ECUACIONES BÁSICAS DE

OPERACIÓN DE LOS
COMPONENTES
SEMICONDUCTORES,
DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES BIPOLARES

Jehan Ramírez Díaz, C.I 18566300,

Nº de Lista 28
 ECUACIONES DE MAXWELL PARA UN
MEDIO ISÓTROPO HOMOGÉNEO
Para el caso de que las cargas estén en medios materiales, y
asumiendo que éstos son lineales, homogéneos, isótropos y no
dispersivos, podemos encontrar una relación entre los vectores
intensidad e inducción a través de dos parámetros conocidos como
permitividad eléctrica y la permeabilidad magnética:

Pero estos valores también dependen del medio material, por lo que
se dice que un medio es lineal cuando la relación entre E/D y B/H es
lineal. Si esta relación es lineal, matemáticamente se puede decir
que y μ están representadas por una matriz 3x3. Si un medio es
isótropo es porque esta matriz ha podido ser diagonalizada y
consecuentemente es equivalente a una función ; si en esta
diagonal uno de los elementos es diferente al otro se dice que es un
medio anisótropo. Estos elementos también son llamados constantes
dieléctricas y, cuando estas constantes no dependen de su posición,
el medio es homogéneo.
ECUACIONES DE MAXWELL PARA
UN MEDIO ISÓTROPO
HOMOGÉNEO

El valor de y μ en medios lineales no dependen de

las intensidades del campo. Por otro lado, la
permitividad y la permeabilidad son escalares cuando
las cargas están en medios homogéneos e isótropos.
Los medios heterogéneos e isótropos dependen de las
coordenadas de cada punto por lo que los valores,
escalares, van a depender de la posición. Los medios
anisótropos son tensores. Finalmente, en el vacío
tanto como son cero porque suponemos que no
hay fuentes.
En la siguiente tabla encontramos a las ecuaciones
como se las formula en el vacío y en la forma mas
general
 ECUACIONES DE DENSIDAD
DE CORRIENTE

Para los semiconductores se define una

ecuación para la densidad de corriente la cual
es la suma de la densidad de huecos mas la
densidad de electrones. Esta ecuación esta dada
por:
 ECUACIONES DE
CONTINUIDAD
Otra ecuación que es muy importante
para entender el funcionamiento de los
semiconductores es la ecuación de
continuidad que está muy ligada con la
de densidad de corriente.
 LA UNIÓN PN
TÉCNICAS DE
FABRICACIÓN
Existen diversos métodos de
fabricación de uniones pn. Entre los
mas conocidos tenemos: unión de
aleación, unión tipo mesa difundida,
unión de plana difundida sobre
sustrato epitaxial, Implantación
iónica, etc. En al siguiente figura se
explica el método de implantación
iónica.
LA UNIÓN PN
TÉCNICAS DE
FABRICACIÓN
 LA UNIÓN PN
TÉCNICAS DE
FABRICACIÓN
También se pueden ver los procesos
de fabricación de uniones por medio
de otras técnicas como son:
LA UNIÓN PN
TÉCNICAS DE
FABRICACIÓN
 LA UNIÓN PN
REGIÓN DE VACIAMIENTO Y
CAPACITANCIA DE LA UNIÓN

Al haber una repulsión mutua, los electrones libres en

el lado n se dispersan en cualquier dirección. Algunos
electrones libres se difunden y atraviesan la unión,
cuando un electrón libre entra en la región p se
convierte en un portador minoritario y el electrón cae
en un hueco, el hueco desaparece y el electrón libre se
convierte en electrón de valencia. Cuando un electrón
se difunde a través de la unión crea un par de iones, en
el lado n con carga positiva y en el p con carga
negativa.
Las parejas de iones positivo y negativo se llaman
dipolos, al aumentar los dipolos la región cerca de la
unión se vacía de portadores y se crea la llamada
“Región de Vaciamiento". La acumulación de iones
positivos en la zona n y de iones negativos en la zona
p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada
fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la
LA UNIÓN PN
REGIÓN DE VACIAMIENTO Y
CAPACITANCIA DE LA UNIÓN

Al detenerse el flujo de portadores de

un material al otro debido a la fuerza
que ejerce la región de vaciamiento, la
región actúa como un dieléctrico que
no permite el paso de portadores y los
iones, tanto positivos como negativos,
crean un campo eléctrico E en dicha
unión lo cual hace que aparezca una
capacitancia. En la siguiente figura se
observan los gráficos de dichos
eventos.
LA UNIÓN PN
REGIÓN DE VACIAMIENTO Y
CAPACITANCIA DE LA UNIÓN
 LA UNIÓN PN
UNÍON LINEAL
Al observar las distintas relaciones que se pueden dar
en la unión pn, notamos que estas se dan en forma
lineal. Por ejemplo a medida que aumenta la distancia
entre la unión y la región de vaciamiento, aumenta
también la distribución de carga espacial, a medida
que nos acercamos mas a la unión aumenta el valor de
la distribución del campo eléctrico. Mientras mayor sea
la distancia entre un extremo de la región de
vaciamiento y el otro, mayor será el valor del potencial.
Finalmente se ve que en el diagrama de banda de
energía también se da que la unión es lineal.
LA UNIÓN PN
UNÍON LINEAL
 LA UNIÓN PN
CURVA CARACTERÍSTICA. CORRIENTE
TENSION.

Tensión umbral (Vv): la tensión umbral de polarización directa

coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo
no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de
potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente
ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la
tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial
desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión se
producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente máxima (Imax ): es la intensidad de corriente máxima que

puede conducir la unión sin fundirse por el efecto Joule.

Corriente inversa de saturación (Is): es la pequeña corriente que

se establece al polarizar inversamente el diodo por la formación de
pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se
duplica por cada incremento de 10º en la temperatura.
LA UNIÓN PN
CURVA CARACTERÍSTICA. CORRIENTE
TENSION.
 LA UNIÓN PN
PROCESOS DE GENERACIÓN Y
RECOMBINACIÓN.
Al describir el concepto de electrón y hueco en los
apartados anteriores ligamos su existencia al hecho por el
cual un electrón gana energía suficiente para liberarse del
átomo al que estaba ligado. Precisando un poco más se
dice que un electrón gana energía suficiente para
promocionarse de la banda de valencia a la banda de
conducción, y de forma más breve aún, se ha generado un
par electrón-hueco (par eh). El proceso inverso también
existe y un electrón libre puede ser capturado por un hueco
(enlace vacío) de la red. Se dice entonces que se ha
producido una recombinación de un par eh. Estos
procesos ocurren continuamente de forma dinámica en un
semiconductor. Pero si un semiconductor se encuentra en
equilibrio (aislado del exterior) el número de procesos de
generación por unidad de tiempo tiene que ser igual al
número de procesos de recombinación. O sea, que la
población de electrones y huecos permanece constante.
Existen varios procesos de recombinación/generación
(procesos en los que un electrón puede ganar o perder
energía para intercambiarse entre la banda de valencia y
LA UNIÓN PN
PROCESOS DE GENERACIÓN Y
RECOMBINACIÓN.
 LA UNIÓN PN
LA CONDICIÓN DE ALTA
INYECCIÓN
Se dice que cuando se da una alta inyección de
portadores la corriente no crece de
exponencialmente de forma indefinida y que
existen caídas de tensión en zonas neutras.
LA UNIÓN PN
CAPACITANCIA DE DIFUSIÓN
Cuando se trata de operaciones a bajas
frecuencias los elementos electrónicos no tienen
ningún problema y no hay necesidad de tener
consideraciones especiales en cuanto a la
respuesta del dispositivo, pero a altas
frecuencias de conmutación, los dispositivos
electrónicos pueden presentar conflictos debido
a los tiempos de reacomodación de los
portadores cuando se cambia de polaridad, el
movimiento de cargas de un lado a otro implica
capacidades parásitas inherentes al
semiconductor y que por lo tanto afectan su
comportamiento dependiendo de la frecuencia.
Como se trata de un desplazamiento y
acumulación de cargas eléctricas el efecto que
se percibe es un efecto capacitivo en la región
de la juntura. En la región de polarización
LA UNIÓN PN
CAPACITANCIA DE DIFUSIÓN
RUPTURA DE LA UNIÓN
EFECTO TÚNEL
Este efecto se da en uniones muy
dopadas. Cuanto más dopado está el
material, menor es la anchura de la zona
de carga. Puesto que el campo eléctrico E
puede expresarse como cociente de la
tensión V entre la distancia d; cuando la
unión esté muy dopada, y por tanto d sea
pequeño, el campo eléctrico será grande,
del orden de 3·105 V/cm. En estas
condiciones, el propio campo puede ser
capaz de arrancar electrones de valencia
incrementándose la corriente. Este efecto
se produce para tensiones de 4 V o
RUPTURA DE LA UNIÓN
EFECTO TÚNEL
RUPTURA DE LA UNIÓN
MULTIPLICACIÓN POR
AVALANCHA

Este efecto se da en uniones poco dopadas.

En polarización inversa se generan pares
electrón-hueco que provocan la corriente
inversa de saturación; si la tensión inversa es
elevada los electrones se aceleran
incrementando su energía cinética de forma
que al chocar con electrones de valencia
pueden provocar su salto a la banda de
conducción. Estos electrones liberados, a su
vez, se aceleran por efecto de la tensión,
chocando con más electrones de valencia y
liberándolos a su vez. El resultado es una
avalancha de electrones que provoca una
corriente grande. Este fenómeno se produce
para valores de la tensión superiores a 6 V.
RUPTURA DE LA UNIÓN
MULTIPLICACIÓN POR
AVALANCHA
RESPUESTA TRANSISTORIA Y
RUIDO
 RESPUESTA TRANSISTORIA Y
RUIDO
•El término “Ruido” está relacionado con las
fluctuaciones espontáneas durante la circulación
de la corriente o de las caídas de tensiones en
barreras semiconductoras en materiales o
dispositivos
.•Dado que los dispositivos especialmente se
usan para medir pequeñas cantidades físicas o
para amplificar pequeñas señales, las
fluctuaciones de las corrientes y de las tensiones
se convierten en un límite de la exactitud de las
respectivas cantidades a ser medidas o
amplificadas
.•Es importante conocer los factores que
producen este límite para optimizar las
condiciones de funcionamiento con este
conocimiento y encontrar nuevos métodos y
RESPUESTA TRANSISTORIA Y
RUIDO