Dispositivos semicondutores: diodos.

Diodo de juno PN.

Os diodos so dispositivos semicondutores confeccionados na maioria das vezes por uma juno PN. A Fig. 1 mostra o esquema de uma juno de dois materiais semicondutores, um do tipo P e o outro do tipo N. O semicondutor tipo P o anodo e o semicondutor tipo N o catodo. O funcionamento do diodo ocorre na regio entre o anodo e o catodo, chamada de juno.

Juno PN

i
+ Anodo P N Catodo

+ Anodo

Catodo

Fig. 1 Diodo de juno PN e smbolo eltrico. A Fig.2a mostra os portadores majoritrios em cada material semicondutor: lacunas no tipo P e eltrons livres no tipo N. A estrutura do diodo contnua de um lado a outro da juno.Devido continuidade da estrutura cristalina do diodo, os portadores podem se mover atravs da juno. Aps a formao do diodo, alguns eltrons podem migrar para o anodo nas proximidades da juno. Ao encontrar as lacunas, ocorre a recombinao do par eltron-lacuna e, consequentemente, o aniquilamento dos portadores de carga majoritrios na juno. A regio formada pela neutralizao das cargas denominada regio de depleo por no haver portadores de carga (Fig. 2b). A regio de depleo no ir crescer muito alm da juno por causa do campo eltrico formado. Na verdade, a regio de depleo funcionar como um capacitor e o campo eltrico gerado impedir a migrao de novos eltrons livres difundidos do semicondutor tipo N para se recombinar com as lacunas do lado P.

Juno P
+ + Lacunas + + + + + + + +

Juno P + + + + + + + + + +

N - -

N -

Eltrons livres

Regio de depleo

(a)

(b)

Fig. 2 (a) Portadores de carga majoritrios em cada lado da juno, (b) difuso de eltrons recombinando-se com as lacunas do anodo, formando a regio de depleo. Assim, quando um diodo fabricado, alguns eltrons atravessam a juno e preenchem as lacunas existentes no semicondutor tipo P criando uma barreira de potencial na regio prxima juno. Como na regio de depleo no h cargas, de se esperar que ela funcione como um isolante. Para vencer a barreira de potencial Dispositivos semicondutores: diodos 1

necessrio aplicar um campo eltrico numa direo apropriada, de tal forma a colapsar a regio de depleo preenchendo-a com portadores de carga. A Fig. 3 ilustra o processo de colapso da regio de depleo atravs da aplicao de um campo eltrico com o anodo polarizado positivamente e o catodo polarizado negativamente. O sentido convencional da corrente o sentido das cargas positivas e contrrio ao sentido dos eltrons livres.
Colapso da regio de depleo

P
+ + + + + + + + + +

N -

Corrente

Fig. 3 Polarizao direta do diodo de juno PN. Com o colapso da regio de depleo, o diodo passa a conduzir corrente. A condio de operao do diodo mostrada na Fig. 3 denominada polarizao direta (forward bias). Em Eletrnica, a polarizao (bias) uma tenso ou corrente aplicada a um dispositivo para lig-lo. No caso do diodo, a tenso de polarizao aplicada para vencer a barreira de potencial originada pela regio de depleo. Se o diodo for polarizado reversamente, isto , se for aplicado um potencial com polaridade negativa no anodo e positiva no catodo, a regio de depleo se alargar, como mostra a Fig. 4.

P
+ + + + + + + + + +

N -

Alargamento da regio de depleo

Fig. 4 Efeito da polarizao reversa sobre a regio de depleo. Como a regio de depleo isolante, o seu alargamento causar o bloqueio do fluxo de corrente pelo diodo. Na realidade, uma nfima corrente flui devido aos portadores minoritrios. O semicondutor tipo P possui alguns eltrons minoritrios que sero empurrados para a juno por causa da repulso causada pelo terminal negativo da fonte de tenso. O semicondutor tipo N, por sua vez, tambm possui algumas lacunas minoritrias, que sero empurradas para a juno. Dessa forma, uma corrente de fuga se estabelece quando o diodo est polarizado reversamente.

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Curvas caractersticas de diodos de juno PN.

Os diodos conduzem numa direo mas no na outra. Esta a caracterstica mais importante do diodo e que a torna importante em Eletrnica. A curva corrente-tenso ou curva I-V a curva caracterstica de um dispositivo eletrnico, seja ele um resistor, um capacitor ou um diodo. Enquanto a curva I-V de um resistor que obedece a lei de Ohm (resistor hmico) uma reta, a curva caracterstica de um diodo apresenta uma forma no-linear, como a mostrada na Fig. 5. Quando uma tenso positiva aplicada entre o anodo e o catodo, uma corrente iD flui atravs do diodo, desde que essa tenso seja superior a um valor VD determinado pelo tipo e pelo material utilizado na fabricao do diodo. Para um diodo de silcio, esse valor de tenso cerca de 0,6 V, enquanto que um diodo de germnio, a tenso de polarizao cerca de 0,3 V (Fig. 5). medida que a corrente iD aumenta, a tenso VD tambm aumenta, porm, a maior queda de tenso no diodo devido sua polarizao. Se uma tenso reversa negativa VR aplicada sobre o diodo (do anodo para o catodo), o dispositivo exibe uma grande resistncia passagem de corrente e esta corrente denomina-se corrente de fuga reversa (iR). Se a intensidade da tenso reversa exceder um valor crtico, ocorre uma avalanche de corrente quando os portadores minoritrios adquirem energia suficiente para colidir com os eltrons de valncia e levlos para a banda de energia de conduo. Este processo causa uma avalanche de portadores de carga e a corrente aumenta rapidamente. A tenso em que ocorre a avalanche de corrente denominada tenso de ruptura reversa (VBR) e para o diodo de silcio est compreendido entre 50 e 1000 V, dependendo do processo de fabricao do diodo.

Fig. 5 Curvas caractersticas I-V para diodos de germnio e silcio A temperatura afeta as caractersticas operacionais do diodo, como mostra a Fig.6, por causa da influncia da ativao trmica sobre a juno e na criao de Dispositivos semicondutores: diodos 3

portadores majoritrios. Normalmente, quanto maior a temperatura, maior ser a condutividade eltrica e menor ser a tenso de polarizao do diodo. Este fato concorda com as caractersticas de coeficiente negativo da temperatura (NTC) para os materiais semicondutores.

Fig. 6 Curvas caractersticas I-V para o diodo de silcio mostrando a influncia da temperatura. Quando o diodo est conduzindo no sentido direto, isto , do anodo para o catodo, e a corrente reverte abruptamente, ele se esquece de bloquear esta corrente reversa durante um curto intervalo de tempo, chamado tempo de recuperao reversa trr. Durante este tempo, uma grande corrente conduzida pelo diodo e esta corrente denomina-se corrente de recuperao reversa irr.

Processo de fabricao de diodos.

Os diodos atualmente so fabricados utilizando-se tcnicas desenvolvidas para a fabricao de dispositivos semicondutores, como os transistores e circuitos integrados. A Fig. 7 mostra o fluxograma de fabricao de diodo empregando tecnologia planar. Empregam-se etapas de deposio de polmeros, reao qumica no estado gasoso e no estado slido, utilizando-se fornos de crescimento de cristal e de reao qumica por vapor (CVD). Alguns desses equipamentos esto ilustrados nas Figuras 8, 9 e 10. O aspecto real de um diodo est apresentado na Fig. 11, onde se observa a estrutura de camadas crescidas, depositadas e difundidas, para a fabricao da juno PN e das conexes eltricas externas.

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Camada epitaxial Deposio N+ Substrato (Si monocristalino dopado) N N+ N N+ Oxidao SiO2 isolante

Luz ultravioleta Mscara Resina fotoresistiva N N+ Fotolitografia

Ataque qumico do isolante Impurezas tipo P Contatos metlicos Metalizao

N N+

Dopagem

N+

Fig. 7 Processo de fabricao de diodo de juno PN com tecnologia planar (Rezende, 1996).

Fig. 8 Esquema de deposio de vapor e crescimento epitaxial.

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Fig. 9 Forno de crescimento epitaxial.

Fig. 10 Forno para deposio e difuso de dopante em cristal semicondutor.

M eta l

Isolan te (SiO2 )

T ip o P (a nod o) T ip o N (catod o)

M eta l

Fig. 11 Esquema de um diodo de juno PN real.

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Diodo Schottky
A Fig. 12 mostra um diodo Schottky. A sua aparncia bastante semelhante do diodo de juno PN, mas, ao invs de ter uma camada P implantada, ele possui uma barreira metlica denominada barreira Schottky, formando uma juno metalsemicondutor. As guardas constituem-se em anis metlicos, cuja funo tornar as caractersticas de ruptura reversa do dispositivo mais robustas. Tanto o metal quanto o semicondutor so materiais do tipo N, de modo que a conduo de carga ocorre apenas atravs de portadores majoritrios, sem haver injeo, armazenamento ou recombinao de portadores minoritrios. Isto explica a ausncia de recuperao reversa do diodo Schottky, tornando-o ideal para aplicaes em altas freqncias, tais como circuitos detectores de alta freqncia ou em circuitos de chaveamento rpido. As caractersticas da curva I-V so semelhantes s do diodo PN.

M eta l Ba rreira S chottky Iso la nte (S iO2 ) C ama da epita xia l tipo NSu bstrato tipo N + M eta l

G u arda

Fig. 12 Estrutura do diodo Schottky. O que diferencia as caractersticas de conduo dos diodos comuns em relao aos diodos Schottky a tecnologia de fabricao e o material usado. Desse modo, para obter uma barreira de conduo baixa existem diversas tecnologias que so empregadas, determinando outras caractersticas do componente. Enquanto os diodos PN apresentam uma caracterstica de operao de alta temperatura, baixas fugas e uma queda de tenso no sentido direto relativamente alta, os diodos Schottky so projetados para operar em temperaturas mais baixas (< 125oC) apresentando correntes de fugas mais elevadas e uma queda de tenso no sentido direto menor. Nos diodos Schottky de barreira alta o metal usado na barreira o nicromo (Ni-Cr), enquanto que no de barreira baixa o material o nicromo-platina. O tipo de geometria usada na estrutura do diodo que vai determinar as caractersticas eltricas bsicas do componente. A baixa tenso direta, da ordem de microvolts, e o baixssimo tempo de recuperao da ordem de picossegundos, devem-se ao metal usado no ponto em que se tem a barreira de potencial. Na Fig. 13 mostrada a curva caracterstica I-V para este componente, observando-se a tenso muito baixa em que ele comea a conduzir quando polarizado no sentido direto. A barreira metlica tambm responsvel pela baixa tenso de polarizao direta do diodo Schottky. A sua desvantagem a corrente de fuga, muito superior ao do diodo de juno PN. Em algumas aplicaes, esta corrente de fuga pode levar ao dispositivo a exceder sua temperatura de juno. medida que a temperatura da juno aumenta, a tenso de polarizao direta cai, enquanto que a corrente de fuga aumenta.

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Fig. 13 Curva caracterstica I-V do diodo Schottky.

A Fig. 14 mostra o grfico comparativo entre o tempo de recuperao reversa para o diodo PN e o diodo Schottky.

(a)

(b)

Fig. 14 (a) Recuperao reversa de um diodo PN comum e (b) recuperao reversa de um diodo Schottky.

Diodo Zener
Um diodo Zener um tipo especial de diodo que opera na regio de tenso reversa de ruptura. O efeito avalanche foi observado por Clarence Zener, que props a sua utilizao como elemento de regulao de tenso. A Fig. 15 mostra o smbolo do diodo zener.

Fig. 15

Smbolo do diodo zener.

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No circuito da Fig. 16, o diodo zener 1N4743 utilizado como regulador de tenso. Observe que, para tenses reversas maiores do que a tenso de ruptura zener (VZ), um pequeno incremento na tenso causa uma grande variao na corrente reversa no zener. Suponha que a fonte de tenso Vin no seja uma fonte regulada, que fornea uma tenso de 21 V. Esta fonte est conectada a uma carga de resistncia RL , para a qual desejamos aplicar uma tenso fixa de +15 V. Observe que o diodo zener escolhido tem tenso zener VZ = 15 V. O resistor R colocado para limitar a corrente e o seu valor pode ser calculado para limitar a corrente em 20% da corrente mxima do zener (IZ max = 61 mA). Supondo que a corrente para alimentar a carga seja de 150 mA, ento podemos calcular R partir de: R= Vin VZ 21 15 = = 37 3 i L + 0,2I Z max 150.10 + 0,2.61.10 3
R iL

Vin = 21 V

+ -

VZ

Diodo zener 1N4743 VZ = 15 V, 1 W ZZ = 17 a IZ = 17 mA IZ (mx) = 61 mA

Fig. 16 Circuito regulador de tenso com diodo zener. Assim, o diodo zener 1N4743 limita a tenso entre os seus terminais em 15 V. A diferena para a tenso de alimentao de 21 V dissipada sobre o resistor de 37 , limitando a corrente no diodo zener em 12,2 mA (que corresponde a 20% de IZ mx). Se for necessrio limitar uma tenso maior, pode-se colocar vrios diodos zener em srie, de forma que a tenso de regulao a soma das tenses zener de cada um dos diodos.

Diodo Varicap
O diodo varicap um tipo especial de diodo obtido atravs do controle das condies de fabricao da juno PN. Neste caso, a concentrao de dopante na juno gradual, isto , a concentrao de dopante aumenta de um lado da juno em relao ao outro, de modo que a capacitncia da juno varia com a intensidade da tenso reversa. Todos os diodos de juno PN exibem esta caracterstica, porm, no caso do varicap, este comportamento mais pronunciado, como mostra a Fig. 17. Assim, um varicap um capacitor controlado por tenso (VCC) e utilizado em circuitos de sintonia de rdio-freqncia no lugar de capacitores variveis de ar tipo borboleta.

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100

Capacitncia do diodo (pF)

Diodo varicap

10

Diodo normal

1 0,1 1 10 100

Tenso reversa, VR (V)

Fig. 17 Curvas de capacitncia para um diodo normal e um diodo varicap.

Diodo Tnel
O diodo tnel feito com uma concentrao de impurezas acima do normal. Como resultado, a curva caracterstica I-V diferente daquela apresentada pelo diodo de juno PN de silcio, como mostra a Fig. 18.

Fig. 18 Curvas I-V para um diodo normal e um diodo tnel.

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10

O comportamento do diodo tnel caracterizado pela presena de um pico (Ip e Vp) e de um vale (Iv e Vv) na curva I-V. A regio entre Vp e Vv chamada de regio de resistncia negativa porque a corrente diminui com o aumento da tenso. Na regio alm do vale, o diodo tnel comporta-se como um diodo normal. Se colocarmos o diodo para operar no ponto do meio do vale da curva I-V, ele funcionar como um oscilador de alta freqncia. O nome diodo tnel foi dado porque o fenmeno quntico de tunelamento de eltrons atravs da barreira da juno foi usado para explicar o seu funcionamento. A Fig. 19 mostra os smbolos eletrnicos de alguns diodos especiais, como o diodo Schottky, diodo varicap e diodo tnel. +

Diodo Schottky

Diodo Varicap

Diodo Tnel

Fig. 19 Smbolos para alguns diodos especiais.

Tipos e especificao de diodos comerciais

A Tabela 1 apresenta os principais tipos e especificaes de diodos para aplicaes eletrnicas. De maneira simples, os diodos para aplicaes eletrnicas so divididos em trs tipos bsicos: 1N4148 (diodos de pequeno sinal) Famlia 1N5400 (diodos retificadores) Famlia BZX61 (diodos Zener) TABELA 1
TIPO

Tipos e aplicaes de diodos.

CORRENTE VR mx. (V)

USO

1N914 1N4148 BB119 BB809 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007

detector/alta velocidade detector/alta velocidade varicap usado em CAF varicap usado em VHF retificador retificador retificador retificador retificador retificador retificador

75 mA 200 mA ----------1A 1A 1A 1A 1A 1A 1A

75 75 ----------50 100 200 400 600 800 1000

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Diodo emissor de luz (LED)

A emisso de luz num dispositivo semicondutor ocorre por um processo diferente daquele que ocorre em lmpadas incandescentes. Enqunato nesta, o processo de emisso de luz ocorre por aquecimento de um filamento, no semicondutor a emisso se baseia em processos qunticos de radiao denominado luminescncia. A luminescncia a emisso de ftons que ocorre quando um tomo passa de um nvel energtico excitado para outro de menor energia. A excitao pode-se dar por absoro de luz (foto-luminescncia), bombardeamento com feixe de eltrons (catodo-luminescncia) e pela aplicao de campo ou corrente eltrica (eletro-luminescncia). A foto-luminescncia o princpio de funcionamento dos lasers de estado slido; a catodo-luminescncia a base de operao dos cinescpios de aparelhos de TV e a eletro-luminescncia acontece nos diodos emissores de luz (LED light emitting diode). O funcionamento do LED baseado na eletro-luminescncia causada pela injeo de portadores numa juno PN. Quando a juno PN diretamente polarizada, as lacunas do semicondutor tipo P e os eltrons livres do semicondutor tipo N movem-se em sentidos opostos em relao camada de depleo. As lacunas injetadas no lado N recombinam-se com os eltrons livres que chegam da camada de depleo, enquanto que os eltrons livres injetados no lado P recombinam-se com as lacunas vindas da camada de depleo. Assim, todos os portadores recombinam-se nas imediaes da camada de depleo. Se o semicondutor tiver um gap de energia direto, a recombinao de cada par eltron-lacuna resulta na emisso de um fton. Por no haver dissipao de energia, o processo de emisso de luz num diodo extremamente eficiente. Os materiais utilizados na fabricao de LEDs so as ligas ternrias GaxAl1-xAs e GaAs1-xPx, alm da liga GaAs. Os LEDs que operam no visvel so muito utilizados para a confeco de painis indicadores de equipamentos eltricos e eletrnicos e na fabricao de displays digitais constitudos de segmentos.

(a) (b) Fig. 20 - (a) Fotodiodo e (b) diodo PIN (fotosensor de raios x)

Diodo laser
A radiao produzida por uma lmpada incandescente ou por um LED composta por ftons emitidos espontaneamente por tomos ou molculas independentes. No processo de emisso espontnea, um sistema quntico passa de um nvel energtico Dispositivos semicondutores: diodos 12

para outro de menor energia devido a flutuaes aleatrias. Conseqentemente, a fase do campo resultante varia aleatoriamente no tempo e espao, fazendo com que a radiao seja incoerente. Num laser, a radiao produzida por amplificao estimulada da luz. Ela resulta das emisses de tomos e molculas estimuladas por um campo eletromagntico. Neste processo, as fases dos campos dos ftons emitidos esto correlacionados e, em conseqncia, a radiao coerente. Alm disso, a radiao tambm altamente monocromtica, isto , o seu espectro de freqncia bastante estreito.

Estrutura do diodo laser (Halliday, 1993)

Diodo laser (Halliday, 1993).

Diodos de potncia
Os diodos de potncia apresentam alm das duas camadas P e N, uma terceira camada (Fig. 21a). A camada N extra e intermediaria s duas convencionais de baixa dopagem (N-) e sua funo aumentar a capacidade do componente quando aplicado em tenses elevadas. Essa camada acrescenta uma parcela resistiva ao diodo quando em Dispositivos semicondutores: diodos 13

conduo. Alm disso, a rea da seo transversal das junes maior do que a de um diodo normal, pois a corrente circulante tambm maior e isso agrega urna parcela capacitiva ao diodo quando em bloqueio (Fig. 21b). Essas caractersticas so indesejveis porque introduzem distores na forma de onda da comutao de um diodo de potncia, conforme mostra a Fig. 7. Entretanto, como o dispositivo suficientemente robusto, essas caractersticas no devero afetar o seu funcionamento. Mesmo assim, recomendvel utilizar-se algumas tcnicas de filtragem e amortecimento dos transientes provocados pela comutao dos diodos de potncia.

(a)

(b)

Fig. 21 (a) Estrutura de um diodo de potncia, (b) circuito equivalente de um diodo real. A resistncia e a capacitncia parasitas formadas em um diodo de potncia podem gerar sobretenses no circuito, principalmente quando so chaveadas cargas indutivas. Os novos diodos, denominados soft-recovery, minimizam esses efeitos, sendo que sua resposta da ordem de alguns s. Apenas como comparao, os diodos mais antigos apresentavam dezenas e at centenas de s de atraso na comutao.

Fig. 19 Formas de onda na comutao do diodo.

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Modelos comerciais de diodos de potncia (Aegis)

Recuperao Normal
                 ! " # $  # % % & ' ( ) * * + _ ` a b a c d e f `g ` h i b a d e c b e j c a k e d i l m e c g d `i n e o f a p a d n e `a b e p li h i n e f q l `h i a j b `c c ` p i b a d i le f i b a r s s t u vw x y t z w { w |} |w z w { w ~ w vt { } s u t {{}  } s , - . - / 01 2 3 4 5 6 7 8 09 : ; < = > = ? @ A B= C D E F G H I J K LF G M N O P Q RQ S T U V W V U T XT YZ [ Q R \ S ]T ^V W V U T XTYZ }  s y t {} } {s w w
      
  

Recuperao rpida

 

 

  


 

 

  

  


 

 

 

 

 

 

Diodo Schottky
    ! "    # $ % & '   ( )  $ % 

, :

* +

. / 0 1 ; 4 3

2 - 3 <= 2 1 A 1

2 / 4 - 5 ?

4 5 6 @ <A 4

8 9

Z [

\ ] W

^ _ R ` W R Y R c W \ ] [ X c V [ R X c W S[ Y W V dR ^ R c W ] e d S^ R

>

a W U b X SR [ f Y

B 4 / D 1 / A 4 F G H I

= > J

C 2 ; 1 @- E 4 = 4

SU U S V R Y [ W c ^ [

dW ] R Y [

6 5 2 <A 4 K J

Z [

\ ] W

f \ S^ R g h [

K L M L V W

N J O P

Q R

ST R U

X Y R U

Press Fit
i j k l m n o j i k p q m r s t l j n u k q m r j v W \ U h [ X W ` W X U R } R ] w x y z z { ~ } ~  }   | } ~       ~  }   ~ 

} 

~       

~   ~

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Fig. 23 Diodo retificador de potncia tipo rosca

Fig.24 Diodo retificador de potncia tipo disco

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Fig.25 Diodo retificador de potncia tipo press fit

Fig. 26 Pontes retificadoras compactas

Fig. 27 Pontes retificadoras montadas com dissipadores

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Fig. 28 Mdulo de diodos de potncia

Referncias bibliogrficas
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