Defeitos cristalinos

“Crystals are like people, it is the

defects in them which tend to make
them interesting!”

Sir Prof. Colin Humphreys, 1941-present.

Physicist @Queen Mary University of London
 Defeitos cristalinos
Considerações iniciais:

a) Materiais reais contém defeitos! Materiais “100% puros” são apenas uma abstração.
b) Dependendo dos teores, a presença de impurezas leva à formação de soluções sólidas
substitucionais ou intersticiais.
Para que um sistema apresente mútua solubilidade de 2 componentes A e B, as regras de
Hume-Rothery não podem ser violadas:

- diferença dos raios atômicos de A e B menor que 15%

- mesma estrutura cristalina
- possuir eletronegatividade similar
- possuir mesma valência

c) Tipos de defeitos microestruturais:

- defeitos pontuais (lacunas ou vacâncias)

- defeitos de linha ou unidimensionais (discordâncias)
- defeitos bidimensionais ou planares (contornos de grão e de subgrão, contornos de macla,
contornos de antifase, defeitos de empilhamento)
- defeitos tridimensionais (poros e inclusões)
 Defeitos de ponto: lacunas e interstícios

metais

compostos

Fonte: Shackelford
Defeitos de ponto

Fonte: Askeland
 “Bubble-raft model”
Encontre os defeitos cristalinos!

Fonte: MSM-Cambridge + TU-Wien

 “Bubble-raft model”
Encontre os defeitos cristalinos!

Fonte: MSM-Cambridge + TU-Wien

Energias para criação e migração de vacâncias

Hf e Hm são as entalpias de formação e de migração das lacunas.

Fonte: Padilha
 Defeitos de ponto: lacunas

Próximo ao ponto de fusão, a concentração de vacâncias/lacunas converge

para algo em torno de 10-4, ou seja, 1 lacuna para cada 10000 átomos no reticulado,

independentemente da entalpia de formação de vacâncias!

Hf = -kT.ln(Nv/N)

R = Nk where R is the ideal gas constant (sometimes called the universal gas constant) and N
is the Avogadro constant (k is the Boltzmann constant of course).
 Defeitos de ponto: interstícios

cfc ccc

hc
Fonte: Padilha/Barret & Massalski
 Sítios e soluções intersticiais

Estrutura CFC:
Sítios tetraédricos: r/R = 0,223
Sítios octaédricos: r/R = 0,4142

Estrutura CCC:
Sítios tetraédricos: r/R = 0,286
Sítios octaédricos: r/R = 0,150

Estrutura HC (depende da relação c/a):

Sítios tetraédricos < Sítios octaédricos

Observações importantes:

- Átomos intersticiais causam grande distorção no reticulado afetando as propriedades

mecânicas mais intensamente que os substitucionais.
- Raramente encontram-se soluções intersticiais com mais de 10 at-%.
- Alguns sistemas substitucionais aceitam até 100% de substituição mútua (Cu-Ni, por exemplo).
 O experimento de Simmons e Balluffi

Detecção e quantificação da concentração de lacunas

Fonte: Phys. Review 117, 1960

 O experimento de Simmons e Balluffi

Observações importantes:

Lacunas em excesso promovem o inchaço do material (swelling) enquanto que os

intersticiais promovem a contração da rede.
Isso é de grande relevância em aplicações nucleares para materiais expostos a
intensos fluxos de nêutrons, como no caso dos reatores nucleares.
Lacunas em excesso se rearranjam e promovem a formação de poros no material.
Fonte: Phys. Review 117, 1960
Inchaço por nêutrons

Fonte: Y. Ueda et al. Nucl. Fusion 57(2017) 092006

 Inchaço e outros danos causados por nêutrons

Inchaço (swelling) Mudança de coloração em vidros

Exercícios para fixação