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Fabricacin de semiconductores de silicio.

1. Purificacin del substrato (Fabricacin de obleas) 2.- Oxidacin 3.- Litografa 4.- Grabado 5.- Impurificacin 6.- Deposicin qumica de vapor (Creacin de capas delgadas). 7.- Metalizacin 8.- Montaje y prueba

1.

Purificacin del substrato (Fabricacin de obleas)

Obtencin de Si puro
1)

Materia prima: Slice o dixido de Silicio: SiO2 (muy abundante, arena de la playa). Reduccin del SiO2 a alta temperatura: Silicio + Carbn a 2000C Silicio metalrgico, Si al 98%. Si metalrgico + HCl (Clorhdrico)SiHCl3 TricloroSilano Destilacin del SiHCl3 SiHCl3 TricloroSilano puro. Reduccin del SiHCl3 SiHCl3 + H2 Si de alta pureza Si Policristalino Concentracin impurezas<1 ppm (1013 cm-3).

2) 3) 4) 5)

El Silicio policristaio o polisilicio esta formado por pequeos cristales de silicio Las obleas para la fabricacin de un C.I. Tienen que tener una estructura cristalina

Tres tipos de solidos, clasificados por su ordenacin atmica: (a) La estructura cristalina y (b) Amorfa son ilustradas con una vista microscopica de sus atomos, mientras (c) la estructura policristalina se muestra de una forma ms macroscopica con sus pequeos cristales con distinta orientacion pegados unos con otros.

Una vez que se ha conseguido silicio de alta pureza o EGS (Electronic Grade Silicon) se procede a la fabricacin de un CI para ello se requiere Silicio con estructura cristalina. Existen dos mtodos para obtener Si cristalino a) Mtodo de Czochraiski b) Mtodo de Zona flotante

Mtodo de Czochralski
Es el mtodo empleado en el 90% Horno

aparato denominado "puller"

Crisol de slice fundida (SiO2) Soporte de grafito Mecanismo de rotacin Calentador

Mecanismo de crecimiento del cristal


Soporte para la semilla Mecanismo de rotacin.

Mecanismo del control de ambiente


Una fuente gaseosa (argn) Un mecanismo para controlar el flujo gaseoso Un sistema de vaciado.

Procedimiento
Se coloca el Si policristalino en el crisol y en el horno se calienta hasta fundirlo. Se aaden impurezas del tipo necesario para formar un semiconductor tipo N (Fosforo, Arsenico, Antimonio) o P (Boro, Aluminio, Galio) con el dopado deseado Se introduce la semilla en el fundido (muestra pequea del cristal que se quiere crecer) Se levanta lentamente la semilla (se gira la semilla en un sentido y el crisol en el
contrario)

El progresivo enfriamiento en la interface slido-lquido proporciona un Si monocristalino con la misma orientacin cristalina que la semilla pero de mayor dimetro

Dimetro depender de: La temperatura La velocidad de elevacin y rotacin de la semilla La velocidades de rotacin del crisol

Efecto de segregacin:

La concentracin de dopante del silicio una vez que se solidifica es siempre inferior a la del silicio fundido. Esta segregacin causa que la concentracin del dopante aumente a medida que la barra de cristal crece. La concentracin de impurezas es menor en lado de la semilla que en el otro extremo. Tambin se tiene un pequeo gradiente de concentracin a lo largo del radio de la barra de

Mientras los lingotes son estirados, se refrescan para que adquiera un estado slido. La longitud del lingote vendr determinada por la cantidad de silicio fundido que hay en el crisol.

Lingotes de Si crecidos por el mtodo de Czochralski.

Ventajas y Desventajas

El Silicio fabricado por el mtodo de Czochralski contiene oxigeno, debido a la disolucin del crisol de Slice (SiO2). Este oxigeno no es perjudicial para el silicio de baja resistividad usado en un circuito integrado, adems puede controlar el movimiento accidental de impurezas metlicas. Para aplicaciones de alta potencia donde se necesita Si con alta resistividad este oxigeno es un problema.

Mtodo de Zona Flotante,

se utiliza para crecer silicio monocristalino con concentracin de impurezas ms bajas que las normalmente obtenidas por el mtodo anterior. El proceso parte de un cilindro de silicio policristalino Se sostiene verticalmente y se conecta uno de sus extremos a la semilla

Una pequea zona del cristal se funde mediante un calentador por radio frecuencia que se desplaza a lo largo de todo el cristal desde la semilla

El Si fundido es retenido por la tensin superficial entre ambas caras del Si slido

Cuando la zona flotante se desplaza hacia arriba, el silicio monocristalino se solidifica en el extremo inferior de la zona flotante y crece como una extensin de la semilla

Ventajas y Desventajas

Mediante este proceso de zona flotante" pueden obtenerse materiales con resistividades ms altas que mediante el mtodo de Czochralski Adems, como no se necesita crisol, no existe, como en el caso anterior, posible contaminacin desde el crisol.

Despus de crecido el cristal la primera operacin a realizar es quitar los extremos del lingote, tanto el de la semilla, como el ltimo extremo crecido. A continuacin, y paralela a la generatriz del cilindro se hacen unas marcas planas para especificar la orientacin del cristal y el tipo de conductividad del material. Una vez realizadas estas operaciones, el lingote est preparado para ser cortado en obleas El corte en obleas se suele realizar con una sierra de filo de diamante circular que corta por su parte interior como se ve en la figura (a) Cortadas las obleas, se someten a un proceso de esmerilado, las dos caras de estas son tratadas con una mezcla de Al2O3 y glicerina para producir una superficie plana homognea como se ve en la Figura (b) Esta operacin daa y contamina la superficie y bordes de la oblea. Para reparar estos daos, las obleas son limpiadas mediante ataques qumicos.

(a) Corte de obleas con sierra circular

(b) Proceso de esmerilado

El paso final en la obtencin de las obleas es el pulido como se precia en la figura, cuyo propsito es obtener una superficie especular dnde puedan definirse los detalles de los dispositivos electrnicos.

Proceso de pulido

Proceso planar del silicio. (Marco Terico) Adems de las propiedades semiconductoras del silicio, la razn principal que ha llevado al silicio a ser el material ms utilizado para la fabricacin de circuitos integrados, es la habilidad de formar sobre l una capa de xido estable, de buena calidad y con magnficas propiedades aislantes. Esta capacidad, que no se consigue con cualquier combinacin aislantesemiconductor, hace posible la introduccin de cantidades controladas de dopantes en reas selectivas del substrato. La habilidad de dopar selectivamente regiones de la oblea, es la clave para la produccin de densos arreglos de dispositivos en circuitos integrados. Esta habilidad se basa en dos propiedades qumicas del sistema Si-SiO2 : 1.-Grabado selectivo. Es posible utilizar diferentes agentes (fsicos o qumicos) que atacan slo a uno de los dos materiales. Por ejemplo el cido fluorhdrico disuelve el SiO2 pero no el Si.

2.-Proteccin contra la difusin de impurezas. Las capas de xido crecidas encima del silicio evitan que los tomos de impurezas del dopante se difundan por el interior del silicio. Estas dos propiedades hacen posible la introduccin de tomos de dopante nicamente en las reas del silicio que no han sido cubiertas por SiO2 . Las zonas cubiertas o protegidas se definen cuidadosamente usando pelculas de polmeros fotosensibles que son sensibilizados usando mscaras fotogrficas y algn medio de iluminacin. El polmero sensibilizado protege el SiO2 del ataque del cido fluorhdrico. De esta forma se consigue abrir en el xido ventanas que dejan descubierto zonas del silicio cristalino. Cuando la muestra es colocada en un ambiente en el que se depositan tomos en la superficie de la oblea, estos tomos entrarn nicamente en el silicio no protegido, con lo que se consigue dopar selectivamente la oblea.

Los pasos ms importantes de la tecnologa planar del silicio se muestran en la figura siguiente: Formacin del xido

(a)

(b) Grabado y eliminacin selectiva del xido.

(c) Deposicin de dopantes cerca de la superficie de la oblea.

(d) Difusin de las impurezas en las reas no protegidas del silicio.

OXIDACIN Una vez limpiada la superficie de la oblea se somete a un proceso de oxidacin para crear una capa de oxido en su superficie. Esta capa protege en primer lugar la superficie de impurezas y sirve adems de mscara en el proceso de difusin posterior. Se puede formar bien por oxidacin trmica o por deposicin. En el caso de la deposicin ambos elementos Si y O2 se dirigen a la superficie de la oblea y reaccionan all formando una capa SiO2. En el proceso de oxidacin tambin llamada oxidacin trmica se produce una reaccin entre los tomos de silicio de la superficie de la oblea y oxigeno dentro de un horno a alta temperatura. El oxido creado por oxidacin trmica tiene mucha mas calidad que el que se obtiene mediante deposicin. Aunque su estructura es amorfa, tiene una razn estequiomtrica casi perfecta y esta fuertemente unido al silicio. Adems la interface SiO2 Si tiene muy buenas propiedades elctricas.

Oxidacin Seca Para crear el oxido trmico las obleas de silicio se montan en un carrete de cuarzo y este se mete dentro de un tubo de cuarzo situado dentro de un horno de apertura cilndrica calentado por una resistencia. El extremo de entrada del tubo suministra oxgeno de gran pureza o una mezcla de oxgeno y nitrgeno. El flujo del oxgeno seco al interior del tubo de cuarzo se controla para garantizar que exista un exceso de oxgeno que facilite el crecimiento del dixido de silicio sobre la superficie de la oblea de silicio. Se consiguen xidos de mayor calidad pero es ms lenta. La reaccin qumica bsica es: Si + O2 SiO2

T entre los 850 y 1100C

Oxidacin hmeda Cuando el agente oxidante es el agua, se suelen utilizar cuatro mtodos para introducir vapor de aguapirofrico, alta presin, borboteador e instantneo. Las reacciones qumicas bsicas son: Pirofrico y alta presin: Si + 2O2 + 2 H2 SiO2 + 2H2 O Instantneo y borboteador: Si + 2H2 O SiO2 + 2H2 La oxidacin hmeda es mucho mas rpida y se utiliza para crear xidos gruesos.

Tipos de Hornos

Horno vertical

Horno horizontal

En la oxidacin trmica parte de la capa de Si se consume

La oxidacin se produce en la interface Si-SiO2 por tanto el oxigeno tiene que difundirse a travs del oxido hasta la interface para reaccionar all con el Silicio.

Por cada micra de oxido crecido se consume 0.44 micras de Si.

1 Cuando el espesor del oxido formado es pequeo


Crecimiento limitado por la reaccin en la interface Si-SiO2 Espesor varia linealmente con el tiempo.

2 Cuando el espesor es grande


Crecimiento limitado por la difusin de las especies oxidantes Espesor proporcional a la raz cuadrada del tiempo.

El espesor del xido crecido sobre el silicio, mediante el proceso de oxidacin seca o hmeda es dependiente del tiempo de oxidacin y de la temperatura, ste espesor puede ser expresado mediante una relacin parablica lineal representada como: (1) donde: d = espesor del xido A y B = coeficientes que dependen de la temperatura de oxidacin y condiciones del ambiente. t = tiempo de oxidacin y = parmetro para el montaje para una duracin corta de oxidacin d<<A y la ecuacin anterior, se puede aproximar a: (2) lo cual significa que cuando la oxidacin se lleva a cabo por un corto tiempo, el espesor del xido crece linealmente con el tiempo. La razn de oxidacin en este rgimen est limitado por la razn de reaccin de la superficie y est

La solucin de (1) muestra tambin que para tiempos de oxidacin grandes de modo que

el espesor del xido puede ser expresado como En este sentido, la razn de oxidacin est principalmente controlada por la difusin del agente oxidante a travs de la capa a travs de la capa de oxido ya existente y est caracterizada por la constante de razn parablica (B). Los valores de las constantes de razn lineal y la constante de razn parablica aumentan con la T como se ve en la siguiente tabla. Adems la razn de oxidacin es mucho ms rpida para oxidacin hmeda que para la oxidacin seca. La orientacin del cristal tambin juega un papel importante en el proceso de crecimiento del xido, por ejemplo con muestras (1 1 1) se obtienen pelculas de xido de un mayor espesor que con muestras (100) cuando la oxidacin se lleva a cabo bajo condiciones idnticas.

Tabla 1. Constantes de razn para la oxidacin del silicio.

LITOGRAFA

La litografa, que es tambin conocida como fotolitografa o enmascaramiento, es un mtodo para formar patrones exactos sobre la oblea oxidada. El microcircuito electrnico se construye capa por capa, y cada una de stas recibe un patrn de una mscara especificada en el diseo del circuito. Los proyectistas de circuitos digitalizan el sistema de circuitos bsico de cada capa. Este esquema computarizado permite la generacin rpida de los sistemas de circuitos de la mscara y facilita la realizacin de los cambios que puedan ser necesarios. Comnmente se ha utilizado AUTOCAD para llevar a cabo esta tarea. El dibujo final, o mscara, de cada capa de circuitos es creada por un ploter, o generador de patrones, controlado por ordenador. Estas mscaras delimitan el modelo de las zonas conductoras y aisladoras que se transfieren a la oblea mediante fotolitografa

Es as que, una vez creada la capa de aislante SiO2 sobre la oblea, parte de ella debe ser eliminada selectivamente en aquellos sitios en los que deben introducirse los tomos de dopante.

El grabado selectivo se realiza generalmente mediante el uso de un material sensible a la luz denominado fotorresistencia o fotorresina. Para ello, la oblea oxidada se cubre en primer lugar por una capa de fotorresina.

A continuacin se recubre la fotorresina con un negativo fotogrfico parcialmente transparente denominado mscara o fotomscara.

La luz ultravioleta cambia la estructura de la fotorresistencia: las molculas de una fotorresistencia negativa se unen entre si (polimerizan) en las regiones expuestas a la luz. Por el contrario, en el caso de fotorresistencias positivas, los enlaces entre las molculas se rompen al iluminarse, permaneciendo polimerizadas el resto. Las partes no iluminadas de las fotorresistencias no se ven afectadas. Una vez convenientemente alineada la mscara se ilumina con luz ultravioleta. Las reas no polimerizadas de la fotorresistencia se disuelven selectivamente usando por ejemplo tricloroetileno. De esta forma las zonas polimerizadas, resistentes al ataque del cido quedan protegiendo al SiO2 .

Un problema que se ha encontrado en el proceso de la litografa es que si la dimensin mnima de los dispositivos se aproxima a la longitud de onda de la luz utilizada en la exposicin ptica para sensibilizar la fotoresistencia los fenmenos de difraccin pueden limitar la resolucin del mtodo (tamao mnimo que puede distinguirse). Para evitar esta limitacin se han propuesto tcnicas alternativas: (a) Litografa por haces electrnicos: Un chorro de electrones energticos se dirige sobre la fotorresistencia que queda sensibilizada. En vez de sensibilizar todos los patrones a la vez, se van "dibujando" uno a uno los distintas partes del circuito integrado, por lo que no es necesaria ninguna mscara. Ventaja: se consigue una resolucin mucho mayor que cualquier dimensin del circuito integrado. Desventaja: proceso lento, puesto que hay que grabar uno a uno los diferentes partes del circuito integrado.

(b) Litografa por rayos x: Un haz de rayos X se hace pasar por una mscara para sensibilizar selectivamente la fotorresistencia. Al igual que la fotolitografa convencional, la litografa con rayos X permite grabar varios patrones de forma simultnea Ventaja: se consigue una mejor resolucin, y por lo tanto unos dispositivos de menor tamao ya que la longitud de onda es mucho ms pequea. Inconvenientes: las mscaras son difciles de fabricar y que adems la utilizacin de rayos X puede daar las partes activas de los dispositivos. Adems es altamente peligroso para el ser humano si no se tienen condiciones adecuadas para su manejo.

Litografa
Diferentes fuentes de luz

Luz Ultravioleta Rayos X Haces de electrones

Litografa con luz ultravioleta

Es la ms utilizada

Para una buena resolucin (longitud de onda de la luz) tiene que ser lo suficientemente pequea para evitar efectos de difraccin

Litografa con rayos X

Menor longitud de onda Mayor resolucin Problemas mascaras difciles de fabricar Radiacin puede daar el dispositivo y al humano

Litografa con haces de electrones

No necesita mascara Buena resolucin Problema proceso muy lento

Litografa Tipos de mascaras


Para una oblea entera

Para un solo Chip

Elimina las capas de dixido de silicio (SiO2), los metales y el polisilicio, as como los protectores

Grabado Hmedo y Seco


(a) Hmedo:
Bao de cido fluorhdrico o clorhdrico que ataca SiO2 no protegido, pero no ataca al Si. Gran selectividad Problema: ataque isotrpico igual en todas las direcciones

(b) Seco:
Se usa un plasma con un gas ionizado Grabado Fsico o qumico Ataque anistropo Menor selectividad

Uno de los grabados ms utilizados es el grabado con iones reactivos ( RIE por sus siglas en ingls Reactive Ion Etching)
(1) El proceso comienza con la formacin de los reactivos (2) Los reactivos son transportados por difusin a travs de una capa gaseosa de estao hacia la superficie. (3) La superficie adsorbe a los reactivos. (4) Se produce la reaccin qumica de los reactivos con la especies de la superficie, junto con efectos fsicos (bombardeo inico). (5) Los materiales resultados de la reaccin qumica o bombardeo fsico son repelidos por la superficie y eliminados por un sistema de vaco.

IMPURIFICACIN (adicin de dopantes)

La formacin de una unin elctrica entre regiones p y n de una oblea individual de silicio cristalino es el elemento esencial para el funcionamiento de todos los dispositivos semiconductores. Las uniones permiten el paso de corriente en un sentido con mucha ms facilidad que en el otro. En un circuito integrado, es preciso introducir un nmero controlado de impurezas elementales o adulterantes en determinadas regiones grabadas del sustrato de silicio, u oblea. Para ello se puede recurrir a tcnicas de difusin o implantacin inica.

Impurificacin ( adicin de dopantes) Dos mtodos: Difusin e implantacin inica Difusin


Se colocan las obleas en el interior de un horno a travs del cual se hace pasar un gas inerte que contenga el dopante deseado.

T entre 800 y 100 C

Para Si tipo P el dopante ms usual es el Boro y para tipo N se usa el Arsnico y Fsforo. Tienen una alta solubilidad en silicio en el rango de temperatura de difusin. Se puede distinguir entre dos formas al realizar la difusin:

a) Con fuente ilimitada: cuando se mantiene la misma concentracin de impurezas durante el proceso b) Con fuente limitada: se parte de una concentracin inicial y no se aaden mas dopantes Normalmente se usan los dos mtodos uno seguido del otro. La profundidad de la difusin depender del tiempo y de la temperatura. La concentracin de dopante disminuye montonamente a medida que se aleja de la superficie.

Implantacin inica
Se ionizan las impurezas Se aceleran y adquieren alta energa Se introducen en el Si con el ngulo adecuado Annealing: se somete la oblea a un recocido para reordenar al estructura Mejor control de la difusiones profundidad y dopado

Formacin de capas delgadas (Deposiciones y Epitaxia)


Se puede depositar diferentes tipos de material como xidos, polisilicio, metal y semiconductor con estructura cristalina (en este caso el proceso se llama epitaxia) Podemos distinguir entre dos tipos de deposicin segn se produzca en el proceso una reaccin qumica o fsica

1) Chemical vapour deposition (CVD) Atmospheric pressure CVD Low-pressure CVD Plasma-enhanced CVD 2) Physical vapour deposition (PVD) Evaporation technology Sputtering Molecular Beam Epitaxy (MBE)
Las tcnicas de CVD se suelen usar para depositar aislante y polisilicio La tcnica de CVD y MBE para depositar semiconductores cristalinos (Epitaxia) Las tcnicas Fsicas de evaporacin y Sputtering para metalizaciones

DEPOSICIN QUMICA DE VAPOR El depsito de vapores de sustancias qumicas (C V D) consiste en la formacin de capas adicionales de material sobre la superficie de la oblea de silicio. Las unidades de C V D trabajan en general como un sistema cerrado, y por consiguiente la exposicin de los trabajadores a agentes qumicos es pequea o nula. En los procesos actuales se suelen emplear dos categoras amplias de deposicin: la C V D epitaxial y el tipo ms general de C V D no epitaxial.

Depsito epitaxial de vapores de sustancias qumicas El crecimiento epitaxial es la deposicin perfectamente controlada de una sola pelcula delgada de material que posee la misma estructura cristalina que el sustrato existente en la capa de la oblea. Sirve de matriz para fabricar componentes semiconductores en procesos de difusin sucesivos. La mayora de las pelculas epitaxiales crecen sobre sustratos del mismo material, como por ejemplo silicio sobre silicio, en un proceso conocido por homoepitaxia. El crecimiento de capas de materiales diferentes sobre un sustrato, como silicio sobre zafiro, se llama procesamiento de dispositivos CI por heteroepitaxia.

Depsito no epitaxial de vapores de sustancias qumicas Mientras que el crecimiento epitaxial es una forma muy especfica de C V D en la que la capa depositada tiene una estructura cristalina con la misma orientacin que la capa de sustrato, la C V D no epitaxial consiste en la formacin de un compuesto estable sobre un sustrato calentado mediante la reaccin trmica o la descomposicin de compuestos gaseosos. La C V D puede emplearse para depositar numerosos materiales, pero en el proceso de semiconductores de silicio los materiales que suelen encontrarse, adems de silicio epitaxial, son: silicio policristalino (poli Si); dixido de silicio (SiO2 con y sin impurezas; vidrio con impurezas p); nitruro de silicio (Si3N4).

Ejemplos de creacin de capas delgadas


Creacin de una capa de Si
Las obleas de silicio se introducen en un recipiente sobre un soporte de grafito, En el recipiente se introduce la fuente gaseosa, tpicamente tetracloruro de silicio (SiCl4 ) y se calienta todo a una temperatura de 1200 C, dndose la reaccin:

Pero adems se produce tambin la reaccin siguiente:

Si la concentracin de tetracloruro de silicio (SiCl4 ) es demasiado elevada, predominar la segunda reaccin, por lo que se producir una eliminacin de silicio del substrato en vez del crecimiento de la capa epitaxial.

La capa epitaxial puede crecerse con un cierto dopado. El dopante se introduce a la vez que el SiCl4 en la mezcla gaseosa. Como dopante tipo p se utiliza el diborano (B2 Cl4 ), mientras que la arsina (AsH3 ) y la fosfina (PH3 ) se utilizan como dopantes tipo n.

Distintos tipos de hornos

Creacin de una capa de oxido


A bajas t (300 a 500 C) las pelculas se forman al reaccionar silano y oxgeno.

A altas t (900 C) al reaccionar diclorosilano, SiCl2 H2 con xido nitroso a bajas presiones:

a medida que mayor es la temperatura mejor es la calidad del xido

Metalizacin Una vez fabricados los dispositivos en el sustrato de silicio, tienen que conectarse para ejecutar funciones de circuito. Este proceso se denomina metalizacin, y es un medio de alambrar o interconectar las capas superiores de los circuitos integrados mediante el depsito de patrones complejos de materiales conductores, que encaminan la energa elctrica en el interior de los circuitos. El amplio proceso de metalizacin se diferencia en funcin del tamao y el espesor de la capas de metales y otros materiales que se depositan. Estos son: pelcula delgadapelcula de espesor aproximado de una micra o menos; pelcula gruesapelcula de espesor aproximado de 10 micras o ms; plaqueadopelculas de espesor variable desde delgada hasta gruesa, pero en general pelculas gruesas.

La metalizacin tambin se puede llevar a cabo por depsito fsico de vapor Se evapora el metal con calor a depositar en una cmara de alto vaco Se condensa en la superficie de la oblea al enfriarse.

Varias tcnicas para evaporar el metal

Filamento de tungsteno. De cada espira del filamento se cuelga un pequeo trozo de aluminio.

En un crisol de nitruro de boro se calienta el Al mediante induccin RF.

Evaporacin por haces de electrones. Un filamento suministra un haz de electrones que son acelerados por un campo elctrico y conducidos hacia la superficie del metal donde al chocar con ste producen la evaporacin del mismo.

Montaje y prueba El procesamiento siguiente a la fabricacin, que comprende el empaquetado externo, las conexiones, encapsulado, montaje y prueba comprenden operaciones que incluyen la soldadura, desengrase, prueba con sustancias qumicas y fuentes de radiacin y recorte y marcado con lseres. Una preocupacin creciente en relacin con las operaciones de soldadura es la irritacin respiratoria y el asma derivadas de la exposicin a los productos de pirolisis de los fundentes para soldar, en particular durante la soldadura manual o las operaciones de retoque, puesto que nunca ha estado generalizada la ventilacin aspirante en los recintos donde se ejecutan. En lo que se refiere a pruebas, las obleas se clasifican y se prueban elctricamente, se separaran las pastillas, despus se sujetan e interconectan.

Encapsulado El objetivo esencial del encapsulado es acomodar un circuito integrado en una montura que cumpla los requisitos elctricos, trmicos, qumicos y fsicos asociados a la aplicacin del circuito integrado. Prueba de fugas y envejecimiento La prueba de fugas es un procedimiento desarrollado para comprobar la capacidad real de sellado o hermeticidad del dispositivo encapsulado. Hay dos formas de realizarla: la deteccin de fugas con helio y la deteccin de fugas con trazador radiactivo. Prueba final Para la calificacin final del rendimiento del dispositivo semiconductor de silicio una vez encapsulado, se realiza una prueba elctrica final. Como el nmero y la complejidad de las pruebas necesarias es muy grande, un ordenador se encarga de ejecutar y evaluar la prueba de numerosos parmetros importantes para el funcionamiento del dispositivo.

Marcado y empaquetado La identificacin fsica del dispositivo final encapsulado se consigue con uno de los muchos sistemas de marcado. Las dos categoras principales de marcado de componentes son la impresin con contacto y sin contacto. La impresin con contacto recurre por lo comn a una tcnica de offset giratoria con ayuda de tintas basadas en disolventes. La impresin sin contacto, que transfiere marcas sin establecer contacto fsico, comprende la impresin con chorro de tinta o tner, en la que se utilizan tintas basadas en disolventes o marcado con lser. Expedicin La expedicin es la ltima operacin en la que intervienen los fabricantes de casi todos dispositivos semiconductores de silicio. Los fabricantes que a su vez son proveedores venden sus productos a otros fabricantes de productos finales, mientras que los fabricantes que producen para s mismos utilizan los dispositivos en sus propios productos finales.

Estudio de la salud En cada paso del proceso se utiliza un conjunto determinado de sustancias qumicas y aparatos que originan preocupaciones especficas en materia de salud y seguridad ambiental (SSA). Adems de preocupaciones asociadas a pasos concretos del procesamiento de dispositivos semiconductores de silicio, un estudio epidemiolgico investig los efectos sobre la salud en los trabajadores del sector de semiconductores. La conclusin principal del estudio fue que el trabajo en instalaciones de fabricacin de semiconductores se asocia a un aumento de la tasa de abortos espontneos (AE). En el componente histrico del estudio, el nmero de embarazos estudiados en trabajadoras de fabricacin y ajenas a la fabricacin fue casi igual (447 y 444, respectivamente), pero hubo ms abortos espontneos en fabricacin (n=67) que en los procesos ajenos a la fabricacin (n=46). El estudio lleg tambin a las conclusiones siguientes: Aparecan sntomas musculo esquelticos en la extremidad superior distal, como dolores en mano, mueca, codo y antebrazo, asociados al trabajo en naves de fabricacin. Se comunicaron con ms frecuencia la dermatitis y cada del cabello (alopecia) en los trabajadores de fabricacin que en los dems.