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ELT 009 Eletrnica Analgica I

MODELAGEM DO TBJ / ANLISE PARA PEQUENOS SINAIS


Tpicos
MODELAGEM DO TBJ / ANLISE PARA PEQUENOS SINAIS
1. Introduo
2. Amplificao no domnio CA
3. Modelagem do Transistor TBJ
4. Parmetros Importantes


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Introduo





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Neste momento, comear a ser analisada a resposta CA do
amplificador TBJ para pequenos sinais atravs dos modelos
utilizados para tal anlise.
So aplicados dois modelos: o modelo -hbrido e o modelo T.
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Amplificao no domnio CA





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O transistor pode ser empregado como um dispositivo amplificador.
Nesse caso, o sinal de sada senoidal maior que o sinal de entrada
ou a potncia ca de sada maior que a potncia ca de entrada.
O que ocorre no caso do TBJ que h uma troca de potncia cc
aplicada para o domnio ca, permitindo uma potncia ca de sada
maior. O rendimento de converso definido, ento, por:



fornecida cc potncia ) (
carga na ca potncia ) (
) (
) (

=
cc P
ca P
cc P
ca P
i
O
i
O
q
A conservao de energia diz que = Po/Pi no pode ser maior que 1.
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Modelagem do Transistor TBJ





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A base para a anlise do transistor para pequenos sinais a
utilizao de circuitos equivalentes (modelos). Estabelecendo o
circuito ca equivalente, o dispositivo substitudo por esse circuito,
e os mtodos bsicos de anlise ca de circuito (anlise de malha,
anlise nodal, e teorema de Thvenin) podem ser aplicados para
determinar a resposta do circuito.

Um amplificador ser linear (ou de alta-fidelidade - Hi-Fi) se no
mudar a forma do sinal na sada. Desde que a amplitude do sinal
de entrada seja pequena, o transistor usar somente uma pequena
parte da reta de carga e a operao ser linear. Por outro lado se o
sinal de entrada for muito grande, as flutuaes ao longo da reta
de carga levaro o transistor saturao e ao corte

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Modelagem do Transistor TBJ





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A Figura acima mostra variaes de tenso e corrente num TBJ
operando em CA. V-se que as variaes esto restritas regio
linear da curva caracterstica, no atingindo os pontos de corte e
saturao, podendo, portanto, ser consideradas lineares.
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Modelagem do Transistor TBJ





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Observaes Importantes

Notao

Para distinguir de forma conveniente os sinais contnuos dos alternados as
variveis com suas letras e ndices devem seguir a seguinte conveno:
- letra e ndices maisculos para as quantidades CC: I
C
, V
E
, V
CC
etc.
- letras e ndices minsculos para as quantidades CA: i
c
, v
e
, v
s
.
- sinal negativo para indicar tenses ou correntes senoidais 180 fora de fase.
Por exemplo, na Figura a seguir, temos v
o
= - v
i
.
v
i
v
o
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Modelagem do Transistor TBJ





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Linearidade - A Figura a seguir mostra a curva caracterstica de entrada de
um TBJ amplificador de sinal na configurao BC. Note a variao no ponto Q,
que para pequenos sinais, descreve um arco AB aproximadamente linear e as
distncias AQ e BQ so idnticas. A senide de corrente obtida no apresenta
distoro.
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Modelagem do Transistor TBJ





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Teorema da Superposio no Estudo de
Amplificadores

Num amplificador transistorizado, a
fonte CC estabelece correntes e tenses
quiescentes. A fonte CA produz flutuaes
nessas correntes e tenses, como mostra a
Figura ao lado. A anlise do circuito
dividida em duas partes: uma anlise CC e
uma anlise CA. Em outras palavras, aplica-se
o teorema da superposio, se o
amplificador a TBJ for considerado linear.

O teorema da superposio diz que se
pode calcular os efeitos produzidos nos
diversos pontos de um circuito para cada
fonte de alimentao funcionando
isoladamente. O efeito total ser a soma de
cada efeito individual.
Variao dos sinais de entrada e sada
de um amplificador (config. EC com
emissor aterrado).
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Modelagem do Transistor TBJ





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Base para o estudo do TBJ em pequenos sinais: circuitos equivalentes (modelos).
Um modelo a combinao de elementos de circuito, apropriadamente
escolhidos, que aproximam melhor o funcionamento real de um dispositivo
semicondutor sob condies de operao especficas.
Modelos adotados: 1. Circuito equivalente pelo Modelo -Hbrido.
2. Circuito equivalente pelo Modelo T.
{
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Modelo -Hbrido Modelo T
- Primeiro modelo adotado pelas
instituies industriais e de ensino;
- modela matematicamente o transistor
sem levar em conta os processos fsicos
que ocorrem no mesmo;
- sofre limitaes com relao
preciso para um conjunto particular
de condies de operao.
- Este modelo deriva do modelo hbrido,
podendo ter seus parmetros
determinados para qualquer regio de
operao dentro da regio ativa;
- no so limitados por um simples
conjunto de parmetros fornecidos pela
Folha de Especificaes;
- este modelo falha na justificao do nvel
da impedncia de sada do circuito e nos
efeitos de realimentao da sada para a
entrada.
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Modelagem do Transistor TBJ





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Circuito equivalente CA -
Seja o circuito com TJB da Figura
7.3
Roteiro:

1. Fixar todas as fontes DC a um
nvel zero, substituindo-as por um
curto-circuito equivalente;

2. Substituir todos os capacitores
por um curto-circuito equivalente
(baixa impedncia em altas
freqncias) e

3. redesenhar o circuito numa
forma mais conveniente. O
modelo obtido se mostra na
Figura 7.4 e redesenhado na
Figura 7.5.
Figura 7.3 Circuito a ser analisado
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Modelagem do Transistor TBJ





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Figura 7.4 Circuito aps a remoo da fonte cc e
insero do curto-circuito equivalente para os
capacitores.
Os valores cc foram importantes
apenas para determinar o ponto
Q de operao, que pode ser
ignorado na anlise ca, pois,
determina apenas a componente
cc da tenso de sada e no a
amplitude de oscilao ca de
sada.

Os capacitores de acoplamento
C1 e C2 e o capacitor de
passagem C3 foram selecionados
para uma reatncia muito
pequena nas frequencias de
aplicao. Portanto, eles podem
ser substitudos por um caminho
de baixa resistncia ou um curto.
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Modelagem do Transistor TBJ





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Figura 7.5 Circuito redesenhado para a anlise ca
Estabelecendo um ponto comum (terra), e reorganizarmos os elementos, R
1
e R
2

ficaro em paralelo e R
C
aparecer entre o coletor e o emissor
Circuito ca do
transistor para
pequenos sinais

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Parmetros Importantes de um Amplificador: Z
i
, Z
o
, A
v
e A
i




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Impedncia de Entrada, Z
i

A impedncia de entrada representa um
papel importante, por exemplo, no
casamento de impedncias, na ligao de
amplificadores em cascata, como mostra
a Figura ao lado.
Para a seo de entrada de um sistema de 2 portas (quadriplo, Figura abaixo), Z
i
obtida por:
i
i
i
I
V
Z =
SISTEMA DE
DUAS
PORTAS
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Impedncia de entrada: Z
i




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Caractersticas:
- no varia com o sinal de entrada;
- puramente resistiva, para fs 100 kHz, variando de poucos ohms at MO;
- est relacionada com a transferncia de potncia da fonte para o sistema.
Medio de Z
i


No se consegue medir Z
i
e Z
o
com um ohmmetro, que opera em DC somente.
) 3 . 7 ( Z
(7.2)
i
i
i
sensor
i s
i
I
V
R
V V
I
=

=
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Impedncia de sada: Z
o




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determinada nos terminais de sada, com o sinal aplicado desativado (V
i
= 0). Veja
o esquema para a determinao de Z
o
na Figura abaixo.

(7.5) e (7.4)
o
o
o
sensor
o
o
I
V
Z
R
V V
I =

=
Para um amplificador a TBJ, para f s 100 kHz (freqncias baixas e mdias), a
impedncia Z
o
naturalmente resistiva, variando de poucos ohms at cerca de 2
MO.
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Ganho de Tenso: A
v




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Ganho de Tenso A
v
:
(7.6)
i
o
V
V
V
A =
NL s s
L
NL
v
s i
i
s
o
v
i
o
s
i
s
o
v
s i
i
s
i
s i
s i
i
R
i
o
v
A
R Z
Z
V
V
A
V
V
V
V
V
V
A
R Z
Z
V
V
R Z
V Z
V
V
V
A
+
= = - = =
+
=
+
=
=
=
: carga sem tenso de Ganho
Para amplificadores a transistor, o
ganho de tenso sem carga maior
que o ganho de tenso com carga.
Dependendo da configurao, o
ganho de tenso pode variar de
pouco mais de um at algumas
centenas.
Um sistema multiestgio,
entretanto, pode ter ganho de
tenso em uma escala de milhares.

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Ganho de corrente: A
i




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Ganho de Corrente A
i
:
(7.9)
i
o
i
I
I
A =
L
i
v i
L i
i o
i i
L o
i
o
i
L
o
o
i
i
i
R
Z
A A
R V
Z V
Z V
R V
I
I
A
R
V
I
Z
V
I
= =

= =
= =
/
/
,
Para amplificadores TBJ o ganho de corrente varia de pouco menos de 1 a um valor
que pode ser maior que 100.
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REFERNCIA BIBLIOGRFICA



BOYLESTAD, Robert L. Dispositivos eletrnicos e teoria de
circuitos. 8 edio. So Paulo: Prentice Hall, 2004 Captulo 7