UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA MATERIAIS DE CONSTRUO MECNICA

DEFEITOS CRISTALINOS

MARCELINO PEREIRA DO NASCIMENTO

DEFEITOS CRISTALINOS
Uma irregularidade na rede cristalina da ordem de um dimetro atmico em uma ou mais de suas dimenses. muitas propriedades esto relacionadas com estes defeitos;
freqentemente, defeitos so induzidos propositalmente nos materiais.

CLASSIFICAO:

Lacunas ou Vacncias tomos Intersticiais tomos Substitucionais

Discordncias Contornos de Gros

Defeitos Pontuais

Defeitos Lineares Defeitos Interfaciais (de fronteira)

CLASSIFICAO DOS DEFEITOS PONTUAIS

CLASSIFICAO DOS DEFEITOS PONTUAIS

Vazios

Intersticiais

Vazios: stios atmicos vagos na estrutura cristalina Intersticiais: tomos extras ocupando posies entre os stios atmicos Substitucionais: tomos de elementos estranhos inseridos na rede cristalina

Substitucionais

DEFEITOS PONTUAIS:
Lacuna (ou vacncia) = ausncia de um tomo ou on em uma posio cristalogrfica

Distoro de planos
So formados durante a solidificao do cristal ou como resultado das vibraes atmicas (os tomos deslocam-se de suas posies normais)

DEFEITOS PONTUAIS: VACNCIAS

VACNCIAS - EXEMPLO
Calcule a concentrao de vacncias no cobre a 25oC. A que temperatura ser necessrio aquecer este metal para que a concentrao de vacncias produzidas seja 1000 vezes maior que a quantidade existente a 25oC? Assuma que a energia para a formao de lacunas seja 20000 cal/mol e o parmetro de rede para o cobre CFC 0,36151 nm.

Soluo: O nmero de tomos ou posies na rede cristalina, por unidade de volume, do cobre : Nv = a 25C (T=298K): Nv = 8,47x1022 e-20000/(1,987 x 298) = 1,81x108 lacunas / cm3 4 tomos/clula = 8,47x1022 tomos Cu/cm3 -8 3 (3,6151x10 cm)

para que Nv seja 1000 vezes maior,

1,81x1011 = 8,47x1022e-20000/(1,987 T) T = 102 C

VACNCIAS - EXEMPLO
No ferro com estrutura CFC, tomos de carbono podem ocupar o centro de cada aresta (posio 1/2, 0, 0) e o centro da clula unitria (1/2, 1/2, 1/2). No ferro CCC, os tomos de carbono podem se localizar em posies como a 1/4, 1/2, 0. O parmetro de rede do Fe 0,3571 nm para a estrutura CFC e 0,2866 nm para o ferro CCC. Assuma que os tomos de carbono tenham raios de 0,071 nm. 1) Em qual dessas situaes ocorrer a maior distoro do cristal pela presena de tomos intersticiais de carbono? 2) Qual seria a porcentagem de tomos de carbono em cada tipo de ferro se todos os stios intersticiais fossem ocupados?

,, ,0,0 ,0,0

,,0

CFC

CCC

VACNCIAS - EXEMPLO

Para a estrutura CFC, R = 2 a0 / 4 = 0,1263 nm. Alm disso, segundo a figura abaixo,

2r + 2R = a0
ento,

r R

r = 0,0522 nm
Desta forma, como o espao intersticial menor no ferro CCC, os tomos de carbono distorcero mais este tipo de estrutura.

VACNCIAS - EXEMPLO

b) A estrutura CCC possui dois tomos de ferro em cada clula unitria. Alm disso, existem 24 posies intersticiais do tipo ,,0. Entretanto, como cada posio est localizada na face da clula, apenas metade de cada stio pertence exclusivamente a uma clula. Assim, existem de fato 12 posies intersticiais para cada clula unitria. Se todas estas posies estiverem ocupadas, a porcentagem atmica de carbono contida no ferro ser

12 tomos de carbono X100 = 86% %at C= 12 tomos de carbono + 2 tomos de ferro

Na estrutura CFC, existem 4 tomos de ferro e 4 posies intersticiais em cada clula. Assim,

tomos de carbono X100 = 50% %at C= 4 tomos 4 de carbono + 4 tomos de ferro

CCC: 1,0% CFC: 8,9%

DEFEITOS PONTUAIS INTERSTICIAIS

Presena de um tomo ou on em uma posio no pertencente estrutura cristalina; Envolve um tomo extra no interstcio (do prprio cristal); Produz uma distoro no reticulado, j que o tomo geralmente maior que o espao do interstcio; A formao de um defeito intersticial implica a criao de uma vacncia, por isso este defeito menos provvel que uma vacncia.

Distoro de planos

DEFEITOS PONTUAIS INTERSTICIAIS

DEFEITOS PONTUAIS INTERSTICIAIS

DEFEITOS PONTUAIS
SCHOTTKY
Presentes em compostos que tem que manter o balano de cargas; Envolve a falta de um nion e/ou um ction; Vazios (vacncias/lacunas) e Schottky favorecem a difuso.

Defeito Schottky

Defeito Frenkel

FRENKEL
Ocorre em slidos inicos, quando um on sai de sua posio normal e vai para um interstcio.

DEFEITOS PONTUAIS

DEFEITOS PONTUAIS
SUBSTITUCIONAIS:
Quando um tomo da rede cristalina substitudo por outro de tamanho diferente.

DEFEITOS PONTUAIS IMPUREZAS EM SLIDOS

Um metal considerado puro sempre tem impurezas (tomos estranhos) presentes 99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3 A presena de impurezas promove a formao de defeitos pontuais

IMPUREZAS EM SLIDOS
H sempre impurezas em cristais metlicos e que podem ser vistos como

defeitos pontuais.

Ligas:

tomos de impurezas so adicionados intencionalmente a uma

estrutura cristalina formada por outro tomo para gerar propriedades especficas nos materiais.

Adio de impurezas : soluo slida (menor limite de solubilidade); formao de 2a fase (maior limite de solubilidade). Elementos em uma liga:

Solvente : elemento ou composto presente em maior quantidade

Soluto: elemento ou composto presente em menor quantidade Fase: poro homognea de um material com caractersticas

fsicas e qumicas uniformes.

SOLUES SLIDAS
Dois ou mais elementos dispersos em uma nica fase.
A estrutura cristalina do material que atua como matriz mantida e no formam-se novas estruturas
A solubilidade depende :
Temperatura Tipo de impureza

Concentrao da impureza

Substitucionais Ex. Cu em Ni

Intersticiais Ex. C em Fe

As solues slidas formam-se mais facilmente quando o elemento de liga (impureza) e matriz apresentam estrutura cristalina e dimenses eletrnicas semelhantes

SOLUES SLIDAS
SUBSTITUCIONAL:
tomos do solvente substitudos por tomos do soluto no reticulado; a estrutura do solvente no muda, mas se deforma;

Substitucionais Ex. Cu em Ni

Intersticiais Ex. C em Fe

TIPOS DE SOLUO SLIDA SUBSTITUCIONAL

SUBSTITUCIONAL ORDENADA

SUBSTITUCIONAL DESORDENADA

SOLUO SLIDA SUBSTITUCIONAL

FATORES QUE INFLUEM NA FORMAO DE SOLUESSLIDASSUBSTITUCIONAISREGRA DE HOME-ROTHERY

Raio atmico deve ter uma diferena de no mximo 15%, caso contrrio pode promover distores na rede e assim formao de nova fase Estrutura cristalina mesma Eletronegatividade prximas Valncia mesma ou maior que a do hospedeiro

SOLUO SLIDA SUBSTITUCIONAL

EXEMPLO Cu + Ni so solveis em todas as propores
Cu Raio atmico Estrutura 0,128nm=1,28 A CFC Ni 0,125 nm=1,25A CFC

Eletronegatividade

1,9

1,8

Valncia

+1 (as vezes +2)

+2

SOLUO SLIDA SUBSTITUCIONAL

Elemento Raio atmico (nm) Estrutura Eletro negatividade Valncia

Cu Ag Al Co Cr Fe Ni Pd Zn

0,1278 0,1445 0,1431 0,1253 0,1249 0,1241 0,1246 0,1376 0,1332

CFC CFC CFC HEX CCC CCC CFC CFC HEX

1,9 1,9 1,5 1,8 1,6 1,8 1,8 2,2 1,6

+2 +1 +3 +2 +3 +2 +2 +2 +2

1) Mais Al ou Ag em Zn? 2) Mais Zn ou Al em Cu?

Solubilidades desprezveis, estruturas diferentes. Al maior valncia, mais solvel. Al (CFC), Zn (Hex). Al mais solvel.

SOLUO SLIDA SUBSTITUCIONAL

Porcentagem em peso (%p)

mi = massa do componente i

m1 %p x 100 m1 m2

Porcentagem atmica (%at)

nm1 %at x 100 nm1 nm 2

nmi = nmero de moles do componente i

SOLUO SLIDA SUBSTITUCIONAL

SOLUO SLIDA INTERSTICIAL

Os tomos de impurezas ou os elementos de liga ocupam os espaos dos interstcios Ocorre quando a impureza apresenta raio atmico bem menor que o hospedeiro Como os materiais metlicos tem geralmente fator de empacotamento alto as posies intersticiais so relativamente pequenas Geralmente, no mximo 10% de impurezas so incorporadas nos interstcios

SOLUO SLIDA INTERSTICIAL

solubilidade mxima do C no Fe 2,1% a 910 oC (Fe CFC) O C tem raio atmico bastante pequeno se comparado com o Fe rC= 0,071 nm= 0,71 A rFe= 0,124 nm= 1,24 A
O carbono mais solvel no Ferro CCC ou CFC, considerando a temperatura prxima da transformao alotrpica?

Fe + C

SOLUO SLIDA SEGUNDA FASE

Solues slidas com altas concentraes do soluto

Segunda fase Diferente composio Diferente estrutura

FASE poro do sistema fsico, quimicamente homogneo separada das demais por uma interface.

DEFEITOS LINEARES DISCORDNCIAS

As discordncias esto associadas com a cristalizao e a deformao (origem:

trmica, mecnica e supersaturao de defeitos pontuais)

A presena deste defeito a responsvel pela deformao, falha e ruptura dos materiais Podem ser: - Cunha - Hlice - Mista

DISCORDNCIA EM CUNHA
Envolve um SEMI-plano extra de tomos O vetor de Burger perpendicular direo da linha da discordncia Envolve zonas de trao e compresso

DEFEITOS LINEARES DISCORDNCIA EM CUNHA

INTERAO ENTRE DISCORDNCIAS
Repulso

Atrao e aniquilamento

Regies de trao e compresso ao redor da discordncia

Interao entre discordncias

DISCORDNCIA EM CUNHA
VETOR DE BURGER (b)
D a magnitude e a direo de distoro da rede Corresponde distncia de deslocamento dos tomos ao redor da discordncia

DEFEITOS LINEARES DISCORDANCIA EM HLICE

Produz distoro na rede O vetor de burger paralelo direo da linha de discordncia

DEFEITOS LINEARES DISCORDANCIA MISTA

o tipo mais provvel de discordncia e corresponde mistura de discordncias de aresta e espiral. Discordncias de aresta ou em espiral raramente ocorrem separadamente. O movimento de discordncias provocam deslizamentos, que resultam em deformaes permanentes (plsticas) no material.

DEFEITOS LINEARES DISCORDANCIA

MET Ti 51.450x

ATAQUE ETCH PITS LiF 750x

DEFEITOS LINEARES DISCORDANCIA

O que provoca a movimentao das discordncias a tenso cisalhante atuante no plano e na direo de deslizamento. Mesmo que a tenso aplicada ao material seja uma tenso normal, ela vai possuir uma componente cisalhante que atua no plano da discordncia. Quando esta tenso cisalhante atingir um valor crtico, a discordncia comear a se movimentar no plano e na direo. O valor crtico de pende do material e do sistema de deslizamento considerado (plano e direo). A quantidade e o movimento das discordncias podem ser controlados pelo grau de deformao (conformao mecnica) e/ou por tratamentos trmicos Com o aumento da temperatura h um aumento na velocidade de deslocamento das discordncias favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e formao de discordncias nicas Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em torno das discordncias formando uma atmosfera de impurezas O cisalhamento se d mais facilmente nos planos de maior densidade atmica, por isso a densidade das mesmas depende da orientao cristalogrfica As discordncias geram vacncias As discordncias influem nos processos de difuso As discordncias contribuem para a deformao plstica

DEFEITOS LINEARES DISCORDANCIA

DEFEITOS DE SUPERFCIES CONTORNOS DE GRO

DEFEITOS DE SUPERFCIES CONTORNOS DE GRO

Corresponde regio que separa dois ou mais cristais de orientao diferente um cristal = um gro; No interior de cada gro todos os tomos esto arranjados segundo um nico modelo e nica orientao, caracterizada pela clula unitria Os contornos de gro so regies repletas de defeitos cristalinos, tais como

lacunas e discordncias. Constituem obstculos ao deslizamento de discordncias responsvel pela deformao plstica e propagao de trincas. Dessa forma, quanto mais contornos de gro, mais resistente deformao e mais tenaz fica o material metlico. Por isso, o refino de gros constitui um eficiente mecanismo de aumento da resistncia e da tenacidade. A movimentao dos tomos (difuso) pelos contornos de gro tambm mais rpida, devido alta densidade de lacunas.

DEFEITOS DE SUPERFCIES CONTORNOS DE GRO

H um empacotamento ATMICO menos eficiente H uma energia mais elevada Favorece a nucleao de novas fases (segregao) favorece a difuso O contorno de gro ancora o movimento das discordncias

A passagem de uma discordncia atravs do contorno de gro requer energia

O contorno de gro ancora o movimento das discordncia pois constitui um obstculo para a passagem da mesma, LOGO QUANTO MENOR O TAMANHO DE GRO .........A RESISTNCIA DO MATERIAL
A forma do gro controlada: - pela presena dos gros circunvizinhos O tamanho de gro controlado - Composio qumica - Taxa (velocidade) de cristalizao ou solidificao