CAPTULO 2

2.2

CARACTERSTICAS DE U M CIRCUITO REGULADOR

Fontes de Tenso e Corrente

Prof. Dr. Sebastio Gomes dos Santos Filho 2.1 INTRODUO No Captulo 1 sobre retificadores foram introduzidos os filtros capacitivo e indutivocapacitivo. Na maioria das aplicaes prticas, a estabilidade da tenso de sada de um bloco retificador com filtro no satisfatria devido a sua sensibilidade a variaes da tenso de entrada, do valor da carga conectada a sada, e ondulaes devidas ao processo de filtragem. Torna-se, ento necessrio introduzir circuitos reguladores, cuja funo melhorar a estabilidade da tenso de sada (regulao) a fim de que esta permanea constante independente de outras flutuaes. A figura 1 mostra o diagrama de blocos de uma fonte de tenso regulada.

Um circuito regulador de tenso (ou corrente) normalmente alimentado por uma fonte no regulada que fornece uma tenso contnua (CC) com uma componente alternada sobreposta. Como resultado, na sada do circuito regulador temos uma tenso ou corrente contnua (CC) regulada com a componente alternada bastante atenuada, como mostra a figura 2. O parme tro mais importante de um circuito regulador a regulao ou estabilizao, que mede a variao da sada regulada (tenso ou corrente) como resultado de mudanas em um ou vrios parmetros do circuito. A seguir definiremos diversos termos para as fontes d e tenso sendo que eles devem ser reinterpretados para fontes de corrente.

Figura 2: Variveis a serem consideradas na anlise de um circuito regulador

A regulao de uma fonte denominada mais adequadamente de regulao estatstica total e a mxima variao na tenso de sada resultante dos efeitos conjugados da variao simultnea de todos os parmetros do circuito. A tenso estabilizada de sada (VS) dependente de trs variveis independentes: corrente de sada (IS), tenso de entrada (VE) e temp eratura de operao (T):
VS = f ( I S ; V E ; T )

(1)

A variao total da tenso de sada em funo das trs variaes parciais expressa por:
dVS =
Figura 1: Diagrama de blocos de uma fonte. de tenso regulada

VS I S

dI S +

VS VE

dVE +

VS T

dT

(2)

Alm dos reguladores de tenso, existem tambm os reguladores de corrente, cuja funo manter a corrente de sada constante, independente de variaes no valor da carga conectada na sada ou da ondulao da tenso de entrada. Neste Captulo vamos estudar circuitos reguladores de tenso e corrente utilizando transistor bipolar.

onde as derivadas parciais representam respectivamente a resistncia de sada do regulador (RS), o coeficiente de regulao (A S) e o coeficiente de temperatura (T). Considerando-se a expresso anterior de forma simplificada, podemos substituir diferenciais por diferenas e obteremos ento:
VS = R S I S + A S V E + T VS T

(3)

Das trs parcelas apresentadas na equao acima, nos preocuparemos apenas com as duas primeiras parcelas, regulao quanto a tenso de entrada e regulao quanto a corrente de sada , sendo que aquela que reflete a influncia da temperatura no ser analisada.

Eletrnica Experimental

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2.2.1 Regulao de Entrada A regulao quanto a tenso de entrada mede as variaes na tenso de sada quando variamos o nvel CC na entrada do regulador ou a tenso CA de alimentao na entrada da fonte, isto , na entrada do retificador (figura 1). Em especificaes tradicionais, para facilitar a caracterizao da fonte, a regulao d entrada dividida em duas componentes, a e regulao de linha e a rejeio de ripple. Note porm que estas duas parcelas tm um significado mais restritivo que a regulao de entrada e portanto no refletem todas as variaes observadas pela regulao de entrada. 2.2.1.1 Regulao de Linha ( R Li )

2.2.2 Regulao de Carga (R C) Esta caracterstica mede a variao da tenso de sada quando a resistncia de carga varia de um valor mnimo (situao de plena carga) a um valor mximo (para fontes de tenso normalmente carga infinita, ou em aberto), considerando a tenso de entrada e a temperatura constantes.
RC = VS
R L = R Lmx

VS

R L = R L min

VS

100 %

(9)

R L = R Lmx

Para circuitos reguladores, esta caracterstica refere-se estabilidade da tenso de sada em relao a variaes CC numa suposta tenso de entrada CC livre de ondulaes (ripple), mantendo-se a resistncia de carga constante (plena carga).

R Li =
2.2.1.2 Rejeio de Ripple (RR)

VS VE

R L =cte

(4)

Esta caracterstica mede, para uma determinada carga de sada, a atenuao ou diminuio da ondulao (ripple) de entrada ao passar pelo circuito regulador.

VPPS VS RR = Ripple de Entra da VPPE VE Ripple de Sada

Para ond ulao triangular:

Ripple de Sada ou RR(dB) = 20 log Ripple de Entrada

(5)

importante observar que dois reguladores podem ter exatamente o mesmo valor para regulao de carga e no entanto comportarem de forma totalmente diferente em condies -se dinmicas, isto , quando cargas transientes so aplicadas. O procedimento habitual para medir a regulao de carga ajustar o valor da carga correspondente mnima corrente ( em geral zero), medir o valor da tenso de sada, ajustar o valor da carga para a mxima corrente e medir o valor da tenso de sada. As medidas so realizadas com intervalo suficiente para que o regulador se estabilize para cada um dos valores de corrente de sada. Infelizmente, na prtica muitas das cargas so menos pacientes. Se um regulador no consegue responder rapidamente a variaes na corrente de sada (sua resposta em freqncia limitada), variaes instantneas na tenso de sada vo ocorrer. Essa variao instantnea causada por uma carga pode afetar o desempenho dos circuitos alimentados e, se tivermos vrios circuitos alimentados ao mesmo tempo (que podemos encarar como vrias cargas) a variao instantnea causada por uma carga pode afetar as outras atravs da fonte de alimentao. Isto muito comum em circuitos digitais. 2.2.3 Fator de Rendimento

Ripple de Sada =

Valor Eficaz da Componente Alternada de Sada Tens o Contnua de Sada

V alor Eficaz da Componente Alternada de Entrada Tenso Contnua de Entrada

VPP S 2 3 = VS

(6)

Ripple de Entrada =

V PPE = 2 3 VE

O Fator de Rendimento ( ) determina a parcela da potncia fornecida na entrada do circuito que efetivamente entregue carga. No caso de circuitos reguladores, pode-se estabelecer que:
= VS I S 100% VE I E

(7)

VPPS= tenso pico a pico da componente alternada de sada VPPE =tenso pico a pico da componente alternada de entrada e portanto neste caso: V V RR(dB) = 20 log PPS E VPPE VS (8)

Deve-se tomar muito cuidado ao comparar-se a regulao de carga e rejeio de ripple em especificaes de fontes pois no existe um conjunto de procedimentos consensual para sua determinao.
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2.3 REGULADORES A TRANSISTOR

2.3.1 Relaes Bsicas do Transistor Bipolar O transistor de juno consiste em duas junes que esto proximamente interligadas pelo lado N ou pelo lado P, formando um transistor PNP ou NPN, respectivamente. Na figura 3 temos uma representao dos dois tipos de transistores bipolares bem como seus smbolos e os respectivos sentidos da tenso e da corrente. A regio central do transistor chamada de regio de base. Se uma tenso aplicada entre o coletor e o emissor do transistor, conforme indicado na figura 3, a juno base emissor ficar diretamente polarizada e a juno base-coletor ficar reversamente polarizada. Como resultado, tomando o transistor NPN como exemplo, eltrons da regio N cruzam a base e lacunas da base passam para regio N. Os eltrons ao entrar na base difundem atravs da mesma (praticamente sem se recombinarem) em direo a juno coletor-base reversamente polarizada. Logo que estes eltrons entram na camada de depleo associada com a juno coletor-base, estes so acelerados em direo ao coletor. Se injetarmos uma corrente na base, uma maior quantidade de eltrons sero atrados e injetados na base em direo ao coletor resultando numa maior corrente de coletor.

Os valores da constante variam de transistor para transistor, m de forma geral situa -se na as faixa de 0,95 1,00. O valor da constante por sua vez varia de 20 a 1000 na maioria dos transistores. Durante a operao normal do transistor, a juno base-emissor apresenta uma tenso constante cujo valor situa-se na faixa de 0,5V a 0,7V para transistores de silcio. O transistor bipolar apresenta mais duas regies de operao, nas quais as relaes lineares anteriormente apresentadas deixam de ser vlidas. Dizemos que o transistor est saturado , quando as junes base-emissor e base-coletor esto diretamente polarizadas de modo que a tenso coletor-emissor fica prxima de zero. Por outro lado, dizemos que um transistor est cortado quando as junes base-emissor e coletor-base esto ambas reversamente polarizadas e como resultado, a corrente entre o coletor e o emissor prxima de zero. Na sua regio de operao normal , o transistor no pode ultrapassar determinados, limites de tenso, corrente e potncia que so comumente especificados pelo fabricante. Estes limites so os seguintes: ICmx VCemx PCmx Corrente mxima de coletor Tenso mxima entre coletor e emissor Potncia mxima do coletor

Onde a potncia mxima de coletor corresponde ao seguinte produto:

PC = VCE I C PCmx

(16)

A figura 4 mostra a curva caracterstica I xV C E parame trizada em I . Neste grfico, a C B regio ativa de operao fica delimitada pelas regies de corte e saturao e pelos limites de tenso, corrente e potncia.
Figura 3: Transistor bipolar : (a) NPN (b) PNP

Como resultado do efeito transistor, que foi descrito anteriormente de forma simplificada, podemos estabelecer relaes matemticas que descrevem o funcionamento do transistor na regio de operao linear (tambm conhecida como normal ou ativa) ou seja: IE = IC + I B (10)

IC cons tan te = IE
IC IB cons tan te = = 1

(11)

(12)

IE 1 cons tan te = + 1 = IB 1
VCE = VCB + VBE p/ Transistor NPN VEC = VBC + VEB p/ Transistor PNP

(13)
Figura 4: Regio ativa de operao do transistor

(14) (15)

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2.3.2 Diodo Zener O diodo zener um dispositivo especialmente projetado para operar reversamente polarizado em uma regio de ruptura controlada por efeito zener. Para que o efeito zener ocorra, devemos ter uma juno P abrupta com concentraes de dopantes elevadas em cada -N lado da juno. Como resultado, a barreira de potencial torna-se bastante abrupta de modo que a aplicao de uma pequena tenso reversa (alguns volts) suficiente para provocar o tunelamento dos eltrons diretamente da faixa de valncia para a faixa de conduo. Assim, numa tenso de zener caracterstica, observa-se um aumento substancial da corrente reversa. A figura 5 mostra a curva caracterstica ID xV D de um diodo zener tpico.

2.3.3 Fonte Regulada com Diodo Zener A caracterstica do diodo zener de manter uma tenso constante entre seus terminais pode ser utilizada na obteno de uma fonte de tenso regulada. A figura 6 abaixo mostra uma fonte regulada utilizando diodo zener e resistor.

Figura 6: Fonte regulada com diodo zener e resistor

Figura 5: Curva caracterstica IDxV D do diodo zener

O diodo zener ideal possui uma resistncia interna RZ nula e tenso de operao caracterstica VZ = VZmn = V Zmax enquanto que o diodo real apresenta uma resistncia interna RZ da ordem de dcimos de ohms at no mximo alguns ohms. A tenso de ruptura, tambm chamada de tenso zener (VZ), caracterstica do diodo. Esta tenso apresenta valores desde alguns volts, at dezenas de volts para os diodos zener comerciais. Normalmente, o fabricante especifica no manual de operao a corrente mxima que pode circular atravs do diodo (IZmx ), a corrente mnima que deve circular atravs do diodo (I zmin ) para que ele ainda esteja na regio zener, a resistncia interna (R ), a tenso zener para Z dada corrente de operao, potncia mxima que o diodo pode dissipar (PZ) e a sensibilidade de tenso zener com a temperatura (S). O valor da corrente mxima no zener pode ser obtido aproximadamente a partir de potncia mxima do diodo zener (normalmente um valor arredondado) como segue:
I Zmx = PZmx VZ

A bateria E na figura 6 representa uma fonte no regulada cuja tenso varia na faixa entre Emin e Emx . Podemos ento calcular a resistncia R que vai limitar a corrente mxima atravs do diodo e tambm a resistncia de carga mnima (RLmn ) que corresponde a corrente mxima que a sada da fonte pode fornecer. A resistncia R deve ser dimensionada de forma que mesmo na situao em que a resistncia de carga infinita, no seja ultrapassada a corrente mxima atravs do diodo, portanto:
E mx VZ E VZ I Z mx, ou R max R I Z max

(18)

Para calcular o valor da corrente mxima na carga (ILmx ) ou o valor mnimo da resistncia de carga (RLmn ), temos que considerar a pior condio em relao a fonte no regulada, que ocorre quando o valor de E mnimo. Nestas condies temos:

I1 =

E min Vz R

(17)

Quando a carga mnima (ILmx ) temos que a maior parte de I1 destina-se carga. Nesta condio deve-se garantir que IZIZmm. Logo:

O valor da corrente mnima do diodo, de modo que a tenso zener ainda seja constante em primeira aproximao, geralmente tomado como sendo igual a 5% da corrente mxima permissvel (IZmx ).
I Zmn = 5 % I Zmx

I L mx =

E mi n Vz I Z mi n R

(19)

O valor da resistncia mnima de carga ser ento:

R L mi n =
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Vz I L mx
(20)
Fontes de Tenso e Corrente C a p . 2-8

O diodo zener na regio de operao reversa pode ser modelado como uma bateria de valor VZ0 em srie com uma resistncia de valor RZ (o valor V Z0 pode ser obtido a partir dos valores nominais VZnom , IZnom e RZ fornecidos no manual do fabricante do diodo zener, como ilustra a figura 7). A figura 7 mostra o circuito equivalente a ser analisado. As mudanas na tenso de entrada VE e da sensibilidade da tenso zener VZ com a temperatura supondo que RL e RZ apresentem valores fixos. Nesta situao demonstra-se que a seguinte expresso:

2.3.4 Fonte Regulada com Transistor e Diodo Zener Na figura 8 mostrado um regulador srie de tenso em que o transistor, alm de permitir multiplicar a corrente de carga, funciona como um resistor varivel em srie com o resistor de carga a fim de que a tenso de sada se mantenha constante, por imposio de projeto. Neste circuito foi mantido o diodo zener como regulador, mas foi introduzido o transistor entre o resistor de carga e diodo zener. Comparado ao caso exposto no item anterior, a corrente desviada para a base do transistor +1 vezes menor que a corrente na carga (uma vez que o transistor opera na regio normal).

Vs =

VE + Tc T VZnom Rz + RL 1+ R Rz RL

(21)

onde TC chamado coeficiente de temperatura que tipicamente da ordem de 0,05%/C.

Figura 8: Regulador srie de tenso com transistor e diodo zener

Analisando a malha de sada deste regulador, a tenso de sada dada por:

VS = V Z V BE = VZ 0, 6

(22)

Como na anlise feita no item anterior, a corrente mxima na base do transistor obtida atravs de expresso 19. Portanto a corrente mxima na carga ser +1 vezes maior, ou seja: IL ' = IE = ( + 1) IB (23) O valor de corrente obtido pela expresso 23 o valor mximo considerando a fonte a partir do diodo zener. No entanto conforme j vimos, o transistor apresenta uma corrente mxima de coletor que no pode ser ultrapassada. Tambm no devem ser ultrapassados os limites de potncia mxima de coletor e tenso mxima entre coletor e emissor. Devemos, portanto, impor as seguintes condies:
Figura 7: Circuito Equivalente do Regulador de Tenso com diodo zener

I L '' I Cmx '

(24)

VCE VCEmx (25)

IL'''

PCmx V CE

(26)

onde a tenso entre coletor e emissor dada por:

VCE = E mx (V Z V BE )

(27)

e a tenso Emx , corresponde ao valor mximo da bateria E. A corrente mxima na carga ser portanto o mnimo valor obtido das expresses 23, 24 e 25. Ou seja, I Lmx = min (I L ', I L '' , I L''' ) (28)

O valor mnimo da resistncia de carga ser portanto:

R L mi m =

VS I L mx (32)

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2.3.5 Fonte de Corrente a Transistor A figura 9 mostra o circuito de um regulador de corrente utilizando transistor e diodo zener. Neste regulador, a queda de tenso sobre a resistncia R constante uma vez que a juno E base-emissor est diretamente polarizada com queda de tenso igual 0,6V pois o transistor bipolar est operando na regio normal, por imposio de projeto. Portanto, a corrente de emissor e dada por:

Figura 9: Fonte de corrente com transistor e diodo zener

IE =

(30) Considerando que a corrente de coletor praticamente igual a corrente de emissor a corrente no resistor de carga ser constante e igual a I E (expresso 30). Neste tipo de regulador, ao contrrio do regulador de tenso, temos a limitao de resistncia mxima de carga. A queda de tenso sobre o resistor R B dada por:

VZ VBE RE

VR B = E VZ

(31)

O circuito deixa de ser uma fonte de corrente no instante em que a queda de tenso sobre o resistor de carga supera a queda de tenso sobre o resistor RB . Nesta situao, a juno coletor-base passa a ficar diretamente polarizada e o transistor entra na regio de saturao. O valor mximo de resistncia de carga pode ser obtida na condio em que a queda de tenso coletor-base se anula (VR L = VR B ).
R Lmx = E VZ IL

(32)

2.4 BIBLIOGRAFIA 1. Linear/Switchmode Voltage Practice , Motorola, 1982. Regulator Handbook: Theory and

2. A.M.V. Cipelli e W.J. Sandrini, Teoria e Desenvolvimento de Projetos de Circuitos Eletrnicos , Ed. rica, 13 a Ed., 1986. 3. O. Ferenczi, Power Supplies: Part A - Linear Power Supplies, DC -DC Converters . Elsevier, 1987.

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