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DIODO

SEMICONDUTORES
Materiais

que possuem uma resistncia situada entre a dos materiais condutores e isolantes. utilizados na eletrnica: Germnio (Ge) e o Silcio (Si).

Principais

SEMICONDUTOR INTRNSECO

um semicondutor no estado puro.

temperatura de zero grau absoluta (-273C) comporta-se como um isolante, mas temperatura ambiente (20C) j se torna um condutor Porque o calor fornece a energia trmica necessria para que alguns dos eltrons de valncia O que faz com que o tomo tenha estabilidade qumica e molecular, logo no h eltrons livres e, conseqentemente o material comporta-se como um isolante.

SEMICONDUTOR EXTRNSECO
Provocar o aparecimento de pares eltron-lacuna livres no interior de um cristal semicondutor: Atravs da energia trmica (ou calor). Ou fazer com que um feixe de luz incida sobre o material.

Um cristal semicondutor puro (intrnseco) e adicionando-se a ele (dopagem), uma determinada quantidade de outros tipos de tomos, aos quais chamamos de impurezas.

DOPAGEM TIPO P E N
Processo

de dopagem Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro(intrnseco), este passa a ser um semicondutor extrnseco.
As

impurezas a um semicondutor intrnseco pode ser de dois tipos: impurezas (tomos) doadores e impurezas (tomos) aceitadores.

DOPAGEM TIPO P E N
tomos

doadores: tm cinco eltrons de valncia (so penta valentes): Arsnio(As), fsforo(P) ou Antimnio (Sb). aceitadores: tm trs eltrons de valncia (so trivalentes): ndio(In), Glio (Ga), Boro (B) ou Alumnio (Al).

tomos

SEMICONDUTOR DO TIPO P

A introduo de tomos trivalentes (como o ndio) num semicondutor puro (intrnseco) faz com que apaream lacunas livres no seu interior. Como esses tomos recebem eltrons eles so denominados impurezas (tomos) aceitadoras Todo o cristal puro de Silcio ou Germnio, dopado com impurezas aceitadoras designado por semicondutor do tipo P (P de positivo, referindo-se falta de carga negativa, de eltrons - lacunas).

PORTADORES MAJORITRIOS E
MINORITRIOS Num semicondutor extrnseco do tipo N: os eltrons esto em maioria so portadores majoritrios da corrente eltrica. As lacunas esto em minoria e so portadores minoritrios de corrente eltrica.

Num semicondutor extrnseco do tipo P: as lacunas esto em maioria sendo portadores majoritrios da corrente eltrica. Os eltrons por sua vez esto em minoria e so portadores minoritrios da corrente eltrica.

JUNO PN
A

unio fsica de um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N forma uma juno PN. juno recebe o nome de diodo semicondutor.

Esta

JUNO PN
Na

formao : ocorre o processo de recombinao, no qual os eltrons do lado N mais prximo a juno migram para o lado P.

Este processo ocorre ate o equilbrio eletrnico e a estabilidade qumica (quatro ligaes covalentes em cada tomo)

JUNO PN
Polarizao

da juno PN. Essa polarizao feita com uma tenso direta nos terminais da juno PN, atentando pra que o potencial maior fique do lado P.

CAMADA DE DEPLEO E TENSO DE


CONDUO

Camada de depleo a regio criada na juno, que age como uma barreira para impedir a passagem dos eltrons livres.

Conforme a passagem dos eltrons: a intensidade da camada aumenta at que entre em equilbrio, ento a passagem dos eltrons interrompida pela repulso interna que a camada sofre.

CAMADA DE DEPLEO E TENSO DE


CONDUO Polarizao direta: ento o diodo conduz a partir da tenso de conduo. Polarizao reversa: a tendncia da camada de depleo aumentar, ficando mais larga, ou seja, o diodo no conduz eletricidade.

A tenso na camada de depleo chamada barreira de potencial, ou tenso de conduo. Aproximadamente 0,7V para diodos de silcio e 0,3V de germnio.

MODELO1 - DIODO IDEAL


Se considerarmos um diodo ideal, que para i>0, v=0 Ou seja, sempre que houver corrente ele conduz, sem que haja queda de tenso no diodo.

MODELO 2 - DIODO COM V


Se analisarmos o grfico de um diodo real, podemos perceber que h uma tenso de queda varivel at 0,7V (sendo a partir dessa tenso que o diodo conduz, no caso do diodo analisado).

MODELO3 DIODO COM V


RD

Efetuando uma melhor aproximao grfica entre o diodo real e o ideal em circuito obtm-se: