Disciplina de Fsica Geral 3 (FI108)

Primeiro Exerccio Escolar

07 de abril de 2010 Incio: 11:00 hs dura cao: 2:00 horas
Nao sera permitido nem necessario o uso de calculadoras.
Justique claramente todas as suas respostas. Respostas sem os respectivos calculos nao
serao consideradas.
Use
1
4
0
= 9 10
9
(Nm
2
/C
2
), se necessario.
1) Um material n ao-condutor na forma de uma barra na, de comprimento L, possui densidade linear
de cargas uniforme, com carga total Q. A barra se encontra ali-
nhada ao eixo x, com o plano x = 0 dividindo-a em duas partes
iguais, como mostrado ao lado na gura A.
(a) (1,0) Calcule o campo eletrico,

E , em um ponto sobre o eixo
y, ou seja, em r = y y, utilizando a lei de Coulomb.
(b) (1,0) Calcule o potencial eletrico, V (r), em um ponto sobre o
eixo y, ou seja, em r = y y. Determine, a partir de V (r), o campo eletrico neste ponto e compare
com o obtido no item (a).
(c) (1,0) Quatro barras iguais a dos itens anteriores s ao dispostas
unindo as extremidades de cada uma, de modo a formar um
quadrado, de aresta L e carga total 4Q (ver gura B). O eixo
de simetria deste polgono e posicionado ao longo do eixo z.
Encontre o potencial e o campo eletricos em r = z z.
2) Uma longa casca cilndrica constituda de material n ao-condutor possui raio interno R
1
e raio
externo R
2
(ver gura ao lado). O comprimento, L, da casca e muito
maior do que R
2
. A densidade volumetrica de cargas na casca obedece
`a rela cao (r) = A/r, onde r representa a dist ancia ao eixo de simetria
da casca cilndrica. Longe das extremidades da casca, calcule o m odulo
do campo eletrico, E(r), e a diferen ca de potencial eletrico entre um
ponto r e outro em r
ref
R
2
para os seguintes casos:
(a) (1,0) Em r R
2
.
(b) (1,0) Em R
1
r R
2
.
(c) (1,0) Em r R
1
.
Expresse suas respostas em termos de R
1
, R
2
e A.
3) Em uma dada regi ao do espa co, uma carga pontual positiva, q, posicionada na origem de um sistema
de coordenadas, tem em sua volta uma densidade volumetrica de cargas que depende da posi cao radial,
r, (em rela cao `a origem), de acordo com (r) =
A
4
exp(r/a)
r
, onde
A = 160 C/m
2
e a = 0, 1 nm.
(a) (0,5) Dado que o sistema e eletricamente neutro, determine q. Expresse sua
resposta em termos da carga de um eletron, |e| = 1, 60 10
19
C.
(b) (1,0) Calcule o m odulo do campo eletrico,

E, a uma dist ancia r da origem.
(c) (0,5) Encontre o potencial eletrico, V (r), a uma dist ancia r da origem. Utilize
a formula cao integral para obter V , considerando que o potencial seja igual
a zero em r . Devido `a simetria esferica, pode-se denir o ponto
r onde se deseja calcular V no eixo z e integrar sobre r

(ver gura ao
lado), utlizando coordenadas esfericas. Observe tambem que, desta forma,
|r r

| =

r
2
+ r
2
2r

r cos .
4) Em uma molecula de de am onia (NH
3
), umon de nitrogenio (N
3
) e tres ons de hidrogenio (H
1+
)
est ao dispostos em uma pir amide trigonal, onde os ons de hidrogenio
se encontram em um plano formando um tri angulo equilatero, en-
quanto que o on de nitrogenio se localiza no eixo de simetria do
tri angulo, de acordo com a gura ao lado. A dist ancia entre os ons
de hidrogenio e nitrogenio e de aproximadamente 0, 10 nm, enquanto
que a dist ancia entre os ons de hidrogenio e pr oxima a 0, 160 nm.
[Para simplicar os calculos, voce pode considerar o on N
3
na
origem e os hidrogenios nas posi coes r
1
= (0, 093 x 0, 036 z) nm,
r
2
= (0, 047 x + 0, 081 y 0, 036 z) nm e r
3
= (0, 047 x 0, 081 y
0, 036 z) nm, respectivamente].
(a) (1,0) Determine a energia eletrost atica (em eV) do sistema formado por estes ons, dado que a
energia eletrost atica e igual a zero quando a dist ancia entre estes tende a innito.
(b) (1,0) Calcule a for ca eletrost atica resultante sobre o on N
3
devido aos ons H
1+
. Expresse sua
reposta na forma vetorial.
Integrais que podem lhe ser uteis:
_
dt

a + t
2
= ln(t +
_
a + t
2
)
_
dt
(a + t
2
)
3/2
=
t
a

a + t
2
_
t
n
e
bt
dt =
t
n
e
bt
b

n
b
_
t
n1
e
bt
dt
onde a, b e n s ao constantes.
Elementos diferenciais de volume, dV , em coordenadas:
dxdy dz (cartesianas), r dr ddz (cilndricas), r
2
sen dr d d (esfericas)
GABARITO
1)
(a) (1,0) Escolhendo-se um elemento diferencial de carga dq = dx

(onde = Q/L) em r

= x

x,
tem-se campo eletrico
d

E =
dq
4
0
r r

|r r

|
3
=
dx

4
0
y y x

x
(x
2
+ y
2
)
3/2
Por simetria a soma das componentes paralelas ao eixo x se cancelam. Logo,

E(y y) = E y, onde
E =
_
L/2
L/2
dx

4
0
y
(x
2
+ y
2
)
3/2
=
y
4
0
_
L/2
L/2
dx

(x
2
+ y
2
)
3/2
=
y
4
0
x

y
2
_
x
2
+ y
2

L/2
L/2
Ou seja,

E(y y) = y

2
0
y
L/2
_
(L/2)
2
+ y
2
= y
Q/L
2
0
y
1
_
1 + (2y/L)
2
(b) (1,0) O potencial eletrico pode ser obtido a partir de (considerando V (r ) = 0)
V (y y) =
1
4
0
_
L/2
L/2
dx

_
x
2
+ y
2
=

4
0
ln
_
x

+
_
x
2
+ y
2
_

L/2
L/2
=

4
0
ln
_
_
L
2
+
_
_
L
2
_
2
+ y
2

L
2
+
_
_
L
2
_
2
+ y
2
_
_
Logo,
V (y y) =
Q
4
0
L
ln
_

_
_
1 +
_
2y
L
_
2
+ 1
_
1 +
_
2y
L
_
2
1
_

_
O campo eletrico ao longo de y pode ser obtido derivando V em rela cao a y,
E
y
=
V
y
=
Q
4
0
L
_
1
(
_
L
2
+ (2y)
2
+ L)
4 2y
2
_
L
2
+ (2y)
2

1
(
_
L
2
+ (2y)
2
L)
4 2y
2
_
L
2
+ (2y)
2
_
E
y
=
Q
4
0
L
4y
_
L
2
+ (2y)
2
_
_
L
2
+ (2y)
2
L
_
L
2
+ (2y)
2
L
L
2
+ (2y)
2
L
2
_
=
Q
2
0
L
L
y
_
L
2
+ (2y)
2
Ou seja,
E
y
(y y) =
V
y
=
Q/L
2
0
y
1
_
1 +
_
2y
L
_
2
Este e igual ao resultado encontrado no item anterior.
(c) (1,0) Para resolver este item podemos partir da integra cao da contribui cao de um elemento
diferencial de carga de cada barra para o potencial eletrico, V , (ou para o campo eletrico,

E).
Escolhendo calcular o potencial eletrico para depois encontrar

E por deriva cao de V , ter-se-ia
V (z z) =
1
4
0
_
L/2
L/2
dy

_
(L/2)
2
+ y
2
+ z
2
+
1
4
0
_
L/2
L/2
(dx

)
_
(L/2)
2
+ x
2
+ z
2
+
1
4
0
_
L/2
L/2
(dy

)
_
(L/2)
2
+ y
2
+ z
2
+
1
4
0
_
L/2
L/2
(dx

)
_
(L/2)
2
+ x
2
+ z
2
=

4
0
_
L/2
L/2
du
_
u
2
+ (L/2)
2
+ z
2
=

0
ln
_
_
(L/2)
2
+ (L/2)
2
+ z
2
+ L/2
_
(L/2)
2
+ (L/2)
2
+ z
2
L/2
_
V (z z) =
Q

0
L
ln
_
_
z
2
+ L
2
/2 + L/2
_
z
2
+ L
2
/2 L/2
_
Para campo eletrico,

E = zE
z
E
z
(z z) =
V
z
=
Q

0
L
_

_
z
_
z
2
+ L
2
/2
_
z
2
+ L
2
/2 + L/2

z
_
z
2
+ L
2
/2
_
z
2
+ L
2
/2 L/2
_

_
=
Q

0
L
z
_
z
2
+ L
2
/2
_
z
2
+ L
2
/2 L/2
_
z
2
+ L
2
/2 L/2
z
2
+ L
2
/2 L
2
/4

E(z z) = z
Q

0
z
_
z
2
+ L
2
/2
1
[z
2
+ (L/2)
2
]
SOLUC

AO ALTERNATIVA
Uma outra maneira de resolver este item seria utilizando os resultados dos itens (a) e (b) e o
princpio da superposi cao, pois tanto V como

E obedecem a este princpio. Para isto, basta
notar que um ponto no eixo z se encontra em planos que seccionam cada uma das barras em
duas partes iguais. A dist ancia deste ponto em z ao ponto medio de cada barra e igual a
_
z
2
+ (L/2)
2
. Portanto, podemos utilizar

E e V dos itens (a) e (b), onde, ao inves de y teremos
_
z
2
+ (L/2)
2
.
Cada barra contribui com campo eletrico de m odulo
E
barra
=
Q/L
2
0
_
z
2
+ (L/2)
2
1
_
1 +
_
2
L
_
2
_
z
2
+
_
L
2
_
2
_
=
Q/L
2
0
_
z
2
+ (L/2)
2
1
_
2 +
_
2z
L
_
2
e potencial eletrico
V
barra
=
Q
4
0
L
ln
_
_
L
2
+ (2z)
2
+ L
2
+ L
_
L
2
+ (2z)
2
+ L
2
L
_
=
Q
4
0
L
ln
_
_
2L
2
+ (2z)
2
+ L
_
2L
2
+ (2z)
2
L
_
Como todas as barras contribuem com o mesmo valor de V
barra
, temos
V (z z) = 4V
barra
=
Q

0
L
ln
_
_
z
2
+ L
2
/2 + L/2
_
z
2
+ L
2
/2 L/2
_
Para a determina cao de

E(z z), observe que o campo

E
barra
gerado por cada barra tem compo-
nentes ao longo do eixo z e perpendiculares ao este eixo. No entanto, as componentes perpen-
diculares a z se cancelam mutuamente. As componentes de

E
barra
paralelas a z s ao dadas por
E
barra,z
= E
barra
cos = E
barra
z
_
z
2
+ (L/2)
2
(ver gura). Logo,

E(z z) = z4E
barra
z
_
z
2
+ (L/2)
2
= z
Q

0
_
z
2
+ L
2
/2
z
[z
2
+ (L/2)
2
]
2)
(a) (1,0) Em r R
2
, utilizamos a lei de Gauss com uma superfcie Gaussiana cilndrica, com eixo
de simetria ao longo de z, de altura h << L e bases de raio r R
2
. Sobre esta superfcie, longe
das extremidades da cavidade cilndrica, o campo eletrico tem dire cao radial, estando na mesma
dire cao que d

A na parte lateral da superfcie Gaussiana. Portanto,

0
_

E d

A = q
env

0
E2rh = h
_
R
2
R
1
2r dr
A
r
= 2hAr

R
2
R
1
= 2hA(R
2
R
1
)
E(r R
2
) =
A(R
2
R
1
)

0
r
A diferen ca de potencial eletrico entre os pontos r e r
2
>> R
2
pode ser obtida por
V (r
2
)V (r) =
_
r
2
r

Edr =
_
r
2
r
E(r

)dr

=
A(R
2
R
1
)

0
_
r
2
r
dr

=
A(R
2
R
1
)

0
ln
_
r
r
2
_
Ou seja,
V = V (r R
2
) V (r
2
) =
A(R
2
R
1
)

0
[ln r
2
ln r]
(b) (1,0) Em R
1
r R
2
, utilizamos a lei de Gauss com uma superfcie Gaussiana cilndrica, com
eixo de simetria ao longo de z, de altura h << L e bases de raio R
1
r R
2
. Sobre esta
superfcie, longe das extremidades da cavidade cilndrica, o campo eletrico tem dire cao radial,
estando na mesma dire cao que d

A na parte lateral da superfcie Gaussiana. Portanto,

0
_

E d

A = q
env

0
E2rh = h
_
r
R
1
2r dr
A
r
= 2hAr

r
R
1
= 2hA(r R
1
)
E(R
1
r R
2
) =
A

0
_
1
R
1
r
_
Para calcular a diferen ca de potencial eletrico entre os pontos r e r
2
>> R
2
, obtemos antes a
diferen ca de pontencial entre R
1
r R
2
e R
2
. Deste modo,
V (R
2
)V (r) =
_
R
2
r

Edr =
_
R
2
r
E(r

)dr

=
A

0
_
R
2
r
dr

_
1
R
1
r

_
=
A

0
(R
2
r R
1
ln R
2
+ R
1
ln r)
Substitui-se V (R
2
) = V (r
2
) +
A(R
2
R
1
)

0
[ln r
2
ln R
2
] que e V (r) encontrado no item (a) em
r = R
2
,
V (r) = V (r
2
) +
A(R
2
R
1
)

0
[ln r
2
ln R
2
] +
A

0
(R
2
r R
1
ln R
2
+ R
1
ln r)
Ou seja,
V = V (R
1
r R
2
) V (r
2
) =
A

0
[R
2
r + R
1
ln r R
2
ln R
2
+ (R
2
R
1
) ln r
2
]
(c) (1,0) Em r R
1
, n ao h a cargas. Logo, por uma superfcie Gaussiana cilndrica com raio da base
r R
1
o uxo do campo eletrico e nulo. O campo eletrico e igual a zero nesta regi ao, ou seja,
E(r R
1
) = 0
O potencial eletrico e constante, sendo dado pelo potencial em r = R
1
, i.e., V (R
1
) V (r) =

_
R
1
r
E dr

= 0. Logo,
V = V (r R
1
) V (r
2
) =
A

0
[R
2
R
1
+ R
1
ln R
1
R
2
ln R
2
+ (R
2
R
1
) ln r
2
]
3)
(a) (0,5) A carga total do sistema e dada por
Q = q +
_

0
4r
2
dr(r) = q + A
_

0
r dre
r/a
= q + A
_
rae
r/a

0
+ a
_

0
dre
r/a
_
= q + aA(a)e
r/a

0
= q + a
2
A
Como Q = 0, q = a
2
A . Portanto,
q = a
2
A = (0, 1 10
9
m)
2
(160 C/m
2
) = 16 10
19
C = 10|e|
(b) (1,0) Podemos calcular o campo eletrico utilizando a lei de Gauss. Considere uma superfcie
Gaussiana esferica, centrada na origem e de raio r. Devido `a simetria da distribui cao de cargas,
o campo eletrico tem dire cao radial. Logo,

0
_

E d

A = q +
_
r
0
4r
2
dr

(r

) = q + A
_
r
0
r

dr

e
r

/a
= q + A
_
r

ae
r

/a

r
0
+ a
_
r
0
dr

e
r

/a
_
= q + Aa
_
re
r/a
ae
r/a
+ a
_
= q + a
2
Aa
2
A
_
1 +
r
a
_
e
r/a
Mas q + a
2
A = 0. Portanto,

0
_

E d

A =
0
E(r)4r
2
= q
_
1 +
r
a
_
e
r/a

E(r) = E(r)
r
r
, onde E(r) =
q
4
0
r
2
_
1 +
r
a
_
e
r/a
(c) (0,5) Se V (r ) = 0, entao
V (r) =
1
4
0
_
d
3
r

(r

)
|r r

|
+
q
4
0
r
Devido `a simetria esferica, faremos a integra cao em coordenadas esfericas, com r = z z. Pela
pr opria simetria do sistema o valor de V encontrado em z z e o mesmo para qualquer dist ancia
radial r em que r = z. Denotando a integral acima por I, temos
I =
1
4
0
_

0
r
2
dr

Ae
r

/a
4r

_

0
d sen

r
2
+ r
2
2r

r cos
_
2
0
d
=
A
8
0
_

0
r

dr

e
r

/a
_

0
d sen

r
2
+ r
2
2r

r cos
Fazendo u = r
2
+ r
2
2r

r cos , tem-se du = 2r

r sen d, sen d =
du
2r

r
, u( = 0) =
r
2
+ r
2
2r

r = (r r

)
2
e u( = ) = r
2
+ r
2
+ 2r

r = (r + r

)
2
. Logo,
I =
A
16
0
r
_

0
dr

e
r

/a
_
u()
u(0)
u
1/2
du =
A
16
0
r
_

0
dr

e
r

/a
(2)u
1/2

u()
u(0)
=
A
8
0
r
_

0
dr

e
r

/a
_
r + r

|r r

|
_
I =
A
8
0
r
__
r
0
dr

e
r

/a
(r + r

r + r

) +
_

r
dr

e
r

/a
(r + r

+ r)
_
=
=
A
4
0
r
__
r
0
r

dr

e
r

/a
+ r
_
dr

e
r

/a
_
=
A
4
0
r
_
a
2
a
2
_
1 +
r
a
_
rae
r

/a

r
_
=
a
2
A
4
0
r
_
1 e
r/a
_
Logo, como q = a
2
A,
V (r) =
q
4
0
r

q
4
0
r
+
q e
r/a
4
0
r
=
q e
r/a
4
0
r
SOLUC

AO ALTERNATIVA
Poder-se-ia ter integrado o campo eletrico ao longo de r. Deste modo,
V (r ) V (r) =
_
r
0
E(s)ds V (r) =
_
r

E(s)ds =
q
4
0
_
r

ds
s
2
_
1 +
s
a
_
e
s/a
Mas
_
r

ds
s
2
_
1 +
s
a
_
e
s/a
=
_
r

ds
s
2
e
s/a
+
1
a
_
r

ds
s
e
s/a
onde
_
r

ds
s
e
s/a
=
a
s
e
s/a

a
_
r

ds
s
2
e
s/a
Logo
_
r

ds
s
2
_
1 +
s
a
_
e
s/a
=
_
r

ds
s
2
e
s/a

1
r
e
r/a

_
r

ds
s
2
e
s/a
=
1
r
e
r/a
Ou seja,
V (r) =
q e
r/a
4
0
r
4)
(a) (1,0) Tendo energia eletrost atica igual a zero quando os ons estiverem innitamente separados, a
energia dos ons em uma molecula de am onia e igual ao trabalho para trazer cada on do innito
ate sua posi cao atual. Desta forma,
E =
1
4
0
N

k=1
k1

l=1
q
k
q
l
|r
k
r
l
|
onde k e l se referem aos ons, i.e., os H
1+
nas posi coes r
1
, r
2
e r
3
, enquanto que o N
3
em r
4
.
Mas |r
1
r
2
| = |r
2
r
3
| = |r
3
r
1
| = d
HH
= 0, 16 nm, |r
4
r
1
| = |r
4
r
2
| = |r
4
r
3
| = d
NH
=
0, 10 nm, q
1
= q
2
= q
3
= |e| e q
4
= 3|e|. Logo,
E =
1
4
0
_
q
1
q
2
|r
1
r
2
|
+
q
2
q
3
|r
2
r
3
|
+
q
3
q
1
|r
3
r
1
|
+
q
4
q
1
|r
4
r
1
|
+
q
4
q
2
|r
4
r
2
|
+
q
4
q
3
|r
4
r
3
|
_
=
1
4
0
_
3e
2
d
HH
+ 3
(3e
2
)
d
NH
_
E = 910
9
Nm
2
/C
2
3(1, 610
19
C)
2
_
1
0, 16 10
9
m

3
0, 10 10
9
m
_
= 271, 63, 810
19
J
Ou seja,
E = 164, 16 10
19
J 160 10
19
J = 100 eV
(b) (1,0) Devido a disposi cao dos ons H
1+
, as componentes das for cas provocadas por estes ons
sobre o on N
3
tem resultante somente ao longo do eixo z. Portanto,

F
N
= z (F
41,z
+ F
42,z
+ F
42,z
) = 3 zF
41,z
onde

F
41
,

F
42
,

F
43
s ao as for cas que atuam sobre oon N
3
devido aosons H
1+
e F
41
= F
42
= F
43
.
Assim,
F
41,z
=
1
4
0
3e
2
(z
4
z
1
)
|r
4
r
1
|
3
=
3e
2
4
0
(0 (0, 036))nm
(0, 10nm)
3
= 3 (1, 6 10
19
C)
2
9 10
9
Nm
2
/C
2
36 10
12
m10
30
m
3
= 27 256 36 10
13
N 2, 5 10
8
N
Portanto,

F
N
= 7, 5 10
8
z N