Electrnica de Potencia

Captulo 1
Introduccin
Fundamentos
Estado actual de la tecnologa en
Electrnica de Potencia
Introduccin
Los circuitos de EP convierten energa elctrica de un
nivel a otro, utilizando para ello dispositivos
electrnicos.





Estos dispositivos utilizan elementos semiconductores
como interruptores, de tal modo de controlar y/o
modificar la tensin o corriente.

Introduccin
Aplicacin de la EP en sistemas de potencia,
conversin, transmisin de cc de alta
potencia, aparatos de uso comn, etc.
La EP abarca equipos que operan con niveles
de tensin del orden de los mV hasta los MV.
La ms usual de las aplicaciones de la EP es la
conversin de ca a cc o viceversa, tambin la
conversin de cc no regulada en regulada.
Introduccin
La conversin de alimentacin alterna de
determinada amplitud y frecuencia en otra de
amplitud de y frecuencia distinta.

Introduccin
La EP junta numerosas disciplinas, como el
Anlsis de circuitos, la teora de control,
electromagnetismo, etc.
Los dispositivos semiconductores cuentan la
actualidad con una alta mejora en sus
velocidades y capacidad de conmutacin.
Los dispositivos de EP se caracterizan por trabajar
en dos estados, activo (on) y desactivo (off),
correspondiente a un coci y a un circuito abierto.
Introduccin
La utilizacin de los elementos de EP, tienen una
alta versatilidad, debido a sus bajas perdidas en
potencia.
Idealmente la potencia absorbida dentro del
dispositivo interruptor es cero.
Recordando, que los dispositivos reales absorben
potencia cuando estn en conduccin y cuando
estn en transicin de estados, es decir, cuando
pasan de on a off, pero, aun as el rendimiento
del dispositivo es bastante alto.
Clasificacin de Convertidores
Los circuitos de EP adaptan los niveles de
tensin y corriente del generador.
Al llevar la forma de onda de corriente o
tensin de un nivel a otro utilizando EP se les
denominan convertidores.
Estas se clasifican en la relacin entre la
entrada y salida.
Clasificacin de Convertidores
Clasificacin de Convertidores
Clasificacin de Convertidores
El proceso de conversin puede suponer
varias etapas y requerir ms de un tipo de
convertidor.
Interruptores Electrnicos
Los dispositivos conmutadores varan segn la
aplicacin y segn la configuracin a utilizar,
por ejemplo en un convertidor.
Varan sus caractersticas segn el estado de la
tecnologa actual de los dispositivos
semiconductores.
En general los dispositivos semiconductores se
modelan normalmente como como
interruptores ideales.
Interruptores Electrnicos
Se modelan en general como como circuitos
abiertos cuando estn inactivos y como
cortocircuitos cuando estn activos.
Se supone adems, que las transiciones de
estado son instantneas.
Los efectos reales de la conmutacin no ideal
se comentara en captulos futuros.
Interruptores Electrnicos
Basados en el funcionamiento fsico de dichos elementos, se
caracterizan todos los tiempos involucrados en las conmutaciones
de conduccin a corte y viceversa; se encuentran las dependencias
de estos tiempos de los parmetros fsicos de los dispositivos y se
evalan mtodos de correccin.

Para estas aplicaciones se han desarrollado una serie de
dispositivos semiconductores de potencia, todos los cuales derivan
del diodo o el transistor. Entre estos se encuentran los siguientes:

Diodo
Rectificador de silicio controlado (SCR en ingls)
Triac
IGBT
IGTC


Interruptores Electrnicos
Algunas aplicaciones comunes:

EL DIODO

INTRODUCCION
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus
terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario.
Resistencia nula
Resistencia nula
Caractersticas. Smbolo
Diodo semiconductor: union PN. Referencia: diodos de silicio (Si)
Elemento biterminal. Terminales diferentes.
+
Ctodo
nodo

Polarizacin directa Polarizacin inversa
+
+
E
I
+
+
E
I
Diodo rectificador
En P.D. conduce corriente. En P.I. no conduce.
Diodo LED
En P.D. conduce corriente y emite luz.
En P.I. no conduce corriente y no emite luz.
Fotodiodo
Opuesto al anterior. En P.I. absorbe luz detectada
y conduce corriente
Diodo Zener
En P.D. como el diodo rectificador
En P.I., si se supera cierta tensin (tensin Zener)
conduce tambin.

Tipos de diodos
DIODO DE UNION PN

Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unin de dos materiales
semiconductores de caractersticas opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A
esta estructura se le aaden dos terminales metlicos para la conexin con el resto del
circuito.
Formacin de la unin PN
Se trata de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera
ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo
N.
Zona P > tomos del grupo III ( Boro ).
Zona N > tomos del grupo V ( Fsforo ).

Mecanismo de difusin:
Consiste en llevar partculas de donde hay ms a donde hay menos. El efecto es
que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y se
instalan en la zona contraria, es decir:
Electrones de la zona N pasan a la zona P.
Huecos de la zona P pasan a la zona N.

Aparece un campo elctrico desde la zona N a la zona P que se opone al
movimiento de portadores segn la difusin, y va creciendo conforme pasan ms cargas
a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusin y la del campo elctrico se equilibran y
cesa el trasiego de portadores.Finalmente:
Zona P, semiconductora, con una resistencia R
P
.
Zona N, semiconductora, con una resistencia R
N
.
Zona de agotamiento (depleccin): No conductora, puesto que no posee portadores
de carga libres. En ella acta un campo elctrico, o bien entre los extremos acta una
barrera de potencial.
Polarizacin directa:

Polarizacin directa :
El potencial aumenta por encima del de barrera desaparece la zona de depleccin.
1. Electrones y huecos se dirigen a la unin.
2. En la unin se recombinan.
La tensin aplicada se emplea en:
1. Vencer la barrera de potencial.
2. Mover los portadores de carga.

Polarizacin inversa

Tensin positiva a la zona N y negativa a la zona P se retiran portadores mayoritarios
prximos a la unin. Aumenta la anchura de la zona de depleccin.
Como en ambas zonas existen portadores minoritarios, su movimiento hacia la unin crea
una corriente, aunque muy pequea.
Si aumenta mucho la tensin inversa, se produce la rotura por avalancha por ruptura de la
zona de depleccin. No significa la ruptura del componente.
Caracterstica tensin-corriente
La figura muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de un diodo real.
Regin de conduccin en polarizacin directa (PD).
Regin de corte en polarizacin inversa (PI).
Regin de conduccin en polarizacin inversa.
En el caso de los diodos de Silicio, V
ON
est sobre los 0,7 V.
Principales caractersticas comerciales
1. Corriente mxima en directa, I
Fmax
o I
FM
(DC forward current): Es la corriente continua mxima
que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningn dao. Tres lmites:
Corriente mxima continua (I
FM
).
Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica tambin
el tiempo que dura el pico.
Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se especifica la
frecuencia mxima del pico.
2. Tensin de ruptura en polarizacin inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV):
Es la tensin a la que se produce el fenmeno de ruptura por avalancha.
3. Tensin mxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensin que el
fabricante recomienda no sobrepasar para una operacin en inversa segura.
4. Corriente en inversa, I
R
(Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de
la tensin inversa
5. Cada de tensin en PD, V
F
(Forward Voltage): A veces no es 0.7 Volts.
Diodo rectificador
Relacin exponencial
Curva caracterstica corriente/tensin
+
V
D
I
D
I
D
I.P. D.P.
0,7 V
V
D
I
D
P.I. corriente de saturacin (pocos nA)
P.D. tensin umbral
P.I.: ruptura
I
D
= I
S
e
qV
D
KT
|
\


|
.
|
|
1
|
\


|
.
|
|
Diodo Zener
Peculiaridad en P.I: superada Vz, ruptura Zener
conduce corriente sentido inverso
Curva caracterstica corriente/tensin
D.P.
0,7 V
I.P.
V
D
I
D
V
Z
+ V
D
I
D
I
D
Primera aproximacin: diodo ideal
P.D. conduce como un cortocircuito
P.I. no conduce
Aproximacin ms alejada
Aproximaciones lineales del diodo rectificador
D.P.
I.P.
V
D
I
D
A
B
+
V
D
I
D
I
D
I
D
D. P. :
A
B
+
V
D
= 0
I. P. :
A
B
+
Condicin Ecuacin
V
D
= 0 I
D
> 0
I
D
= 0 V
D
s 0
I
D
= 0
V
D
Segunda aproximacin (ms frecuente)
P.D. conduce a partir de 0,7V
P.I. no conduce
Tiene en cuenta la tensin umbral

Aproximaciones lineales del diodo rectificador
D.P.
0,7 V
I.P.
V
D
I
D
D. P. :
Condicin Ecuacin
A
B
+
+
0,7 V

A
B
+
I
D
I
D
V
D
V
D
= 0 , 7 V
I. P. :
A
B
+
I
D
= 0
V
D
I
D
= 0 V
D
s 0 , 7 V
V
D
= 0 , 7 V I
D
> 0
I
D
I
D
Tercera
P.D. conduce a partir de 0,7V, pero la tensin aumenta si la corriente aumenta
P.I. no conduce

Aproximaciones lineales del diodo rectificador
D.P.
0,7 V
I.P.
V
D
I
D
D. P. :
Condicin Ecuacin
I. P. :
A
B
+
A
B
+
+
0,7 V
( r = 0,5 O - 1 O)


r resistencia interna
A
B
+
V
D
I
D
I
D
V
D
I
D
= 0
I
D
= 0 V
D
s 0 , 7 V
V
D
= 0 , 7 + rI
D
V
D
= 0 , 7 + rI
D
I
D
> 0
r
I
D
DIODOS ZENER
Se aprovecha la tensin inversa de ruptura mediante el control de los niveles de dopado.
Se consiguen tensiones de ruptura de 2 200 Voltios y potencias mximas de entre 0.5 W
y 50 W.
El diodo zener se utiliza para trabajar en la
zona de ruptura, ya que mantiene
constante la tensin entre sus terminales
(tensin zener, V
Z
).

Estabilizacin de tensiones
Corriente mxima en inversa
Tensin Zener
Estado Modelo Condicin
Conduccin P.D. V=V
ON
I>0
Corte I=0 V
Z
<V<V
ON

Conduccin P.I. V=V
Z
I<0

Slo una aproximacin (se pueden hacer ms)
Similar a la 2 aprox. del diodo rectificador
En P.D. se comporta igual, tambin a partir de 7V
En P.I. al llegar a la tensin Zener, conduce corriente en sentido contrario

Aproximaciones lineales del diodo Zener
I
D
D.P.
0,7 V
regin Zener
regin normal
I.P.
V
D
V
Z
D. P. :
Condicin Ecuacin
I. P. :
regin normal:
regin Zener:
parmetro conocido
B
+
A
V
D
I
D
I
D
I
D
= 0
A
B
+
+
0,7 V

I
D
V
D
= 0 , 7 V
V
D
= 0 , 7 V
+
I
Z
I
Z
V
Z
I
D
> 0 I
Z
s 0
A
B
+ V
D
I
D
= 0
V
Z
V
Z
s V
D
s 0 , 7 V
A
B
+
+
V
D
= V
Z
I
Z
I
Z
V
Z
I
Z
> 0 I
D
s 0 V
D
= V
Z
Generador de tensin continua o fuente de alimentacin




Una aplicacin del diodo: el rectificador
220 V
50 Hz
6 V
50 Hz
5 V
Fuente de al ime ntaci n
T
r
a
n
s
f
o
r
m
a
d
o
r
R
e
c
t
i
f
i
c
a
d
o
r
F
i
l
t
r
o
R
e
g
u
l
a
d
o
r
1. Transformador
seal de
c.a.
seal de c.a.
ms pequea
Transformador
+

v
E
+

v
S
2.a Rectificador de media onda


c.a.
(positiva y
negativa)
c. pseudocontinua
+

+

Rectificador
v
E
v
S
> 0
v
S
D
+
Entrada Salida
+
Rectificador


v
E
v
S
= v
R
R
L
1.- V
E
> 0 i > 0 0 t T/2



D
+
+


R
L
v
S
= v
E
> 0
v
E
> 0
i
2.- V
E
< 0 i < 0 T/2 t T



D
+
+


R
L
v
E
s 0
i = 0
v
S
= 0
+

>0

T
T
2
v
E
v
S
t
t
2.b Rectificador de onda completa: primera opcin
+
+
+
R
L

v
S


v
EA
v
EB
v
EA
= v
E
v
EB
= v
E
D
A
D
B
+
+
+

v
S
R
L
D
A
D
B
v
EA
v
EB
1.- V
EA
> 0 y V
EB
< 0



2.- V
EA
< 0 y V
EB
> 0




+
+

v
EA
R
L

v
S
D
A
+
+


v
S
R
L
v
EB
D
B


T
t
t
v
E
v
S
v
EA
v
EB
3. Filtro
D
+
Entrada Salida
+
Rectificador
Filtro
C


v
E
v
S
= v
R
T
4
5
T
4
v
S
t
v
E
v
E
= v
C
v
E
= v
C
T
4
3
T

4
t
v
S
v
EA
v
EB
v
EA
= v
C
v
EB
= v
C
Filtro con rectificador de media onda




Filtro con rectificador de onda completa




4. Regulador
D
+
Entrada Salida
+
Regulador
C

R
L
v
S
= v
R
v
E

V
Z
V
min
t
v
S
Regulador con rectificador de media onda

Regulador con rectificador de onda completa
V
Z
V
min
v
S
t