* En electrónica, un * Atendiendo al tipo de rectificación,

RECTIFICADOR es el elemento o pueden ser de media onda, cuando solo se

circuito que permite convertir la utiliza uno de los semiciclos de la
corriente alterna en corriente continua. corriente, o de onda completa, donde
Esto se realiza utilizando diodos ambos semiciclos son aprovechados.
rectificadores, ya sean semiconductores * El tipo más básico de rectificador es el
de estado sólido, válvulas al vacío o rectificador monofásico de media onda.
válvulas gaseosas como las de vapor de
mercurio. Rectificador 2N1849
* Dependiendo de las características
de la alimentación en corriente alterna
que emplean, se les clasifica en
monofásicos, cuando están alimentados
por una fase de la red eléctrica, o
trifásicos cuando se alimentan por tres
fases.
Rectificador de media onda Rectificador de onda completa
 * Un REGULADOR DE TENSIÓN
(a veces traducido del inglés como
Regulador de Voltaje) es un dispositivo
electrónico diseñado con el objetivo de Circuito sencillo regulador
proteger aparatos eléctricos y de tensión mediante un
electrónicos delicados de variaciones de diodo Zener
diferencia de potencial (tensión/voltaje),
descargas eléctricas y "ruido" existente
en la corriente alterna de la distribución
eléctrica.
* Un regulador de tensión es un diodo
pn operando con polarización inversa
hasta la tensión de ruptura. Antes de
ocurrir la ruptura el diodo presenta una
alta resistencia. De esta manera la tensión
de ruptura limita o regula la tensión.
 * Un VARISTOR (resistor variable ) VARISTOR
es un componente electrónico cuya
resistencia óhmica disminuye cuando el
voltaje que se le aplica aumenta; tienen un
tiempo de respuesta rápido y son
utilizados como limitadores de picos
voltaje. Fabricados básicamente con oxido
de zinc y dependiendo del fabricante se le
añaden otros materiales para agregarle las
características no lineales deseables.
* Presenta dos terminales y muestra un
comportamiento no ohmico.
 * CONDENSADOR DE
CAPACIDAD VARIABLE, esta
constituido mediante dos placas
conductoras, con la interposición
entre ellas de un dieléctrico, se
caracteriza porque dicho dieléctrico
está constituido en un material
elástico que permite una variación
de distancia entre las placas
conductora.

Capacidad diferencial por área unitaria

 * El diodo de capacidad variable o Comparación entre el diodo y
VARACTOR (Varicap) es un tipo de un capacitor.
diodo que basa su funcionamiento en el
fenómeno que hace que la anchura de la
barrera de potencial en una unión PN varié
en función de la tensión inversa aplicada
entre sus extremos. Al aumentar dicha
tensión, aumenta la anchura de esa barrera,
disminuyendo así la capacidad del diodo.
De este modo se obtiene un condensador
variable controlado por tensión.
* Los diodos varactores han sido
diseñados de manera que su Símbolo del
funcionamiento sea similar al de un diodo
capacitor y tengan una característica varactor
capacitancia-tensión dentro de límites
razonables.
Varias distribuciones Grafico log-log de la capacidad
de impurezas para de la capa de vaciamiento en
varactores función de la tensión de
polarización inversa
 Factor de calidad Q
del varactor en
función de varias
frecuencias para
diversas tensiones de
polarización. Circuito
equivalente
 * Se diseñan para procesos de conmutación con * Para el Si el tiempo de recuperación
velocidades ultra altas. práctico esta en el rango de 1 a 5ns.
* Se clasifican en dos tipos:
- Diodos de unión p-n difusos.
- Diodos de contacto metal-semiconductor.
* El circuito equivalente de ambos tipos se Diodo Schottky
puede representar por el diodo varactor.
* El tiempo de recuperación es directamente
proporcional al tiempo de vida.
* En semiconductores de banda prohibida directa
tal como GaAs, al tiempo de vada de los
portadores minoritarios es generalmente mas
pequeño que el del Si. El tiempo de recuperación
de estos dispositivos está en el orden de 0.1ns o
menos.
 * El diodo de contacto metal-
semiconductor (schottky) muestra una
característica para velocidades ultra
altas. En estos diodos se desprecia el
efecto de almacenamiento de
portadores minoritarios.
* El diodo Schottky es un
dispositivo semiconductor que
proporciona conmutaciones muy
rápidas entre los estados de
conducción directa e inversa (menos
de 1ns en dispositivos pequeños de 5
mm de diámetro) y muy bajas Walter Schottky
tensiones umbral.
 * Se diseñan para almacenar * Este tipo de diodos se usan
carga durante la conducción en la en la generación de armónicos
dirección de polarización directa y de impulsos.
y conmuta para conducir por un
corto periodo en la dirección * Nótese que su tiempo de
inversa. vida es unas 1000 veces mas
* El diodo de recuperación de grande que los diodos de
paso, es un tipo de diodo que conmutación rápida.
conduce en la dirección inversa,
por un corto periodo, corta
abruptamente la corriente
después de haberse disipado la
carga almacenada.
 * Es estructura de tres capas,
siendo la intermedia
semiconductor intrínseco, y las Símbolo
externas, una de tipo P y la otra
tipo N (estructura P-I-N que da
nombre al diodo). Sin embargo,
en la práctica, la capa intrínseca
se sustituye bien por una capa
tipo P de alta resistividad (π) o
bien por una capa n de alta
resistividad (ν). Capas
* El diodo PIN puede ejercer,
entre otras cosas, como:
conmutador de RF,
resistencia variable,
protector de sobretensiones,
Fotodetector.
 Distribución de impurezas,
densidad de carga espacial y
distribución de campo en la
uniones p-i-n y p-¶-n
 Caída de tensión en la región
intrínseca de la unión p-i-n en
función de W/La, donde W es la
anchura de la región i y La es la
longitud ambipolar de difusión
 * En las HETEROUNIONES reales,
donde se coloca un número dado de
impurezas donadoras por centímetro
cúbico Nd en la barrera, existen además
un número indeterminado de impurezas
aceptoras Na en ambos semiconductores
debido a defectos durante el crecimiento.
Estos aceptores, por ejemplo, son centros
de dispersión de los electrones en el
material que actúa como pozo (que en
adelante lo llamaremos canal, para
abreviar) y disminuye la movilidad del gas
de electrones bidimensional.
* Además modifican las energías
de los estados confinados en el
potencial triangular y por tanto la
transferencia de carga que se puede
obtener en la practica.
* Por otra parte, la heterounión
tiene un espesor finito, lo que implica
que existe una región de anchura no
nula (w) entre la barrera y el canal
Diagrama de bandas de energía de Diagrama de bandas de energía de
los semiconductores aislados una heterounión anisótropa n-p
asumiendo neutralidad de carga ideal en equilibrio térmico
espacial en cada región
Ecuaciones relacionadas con la heterounión
 Diagrama de bandas
de energía de una
heterounión p-n

Diagrama de
bandas de
energía de una
heterounión p-p
Diagrama de bandas
de energía de una
heterounión
isótropa n-n ideal
 Variante compuesta

Diagrama de banda de
energia en equilibrio

Diagrama de energia
bajo polarización directa
para una muestra
compuesta diente de
sierra
 Diagrama de bandas de Diagrama de bandas de energía
energía para una súper para una súper estructura con
estructura sin dopado de modulación del dopado
GaAs
Movilidad en funcio´n
de la temperatura de
una barrera de GaAs
con una super
estructura con
modulación de dopado