El condensador MOS consiste en una estructura de metalxido-semiconductor . El "metal" placa es un fuertemente dopado n + de poli-silicio.

La capa aislante es dixido de silicio y la otra placa del condensador es la capa semiconductora que en nuestro caso es de tipo n de silicio.

Estructura PMOS

Est formada por un sustrato de silicio dopado con huecos. Al aplicar un potencial de compuerta positivo, los electrones (portadores minoritarios) son atrados hacia la capa de xido de compuerta . Los huecos son repelidos de la capa de xido de compuerta lo que ocasiona una acumulacin de electrones en la cercana del xido, en donde el silicio presenta un exceso de electrones y por lo tanto es de tipo n.

Estructura NMOS

Est formada por un sustrato de silicio dopado con electrones. Al aplicar un potencial de compuerta negativo, los huecos (portadores minoritarios) son atrados hacia la capa de xido de compuerta. Los electrones son repelidos del xido de compuerta. Los huecos se acumulan en la cercana del xido, en donde el silicio acumula un exceso de huecos y por lo tanto es de tipo p.

Para entender los diferentes modos de polarizacin de un condensador MOS se consideran tres diferentes voltajes de polarizacin.

Estos regmenes de polarizacin se llaman el modo de acumulacin, el agotamiento y la inversin adems tenemos dos tensiones que separa cada regin.

Una debajo de la tensin flatband, V FB, un segundo entre la tensin flatband y la tensin de umbral, V T, y finalmente un mayor que la tensin umbral.

Flatband
El trmino se refiere a flatband (anda plana) hecho de que el diagrama de banda de energa del semiconductor es plana, lo que implica que no existe carga en el semiconductor. (VFB)

Tensin de umbral
El voltaje de Umbral se define cuando la concentracin de portadores en el canal es igual a la del dopaje granel. (VT)

 Acumulacin

Se produce cuando se aplica un voltaje menor que el voltaje flatband. La carga negativa en la puerta atrae agujeros del substrato a la interfaz xidosemiconductor

De este modo que casi la totalidad de la variacin potencial est dentro del xido. La acumulacin de carga en el equilibrio (VGB = 0)

Agotamiento

Al incrementar el potencial de compuerta, los electrones y los huecos se comienzan a recombinar en el semiconductor para formar la regin de agotamiento.

 Inversin

Para voltajes ms all de la tensin de umbral, otro tipo de carga negativa emerge en la interface xido-semiconductor: esta carga se debe a portadores minoritarios, que forman una capa de inversin

Tensin flatband (VFB) Tensin de umbral (VT) CHF: Capacitancia de alta frecuencia GCC : Capacitancia de frecuencia cuasi-estticos o de baja

El funcin de trabajo de un semiconductor, F S, esta un poco ms pensado desde la energa de Fermi vara con el tipo de dopaje, as como con la concentracin de dopaje.
N-MOS

P-MOS