


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Junções p-n

• Na junção p-n, o excesso de elétrons na banda de condução no lado


do tipo n é atraído para as lacunas na banda de valência no lado do
tipo p.

• Os elétrons no material do tipo n migram ao longo da junção para


o material do tipo p (fluxo de elétrons).

• A migração de elétrons resulta em uma carga negativa no lado do


tipo p da junção e em uma carga positiva no lado do tipo n da junção.
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Junções p-n

• O resultado é a formação de uma região de depleção em torno da


junção.

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Portadores majoritários
e minoritários
• Duas correntes ao longo de um diodo:
o Portadores majoritários
• Os portadores majoritários em materiais do tipo n são elétrons.
• Os portadores majoritários em materiais do tipo p são lacunas.

o Portadores minoritários
• Os portadores minoritários em materiais do tipo n são lacunas.
• Os portadores minoritários em materiais do tipo p são elétrons.
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Condições de operação do
diodo
• Um diodo tem três condições de operação:

o Ausência de polarização.

o Polarização direta.

o Polarização reversa.

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Condições de operação do
diodo

• Ausência de polarização

o Nenhuma tensão externa é aplicada: VD = 0 V.

o Não há corrente no diodo: ID = 0 A.

o Só uma modesta depleção.

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Condições de operação do
diodo
• Polarização reversa
o Uma tensão externa é aplicada ao longo da junção p-n na
polaridade oposta dos materias do tipo p e n.

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Condições de operação do
diodo
• Polarização reversa
o A tensão reversa faz com que a
área da região de depleção aumente.

o Os elétrons no material do tipo n


são atraídos para perto do terminal
positivo da fonte de tensão.

• As lacunas no material do tipo p são atraídos para perto do terminal negativo da


fonte de voltagem.
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Condições de operação do
diodo
• Polarização direta
o Uma tensão externa é aplicada ao longo da junção p-n na mesma
polaridade dos materiais do tipo p e n.

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Condições de operação do
diodo
• Polarização direta
o A tensão direta faz com que
a área da região de depleção
diminua.
o Os elétrons e lacunas são
empurrados em direção à
junção p-n.

• Os elétrons e lacunas têm energia suficiente para cruzar a junção p-n.

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Características reais do
diodo
• Observe que na região as
condições são de ausência de
polarização, polarização reversa
e polarização direta.

• Observe atentamente a escala


para essas condições.

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Região Zener

• A região Zener fica na região de polarização reversa do diodo.


• Em um certo momento, a voltagem da polarização reversa é tão alta
que o diodo é rompido e a corrente reversa aumenta drasticamente.
• A tensão reversa máxima que não levará um diodo à região Zener é
denominada tensão de pico inversa ou tensão de pico reversa.
• A tensão que faz com que um diodo entre na região Zener de
operação é denominada tensão Zener (VZ).

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Região Zener

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Tensão de polarização
direta
• O ponto no qual o diodo muda da condição de ausente de
polarização para a condição de com polarização direta ocorre quando
os elétrons e as lacunas fornecem energia suficiente para cruzar a
junção p-n. Essa energia vem da tensão externa aplicada ao longo do
diodo.
• A tensão de polarização direta necessária para um:
o Diodo de arseneto de gálio  1.2 V
o Diodo de silício 0.7 V
o Diodo de germânio  0.3 V

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Efeitos da temperatura

• À medida que a temperatura aumenta, é adicionada energia ao


diodo.
• Ela reduz a tensão de polarização direta necessária para condução
de polarização direta.
• Ela aumenta a quantidade de corrente reversa na condição de
polarização reversa.
• Ela aumenta a tensão máxima de avalanche da polarização reversa.
• Os diodos de germânios são mais sensíveis a variações de
temperatura que os de silício ou de arseneto de gálio.
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Polarização Direta

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Curvas características
com mudança de
temperatura
“IS” (IS+Ifuga)
dobra a cada
10°C de
aumento da
Temperatura

VD diminui 2,5 mV
a cada 1°C de
aumento da
Temperatura

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Ideal versus Prático

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Ideal versus Prático

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Níveis de resistência

• Semicondutores reagem de modo diferente a correntes CC e CA.

• Há três tipos de resistência:


o Resistência CC (estática).
o Resistência CA (dinâmica).
o Resistência CA média.

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Resistência CC (estática)

• Para um tensão CC específica


aplicada (VD), o diodo tem uma
corrente específica (ID) e uma
resistência específica (RD).

VD
RD 
ID

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Resistência CA (dinâmica)

• Na região de polarização direta:


26 mV
rd   rB
ID
• A resistência depende da quantidade de corrente (ID) no diodo.
• A tensão ao longo do diodo é razoavelmente constante (26 mV para
25C).
•rB varia de típico 0,1  para dispositivos de alta potência a 2  para
baixa potência, diodos de uso geral. Em alguns casos o rB pode ser
ignorado.
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Resistência CA (dinâmica)

• Em região de polarização reversa:

rd  

• A resistência é efetivamente infinita. O diodo se comporta como um aberto.

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Resistência CA média

ΔVd
rav  pt. to pt.
ΔId

• A resistência CA pode ser


calculada utilizando-se a corrente
e a tensão marca dois pontos na
curva característica do diodo.

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Circuito equivalente do
diodo linear por partes

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Circuito equivalente
Simplificado do diodo

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Circuito equivalente ideal do
diodo

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Capacitância do diodo

• Quando reversamente polarizada, a camada de depleção fica muito


grande. As fortes polaridades negativa e positiva do diodo criam
capacitância (CT). A quantidade de capacitância depende da tensão
reversa aplicada.

• Quando polarizada diretamente, a capacidade de armazenamento


ou a capacidade de difusão passa a existir à medida que a tensão do
diodo aumenta.

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Capacitância do diodo

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Tempo de recuperação
reversa (trr)
• Tempo de recuperação reversa é o tempo necessário para um
diodo para de conduzir quando sua polarização é alternada de direta
para reversa.

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Folhas de dados do diodo

• Folhas de dados do diodo contêm informações-padrão, fazem


comparações de diodos para verificar se necessitam ser substituídos
ou se seu design precisa ser melhorado.
1.Tensão direta (VF) a uma corrente e temperatura específicas.
2.Corrente direta máxima (IF) a uma temperatura específica.
3.Corrente de saturação direta (IR) a uma tensão e temperatura
específicas.

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Folhas de dados do diodo

4. Taxa de tensão reversa, PIV ou PRV ou V(BR), a uma temperatura


específica.
5. O valor máximo de dissipação de potência a uma temperatura
específica.
6. Níveis de capacitância.
7. Tempo de recuperação reversa, trr.
8. Faixa de temperatura de operação.

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Teste do diodo

• Diodos são comumente testado utilizando-se um desses tipos de


equipamento:

oTestador do diodo.
oOhmímetro.
oTraçador de curva.

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Testador do diodo

• Muitos multímetros digitais têm uma função de teste de diodo. O


diodo deve ser testado fora de circuito.
• Um diodo normal exibe sua tensão direta da seguinte forma:

o Arseneto de gálio  1.2 V


o Diodo de silício  0.7 V
o Diodo de germânio  0.3 V

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Ohmímetro

• Um ohmímetro ajustado em um baixa escala de Ohms pode ser


utilizado para testar um diodo. O diodo deve ser testado fora do
circuito.

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Traçador de curva

• Um traçador de curva exibe a curva característica de uma diodo no


circuito-teste.
• Essa curva pode ser comparada às especificações do diodo de uma
folha de dados.

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Outros tipos de diodo

• Há muitos tipos de diodo além do padrão, o diodo de junção p-n.


Três dos mais comuns são:

oDiodos Zener.
oDiodos emissores de luz.
oDiode arrays.

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Diodo Zener

• Um diodo Zener é aquele desenvolvido para


operar de modo seguro em sua região Zener, ou
seja, polarizado em uma tensão Zener (VZ).

• Faixas comuns de tensão de um diodo Zener


ficam entre 1.8 V e 200 V

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Diodo emissor de luz (LED)

• Um LED emite luz quando está polarizado diretamente, o que pode


acontecer num espectro infravermelho ou visível.

• A tensão polarizada direta fica geralmente na faixa de 2 V a 3 V.

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Diodo Arrays

• Múltiplos diodos podem ser embalados juntos em um circuito


integrado (CI).

• Está disponível no mercado uma


grande variedade de configurações
de diodo.

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Análise por reta de carga

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Análise por reta de carga

• As retas de carga demarcam todas as possíveis combinações de


correntes de diodo (ID) e tensões de diodo (VD) para um dado
circuito. A ID máxima é igual a E/R, e a VD máxima é igual a E.

• O ponto onde a reta de carga e a curva característica se


interseciona é o ponto Q, que identifica a ID e a VD para um diodo em
particular em um dado circuito.
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Configurações em série
do diodo
• Polarização direta
• Constantes
Diodo de silício: VD = 0,7 V
Diodo de germânio: VD = 0,3 V
• Análise (para o silício)
•VD = 0,7 V (ou VD = E se E < 0,7 V)
• VR = E – V D
• I D = IR = I T = V R / R

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Configurações em série
do diodo
• Polarização reversa
o Idealmente, diodos se comportam
como circuitos abertos.

• Análise
VD = E
VR = 0 V
ID = 0 A
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Exemplo:

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Configurações em
paralelo com diodos

V  0,7 V
D
V V  V  0.7 V
D1 D2 o
V  9,3 V
R
EV 10 V ,7 V
I  D   28 mA
R R ,33 kΩ
28 mA
I I   14 mA
D1 D2 2

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