CVD

Deposio de Vapor Qumico

Deposio de Vapor Qumico I Motivao e Aplicaes

Prof. Jos Humberto Dias da Silva Cincia e Tecnologia de Filmes Finos POSMAT Unesp/Bauru
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I.1 - Introduo
PVD Deposio Fsica de Vapor Physical Vapor Deposition CVD Deposio Qumica de Vapor Chemical Vapor Deposition

PVD
Condensao de vapor

CVD Reao qumica na superfcie VANTAGENS DO CVD

Filmes de alta qualidade (estrutural/eletrnica) Taxas de deposio maiores que evaporao ou sputtering Controle de estequiometria relativamente fcil Facilidade de dopagem
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Ex: oxidao

VANTAGENS DO CVD
Produo em grandes reas / vrias amostras Simplicidade do sistema de bombeamento (p ~ atm) Objetos de forma complexa podem ser recobertos
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Cintica das reaes complicada Uso de fontes trmicas / contaminao T altas => restrio dos substratos Gases reativos, txicos e corrosivos

DESVANTAGENS \ PROBLEMAS
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Aplicaes: transistor MOS

Alguns reagentes caros (metalorgnicos) Cuidados com homogeneidade/uniformidade Deposies em regies internas

DESVANTAGENS \ PROBLEMAS
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CVD Processos Qumicos

Filme => Produto de Reao Qumica

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Reator Simples

Adsoro (fisisoro) Ligao (quimisoro)

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Yu-Cardona

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Forma de reatores (Si)

Deposio de Vapor Qumico II Exemplos de Reaes

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Exemplos
Monoatmicos =

xidos =

Nitretos =

Carbetos =
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Reaoes no Quadro

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I- Introduo II Exemplos de Reaes III- Termodinmica / reaes IV- Soluo de problemas prticos V- Concluses
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III Termodinmica e Reaes Qumicas

Ao relento....
O que diz se uma reao pode ou no ocorrer espontaneamente?

Oxida mais ou sai o xido ?

R: Espontnea se a G dos produtos for menor do que a G dos reagentes!

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Termodinmica de materiais

Reagentes

Ea

G = H TS
Energia livre de Gibbs

aA + bB

G cC + dD Produtos

H = E + PV
E - Energia S Entropia T - Temperatura

Entalpia

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Termodinmica de materiais

Reaes Qumicas

G = H TS G = G f Gi
G = H TS
Delta G menor que zero => minimiza G => favorece reao/ formao
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aA + bB cC
G = cGC aGA bGB

Gi = Gio + RT ln(ai )
ai = atividade da espcie i = concentrao termodinmica especfica Ex:

c aC = [C ]c

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G = RT ln K

a Gi = G o + RT ln aa ab A B
c C

K =e

RT

K = Constante de equilbrio da reao

aC a C ( eq ) G = RT ln a b a A aB a A( eq ) aB ( eq )
c

Exemplo:

(4 / 3) Al + O2 (2 / 3) Al 2 O3

a Al O 2 / 3 G 2 3 = e RT K = (a Al )4 / 3 P(O2 )
G = 202kcal(1000C )

ai >1 ai ( eq )

=> supersaturao da espcie i

ai <1 ai ( eq )

=> subsaturao da espcie i

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P(O2 ) = 2 x10 35 atm

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CVD
III Reao favorvel / desfavorvel?
mA + nB pC + rD
[C ] p .[ D]r K = [ A]m .[ B]n G RT =e

G << 0, K >> 1 prob. _ alta

G >> 0, K << 1 prob. _ baixa G 0, K 1 reversvel ( )

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Exerccio: Filmes Epitaxiais de Si

Filmes epitaxiais de Si podem ser obtidos por reduo com H2, ou por pirlise de tetracloreto de Si, silano, ou de clorosilanos (SiCl4). Pelo clculo da energia livre de Gibbs encontrar em quais destes compostos pode ser aplicado o mtodo piroltico para precipitao de Si a 1.500 K. Trabalhar com todas as reaes indicadas na tabela 5.1 e usar como referncia os dados da tabela 5.2.
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tabelas / exemplo

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IV
Dificuldades, complexidade e soluo de problemas prticos

Cintica da reao de deposio de Si

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Fluxo de gs / Inomogeneidades

Distribuio de velocidades nas proximidades do susceptor (porta substratos).

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+ complexidade : esquema de um reator real

O que posso fazer para resolver problemas de homogeneidade nos filmes produzidos por CVD ?

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CVD assitido por plasma (PECVD)

Cilndrico fluxo radial / dep. de Si3N4

Linhas de fluxo de gs / simetria axial

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Reator comercial
(www.aixtrom.com)

Pensar ... e ser criativo...

Ou investir ...

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Reator complexo (comercial)

Comercial:

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Reator horizontal comercial

PECVD lab

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48 Reator PECVD - Wikipedia

CVD Concluses /Resumo

CVD Concluses /Resumo

II Uniformidade da deposio depende das uniformidades de:

I - Presses prximas da atmosfrica

Simplifica bombeamento Reator simples (?!) Baixo sticking (Sc) Pode cobrir superficies complexas/rugosas

- Fluxo de gs - Temperatura ( Grad(T(r))~0).

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CVD Concluses /Resumo

III Reao favorvel / desfavorvel?
mA + nB pC + rD
[C ] p .[ D]r G RT =e K = m n [ A] .[ B]

CVD Concluses /Resumo

IV - Cintica de reao pode ser complexa - Depende de produtos intermedirios

G << 0, K >> 1 prob. _ alta

G >> 0, K << 1 prob. _ baixa G 0, K 1 reversvel ( )

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CVD - Resumo
V Altas temperaturas de substrato Pode excluir alguns materiais
Para contornar / otimizar
Precursores metalorgnicos M-(CH3)n MOCVD Deposio assistida por plasma PECVD ( plasma usado para quebrar molculas).

CVD Concluses /Resumo

I - Presses prximas da atmosfrica II - Uniformidade da deposio complexidade do sistema III Reao favorvel => G << 0 IV - Cintica de reao produtos intermedirios V Altas temperaturas vs. MOCVD / PECVD
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Bibliografia
Smith Cap. 7 Ohring Caps. 1 e 4 Notas de aula prof. Mrio Bica de Moraes (Unicamp).

D180 GaN MOCVD System

Alguns sites de interesse

http://www.timedomaincvd.com http://www.aixtron.com
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Exceptional GaN material development and production Get proven advantages for the growth of advanced GaNbased devices, including UV LEDs, blue spectrum lasers and FETs -- and meet the challenges of Al-containing compounds -- with the Veeco Discovery D180 GaN. It's ideally suited to provide fast growth rates for quality GaN deposition and provides stable growth chamber conditions from run-to-run with minimal build-up of deposits above wafers. The D180 GaN optimizes repeatability with integrated RealTemp 200 in-situ wafer temperature measurement.
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Final CVD

Prof. Jos Humberto Dias da Silva Cincia e Tecnologia de Filmes Finos POSMAT Unesp/Bauru Verso CVD_2011_Verso 03

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