Familias Logicas

Famlias Lgicas de Circuitos Integrados
Algumas razes para os sistemas digitais utilizam circuitos integrados:

CIs contm muito mais circuitos; Custo diminui devido grande produo; CIs tornam os sistemas digitais mais confiveis; Reduo na potncia eltrica; No suportam I ou E elevados.
Prof. Celia C. Bojarczuk
08/03/2013
Terminologia de CIs Digitais

VOH (min) tenso de sada em nvel alto; VIH (min) tenso de entrada em nvel alto; IOH corrente de sada em nvel alto; IIH corrente de entrada em nvel alto.
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VOL (max) tenso de sada em nvel baixo; VIL (max) tenso de entrada em nvel baixo; IOL corrente de sada em nvel baixo; IIL corrente de entrada em nvel baixo.
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Fan-out (fator de carregamento)
definido como o nmero mximo de entradas lgicas padronizadas que uma sada pode acionar confiavelmente. Atrasos de propagao quando um sinal lgico sofre um atraso ao atravessar um circuito.
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tPLH tempo de atraso do estado 0 lgico para 1 lgico. tPHL tempo de atraso do estado 1 lgico para 0 lgico.
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Todo CI necessita de uma certa quantidade de potncia eltrica para operar, sendo a mesma fornecida por uma ou mais tenses conectadas ao(s) pino(s) de alimentao. A alimentao do chip identificado como VCC (TTL) ou como VDD (CMOS). A quantidade de potncia de que um CI necessita determinada pela corrente ICC, que ela consome da fonte VCC (P = ICC x VCC).
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Geralmente mais desejvel obter atrasos de propagao menores (alta velocidade) e baixos valores para dissipao de potncia. Produto velocidade-potncia uma forma comum para medir e comparar a performance total de uma famlia de CIs. desejvel um baixo valor para o produto velocidade-potncia.
elaborado por Prof. Celia C. Bojarczuk
Campos eltricos e magnticos podem induzir tenses nos fios de conexo entre circuitos lgicos (rudos). Imunidade ao rudo de um circuito lgico se refere capacidade do circuito em tolerar rudo sem provocar alteraes esprias na tenso de sada. Para operar adequadamente, os nveis de tenso de entrada devem ser mantidos fora da faixa indeterminada (nveis de tenso invlidos).
Ao de fornecimento e de absoro da corrente.
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Variedade de tipos de encapsulamento que diferem no tamanho fsico, nas condies ambientais e de consumo de energia sobre as quais o dispositivo pode operar confiavelmente. Modo pelo qual o encapsulamento do CI montado na placa de circuito impresso.
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A Famlia Lgica TTL
Dispositivos TTL ainda so utilizados como lgica auxiliar que conecta os dispositivos mais complexos em sistemas digitais. Tambm so usados como circuitos de interface para dispositivos que necessitam de acionamento com corrente mais alta. O circuito lgico bsico TTL aporta NAND.
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A Famlia Lgica TTL
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A Famlia Lgica TTL
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A Famlia Lgica TTL
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A Famlia Lgica TTL
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A Famlia Lgica TTL
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Caractersticas da Srie TTL padro
Folha de caracterstica do fabricante:

Faixas de tenso e de temperatura; Atrasos de propagao; Dissipao de potncia...
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Sries TTL Aperfeioadas
Sries 74L e 74H
Verses de TTL com baixa potncia e alta velocidade, respectivamente; Comparada com a srie 74, a srie 74L era uma verso de baixa potncia (1mW) mas atraso de propagao muito maior (33 ns); A srie 74H era uma verso de alta velocidade que tinha um atraso de propagao reduzido (6ns), mas com um consumo de potncia mais alto (23 mW).
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TTL Schottky, Srie 74S
A srie 74S reduz o atraso do tempo de armazenamento no permitindo que o transistor fique muito saturado. utilizado diodos Schottky conectados entre a base e o coletor de cada transistor.
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TTL Schottky, Srie 74S
Os circuitos da srie 74S tambm usam valores de resistores menores para ajudar a melhorar os tempos de chaveamento; Aumenta a dissipao mdia de potncia do circuito para aproximadamente 20mW.
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TTL Schottky de baixa potncia, Srie 74LS
uma verso de menor potncia potncia e menor velocidade da srie 74S; Utiliza a combinao transistor / diodo Schottky, mas com valores mais altos do que os da srie 74S; Resistores de maior valor reduzem a potncia do circuito, mas provoca um aumento nos tempos de chaveamento.
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TTL Schottky Avanada, Srie 74AS
Esta srie fornece uma considervel melhoria na velocidade em relao srie 74S, com requisitos de potncia bem menores.
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TTL Schottky Avanada de baixa potncia, Srie 74ALS
Produto velocidade-potncia mais baixo e a menor dissipao de potncia de todas as sries TTL
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TTL Fast-74F

Srie TTL mais nova; Utiliza uma nova tcnica para fabricao de circuitos integrados que reduz as capacitncias entre os dispositivos internos para alcanar atrasos de propagao reduzidos.
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Comparao das caractersticas das sries TTL
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FAN-OUT e Carregamento para TTL
A sada TTL tem um limite, IOL (max), da quantidade de corrente que pode absorver no estado BAIXO; Ela tambm tem um limite, IOH (max), da quantidade da corrente que pode fornecer no estado ALTO; Estes limites de corrente de sada no devem ser excedidos se os nveis de tenso de sada precisarem ficar dentro das faixas especificadas.
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Para determinar quantas entradas diferentes a sada de um CI pode acionar, voc precisa saber a capacidade de corrente da sada e os requisitos de corrente de cada entrada. Exemplo: Quantas entradas de portas NAND 7400 podem ser acionadas pela sada de uma porta NAND 7400?
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Soluo:
Inicialmente considera-se o estado BAIXO;

IOL(max) = 16 mA; IIL(max) = 1,6 mA; Fan-out (BAIXO) = IOL(max) / IIL(max) Fan-out = 10. IOH(max) = 0,4 mA; IIH(max) = 40 A; Fan-out (BAIXO) = IOH(max) / IIH(max) Fan-out = 10.
Em seguida, considera-se o estado ALTO;

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Outras Caractersticas TTL
Entradas Desconectadas (flutuando):
Qualquer entrada para um circuito TTL que deixada desconectada (aberta) atua exatamente como o nvel lgico 1 aplicado quela entrada, pois em ambos os casos a juno base-emissor ou o diodo na entrada no estar diretamente polarizado; Em qualquer CI TTL, todas as entradas so 1s se no estiverem conectadas a algum sinal lgico ou na terra.
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Entradas no-usadas
Nem todas as entradas de um CI TTL esto sendo usadas em determinada aplicao;
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Conectando entradas juntas:
Quando 2 ou mais entradas TTL na mesma porta so conectadas juntas para formar uma entrada comum, geralmente esta entrada comum representar uma carga que a soma das correntes de carga de cada entrada individual.
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Colocando entradas TTL em nvel BAIXO:
Surgem situaes nas quais uma entrada TTL deve ser mantida normalmente em BAIXO, e ento deve ir para ALTO, pela atuao de uma chave mecnica.
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Transientes de corrente:
Os circuitos lgicos TTL so afetados pelos spikes ou pelos transientes internos de corrente causados pela estrutura de sada totem-pole; Sempre que uma sada TTL totem-pole vai de BAIXO para ALTO, um pico de corrente de alta amplitude drenado da fonte VCC.
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Conectando Sadas TTL Juntas
Por mais estranho que possa parecer, existem situaes nas quais vantajoso conectar as sadas de duas ou mais portas lgicas;
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Conectando Sadas TTL Juntas
Sadas totem-pole no devem ser ligadas juntas.
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Circuitos Integrados Digitais MOS
A tecnologia MOS tem o seu nome derivado da estrutura bsica MOS, um eletrodo de metal sobre um xido isolador, que por sua vez est sobre um substrato semicondutor; Transistores da tecnologia MOS so transistores de efeito de campo (MOSFET); A maioria dos CIs digitais MOS constituda inteiramente de MOSFETs e de nenhum outro componente.
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Circuitos Integrados Digitais MOS
Vantagens principais do MOSFET:

Relativamente simples e barato de fabricar; pequeno e consome pouca energia; Alta densidade de encapsulamento dos CIs MOS os torna especialmente adequados para CIs complexos.
Principal desvantagem:
Susceptibilidade a danos provocados por eletricidade esttica.

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O MOSFET
Existem (atualmente) 2 tipos de MOSFET:

Por deplexo; Por enriquecimento.
Os CIs digitais MOS utilizam apenas MOSFETs por enriquecimento; O funcionamento destes MOSFETs ser analisada como chaves liga/desliga.
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O MOSFET
Os smbolos mostram uma linha tracejada entre a fonte e o dreno para indicar que, normalmente, no h conduo entre estes dois eletrodos.
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O MOSFET
Configurao bsica de um MOSFET como chave (MOSFET canal-N).
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O MOSFET
O MOSFET canal-P funciona do mesmo modo que o canal-N, exceto pelo fato de que ele usa tenso de polaridade inversa.
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Circuitos Digitais com MOSFETs
Circuitos digitais que utilizam MOSFETs so divididos em 3 categorias:
P-MOS: utiliza apenas MOSFETs por enriquecimento com canal-P; N-MOS: utiliza apenas MOSFETs por enriquecimento com canal-N; CMOS (MOS complementar): usa tanto dispositivos de canal-P quanto de canal-N.
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CIs digitais P-MOS e N-MOS tm uma densidade de integrao maior (mais transistores por chip) e portanto so mais econmicos que os CMOS; Os dispositivos N-MOS tem uma intensidade de integrao duas vezes maior que os P-MOS;
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Os N-MOS so duas vezes mais rpidos que os P-MOS; Os CMOS tm a maior complexidade e a menor densidade de integrao das famlias MOS, mas possuem vantagens importantes, como a alta velocidade e a baixa dissipao de potncia; CIs N-MOS e CMOS so amplamente utilizados na rea digital, mas CIs P-MOS no se encontram disponveis para novos projetos.
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Caractersticas da Lgica MOS
Quando comparadas com famlias lgicas bipolares, as famlias lgicas N-MOS e P-MOS:

Tm velocidade de operao menor; Necessitam de muito menos potncia; Tm uma margem de rudo melhor; Possuem uma faixa maior para a tenso de alimentao; Um fan-out maior e Necessitam de menos espao (rea de chip).
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Velocidade de Operao:
Um tpica porta NAND N-MOS tem um atraso de propagao de 50 ns. Isto deve-se a 2 fatores:
Resistncia de sada relativamente alta (100 k) no estado ALTO; A carga capacitiva representada pelas entradas dos circuitos lgicos que esto sendo acionados.
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Margem de rudo:
Tipicamente em torno de 1,5 V quando VDD= 5V, e sero proporcionalmente maiores para valores mais altos de VDD. A lgica MOS pode facilmente operar com um fan-out de 50, que muito melhor do que a maioria das famlias bipolares.
Fan-out:
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Consumo de potncia:
Circuitos lgicos MOS consomem pequenas quantidades de potncia por causa das resistncias relativamente altas que so usadas. A famlia lgica MOS tem o processo de fabricao mais simples, porque utiliza apenas um elemento bsico, o transistor N-MOS (ou P-MOS); Ela no precisa de nenhum outro elemento, como por exemplo resistores ou diodos.
Complexidade do processo de fabricao:
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Sensibilidade eletricidade esttica:
Todos os dispositivos eletrnicos, em diversos graus, podem ser danificados pela eletricidade esttica; As famlias lgicas MOS (e todos os MOSFETs) so especialmente susceptveis a dano por eletricidade esttica;
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Sensibilidade eletricidade esttica:
Toda essa diferena de potencial (carga eletrosttica) aplicada pela fina camada de xido supera a capacidade de isolamento eltrico desta camada; Quando esta se rompe, o fluxo de corrente resultante (descarga) semelhante queda de um raio, e faz um furo na camada de xido, danificando permanentemente o dispositivo.
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Lgica MOS Complementar
A famlia lgica MOS complementar (CMOS) utiliza MOSFETs tanto de canal-P quanto de canal-N para obter diversas vantagens sobre as famlias N-MOS e P-MOS; De um modo geral, CMOS mais rpido e consome menos que as outras famlias MOS; Estas vantagens so contrabalanadas pelo aumento de complexidade para a fabricao do CI e pela menor densidade de integrao.
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Caractersticas da Srie CMOS
A famlia CMOS de circuitos integrados compete diretamente com a TTL nas reas de integrao em pequena e mdia escalas; Como a tecnologia CMOS tem produzido uma performance cada vez melhor, CMOS vem gradualmente tomando terreno que tem sido a muito dominado pela tecnologia TTL;
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Componentes TTL estaro presentes ainda por muito tempo, porm cada vez mais novos equipamentos esto utilizando circuitos lgicos predominantemente CMOS; CIs CMOS fornecem no apenas as mesmas funes lgicas disponveis na famlia TTL mas tambm vrias funes especiais que no esto disponveis na TTL;
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Vrias sries CMOS diferentes foram desenvolvidas ao longo do tempo, medida que os fabricantes procuravam melhorar as caractersticas de performance; importante definir alguns termos, que sero usados quando CIs de famlias ou sries diferentes forem usados juntos ou como substitutos de uma para outra:
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Compatvel pino a pino: dois CIs so compatveis pino a pino quando as suas pinagens so as mesmas; Funcionalmente equivalente: dois CIs so funcionalmente equivalente quando as funes lgicas que eles realizam so exatamente as mesmas; Eletricamente compatvel: dois CIs so eletricamente compatveis quando eles podem ser ligados diretamente um ou outro, sem a necessidade de se tomarem precaues especiais para assegurar a operao correta.
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Srie 4000 / 14000
A srie 4000 a mais antiga srie CMOS e funcionalmente equivalente srie 14000 da Motorola; Os componentes tem um baixo consumo e podem operar em uma larga faixa de tenses de alimentao (3 a 15 V); Lentos quando comparados com TTL ou outras sries CMOS;
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Srie 4000 / 14000
Possuem uma capacidade de corrente de sada muito baixo; No so compatveis nem pino a pino nem eletricamente a nenhuma das sries TTL; Esta srie raramente utilizada em novos projetos, exceto quando um CI de uso especial desta srie necessrio e no est disponvel em nenhuma outra.
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Srie 74C
Esta srie CMOS pino a pino compatvel e funcionalmente equivalente a componentes TTL com a mesma numerao; Muitas das funes, mas no todas, que esto disponveis para TTL tambm esto disponveis nesta srie CMOS; possvel substituir alguns circuitos TTL por um equivalente CMOS.
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74HC/HCT (High Speed CMOS)
uma verso aperfeioada da srie 74C, que tem um aumento na velocidade de operao, agora comparvel a componentes 74LS, e uma capacidade de corrente muito mais alto do que a da srie 74C; Nesta srie os CIs so compatveis pino a pino e funcionalmente equivalentes a CIs TTL com a mesma numerao.
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74 AC/ACT (CMOS Avanado)
Esta srie funcionalmente equivalente a vrias sries TTL, mas no compatvel pino a pino com TTL; A razo para isto, a localizao dos pinos nos chips foi escolhida para melhorar a imunidade ao rudo; No so eletricamente compatveis com TTL; Podem ser conectados diretamente a componentes TTL.
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74AHC (Advanced High-Speed CMOS)

a mais nova srie de dispositivos CMOS; Oferece uma migrao natural das sries HC para aplicaes de mais alta velocidade, baixo consumo e baixa capacidade de acionamento; Os componentes desta srie so 3 vezes mais rpidos e podem ser usados como como substitutos diretos de componentes da srie HC.
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Lgica BiCMOS
Os componentes desta srie so compatveis pino a pino com os componentes TTL padro e operam com nveis lgicos segundo o padro de 5V; Esta famlia oferece ao projetista de sistemas componentes que parecero transparentes aos sinais (isto , no tero efeitos negativos sobre estes) enquanto estiverem conectando componentes de alta velocidade em um computador.
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Tenso de Alimentao
As sries 4000/14000 e 74C vo operar com VDD variando de 3 a 15V, o que torna estes circuitos muito versteis; As sries 74HC/HCT e 74AC/ACT operam com tenses de alimentao em uma faixa muito mais estreita, geralmente entre 2 e 6V; Sempre que componentes CMOS e TTL so utilizados juntos, a tenso de alimentao geralmente igual a 5V.
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Nveis de tenso lgico
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Margens de Rudo
As margens de rudos para cada famlia tambm so dada na tabela de nveis de tenso lgico; Elas so calculadas usando:

VNH = VOH (min) VIH (min) VNL = VIL (max) VOL (max)
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Dissipao de potncia
Quando o circuito lgico CMOS est esttico (no est comutando), sua dissipao de potncia e extremamente baixa.
Dissipao de potncia aumenta com a freqncia
A dissipao de potncia de um CI MOS ser bastante baixa desde que ele esteja em uma condio DC, isto , com a sada em um nvel constante.
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Dissipao de potncia aumenta com a freqncia
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Fan-out
O fan-out do CMOS depende do atraso de propagao mximo permitido; Geralmente, as sada esto limitadas a um fan-out de 50 para operao em baixa freqncia ( 1 MHz); Para operao em alta freqncia o fan-out teria de ser diminudo.
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Velocidade de Comutao
Para os circuitos CMOS relativamente rpida devido baixa resistncia de sada de cada estado.
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Entradas no utilizadas
ENTRADAS CMOS NUNCA DEVEM FICAR DESCONECTADAS. TODAS AS ENTRADAS CMOS DEVEM SER CONECTADAS A UM NVEL DE TENSO FIXO (0V OU VDD) OU A ALGUMA OUTRA ENTRADA; Uma entrada CMOS no conectada susceptvel a rudo e a eletricidade esttica.
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Sensibilidade eletricidade esttica
A grande resistncia das entradas CMOS as torna especialmente sensveis ao acumulo de cargas estticas, que podem produzir tenses suficientemente grandes para romper a isolao dieltrica entre a porta e o canal do MOSFET; A maioria dos dispositivos CMOS mais modernos protegida, contra danos causados por eletricidade esttica, por redes diodo-resistor em cada entrada.
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Comparao entre as sries CMOS e TTL
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Tecnologia de Baixa Tenso
CIs de alta densidade de integrao traz dois grandes benefcios:
Permite que mais circuitos sejam colocados no chip; Com os circuitos colocados mais prximos uns dos outros, o tempo de propagao de um circuito para o outro diminui e, portanto, aumenta a velocidade de operao dos circuitos como um todo.
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Existem desvantagens quando se chips com densidades maiores:
Quando circuitos so colocados muito prximos uns dos outros, o material isolante entre eles mais estreito, e isto diminui o valor de tenso que o dispositivo pode suportar antes que o dieltrico se rompa; Aumentar a densidade do chip tambm aumenta o consumo de potncia, o que pode fazer com que a temperatura do chip aumente para um valor acima do permitido para uma operao confivel.
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Estas desvantagens podem ser neutralizadas fazendo-se com que o chip funcione com um nvel de tenso mais baixo; Fabricantes de circuitos integrados esto fazendo isto, desenvolvendo uma nova linha de dispositivos lgicos que opera com uma tenso de alimentao nominal de 3,3V, em vez do tradicional 5V;
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Dispositivos de baixa tenso so atualmente projetados para aplicaes que vo desde jogos eletrnicos a estaes de trabalho de engenharia; Os microprocessadores mais novos so dispositivos de 3,3V, e chips de memria dinmica de 64 bits e 3,3V esto disponveis em mdulos de memria para computadores;
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A operao em baixa tenso particularmente til em equipamentos alimentados por bateria, onde o nmero de clulas necessrias reduzido; Vrias famlias lgicas de 3,3V esto disponveis atualmente, como as oferecidas pela Texas Instruments.
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Embora a lgica de 5V ainda v permanecer conosco por um bom tempo, seus dias parecem estar contados; Para que se tenha uma idia disto, mostrado a seguir a percepo da Texas Instruments do ciclo de vida das vrias famlias lgicas.
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Sadas CMOS de Dreno Aberto
SADAS CMOS CONVENCIONAIS NUNCA DEVEM SER CONECTADAS JUNTAS.
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Sadas CMOS de Dreno Aberto
Esta tenso est na faixa indeterminada para a maioria das sries CMOS e, portanto, inaceitvel para acionar outros dispositivos; Alm disso, a corrente que flui atravs dos 2 MOSFETs condutores ser muito maior do que o normal, especialmente para valores mais altos de VDD e pode danificar os CIs.
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Interfaceamento de CIs
Interfaceamento significa conectar a(s) sada(s) de um circuito ou sistemas na(s) entrada(s) de um outro circuito que tem caractersticas eltricas diferentes; Geralmente, no pode ser feita uma conexo direta porque existem diferenas nas caractersticas eltricas entre o circuito acionador, que est fornecendo o sinal de sada, e o circuito de carga, que est recebendo o sinal;
Interfaceamento de CIs
Um circuito de interface aquele que est conectado entre o acionador e a carga:
Sua funo receber o sinal de sada do acionador e condicion-lo de modo a torn-lo compatvel com os requisitos de carga.
Este tipo de interface geralmente ocorre em sistemas digitais mais complexos, em que os projetistas utilizam diferentes famlias lgicas para diferentes partes do sistema para poderem tirar vantagens dos pontos fortes de cada famlia.
TTL acionando CMOS
Quando interfaceamos tipos diferentes de CIs, devemos verificar se o dispositivo acionador pode satisfazer os requisitos de tenso e corrente do dispositivo de carga;
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TTL acionando CMOS
Examinado a tabela, vemos que os requisitos de corrente de entrada para CMOS so extremamente baixos quando comparados com a capacidade de corrente de sada de qualquer srie TTL.
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TTL acionando CMOS
Existe um problema, entretanto, quando comparamos as tenses de sada TTL com os requisitos de tenso de entrada CMOS; As tenso de sada do TTL so muito baixas quando comparadas com as tenses de entrada da sries CMOS; Para estas situaes, algo deve ser feito para aumentar a tenso de sada TTL para um valor que seja aceitvel para um dispositivo CMOS.
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CMOS acionando TTL
CMOS acionado TTL no estado ALTO nenhum cuidado especial necessrio; CMOS acionado TTL no estado BAIXO cuidados em relao alta corrente de entrada dos TTL, que pode ir de 100 A at 2 mA.
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Comparadores de Tenso
Comparador de tenso um outro componente bastante til para fazer a interface com circuitos digitais; especialmente til em sistemas que contm tanto tenses analgicas quanto componentes digitais; Um comparador de tenso compara 2 tenses;
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Pesquisa de Falhas
Um pulsador lgico um equipamento de depurao que pode gerar pulsos de curta durao quando acionado manualmente, apenas apertando-se um boto.
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Famlias Lgicas de Circuitos Integrados

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Terminologia de CIs Digitais

Prof. Celia C. Bojarczuk

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A Famlia Lgica TTL

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A Famlia Lgica TTL

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Caractersticas da Srie TTL padro

Folha de caracterstica do fabricante:

Faixas de tenso e de temperatura; Atrasos de propagao; Dissipao de potncia...

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Sries TTL Aperfeioadas

Sries 74L e 74H

Sries TTL Aperfeioadas

TTL Schottky, Srie 74S

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Sries TTL Aperfeioadas

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Sries TTL Aperfeioadas

TTL Schottky, Srie 74S

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Sries TTL Aperfeioadas

TTL Schottky de baixa potncia, Srie 74LS

Sries TTL Aperfeioadas

TTL Schottky Avanada, Srie 74AS

Prof. Celia C. Bojarczuk

Sries TTL Aperfeioadas

TTL Schottky Avanada de baixa potncia, Srie 74ALS

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Sries TTL Aperfeioadas

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Sries TTL Aperfeioadas

Comparao das caractersticas das sries TTL

Prof. Celia C. Bojarczuk

FAN-OUT e Carregamento para TTL

FAN-OUT e Carregamento para TTL

FAN-OUT e Carregamento para TTL