4.

FET

4. Transistores de Efeito de Campo (FET)

Primeira parte: funcionamento.

Eletrnica Analgica

4. FET

4.1.

rigem

Foram in!entados em 1"#$ por %ulius Edgar &ilienfeld (f'sico austro()*ngaro) e rein!entados em 1"+4 por s,ar -eil (engen)eiro eletricista alem.o)/ 0en)um transistor FET foi colocado no mercado at1 1"$+/ 2illiam 3)oc,le4 deu importantes contri5ui67es tericas entre 1"48 e 1"$8. Cun)ou o termo 9efeito de campo:/ Em 1";8 o FET <= era um componente consolidado/ 0este mesmo ano >a?on @a)ng (f'sico coreano radicado nos EAA) props o B 3FET/ 0os anos Cue se seguiram )ou!e um intenso desen!ol!imento das !el)as tecnologias 5em como de no!as esp1cies de componentes.

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4. FET

4.#. Classifica6.o 5=sica dos transistores

Transistor

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T%D

FET

P0P

0P0

%FET

B 3FET

Canal n

Canal p

>eple6.o

Entensifica6.o

Canal n

Canal p

Canal n

Canal p

4. FET

4.+. Funcionamento T%D F FET

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4. FET

4.4. %FET G %unction Field Effect Transistor

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4. FET

4.4. %FET G %unction Field Effect Transistor

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4. FET

4.4. %FET G %unction Field Effect Transistor

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4. FET

4.4. %FET G %unction Field Effect Transistor

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4. FET

4.4. %FET
rd = ro 1V GS / V P
2

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4. FET

4.4. %FET canal p

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4. FET

4.4. %FET canal p

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4. FET

4.4. %FET: eCua6.o de 3)oc,le4

I D = I DSS 1V GS / V P
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2

4. FET

4.$. B 3FET de deple6.o

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4. FET

4.$. B 3FET de deple6.o

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4. FET

4.$. B 3FET de deple6.o

I D = I DSS 1V GS / V P
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2

4. FET

4.$. B 3FET de deple6.o (canal p)

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4. FET

4.$. B 3FET de deple6.o (canal p)

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4. FET

4.;. B 3FET de intensifica6.o

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4. FET

4.;. B 3FET de intensifica6.o

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4. FET

4.;. B 3FET de intensifica6.o

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4. FET

4.;. B 3FET de intensifica6.o

V DS =V GS V T
sat

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4. FET

4.;. B 3FET de intensifica6.o

I D = k V GS V T 2
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4. FET

4.;. B 3FET de intensifica6.o (canal p)

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4. FET

4.;. B 3FET de intensifica6.o (canal p)

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4. FET

4. Transistores de Efeito de Campo (FET)

3egunda parte: polariHa6.o CC %FET.

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4. FET

PolariHa6.o CC %FET
PolariHa6.o fiIa:
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4. FET

PolariHa6.o fiIa:

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4. FET

EIemplo: calcule J>3:

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I D = I DSS 1V GS / V P 2 I D =10mA 1 2 /8 =5,625 mA

V DS =V DD I D R D V DS =165,625 mA 2k = 4,75 V

4. FET

AutopolariHa6.o:

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4. FET

AutopolariHa6.o:

V GS = I D RS
Substituindo em 2 I D = I DSS 1V GS / V P Temos: 2 R S 2 2R S 1 I D I D 1 =0 VP V P I DSS

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4. FET

EIemplo: calcule J>:

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R S 2 2R S 1 I D I D 1 =0 VP V P I DSS
2

0,0002778 I D 458,33 I D 1 =0 I D ={2,5 mA , 13, 12 mA } V GS ={2,5 V , 13, 12 V } V D ={11,46 V , 25, 11 V }

4. FET

PolariHa6.o por di!isor:

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4. FET

PolariHa6.o por di!isor:

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4. FET

PolariHa6.o por di!isor:

V GS =V G I D RS R2 V DD V G= R1 R2
Substituindo em 2 I D = I DSS 1 V GS / V P Temos: 2 R S 2 2R S 1 2 I D m I D m =0 VP VP I DSS VG m =1 VP

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4. FET

Calcule J>3:

R 2 V DD V G= =1.828! R1 R 2
VG m =1 =1.4557 VP 140625 I 2 D 1216,8 I D 1,4557= 0 I D ={0,0024163 "0,0062363 } A V DS ={6.5764" 8.3215 }V

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4. FET

4. Transistores de Efeito de Campo (FET)

Terceira parte: polariHa6.o CC B 3FET de deple6.o e intensifica6.o

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4. FET

PolariHa6.o CC B 3FET deple6.o

A polariHa6.o do B 3FET deple6.o utiliHa as mesmas regras e eIpress7es do %FETK por1m sem a limita6.o de JL3 m=Iimo Hero para %FET canal n e JL3 m'nimo Hero para %FET canal p; 2 V GG # PolariHa6.o fiIa: I D = I DSS 1 VP
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# AutopolariHa6.o:

# PolariHa6.o por di!isor:

R S 2 2R S 1 I D I D 1 =0 VP V P I DSS

R S 2 2R S 1 I D m I D m2 = 0 VP VP I DSS VG m =1 VP

4. FET

EIemplo: calcule J>3:

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4. FET

EIemplo: calcule J>3:

# 3olu6.o:
VG 10 18 m =1 =1 =1,5 VP 120

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R S 2 2R S 1 2 2 I D m I D m =0 62500 I D 16,67 I D 2,25= 0 VP VP I DSS I D ={0.01154 7 , 0.0031170 } V GS $omo: 1: VP I D =3,12 mA V DS =18 I D R D I D RS =10,052 V

4. FET

EIemplo: Para o eIerc'cio anteriorK calcule J>3 su5stituindo M3 por uma resistNncia de apenas 1$8O:
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# 3olu6.o:
VG 10 18 m =1 =1 =1,5 VP 120

R S 2 2R S 1 2 2 I D m I D m =0 2500 I D 316,67 I D 2,25 = 0 VP VP I DSS I D ={0,11 1107 , 0,0075560 } V GS $omo: 1: VP I D =7,556 mA V DS =18 I D R D I D RS = 3,2658 V

4. FET

EIemplo: Calcule J>3

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4. FET

EIemplo: calcule J>3:

# 3olu6.o:
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2

R S 2 2R S 1 2 I D I D 1 =0 0000 I D 725 I D 1 =0 VP V P I DSS I D ={0.0062887 , 0.0017668 } V GS $omo: 1: VP I D =1,7668 mA V DS = 20 I D R D I D R S =4,8053 V

4. FET

EIemplo: calcule J>3

I D= I DSS
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V GG 1 VP

0 I D =0,01 1 4 I D= 0,01 A = I DSS V DS = 20 15000,01 =5 V

4. FET

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4. FET

Cdigo cta!e para %FETPB 3FET(>

function Id = calc_jfet_id( Idss, Vp, Vg, Rs ) m = 1 - Vg/Vp; disp( "m: " ), disp(m); a = (Rs/Vp) !; disp( "a: " ), disp(a); " = !#Rs#m/Vp - 1/Idss; disp( "": " ), disp("); c = m#m; disp( "c: " ), disp(c); Idt = $ (-"%s&'t("#"-(#a#c))/(!#a) , (-"-s&'t("#"-(#a#c))/ (!#a) ); disp( "Id*+ Id*": "), disp( Idt ); Vgs = Vg - Idt#Rs; disp( "Vgs*+ Vgs*": "), disp( Vgs ); Id = sum( Idt,#( Vgs/Vp -= 1 ) ); disp( "Id: " ), disp(Id); disp( "Vgs: " ), disp(sum( Vgs,#( Vgs/Vp -= 1 ) )); endfunction

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4. FET

PolariHa6.o CC B 3FET intensifica6.o

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4. FET

PolariHa6.o com realimenta6.o

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V GS =V DD I D R D Substituindo em I D = k V GS V T 2 : 2 2 2 k R D I D 2 R D k m 1 I D k m = 0, onde: m =V DDV T

4. FET

EIemplo: calcule J>3:

k=

k =? I D on V GS on V T
4
2

k = 2,4 10 A / V

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4. FET

EIemplo: calcule J>3:

# 3olu6.o:
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m=V DD V T = V 2 2 2 2 k R D I D 2 R D k m 1 I D k m =0 60 I D ,64 I D 0.01 440 =0 I D ={0.0072477 , 0.0027 4 } V DS =12 I D R D ={2.4 53 , 6.4120 } V GS $omo: 1: VT I D = 2,7 4 mA e V GS = 6,412 V

4. FET

PolariHa6.o por di!isor:

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V GS =V G I D R S , onde: R2 V G =V DD R1 R2 2 Substituindo em I D= k V GS V T : 2 2 2 k R S I D 2 R S k m 1 I D k m = 0 , onde: m= V G V T

4. FET

EIemplo: calcule J>3

R 2 V DD V G= =18! R1 R 2
m =V G V T =13 V k R S I D 2 R S k m 1 I D k m =0 80,688 I 2 D 3,5584 I D 0,02028 = 0 I D ={0,0373762 , 0,0067246 } V GS ={12,648 , 12,486 } V GS $omo 1: VT I D =6,7246 mA e V GS =12,486 V V DS =V DD I D RS R D =14,312 V
2 2 2

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4. FET

Cdigo
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cta!e para B 3FET(E

., Vt, Vg, Rs )

function Id = calc_imos_id(

m = Vg - Vt; disp( "m: " ), disp(m); a = .#(Rs !); disp( "a: " ), disp(a); " = -!#.#Rs#m - 1; disp( "": " ), disp("); c = .#m#m; disp( "c: " ), disp(c); Idt = $ (-"%s&'t("#"-(#a#c))/(!#a) , (-"-s&'t("#"-(#a#c))/ (!#a) ); disp( "Id*+ Id*": "), disp( Idt ); Vgs = Vg - Idt#Rs; disp( "Vgs*+ Vgs*": "), disp( Vgs ); Id = sum( Idt,#( Vgs/Vt /= 1 ) ); disp( "Id: " ), disp(Id); disp( "Vgs: " ), disp(sum( Vgs,#( Vgs/Vt /= 1 ) )); endfunction

4. FET

4. Transistores de Efeito de Campo (FET)

PolariHa6.o peCuenos sinais FET.

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4. FET

4.11. PolariHa6.o peCuenos sinais FET

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4. FET

4.11. PolariHa6.o peCuenos sinais FET

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4. FET
dI D V GS d g m= = I DSS 1 dV GS dV GS VP 2% DSS V GS g m= 1 VP VP

[ ]
2

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4. FET

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4. FET

Bodelo eCui!alente CA
g m = y fs 2 mS

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1 r d = 50 K y os

4. FET

4.1# PolariHa6.o CA %FET e B 3FET de deple6.o

Circuito de polariHa6.o fiIa:
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4. FET

Circuito de polariHa6.o fiIa (B 3( >P%)FET

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4. FET

Circuito de polariHa6.o fiIa (B 3( >P%)FET

Z i = RG Z o= r dR D

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g m V gs r dR D AV = = g m r dR D V gs

4. FET

Circuito de polariHa6.o fiIa (B 3( >P%)FET

EIemplo: calcule J> para Ji Q 8K88# sen(t).
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2% DSS V GS 20m 2 g m= 1 = 1 VP VP 8 8

g m =0,0025 S AV = g m R D =0,0025 2000 =2,5 V D =V O = AV V i =0,006 sen t

Como VDcc = 8,75V, a tenso em D VDcc + VD = 8,75 0,006 sen(t)

4. FET

4.1# PolariHa6.o CA %FET e B 3FET de deple6.o

Circuito de autopolariHa6.o:
Eletrnica Analgica

4. FET

Circuito de autopolariHa6.o (B 3( >P%)FET

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4. FET

Circuito de autopolariHa6.o (B 3( >P%)FET

Eletrnica Analgica
Z i = RG r d g m RS rd RS Z o= R D r d g m RS r d RS R D Z o R D , &'(': r d R D g m R D rd AV = r d g m RS rd R D RS gm RD AV , &'(': r d R D 1 g m R S

4. FET

Circuito de autopolariHa6.o (B 3( >P%)FET

EIemplo: calcule J> para Ji Q 8K88# sen(t).
Eletrnica Analgica
2% DSS V GS V GS g m= 1 =0,00267 1 VP VP 6 V GS =?
2

R S 2 2R S 1 I D I D 1 =0 VP V P I DSS

V GS = RS I D I D =0,0025876 V GS =2,588 g m =0,0015 S gm RD AV 2, )o*o: Vd =2 Vi =0,004 sen t 1 g m R S

4. FET

4.1# PolariHa6.o CA %FET e B 3FET de deple6.o

PolariHa6.o por di!isor:
Eletrnica Analgica

4. FET

PolariHa6.o por di!isor (B 3(>P%)FET

Eletrnica Analgica
Z i = R1R2 r d g m RS rd RS Z o= R D r d g m RS r d RS R D Z o R D , &'(': r d R D g m R D rd AV = r d g m RS r d R D R S gm RD AV , &'(': r d R D 1 g m R S

4. FET

4.1# PolariHa6.o CA %FET e B 3FET de deple6.o

PolariHa6.o seguidor de fonte:
Eletrnica Analgica

4. FET

PolariHa6.o por seguidor de fonte (B 3( >P%)FET

Eletrnica Analgica

4. FET

PolariHa6.o por seguidor de fonte (B 3( >P%)FET

Z i = RG Z o= r dR S Z o R S 1 gm

Eletrnica Analgica

1 , &'(': r d R S gm

g m R Sr d AV = 1 g m RSr d g m RS AV , &'(': r d RS 1 g m R S

4. FET

PolariHa6.o por seguidor de fonte (B 3( >P%)FET

EIemplo: calcule a amplitude de J3 para um sinal de entrada AC com amplitude de 1mJ.
g m RS AV , &'(': r d RS 1 g m R S 2% DSS V GS g m= 1 VP VP

Eletrnica Analgica

R S 2 2R S 1 I D I D 1 =0 VP V P I DSS V GS = RS I D I D =0,0013 V GS =2,86 g m =0,00228 S

4. FET

PolariHa6.o por seguidor de fonte (B 3( >P%)FET

EIemplo: calcule a amplitude de J3 para um sinal de entrada AC com amplitude de 1mJ.
g m RS AV , &'(': r d RS 1 g m R S 0,00228 2200 AV =0,83 1 0,00228 2200
Logo a amplitu e e V! se"# e 0,8$ mV

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4. FET

4.1+ Polarisa6.o CA B 3FET intensifica6.o

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4. FET

B 3FET(E
>a mesma forma como para o B 3FET(>K gm 1 dado em fun6.o de JL3 a partir da deri!ada da corrente de dreno:
Eletrnica Analgica

I D = k V GS V T 2 d ID g m= d V GS g m= 2k V GS V T

4. FET

B 3FET(E: realimenta6.o de dreno

Eletrnica Analgica

4. FET

B 3FET(E: realimenta6.o de dreno

Vi R F r d R D Z i= = I i 1 g m r d R D RF Z i , &'(' R F r dR D 1 g m r dR D RF Z i , &'(' R F r dR D e r d R D 1 g m R D Z o= R Fr dR D Av = g m R Fr dR D Z o R D &'(' R F r d e r d R D Av g m R D &'(' R F r d e r d R D
Eletrnica Analgica

4. FET

B 3FET(E: realimenta6.o de dreno

EIemplo: >etermine Jo para Ji com amplitude de 8K8#J.
Eletrnica Analgica

V o = Av V i Av = g m R DR F1 / y os , g m=? g m= 2 k V GS V T k =? , V GS =? I D on = k V GS on V T 2 k= I D on V GS on V T
2

4. FET

B 3FET(E: realimenta6.o de dreno

EIemplo: >etermine Jo para Ji com amplitude de 8K8#J.
Eletrnica Analgica

onde V T =V GS Th =3 V , )o*o: k =6m / 25= 2,4104 A / V 2 V GS =? V GS =V DD I D R D I D = k V GS V T

2 D 2 D 2

I D = 2,7 4 mA V GS = 6,412 V

k R I 2 R D k m 1 I D k m = 0, onde: m =V DDV T

4. FET

B 3FET(E: realimenta6.o de dreno

EIemplo: >etermine Jo para Ji com amplitude de 8K8#J.
Eletrnica Analgica

g m= 2 k V GS V T = 2 2.4 104 6,412 3 =1,6378 mS Av = g m R DR F1 / y os =0,0016378 200010 50000 Av =3,14 0 V / V V o am !it"de = 3,14 0,02= 0,062 80 V
7

4. FET

B 3FET(E: polariHa6.o por di!isor

Eletrnica Analgica

4. FET

B 3FET(E: polariHa6.o por di!isor

Eletrnica Analgica

Z i = R1R# Z o= r dR D Av = g m r dR D

4. FET
%esumo
AutopolariHa6.o >i!isor

Z i= RG Z o= r dRD A V = g m r d R D
PolariHa6.o fiIa

Eletrnica Analgica

Z i= RG Z o= R D

r d g m RS r d RS r d g m RS r d RS R D

Z i= R1R 2 r d g m RS r d RS Z o= R D r d g m RS r d RS R D

g m RD r d g m RD r d A V = A V = r d g m R S r d R D R S r d g m R S r d R D R S
3eguidor de fonte

1 gm g m R Sr d AV = 1 g m R Sr d Z o= r dRS

Z i= RG

4. FET
Continua&o
R F r d R D Z i= 1 g m r d RD Z o= R Fr dRD

Eletrnica Analgica

A v = g m R Fr dR D
Mealimenta6.o do dreno

Z i= R1R# Z o= r d R D A v = g m r dR D

PolariHa6.o por di!isor