Você está na página 1de 49

Transistores de potencia

Potencia maxima de um transistor depende da temperatura ambiente Para compensao utiliza-se dissipadores de calor, com auxilio de pastas termicas e isoladores dde mica para conexo a carcaa do equipamento.

A velocidade de chaveamento dos transistores modernos muito maior do que a dos tiristores, sendo largamente utilizados em conversores CC/CC e CC/CA, apresentando, internamente, um diodo conectado em anti-paralelo ( manter um caminho para a corrente ). Entretanto, as especificaes de tenso e corrente ainda so menores que a dos tiristores, sendo ento aplicados em baixa e mdia potncia. Os transistores de potncia podem ser divididos em : a) - transistor de juno bipolar - BJT; b) - metal-oxide-semiconductor field-effect transistor - MOSFET; c) - static induction transistor - SIT; d) - insulated-gate bipolar transistor - IGBT

Transistor de Juno
Bipolar - BJT
O transistor bipolar formado pela adio de uma segunda regio p ou n em uma juno pn. Pode-se obter assim, um transistor NPN ou PNP. O transistor apresenta trs terminais : coletor ( C ), base ( B ) e emissor ( E ); e duas junes : coletor-base ( CB ) e base-emissor ( BE ).

Transistores de potencia
Transistor unijuno: Formado por Dreno Fonte e Gate . Possue uma carga de corrente de eletrons ou de lacunas A resistencia entre dreno e fonte diminue com o aumento da tenso , ate a estabilizao chamada VPO ( tenso Pinch Off)

Transistores de potencia
Polarizao com Vgs constante : Determinamos a tenso que queremos para o Transistor atraves de uma tenso constante em VG e da formula : RD = VDD-VSQ/IDQ

Transistores de potencia
Aplicaes par o unijuno : Chave analogica Multiplexdores Amplificadores Defasadores de sinal

Transistores de potencia
Exercicios :
1- O que tenso de estrangulamento?
2-Qual relao entre tenso de estrangulamento e tenso de corte? 3- Pesquise um manual JFET e levante os principais dados do BF256c 4- Polarize o BF256c com VG constante para VDD = 25 v , IDQ = 5 ma e VSQ = 10V 5- Elabore este circuito no Proteus e verifique o funcionamento

O MOSFET de Depleo pode ser de canal n ou p. O canal n formado por um substrato de silcio tipo p, com duas regies altamente dopadas de silcio tipo n+ com baixa resistncia de conexo. O gate isolado do canal n por uma fina camada de xido de Silcio. Os trs terminais so : gate ( G ); dreno ( D ) e fonte ( S ) . O substrato normalmente ligado fonte (S). A tenso entre gate e fonte ( VGS ) pode ser, tambm, positiva ou negativa.

Transistor MOSFET :
O transistor de potncia MOSFET um dispositivo de tenso controlada e, necessita apenas de uma pequena corrente de entrada. A velocidade de chaveamento muito alta ( nanosegundos ). MOSFETs de potncia so utilizados em conversores de baixa potncia e alta frequncia. Estes transistores apresentam problemas de descargas eletrostticas, necessitando de cuidados especiais. Os MOSFETs podem ser divididos em dois tipos : a) - MOSFET de Depleo; b) - MOSFET de acumulao

Transistores de potencia
MosFet de acumulao Existe um camada de dioxido de aluminio, que isola a ponta de entrada da porta aumentando a impedancia de entrada . Ao aplicar uma corrente na porta , cria um campo magnetico que estreita a regio de depleo entre o material P e N ( D e S)

Transistores de potencia

Transistores de potencia

Transistores de potencia

IGBT ( Insullated Gate Bipolar Transistor ) : Este componente associa as vantagens do transistor bipolar ( baixa perda durante a conduo ), com as do MOSFET ( alta impedncia de entrada ). Devido a sua estrutura, a resistncia entre dreno e fonte ( RDS ) do IGBT controlada de forma que o mesmo se comporte como um transistor bipolar. O smbolo do IGBT mostrado na figura

Encontre na internet , os codigos para cada tipo de transistor que foi mencionado ate agora , e descubra sua simbologia Em seguida abra o proteus e verifique quais os componentes que esto configurados para estes codigos . Quais as principais diferenas voce observa?

O arranjo desta configurao conectar dois transistores do mesmo tipo de maneira que se o ganho de corrente de um transistor for b1 e o do outro for b2 ento o ganho de corrente do arranjo ser igual a bD = b1.b2 . A coneco Darlington atua como um novo dispositivo, cujo ganho de corrente o produto dos ganhos individuais. A figura abaixo mostra esta configurao

O Darlington no mais do que a ligao de vrios transistores com a finalidade de aumentar o ganho. O ganho (HFE) total do Darlington a multiplicao dos ganhos individuais de cada um dos transistores.

Vantagens: Maior ganho de corrente. Tanto o disparo como bloqueio so sequenciais. A queda de tenso em saturao constante. Desvantagens: Utilizao apenas com mdias frequncias e mdias potncias

1 2 1 2

I C1

I C I C1 I C2

I B1
B

Q1

I C2
Q2

I E1 I B2
E

I E2

No proteus

Transistores de potencia

Transistores de potencia

Transistores de potencia

Transistores de potencia

Transistores de potencia

Transistores de potencia

Transistores de potencia

Transistores de potencia

Transistores de potencia

Transistores de potencia

Transistores de potencia

Transistores de potencia

Transistores de potencia

Transistores de potencia

Transistores de potencia

Transistores de potencia

Transistores de potencia

Transistores de potencia

Transistores de potencia