LOM3218 - Eletrônica

Amplificadores Darlington e
FET
Amplificador Darlington

Amplificador Darlington contêm dois

transistores bipolares NPN ou PNP
conectados de forma que o ganho de
corrente total seja o produto do ganho de
cada transistor individual:
Aplicação do amplificador Darlington

A base do transistor Darlington é

suficientemente sensível para
responder a um pequeno sinal de
corrente de uma chave ou
diretamente de um sinal lógico TTL
5V ou CMOS 3,3V.
A corrente de coletor máxima Ic(max)
para qualquer par Darlington é o
mesmo para um transistor de
chaveamento que pode operar relê,
motor cc, solenoides e lâmpadas.
 Transistor JFET
O transistor JFET é um transistor unipolar
disponível em configurações Canal N ou
Canal P.
No transistor bipolar observamos que a
corrente de coletor é proporcional à
corrente de base, tornando o circuito
amplificador operado por CORRENTE.
O FET entretanto usa a tensão aplicada
ao terminal GATE para controlar a
corrente que flui através dos terminais
SOURCE e DRENO. Como a sua
operação se baseia no campo elétrico
gerado no terminal GATE torna o circuito
amplificador FET um dispositivo operado
por TENSÃO.
Transistor JFET Corrente de dreno na região ativa:

A corrente de dreno está situada entre zero

(pinch-off) e IDSS(corrente máxima).
Conhecendo-se a corrente de dreno ID e a
tensão Dreno-Fonte VDS a resistência do canal
(RDS ) é dada por:

gm é o ganho de transcondutância pois o JFET

é um dispositivo controlado por tensão e que
representa a taxa de variação da corrente de
dreno em função da variação na tensão Gate-
Fonte VDS.
 Circuitos de polarização de JFET
Fonte Comum (CS)
Na configuração Fonte Comum (semelhante
ao emissor comum no BJT), a tensão de
entrada é aplicada ao Gate e a saída é
medida no Dreno. Este é o modo de
operação mais comum do JFET, devido à
elevada impedância de entrada e a boa
amplificação de tensão.
O modo CS é geralmente empregado em
amplificadores de audiofrequência e em
estágios de pré-amplificação de alta
impedância de entrada. Sendo um circuito
amplificador, o sinal de saída está defasado
180o “em relação à entrada.
 Circuitos de polarização de JFET
Gate Comum (CG)
Na configuração Gate Comum (similar à Base
Comum no BJT), a tensão de entrada é
aplicada no terminal Fonte e a saída é retirada
pelo terminal Dreno com o Gate conectado
diretamente ao terra (Ground, 0 V). Esta
configuração possui baixa impedância de
entrada e alta impedância de saída.
Esta configuração de FET pode ser usada em
circuitos de alta frequência ou circuitos de
casamento de impedância. A saída está em fase
com a saída.
 Circuitos de polarização de JFET
Dreno Comum (CD)
A configuração Dreno Comum ou Seguidor
da Fonte possui alta impedância de entrada,
baixa impedância de saída e ganho de tensão
quase-unitário. Por isso é comumente utilizado
em amplificadores buffer. O ganho de tensão
da configuração Seguidor da Fonte é menor
que 1 e o sinal de saída está em fase com o
sinal de entrada.
Amplificador JFET
De maneira análoga ao transistor
bipolar, o JFET pode ser usado em
circuitos amplificadores classe A
com o circuito Fonte Comum (CS)
sendo similar ao circuito BJT
emissor comum.
A principal vantagem de
amplificadores JFET em relação à
amplificadores BJT é sua alta
impedância de entrada que é
controlada pela rede resistiva de
polarização do Gate formada por
R1 e R2, mostrado na Figura ao
lado.
 O amplificador CS é polarizado de
Amplificador JFET acordo com o modo classe “A” pela
rede divisora de tensão formada
pelos resistores R1 e R2. A tensão no
resistor Fonte RS é ajustado em um
quarto de VDD, (VDD /4) ou qualquer
valor razoável.
A tensão do Gate pode ser calculado
do valor de RS. Como a corrente de
Gate é zero, (IG = 0) se pode ajustar
a tensão quiescente cc pela escolha
adequada dos resistores R1 e R2.
O controle da corrente do Dreno por
um potencial negativo de Gate torna
o JFET útil como chave e é essencial
que a tensão do Gate nunca seja
positive para um JFET Canal N pois
a corrente no canal irá para o Gate e
não para o Dreno resultando na
destruição do transistor.
 Transistor
MOSFET
O MOSFET é um transistor que funciona como
um JFET (controlado por tensão), mas tem o
terminal Gate eletricamente isolado do canal
condutivo por uma camada fina de SiO2. Esta
camada ultrafina isolante atua como o eletrodo
de um capacitor, fazendo com que a resistência
de entrada do MOSFET seja extremamente alta
(da ordem de Mega-ohm).
A principal diferença entre o JFET e o MOSFET
é a disponibilidade de dois modos de
polarização deste último:
• Modo Depleção – o transistor opera com a
tensão Gate-Fonte, VGS no modo desligado
(“OFF”).
• Modo Enriquecimento – o transistor requer a
tensão Gate-Fonte, VGS no modo ligado (“ON”).
 Transistor
MOSFET
Os quatro simbolos MOSFET mostrados
anteriormente apresentam um terminal adicional
chamado Substrato que normalmente não é
usado nem como terminal de entrada nem de
saída, mas usado para aterrar o terminal
Substrato. Ele conecta o canal condutivo por
meio de uma junção diodo ao corpo metálico do
MOSFET.
Normalmente em MOSFET discreto, o terminal
Substrato é conectado internamente ao terminal
Fonte. Neste caso, como em MOSFET modo
enriquecimento, o Substrato é omitido do
símbolo elétrico. Se a linha do canal for pontilhada ou tracejada,
A linha que conecta o Dreno (D) e o Fonte (S) então ela representa o modo enriquecimento
representa o canal condutivo do transistor. Se OFF, pois uma corrente de dreno nula flui sob
esta linha for contínua, ela representa o modo potencial de Gate nulo. A direção da seta
depleção ON pois a corrente de dreno pode fluir apontando ao canal indica se o canal condutivo
com potencial de Gate zero. é tipo N ou tipo P.
Transistor MOSFET: modo Depleção

O MOSFET modo depleção, que é menos

comum que o modo enriquecimento está
normalmente ligado (ON), ou seja, conduzindo
sem aplicação da tensão de polarização do
Gate (VGS = 0) tornando-o um dispositivo
normalmente fechado. O símbolo do transistor
mostrado acima usa linha continua para
representar um canal condutivo.
Transistor MOSFET: modo Enriquecimento

MOSFET modo enriquecimento produzem

excelentes chaves eletrônicas devido à sua
baixa resistência “ON” e extremamente elevada
resistência “OFF”, bem como praticamente
infinita impedância de entrada. MOSFETs modo
enriquecimento são usados em CI lógicos
CMOS e circuitos de chaveamento de potência
PMOS (Canal P) e NMOS (Canal N).
Amplificador MOSFET: modo Enriquecimento
Tal como os JFET, os MOSFETs podem ser
usados para criar amplificadores classe A com
MOSFET Canal N Fonte Comum.
Amplificadores MOSFET modo Depleção são
semelhantes aos amplificadores JFET, exceto
pelo fato que o MOSFET possui uma
impedância de entrada muito maior.
Esta elevada impedância de entrada é
controlada pela rede resistiva formada pelos
resistores R1 e R2.
O sinal de saída do amplificador MOSFET modo
enriquecimento também é invertido porque
quando a tensão VG é baixa, o transistor está
desligado (“OFF”) e VD (Vout) é alto. Quando VG é
alto, o transistor está ligado (“ON”) e VD (Vout) é
baixo.
Acionamento de motor por CMOSFET
Dois MOSFETs podem ser configurados para produzir
uma chave bidirectional a partir de uma fonte de
alimentação dupla com o motor conectado entre uma
conexão Dreno Comum e o terra de referência.
Quando a entrada é LOW o PMOSFET é ligado na
medida em que a junção Gate-Fonte é polarizado
reversamente, de modo que o motor gira em um
sentido.
Apenas a tensão positiva +VDD quando a fonte é usada
para acionar o motor.
Quando a entrada é HIGH, o dispositivo Canal P
desliga e o dispositivo Canal N liga pois a tensão de
polarização do Gate é positiva. O motor gira em sentido
contrário porque a tensão no terminal é fornecida pela
tensão negativa -VDD.
O PMOSFET é usado para chavear a fonte positiva
para girar o motor num sentido enquanto que o
NMOSFET é usado para reverter o sentido de rotação
do motor.
 Amplificador MOSFET

MOSFET type VGS = +ve VGS = 0 VGS = -ve

N-Channel Depletion ON ON OFF

N-Channel Enhancement ON OFF OFF

P-Channel Depletion OFF ON ON

P-Channel Enhancement OFF OFF ON

Diferença de polarização de JFET e
MOSFET

JFET MOSFET
Tipo
Modo Depleção Modo Depleção Modo
Enriquecimento

Polarização ON OFF ON OFF ON OFF

Canal N 0V -ve 0V -ve +ve 0V

Canal P 0V +ve 0V +ve -ve 0V

 Diferenças entre BJT e FET
Field Effect Transistor (FET) Bipolar Junction Transistor (BJT)
1 Baixo ganho de tensão Alto ganho de tensão
2 Alto ganho de corrente Baixo ganho de corrente
3 Altíssima impedância de entrada Baixa impedância de entrada
4 Elevada impedância de saída Baixa impedância de saída
5 Baixa geração de ruído Média geração de ruído
6 Tempo de chaveamento rápido Médio tempo de chaveamento
7 Facilmente danificado por eletricidade estática Robusto
8 Requer uma entrada para desligar Não requer sinal para desligar
9 Dispositivo controlado por tensão Dispositivo controlado por corrente
10 Exibe propriedades de resistor  
11 Mais caro que bipolar Barato
12 Difícil polarização Fácil polarização