Lección 5

OTROS SEMICONDUCTORES
DE POTENCIA

Sistemas Electrónicos de Alimentación

5º Curso. Ingeniería de Telecomunicación
 El transistor Bipolar de Puerta Aislada
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Este dispositivo aparece en los años 80

Mezcla características de un transistor bipolar y de un MOSFET
La característica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensión
y no por corriente

MOSFET Bipolar
EL IGBT DE POTENCIA

G
E

Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)

Facilidad de manejo (MOSFET)

Menor capacidad de conmutación (Bipolar)

No tiene diodo parásito
 Estructura del IGBT

Es similar a la de un MOSFET
Sólo se diferencia en que se añade un sustrato P bajo el sustrato N

Es el dispositivo más adecuado para tensiones > 1000 V

El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V
EL IGBT DE POTENCIA

En los valores intermedios depende de la aplicación, de la frec.,etc.

 El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:

• Bajo ciclo de trabajo

• Baja frecuencia (< 20 kHz)
• Aplicaciones de alta tensión (>1000 V)
• Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones típicas del IGBT

EL IGBT DE POTENCIA

• Control de motores
• Sistemas de alimentación ininterrumpida
• Sistemas de soldadura
• Iluminación de baja frecuencia (<100 kHz) y
alta potencia
 Gran capacidad de manejo de corriente

Comparación IGBT-MOSFET con el mismo área de semiconductor

El IGBT tiene menor caída de tensión

Menores pérdidas en conducción

Problema:
Coeficiente de temperatura negativo
EL IGBT DE POTENCIA

A mayor temperatura, menor

caída de tensión

Conduce más corriente

Se calienta más

Esto es un problema para paralelizar IGBTs

 Encapsulados de IGBT

Módulos de potencia
TO 220

MTP
TO 247
EL IGBT DE POTENCIA
 Parámetros fundamentales para seleccionar un MOSFET

• Tensión de ruptura
• Corriente máxima
• Tensión colector-emisor en
saturación
EL IGBT DE POTENCIA

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales

Media tensión Alta tensión

250 V 600 V
300 V 900 V
1200 V
(Poco usuales)
 Características básicas
EL IGBT DE POTENCIA

En ocasiones, el encapsulado incorpora

internamente un diodo
G
E
 Características eléctricas

Tensión de saturación colector-emisor (como en bipolares)

Tensión umbral de puerta (como en MOSFETS)

Características térmicas
EL IGBT DE POTENCIA
 Características dinámicas
Circuito equivalente del IGBT

La base del bipolar no del accesible

La circuitería exterior no puede solucionar el
problema de la eliminación de los minoritarios de
la base

Esto da lugar a la llamada

EL IGBT DE POTENCIA

“cola de corriente” (current

tail)

Problema: aumento de
pérdidas de conmutación

Cola de corriente
 Características dinámicas
Al contrario que en el MOSFET, los tiempos de conmutación del IGBT no
dan información sobre las pérdidas de conmutación

Causa:
No tienen en cuenta el efecto de cola de corriente
Este efecto es muy significativo en el conjunto de pérdidas
Además, el tiempo de caída de la tensión VCE no queda definido
Este tiempo es muy importante para definir las pérdidas

Se hace mediante gráficos que proporciona el fabricante

EL IGBT DE POTENCIA
 Tipos de Tiristores

SCR (Silicon Controlled Rectifier)

A este dispositivo se le suele llamar Tiristor

DIAC

TRIAC

GTO
TIRISTORES
 SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Es uno de los semiconductores más antiguos

1957 General Electric Research Laboratories

Tiene una enorme capacidad de manejar potencia

Son muy robustos
Seguirá teniendo aplicaciones debido a que es de los semiconductores
con mayor capacidad de manejar potencia

Estructura de 4 capas
TIRISTORES
 SCR IA Ánodo
A
Característica V-I
Puerta VAK

Cátodo K
IA Polarización directa: una vez
disparado, conduce como un diodo

Polarización directa: si no se ha
disparado, no conduce

VAK
Zona de transición
TIRISTORES

Con polarización inversa se comporta como un diodo: no conduce

El SCR se apaga de forma natural cuando la corriente pasa por cero

 Encapsulados de SCR

ADD A PACK MAGN A PACK

PACE PACK

TO-200
TIRISTORES
 Parámetros fundamentales para seleccionar un SCR
• Tensión de ruptura
• Corriente máxima
• Velocidad de conmutación

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales

TIRISTORES

400 V
Alta tensión Soportan tensión directa (VDRM ) e
800 V
inversa (VRRM )
1000 V
1200 V
 Características de disparo

Para disparar el SCR hay que introducir corriente por la puerta

Para que el disparo sea efectivo, se deben de cumplir dos condiciones:

1. La corriente de puerta debe ser superior a un cierto valor

IG Zona de disparo seguro

Ningún SCR se dispara

TIRISTORES

VGK

No se garantiza el disparo
 Características de disparo
El circuito de disparo debe tener una recta de carga tal que el punto
de corte esté en la zona de disparo seguro

Z1

V1

IG
V1 / Z1

Zona de disparo seguro

TIRISTORES

VGK
V1
 Características de disparo

2. Hay que mantener el disparo hasta que la corriente ánodo-cátodo

sobrepase un cierto valor que se llama Corriente de Enclavamiento
(Latching Current)

IA Sigue conduciendo

ILATCHING

Se apaga

IG
TIRISTORES

Una vez disparado, el SCR sigue conduciendo

aunque no tenga corriente en puerta
 Características de disparo
Podríamos disparar el SCR con un pulso de corriente
Esto funciona con carga resistiva ya que la corriente crece rápidamente y
se alcanza fácilmente la corriente de enclavamiento

IA
Z1 = R

IA
V1 Z1
Z1 = Ls
IG Se apaga

IG
TIRISTORES

Para evitar esto, se suele disparar los SCR con trenes de pulsos

IG
 Características de disparo

El SCR se puede llegar a disparar por derivada de tensión

Si la tensión ánodo-cátodo cambia muy bruscamente, puede
inducirse corriente en la puerta y entrar en conducción

i
VAK dVAK
grande
dt
TIRISTORES
 Apagado del SCR

Idealmente, cuando la corriente que circula entre ánodo y cátodo llega a

cero, el SCR se apaga de forma natural

En realidad, se apaga cuando la corriente baja hasta un cierto valor

llamado Corriente de mantenimiento (holding current)

IA

Corriente de Corriente de
enclavamiento mantenimiento
(p.ej 1 A)
(p.ej 600mA)
TIRISTORES
 Apagado del SCR

Hay dos tipos de apagado:

• Apagado estático
IA
• Apagado dinámico

IMANTENIMIENTO
El apagado estático se utiliza en aplicaciones
de red (50 Hz) VAK
El tiristor se apaga de forma natural

El apagado dinámico se utiliza en

aplicaciones de frecuencia más elevada (1 IA
µ s
- 20 kHz)
TIRISTORES

Se requiere un circuito externo para

apagar el SCR de forma forzada VAK
 Ejemplo de funcionamiento
V1

Disparo

R1 VR

V1
VR
VT
TIRISTORES

VT
 TRIAC

Funciona como un tiristor

Al dispararlo, conduce hasta que la corriente pasa por cero

Es bidireccional. Conduce en ambos sentidos

Se puede disparar con corrientes entrantes y salientes

T1 G T2

Su uso es común en aplicaciones de “baja” potencia (pero relativamente alta

TIRISTORES

comparada con la potencia de muchos sistemas de alimentación)

200, 400, 600, 800, 1000 V

Especificaciones típicas
1- 50 A
 TRIAC
Hay 4 posibilidades de funcionamiento
No todas son igual de favorables

T2 + T2 + T2 - T2 -

IG IG IG IG
T1
- - + +
T1 T1 T1

IG > 35 mA 35 mA 70 mA 35 mA

IH < 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA
TIRISTORES

IL < 40 mA 60 mA 60 mA 40 mA

IH Corriente de mantenimiento IL Corriente de enclavamiento

 TRIAC Ejemplo Nivel de
comparación

RL (Carga)

C
Comp. con
Histéresis
VG
VRL
R

α : ángulo de disparo α
Controlando el ángulo de VComp
disparo se controla la
potencia que se le da a RL
TIRISTORES

A este tipo de control se le

VG
llama control de fase
 DIAC
No es un interruptor

Una vez disparado se comporta como un diodo

Cuando su corriente pasa por cero, se apaga
Para dispararlo hay que sobrepasar una tensión característica VDIAC que
suele ser de 30 V.
Es totalmente simétrico
IT12
T1

T2 VT12
- 30 V 30 V
TIRISTORES

Aplicaciones: se suele usar para disparar TRIACs y tiristores

 GTO Gate Turn-Off Thirystor

K
G

• En muchas aplicaciones, el hecho de no poder

apagar el SCR es un grave problema
• El GTO solventa ese inconveniente
• Con corriente entrante por puerta, se dispara
• Con corriente saliente por puerta, se apaga

• Se utiliza en aplicaciones de mucha potencia

TIRISTORES

• Es muy robusto
 GTO

• Soporta altas tensiones

• Puede manejar corrientes elevadas
• La caída de tensión en conducción es relativamente baja

• El GTO es básicamente igual que un SCR

• Se han modificado algunos parámetros constructivos para poder
apagarlo por puerta
• Se pierden algunas características (solución de compromiso). Por
ejemplo, la corriente de disparo es mayor.

• Caída de tensión en conducción ligeramente superior al SCR

• Algo más rápido que un SCR
TIRISTORES