METAIS E LIGAO METLICA

Qumica Geral

LIGAO METLICA tomos dos Metais: 1, 2 e 3 eltrons na

ltima Camada Eletrnica (Camada de Valncia) Camada Normalmente afastada do ncleo
Eltrons, pouco atrados, escapam facilmente do tomo nuvem ou mar de eltrons

SLIDOS METLICOS
Os metais so constitudos por um retculo de esferas rgidas (ctions) imersas num mar de eltrons de valncia que podem se mover atravs dos interstcios existentes no retculo.

Teoria dos Eltrons Livres

 Brilho caracterstico devido mobilidade de seus eltrons. Metais refletem a luz incidente sob qualquer ngulo. Eltrons livres, absorvem energia da luz e a re-emitem quando o eltron retorna redo estado excitado ao seu nvel energtico normal.

Propriedades Gerais dos Metais  BRILHO

Ondas incidentes

Ondas refletidas

Eltrons oscilantes Quando a luz de uma cor particular atinge a superfcie de um metal, os eltrons oscilam. Este movimento de oscilao d origem a uma onda eletromagntica que ns percebemos como a reflexo de uma fonte. Atkins, Peter. Princpios de Qumica. Ed. Bookman

 MALEABILIDADE E DUCTIBILIDADE
explicada devido a mobilidade dos eltrons no metal. Como os ctions esto cercados por um grande nmero de eltrons h um carter direcional muito pequeno na ligao. Um grande nmero de ctions podem ser deslocados de suas posies iniciais sem muito esforo. O mar de eltrons rapidamente se ajusta a fim de manter os tomos unidos conservando assim a ligao entre eles. Malevel: deformvel Dctil: pode ser esticado at formar um fio.

Mar de eltrons mveis

ctions

Quando os ctions so deslocados pela batida de um martelo, os eltrons mveis podem imediatamente responder e seguir o ction na sua nova posio. Atkins, Peter. Princpios de Qumica. Ed. Bookman

 Condutividade Eltrica
Todos os metais so condutores excepcionalmente eficientes de eletricidade e calor. A conduo eltrica surge com o movimento dos eltrons.

 Condutores e Semicondutores
Em ambos os casos a corrente eltrica transportada atravs do material pelos eltrons deslocalizados. Condutor metlico condutividade eltrica diminui com o aumento da temperatura. Semicondutor condutividade eltrica aumenta com o aumento da temperatura. Isolante no conduz corrente eltrica.

Supercondutor um slido com resistncia zero corrente eltrica. - alguns metais tornam-se supercondutores Te 20K; - alguns compostos tornam-se supercondutores T relativamente altas (u 100K) (aplicao na transmisso de energia e transporte por levitao magntica).

Condutividade Eltrica dos Metais, No-Metais e Semi-Metais

TEORIA DAS BANDAS ELETRNICAS Explica: Ligao metlica  Condutividade eltrica

 Metais Condutores de eletricidade

Na23 (sdio) 11 1s2 2s2 2p6 3s1 Cada tomo contribui com 1 orbital de valncia e um eltron de valncia. Exemplo: o 1 vaga

 Para N tomos de sdio, ento N tomos se fundem para formar uma banda . Como cada um dos N tomos fornece um eltron de valncia, N eltrons devero se acomodar nos orbitais - formando banda de valncia (= Banda ocupada) ocupada). Como dois eltrons podem ocupar cada orbital os N eltrons ocupam os N orbitais de mais baixa energia. Uma regio de orbitais moleculares ficar vazia ou incompleta formando a banda de conduo

(= Banda vazia). vazia).

e n e r g i a

3so

Banda de Conduo (vaga desocupada) Banda de Valncia (vaga ocupada)

3s1

e n e r g i a

3so

3s1

Como os orbitais vizinhos tm energias muito prximas, necessitam apenas de pequena energia adicional para excitar um eltron do orbital de mais baixa energia para o orbital vazio localizado logo acima.

Quando se liga o metal aos terminais de uma fonte eltrica, alguns eltrons da metade inferior (Banda de Valncia) saltam para a metade superior Os eltrons podem mover-se livremente atravs do slido, de modo que podem carregar corrente eltrica.

 No-Metais maus condutores Node eletricidade (Isolantes) Exemplo: S32 (enxofre) 16

Quase cheio; saltos eletrnicos para este mesmo subnvel so difceis

1s2 2s2 2p6 3s2 3p4

Lotado e n e r g i a

4so

Banda de Conduo (vaga desocupada)

Intervalo proibido muito amplo

3p4

Banda de Valncia (vaga ocupada)

 Semimetais distribuio eletrnica intermediria entre metais e no-metais noExemplo: Si28 (silcio) 14
No est cheio; pode armazenar mais eltrons, resultantes dos saltos eletrnicos no mesmo subnvel.

1s2 2s2 2p6 3s2 3p2

e n e r g i a

pz
3p2

Banda de Conduo (vaga desocupada)

py px

Intervalo proibido pequeno

Banda de Valncia
(vaga ocupada)

 O subnvel p constitudo por trs orbitais (px,py, pz) dispostos em ordem crescente de energia, os eltrons ocuparo os orbitais px e py (Banda de valncia), deixando vago o orbital pz imediatamente acima (Banda de Conduo). Suas Bandas de valncia e de conduo so muito prximas e permitem os saltos eletrnicos, conduzindo parcialmente a corrente eltrica.

Aquecimento Perturbao Corrente eltrica

Eltrons passam para os nveis desocupados e tm liberdade para se deslocarem por toda a rede

 A temperatura influencia na
condutividade eltrica dos metais e semi-metais

 A resistncia dos metais aumenta com a temperatura porque, quando aquecidos, os tomos vibram mais vigorosamente. Os eltrons em movimento colidem com os tomos em vibrao, dificultando sua movimentao atravs do slido.

 A resistncia de um semicondutor diminui com o aumento da temperatura. Em um semicondutor, uma banda de conduo vazia tem energia prxima a energia de uma banda de valncia completa. Assim quando um slido aquecido, eltrons podem ser excitados da banda de valncia para a banda de conduo onde podero se deslocar atravs do slido.

Dopagem de Semicondutores
 Com a finalidade de aumentar a condutividade dos semicondutores, substitui-se alguns tomos do semicondutor por tomos de outro elemento que tenha aproximadamente o mesmo tamanho mas valncia diferente.  Obtm-se um efeito significativo com apenas um tomo de impureza por milho de tomos do semicondutor.

Dopagem de Semicondutores
Exemplos de adio controlada:

Adio de um tomo de fsforo ao silcio P151s22s22p63s23p3

Adio de um tomo de alumnio ao silcio Al131s22s22p63s23p1

xx

Si Si x P x Si Si
x

P ou As = 5 eltrons de valncia

O eltron assinalado est a mais na estrutura. Sob a ao de um campo eltrico ele vai se mover por toda a estrutura cristalina do silcio transformando o material em condutor de eletricidade. Dopagem ocorre por excesso de eltrons; chamada de dopagem negativa (n). O semicondutor chamado semicondutor do tipotipo-n. As impurezas so doadoras de eltrons Um tomo de P para cada 108 tomos de silcio

Si Si x B x Si Si
x

B ou Al = 3 eltrons de valncia

A estrutura do semicondutor dopado , ficar com um buracoou lacuna devido a falta de um eltron. As lacunas serviro de trnsito para eltrons vindos de uma corrente eltrica externa. Dopagem por falta de eltrons; chamada dopagem positiva (p). O semicondutor chamado de tipo-p. tipo As impurezas so receptoras de eltrons

Isolante
Energia
Banda de Conduo

Intervalo de bandas Banda de valncia

Uma banda de valncia completa est separada por um intervalo grande de energia da banda de conduo.

Energia
Banda de Conduo

Semicondutor do tipo-n: os eltrons adicionais fornecidos pelos tomos dopantes, ricos em eltrons; entram na banda de conduo e agem como transportadores de corrente

Intervalo de bandas
Eltrons dopantes

Banda de valncia

Energia
Banda de Conduo

Semicondutor do tipo-p: os tomos dopantes, : pobres em eltrons, removem eficientemente eltrons da banda de valncia e os buracospermitem que os eltrons remanescentes se tornem mveis e conduzam eletricidade.
Atkins, Peter. Princpios de Qumica. Ed. Bookman

Intervalo de bandas

Banda de valncia Buracos