Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
Estudiar la clasificacin de los materiales basado en los arreglos atmicos y inicos. Describir los arreglos en los slidos cristalinos de acuerdo con las estructuras de la red, base y cristalina.
Contenido
3.1 Orden de corto alcance Vs. orden de largo alcance. 3.2 Materiales amorfos, principios y tecnologa de aplicacin 3.3 Redes, celdas unitarias, bases y estructuras cristalinas 3.4 Tranformaciones alotrpicas o polimorfas 3.5 Puntos, direcciones y planos en la celda unitaria. 3.6 Sitios intersticiales. 3.7 Estructuras cristalinas de los materiales inicos. 3.8 Estructuras covalentes
3
SRO Un material tiene orden de corto alcance si el arreglo espacial de los tomos solo se extiende a su vecindad . LRO El arreglo tomico espacial abarca escalas de longitud mayores a 100 nm, formando un patron regular y repetitivo. Condensado de Bose-Einstein (BEC) Predijeron la existencia de este estado de la materia, donde un grupo de tomos enfriados a temperaturas muy bajas (justo arriba de 0 K, mediante lseres y trampas magnticas, tiene el mismo estado cuntico fundamental. Uno de sus usos podra ser lseres atmicos
Figura 3.1 Niveles de ordenamiento tomico en los materiales: (a)Los gases monotomicos inertes no tienen ordenamiento regular de tomos. (b y c) algunos materiales que incluyen vapor de agua, nitrogeno gaseoso, silicio amorfo y vidrios de silicato, tienen orden de corto alcance. (d) Metales,aleaciones y muchas cermicas, as como polmeros, tienen ordenamiento regular de tomos o iones que se extiende a travs del material.
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figura 3.4 (a) Fotografa de un monocristal de silicio. (b) Micrografa de un acero inoxidable policristalino, donde se ven los granos y los lmites de grano (Cortesia de los Dr. M. Hua, Dr. I. Garcia, y Dr. A.J. Deardo.)
Figura 3.5 Pantalla de cristal lquido, estos materiales son amorfos en un estado y sufren cristalizacin localizada como respuesta a un campo elctrico externo se usan mucho en las pantallas de cristal lquido (LCD). (Cortesia de Nick Koudis/PhotoDisc/Getty Images.)
Figura 3.7 Clasificacin de los materiales con base en la clase de orden atmico.
10
11
Figura 3.9 (b) Esquema del proceso de formado por soplado y estirado para fabricar una botella de dos litros de PET (tereftalato de polietileno) a partir de una pre forma. El esfuerzo inducido en la cristalizacin causa la formacin de cristales pequeos que contribuyen a reforzar el resto de la matriz amorfa.
12
Figura 3.10 Arreglos atmicos en el silicio cristalino y en el silicio amorfo. (a) silicio amorfo. (b) Silicio cristalino. Obsrvese la variacin en la distancia interatmica en el silicio amorfo.
13
Seccin: 3.3
Celdas unitarias,bases y estructuras cristalinas
La red Es una coleccin de puntos llamados puntos de red ordenados en un patrn peridico de manera que los alrededores de cada punto de la red son idnticos. Base Son un grupo de tomos asociados con un punto de la red. Estructura cristalina = red + base Celda unitaria Es la sub divisin de una red que sigue conservando las caractersticas generales de toda la red. Radio Atomico El tamao aparente del tomo en una celda unitaria se calcula en base al radio de un tomo. Factor de empaquetamiento Es la fraccin de espacio ocupada por tomos, suponiendo que son esferas que tocan a su vecino cercano.
14
Figura 3.11 Los catorce tipos de redes de Bravais, agrupados en siete sistemas cristalinos. En las figuras 3.12 y 3.16 se muestra la celda unitaria real para un sistema hexagonal.
15
16
Figura 3.12 Definicin de los parmetros de la red y su aplicacin en los sistemas cristalinos cbico, ortorrmbico y hexagonal.
17
Figura 3.13 (a) Ilustracin de la distribucin de los tomos en caras y vrtices. (b) Los modelos de celdas unitarias cbica simple (SC), cbica centrada en el cuerpo (BCC), y cbica centrada en las caras (FCC) asumiendo que hay un solo tomo por punto de red.
18
Ejemplo 3.2 Determinacin de la relacin entre el radio atmico y los parmetros de red.
Determine la relacin entre el radio atmico y el parmetro de red en las estructuras SC, BCC, y FCC cuando se tiene un tomo en cada punto de red.
Figura 3.14 Relaciones entre el radio atmico y el parmetro de red en sistemas cbicos.
20
Ejemplo 3.2 SOLUCION De la figura 3.14, vemos que los tomos se tocan a lo largo de la arista del cubo en las estructuras SC.
a0
= 2r
En BCC , Los tomos se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo, que tiene una longitud
a0
4r = 3
En FCC , Los tomos se tocan a lo largo de la diagonal de la cara del cubo, su longitud es
a0
4r = 2
21
Figura 3.15 Nmeros de coordinacin en celdas unitarias (a) SC y (b) BCC . En SC seis tomos tocan a cada tomo, mientras que en la celda unitaria BCC son 8.
22
a0
a 0 = 4r/
a0
(numer de atoms/cel) ( masa del hierro) Densidad = (volume cel. unit )(Nm. Avogadro) (2)(55.847 ) = = 7.882 g / cm 3 (23.54 10 24 )(6.02 10 23 )
24
25
26
27
Figura 3.17 Los sensores de oxgeno gaseoso que se usan en automviles y otras aplicaciones se basan en composiciones de zirconia estabilizada. (Cortesa de Bosch Robert Bosch GmbH.)
28
29
Ejemplo 3.5 SOLUCION El volumen de una celda unitaria tetragonal V = a2c = (5.094)2 (5.304) = 134.33 3. El volumen de una celda unitaria monoclnca es = abc sin = (5.156) (5.191) (5.304) sin(98.9) = 140.25 3. V
Entonces hay una expansin de la celda unitaria conforme el ZrO2, se transforma de tetragonal a monoclnico. El cambio porcentual de volumen es: = (Volumen final-Volumen inicial)/(volumen inicial)* 100 = (140.25 - 134.33 3)/140.25 3 * 100 = 4.21%. La mayoria de los cermicos son muy frgiles y no pueden resistir un cambio de volumen mayor al 0.1%.La conclusin es que los cermicos de ZrO2 no pueden usarse en su forma monoclnica por que cuando la zirconia pase a su forma tetragonal, casi con seguridad se rompe.Por lo tanto, el ZrO2 se estabiliza con frecuencia en una forma cbica, usando diversos aditivos, como CaO, MgO, and Y2O3.
30
Ejemplo 3.6 SOLUCION (Continuacin) El volumen de una celda unitaria de hierro FCC : VFCC = 3 = (0.3591 nm)3 = 0.046307 nm3 a0 Pero este es el volumen que ocupa 4 tomos de hierro en FCC, en consecuencia se deben comparar 2 celdas BCC, con un volumen de 2(0.023467) = 0.046934 nm3, con cada celda FCC, El cambio porcentual de volumen durante la transformacin es:
Figura 3.18 Coordenadas de puntos seleccionados en la celda unitaria. El nmero indica la distancia al origen, en trminos de parmetros de red.
34
35
Ejemplo 3.7 SOLUCION Direccin A 1. Los puntos son 1, 0, 0, y 0, 0, 0 2. 1, 0, 0, -0, 0, 0 = 1, 0, 0 3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que reducir 4. [100] Direccin B 1. Los puntos son 1, 1, 1 y 0, 0, 0 2. 1, 1, 1, -0, 0, 0 = 1, 1, 1 3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que reducir 4. [111] Direccin C 1. Los puntos son 0, 0, 1 y 1/2, 1, 0 2. 0, 0, 1 -1/2, 1, 0 = -1/2, -1, 1 3. 2(-1/2, -1, 1) = -1, -2, 2
4. [ 1 2 2]
36
Figura 3.20 Equivalencia de las direcciones cristalogrficas de una forma, en sistemas cbicos.
37
38
Figura 3.21 Determinacin de la distancia de repeticin, densidad lineal y fraccin de empaquetamien to para una direccin [110] en el cobre FCC.
39
40
Ejemplo 3.8 SOLUCION Plano A 1. x = 1, y = 1, z = 1 2.1/x = 1, 1/y = 1,1 /z = 1 3. No hay fracciones que eliminar 4. (111) Plano B 1. El plano nunca cruza el plano z por lo que x = 1, y = 2, y = 2.1/x = 1, 1/y =1/2, 1/z = 0 3. Eliminar fracciones: 1/x = 2, 1/y = 1, 1/z = 0 4. (210) Plano C 1. Se debe cambiar origen, por que el plano pasa 0, 0, 0. Mover en direccin y, entonces, x = , y = -1, and z = 2.1/x = 0, 1/y = 1, 1/z = 0 3. No hay fracciones que eliminar. z
4. ( 0 1 0)
41
42
43
Ejemplo 3.9 SOLUCION El total de tomos en cada cara es uno. La densidad planar es:
atoms por cara 1 atom por cara Densidad planar (010) = = rea de cara (0.334) 2 = 8.96 atoms/nm 2 = 8.96 1014 atoms/cm 2 rea de atoms por cara (1 atom) (r 2 ) Fraccin de Emp. (010) = = rea de cara (a 0) 2
r 2 = = 0.79 2 ( 2r )
Sin embargo no hay tomos con centros en los planos (020). Por consiguiente la densidad planar y la fraccin de empaquetamiento planar son cero. Los planos (010) y (020) no son equivalentes!. 44
Figura 3.24 Construccin de a (a)una direccin y (b) un plano dentro de una celda unitaria (para el ejemplo 3.10)
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
45
Example 3.10 SOLUCION a. Como sabemos que hay que moverse en la direccin negativa, ubiquemos el origen en 0, +1, 0. La cola de la direccin estar en el nuevo origen. Se determina un segundo punto de la direccin avanzando +1 en la direccin x, -2 en la direccin y, y +1 en la direccin z (Figura 3.24(a)]. b. Para dibujar el [ 2 10] se determinan primero los plano, recprocos de los ndices para obtener las intercepciones: x = 1/-2 = -1/2 y = 1/1 = 1 z = 1/0 = Como el cruce en x esta en una direccin negativa y se desea trazar el plano dentro de la celda unitaria, se cambia el origen +1 en la direccin x hasta 1, 0, 0. Entonces se puede ubicar la interceccin con x en - 1/2 y con y en +1. El plano ser paralelo al eje Z [Figura 3.24(b)]. 46
Figura 3.25 Indices de MillerBravais en celdas unitarias HCP usando un sistema coordenado de 4 ejes. Los planos identificados con A y B y las direcciones identificadas con C y D son del ejemplo 3.11.
47
Figura 3.26 Direcciones comunes en la celda unitaria HCP usando sistemas con 3 y 4 ejes. Las lneas punteadas muestran que la direccin [1210] es equivalente a una direccin [010].
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
48
Figura 3.25 Los Indices Miller-Bravais son obtenidos usando un sistema de coordenadas de 4 ejes. Los planos identificados con A y B, y las direcciones con C y D son del ejemplo 3.11.
49
Ejemplo 3.11 SOLUCION Plano A 1. a1 = a2 = a3 = , c = 1 2. 1/a1 = 1/a2 = 1/a3 = 0, 1/c = 1 3. No hay fracciones que simplificar 4. (0001) Plano B 1. a1 = 1, a2 = 1, a3 = -1/2, c = 1 2. 1/a1 = 1, 1/a2 = 1, 1/a3 = -2, 1/c = 1 3. No hay fracciones que simplificar (112 1) 4. Direccin C 1. Dos puntos son 0, 0, 1 y 1, 0, 0. 2. 0, 0, 1, -1, 0, 0 = -1, 0, 1 3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que reducir. 4. [ 1 01] [2 113] 50
Example 3.11 SOLUCION (Continuacin) Direccin D 1. Dos puntos son 0, 1, 0 y 1, 0, 0. 2. 0, 1, 0, -1, 0, 0 = -1, 1, 0 3. No fracciones que eliminar ni enteros quereducir 4. [ 1 10] [ 1 100]
51
52
53
Figura 3.28 La secuencia de apilamiento ABCABCABC de planos compactos produce la estructura FCC.
54
Figura 3.29 Ubicacin de los sitios intersticiales en las celdas unitarias cbicas. Solo se muestran sitios reprentativos.
56
1 ,0,0 2 1 0, ,0 2 1 0,0, 2
Ejemplo 3.12 Continuacin Cada uno de los sitios en la arista de la celda unitaria se comparte entre 4 celdas unitarias por lo que solo un de cada sitio pertenece exclusivamente a cada celda unitaria, entonces la cantidad de sitios que pertenecen exclusivamente a cada celda : (12 aristas) (1/4 por celda) + 1 en centro = 4 sitios octadricos
58
59
60
Ejemplo 3.13 SOLUCION Para este diseo, podemos introducir esferas pequeas de Pb que quepan exactamente en todos los sitios intersticiales octadricos. Primero calculamos el dimetro de los sitios octadrico entre las esferas de 3 cm de dimetro: Longitud AB = 2R + 2r =4R/ r = 2 2 R-R = (2 2 -1)R r/R = 0.414
2
Esto es consistente con la tabla 3.6, como r/ R = 0.414, el radio de la esfera pequea de Pb es : r = 0.414 * R = (0.414)(3 cm/2) = 0.621 cm. En el ejemplo 3-12, se observa que hay 4 sitios octadricos en el arreglo FCC que tambien tiene 4 puntos de red. Entonces se necesita la misma cantidad de esferas pequeas 10,000.
61
62
Figura 3.31 Conexin entre poliedros de aniones. tetraedros con vrtices compartidos, (b) tetraedros con aristas compartidas y (c) tetraedro con cara compartida
(a)
63
Figura 3.32 (a) Estructura del cloruro de cesio, una celda unitaria SC con dos iones (Cs+ y CI-) por punto de red. (b) La estructura del cloruro de sodio,una celda unitaria FCC con dos iones (Na+ + CI-) por punto de red. Nota: los tamaos de los iones no estan a escala.
64
Para el cloruro de potasio (KCl), (a) verificar que el compuesto tiene la estructura del cloruro de cesio y (b) calcular el factor de empaquetamiento de este compuesto.
SOLUCION
a. De tablas, rK+ = 0.133 nm y rCl- = 0.181 nm, entonces: rK+/ rCl- = 0.133/0.181 = 0.735 Como 0.732 < 0.735 < 1.000, El nmero de coordinacin de cada clase de ion es 8 y la estructura del CsCl es la mas probable.
65
Ejemplo 3.14 continuacin de la SOLUCION b. Los iones se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo de la celula unitarial,entonces: a03 = 2rK+ + 2rCl- = 2(0.133) + 2(0.181) = 0628 nm
4 3 4 3 rK + (1 K ion) + rCl (1 Cl ion) 3 Factor de empaquetam iento = 3 3 a0 4 4 3 (0.133) + (0.181) 3 3 =3 = 0.725 3 (0.363 )
a0 = 0.363 nm
66
67
Ejemplo 3.15 SOLUCION Las masas atmicas son 24.312 y 16 g/mol para el magnesio y oxgeno respectivamente. Los iones se tocan a lo largo de la arista del cubo, entonces:
68
69
70
3.16 SOLUCION (Continuacin) Cada mol de As (6.023 1023 atoms) tiene una masa de 74.9 g. Entonces en 4 atomos de As se tiene: (4 * 74.9/6.023 1023) g. Estos tomos ocupan un volumen de (5.65 10-8)3 cm3.
71
72
Figura 3.35 Celda unitaria de la perovskita mostrando los cationes en sitio A y B y los iones de oxgeno que ocupan las posiciones de centro de cara de la celda unitaria. Nota: Los Iones no se muestran a escala.
73
Figura 3.36 Estructura cristalina de un nuevo super conductor cermico de alta Tc basado en un oxido de cobre, bario e itrio. Estos materiales son excepcionales por ser cermicos cuya resistencia elctrica, desaparece a bajas temperaturas. (Fuente: ill.fr/dif/3D-crystals/superconductor.html; M. Hewat 1998.)
74
75
Materiales con enlaces covalentes Con frecuencia tienen estructuras complicadas para satisfacer las restricciones direccionales que imponen los enlaces. Estructura cbica del diamante Los elementos como el Si, el Ge, el alfa Sn y el carbono (en su forma de diamante) estan unidos por cuatro enlaces covalentes que producen un tetraedro.
76
Figura 3.38 (a) Tetraedro y (b) Celda unitaria cbica del diamante (DC) . Se produce esta estructura abierta por los requerimientos del enlace covalente.
77
Ejemplo 3.17 Determinacin del factor de empaquetamiento para el silicio cbico tipo diamante.
Determine su factor de empaquetamiento.
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figura 3.39 Determinacin de la relacin entre el parmetro de red y el radio atmico en una celda cbica de diamante. (para el ejemplo 3.17).
78
Ejemplo 3.17 SOLUCION Los tomos se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo de la celda. Aunque no hay tomos en todos los lugares de la diagonal hay huecos que tienen el mismo dimetro que los tomos, en consecuencia:
3a 0 = 8r
Si hay 8 tomos por cada celda unitaria entonces la densidad:
81
82
84
Figura 3.43 Interacciones (a) Destructiva y (b)Constructiva entre Rx y el material cristalino. El refuerzo, o interaccin constructiva, sucede en ngulos que satisface la Ley de Bragg.
85
86
Figura 3.45 (a) Diagrama de un difractmetro donde se observan la muestra en polvo y los haces incidente y difractado. (b) Figura de difraccin obtenida con una muestra de polvo en oro.
87
Determine la estructura cristalina, los ndices del plano que produce cada pico y el parmetro de red del material. 88
Ejemplo 3.20 SOLUCION Primero se determina sin2 para cada pico y despues se divide entre el valor mnimo, 0.0308.
89
Ejemplo 3.20 SOLUCION (Continuacin) Para calcular la distancia entre planos se puede usar cualquiera de los valores de 2 de los picos y luego el parmetro de la red.Si escogemos el pico 8: 2 = 59.42 o = 29.71
d 400
90
Figura 3.46 Fotografa de un microscopio electrnico de transmisin (TEM) usado para el anlisis de la microestructura de materiales. (Cortesia de JEOL USA, Inc.)
91
Figura 3.47 Micrografa electrnica de transmisin de una muestra de aleacin de Al. La figura de difraccin de la derecha muestra manchas luminosas grandes que representan la difraccin de los principales granos de la matriz de aluminio, las manchas ms pequeas se originan en cristales de nanoescala de otro compuesto que esta presente en esa aleacin. (Cortesa del Dr. Jrg M.K. Wiezorek, University of Pittsburgh.)
92
Figura 3.48 Determine los ndices de Miller, para las direcciones mostradas
93
Figura 3.49 Determine los ndices para las direcciones en la celda unitaria.
94
Figura 3.50 Determine los ndices para los planos en la celda unitaria cbica.
95
Figura 3.51 Determine los ndices para los planos de la celda unitaria cbica.
96
Figura 3.52 Determine los ndices para las direcciones en la red hexagonal, usando el sistema de 3 y 4 dgitos.
97
Figura 3.53 Determina los ndices para las direcciones en la red hexagonal, usando 3 y 4 dgitos.
98
99
100
Figura 3.56 Si se usaron Rx longitud de onda de = 0.15418nm Determine:La estructura cristalina,parmetro, los ndices de los planos que produce cada pico.
101
102