148

Amplificador base comum O amplificador base comum possui um a alta impedncia de entrada, alta impedncia de sada, um ganho de corrente de aproximadamente 1 (um), e uma larga banda de freqncia. Esta configurao utilizada em aplicaes de banda larga em aplicaes que exigem baixa impedncia de entrada.. Considere o circuito base comum mostrado abaixo. A configurao utilizada para polarizao DC com uma fonte de tenso na base, mas esta anlise se aplica para qualquer tipo de configurao.

V CC RS ve RE VB v0 RL CC CS RC

Amplificador base comum - Anlise em altas freqncias A figura abaixo mostra o circuito equivalente deste amplificador para altas freqncias. Note que utilizamos o parmetro h desprezamos a impedncia de sada do transistor r 0 , o que quase sempre razovel na configurao base comum.

RS ve

re

RL = RL//RE// r0
RE
h re
rb C

Norton
RL

v0

h = hf / (1+shf reC )

Circuito equivalente

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Novamente, como na configurao anterior faremos duas anlises: uma com algumas aproximaes e outra exata. Primeiramente, vamos substituir o circuito de entrada pelo o seu equivalente Norton. Como mostrada na figura abaixo.
re

ie RS

ic
C rb

RL = RL//RC
h re

i c / h

v0 RL

i e = ve/RS RS = RS //RE h = hf /(1+shf reC )

Circuito equivalente Na nossa anlise aproximada vamos admitir que a resistncia de fonte ,RS , muito menor a resistncia RE, assim RS RS . Alm disso, se a resistncia, rb, no elevada (<100) ento a capacitncia, C , simplesmente desvia (shunts) a corrente de RL. Com estas aproximaes o circuito acima simplifica para o circuito mostrado abaixo.
re ic ic

ie RS

RL = RL //RE //r 0
i c /h h re
C

v0 RL

ZE

Circuito equivalente com rb desprezado Da figura temos que a corrente (ic + ic/hf ) igual a corrente ie dividido pelo divisor resistivo RS , ZE. Por inspeo a impedncia ZE dada por ZE = re //h re = re / (1+1/ hf + sre C) re / (1+sreC) Ento ic (1+ 1/h ) = RS ie / (RS +ZE ) = ve / [RS + re / (1+sreC)]
(216)

150

mas (1+ 1/h ) = 1+1/hf +sreC 1+sreC Substituindo a equao (217) em (216), resulta i c ve /[RS + re / (1+sr eC)](1+sreC ) i c = v e / (RS + re ) .1/(1+sr e //RS C ) = ve /(RS + r e).1 /(1-s/ p1 ) onde p1 = - 1/re // RSC E a tenso de sada ,v0 igual a v0 = RL //s C . ic = RL /(1+s RL C ) ic Substituindo a equao (218) em (219), resulta
(219) (218) (217)

Av = v0 / v e = RL /(RS + r e). 1/ [(1-s/ p1 )( 1-s/p2)] onde p2 = - 1/RL C

(220)

Ento vemos que o circuito acima apresenta dois plos. Um devido capacitncia C, na seo de entrada, e o outro devido a C, na seo de sada. Note que o plo - p1 maior que T. Normamente o plo p2 dominante, isto , p2 << p 1. Para mdia freqncias (s << p2), o ganho de tenso dado por: Av s << p2 = RL /(RS + re )

(221)

151

Exerccio:
Calcule os plos do amplificador base comum mostrado abaixo e esboce a sua resposta em alta freqncia. Despreze o efeito de rb.

= hf =100 r0 = rb =0 RS 50 ve RE 4k VB = 4,7V CS 10 F VE

C = 1pF C =10pF V CC =20V RC 6,34k

CC 10 F v0

RL 2k

Soluo: a) Anlise DC VE = VB VBE =4,7V-0,7V =4V I C IE =4V/4 k =1mA r e =VT / IC =26mV /1mA =26 b) Anlise AC (mdias e altas freqncias) temos RL = RL //RC = 2k // 6,34 1520 O ganho de tenso em mdias freqncias igual a (note RS << RE) Av s << p2 = RL /(RS + re ) =1520/ (50 +26)= 20 O plo p1 igual a

152

p1 = - 1/re // RSC = - 1/ (26 // 50)(10pF) = - 5,85x10 rad /s

9

ou fp1(Hz) = p1 /2 930MHz O plo p2 igual a p2 = - 1/RL C = - - 1/(1520 )(1pF) = - 6,58x10 8rad /s ou fp2(Hz) = p2 /2 104MHz

Av /Avmed(dB) escala linear f p2 = 104MHZ 0dB

1M 10M 100M 1G 10G

fp1 =930MHz

f ( escala log)

-3dB -6dB
f2

-9dB -12dB -15dB -18dB -21dB -24dB -27dB -30dB -40dB /dcada -20dB /dcada

Resposta em alta freqncia de um base comum com rb =0

153

Simulao

**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS NAME MODEL IB IC VBE VBC VCE BETADC GM RPI RX RO CBE CBC CJS BETAAC CBX FT Q_Q1 Qbreakn 1.00E-05 1.00E-03 6.46E-01 -8.83E+00 9.47E+00 1.00E+02 3.88E-02 2.58E+03 1.00E-03 1.00E+12 1.01E-11 1.01E-12 0.00E+00 1.00E+02 0.00E+00 5.55E+08

( r e = 1/3.88E-02 = 25,77)

154

155

Agora, vamos levar em conta o efeito da resistncia r b. Agora em muito altas freqncia haver um curto em o emissor e o coletor do transistor fazendo com que o ganho de tenso seja igual a aproximadamente r b(rb +RS) .Novamente, conveniente desenhar o circuito acima com a impedncia, h , entre a base b e o emissor.
re i c =i l + i
C

ie RS
iR

il h re il / h

RL = RL //R C
i
rb

ib

v0 RL

i e = ve/RS RS = RS //RE h = hf / (1+shf reC )

Circuito equivalente com rb 0

Novamente, vamos admitir que a resistncia de fonte ,RS , muito menor a resistncia RE , assim, RS RS . Da figura temos i e = iR +ii (1+1/h ) i i/ h = ib +i ii = h (i b +i ) v0 = RL (il +i ) r bi b = i 1/sC + v0 RS iR RS iR = re il +rb ib (malha verde) (malha azul)
(222) (223) (224) (225) (226)

Resolvendo o sistema acima resulta

v0 /ie = RL N(s)/D(s) ou substituindo ie

Av = v0 /ve = RL /RS . N(s)/D(s)

onde

(228)

156

N(s) = 1+ sr bC + s r e rb C C D(s) rb / RShf +1+s[(r b/ RS + 1)reC +RTC ] +s r eRTC C

2

(229)

(230) (231)

Onde RT =RL(rb /RS+1) + rb

A aproximao na equao (230) surgiu devido a aproximao hf +1 hf A equao (229) mostra que o resistor rb introduz dois zeros no amplificador base comum. Se a condio r b C < 4 re C For satisfeita estes zeros sero complexos. Na prtica a condio acima sempre satisfeita. A conseqncia que a curva da resposta em freqncia ser bem acentuada em torno destes zeros. A equao (231) na prtica quase sempre pode ser aproximada por: (RL >>rb ) RT RL(rb /RS+1) E como rb/RS hf <<1 Ento a equao (230) pode ser bem aproximada por: D(s) 1+s[(r b/RS + 1)reC +RTC ] +s2re RTCC Substituindo o valor aproximado de RT, resulta D(s) 1+s[(R T / RL)reC +RTC ] +s re RTCC
2

Na prtica quase sempre RT C >> RT / RL)re C , ento D(s) 1+sRTC +s2r eRT CC
(232)

Se p1 e p2 so os plos de D(s) ento este pode ser escrito na forma D(s) =(1-s/p1 )(1-s/ p2) =1 s(1 /p1+1/p2) + s2/p1p2 Se um plo for dominante (por exemplo, p2 ), ento D(s) 1 s1 /p2 + s2 /p 1p2
(233)

Comparando os coeficientes em s e s 2 nas equaes (232) e (233) temos

157

p2 = -1/ RTC =-1/ (RL(rb /RS+1)C p1 =-1 / re C

Note que se rb for igual a zero o plo p2 se torna igual ao do resultado anterior. Assim, como podemos observar o efeito de rb, foi de introduzir dois zero no sistema e diminuir o plo dominante por um fator k dado por:

k = rb /RS+1

(234)

Em muito altas freqncias (s >>p1 ) a equao do ganho torna-se Av s>>p1 = RL /RS . N(s)/D(s) = RL / RS (1+sr bC +s2re rbC C) / (1+sRTC+s 2re RTCC) Av s>>p1 RL / RS (s2re rbC C) / (s2r eRTC C) = RL rb / RSRT Av s>>p1 RL rb/RS RL (rb / RS+1) = rb/(rb +RS )

(235)

Exerccio:
Calcule os plos do amplificador base comum (o mesmo do exerccio anterior)mostrado abaixo em alta freqncia levando em conta o efeito de rb e esboce a sua resposta em freqncia.
= hf =100 r0 = RS 50 ve RE 4k VB = 4,7V RL 2k v0 CC 10 F CS 10 F rb =25 VE C = 1pF C =10pF V CC =20V RC 6,34k

158

Soluo: a) Anlise DC (igual ao exerccio anterior) I C IE =4V/4 k =1mA r e =VT / IC =26mV /1mA =26 b) Anlise AC (altas freqncias) RS = RE //RS RS = 50 RL= RC // RL =6,34k //2k 1520 RT = RL(rb /RS+1) =1520 (25/50 +1) =2280 p1 = -1/re C p1 = -1/ 26)(10pF - 3,85x10 9 rad/s ou fp1(Hz) = p1 /2 612MHz p2 = -1 /RT Cu p2 = - 1/ (2280)(1pF) -4,38x10 9 rad/s ou f p2(Hz) = p 2/ 2 70MHz

Valores limites Ganho em mdia freqncias (v 0 /ve s <<p2) (igual ao exerccio anterior) Av s << p2 = RL /(RS + re ) =1520/ (50 +26)= 20 Ganho em muito altas freqncias (v 0 /ve s >>p1) Av s >>p1 rb/ (rb +RS) = 25 / (25+50) 0,333

159

A figura abaixo mostra o grfico da resposta em alta freqncia com o efeito de rb.
Av /Avmed(dB) escala linear 0dB -3dB -6dB -12dB 0dB 20 -18dB -24dB -30dB -36dB -42dB -35,5dB 0,333 -48dB -54dB
1M 10M

fp2 = 70MHZ
100M 1G

f (escala log )
10G

Resposta em alta freqncia de um base comum com rb =25 Simulao

**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS NAME MODEL IB IC VBE VBC VCE BETADC GM RPI RX RO CBE CBC CJS BETAAC CBX Q_Q1 Qbreakn 1.00E-05 1.00E-03 6.46E-01 -8.83E+00 9.47E+00 1.00E+02 3.88E-02 2.58E+03 2.50E+01 1.00E+12 1.01E-11 1.01E-12 0.00E+00 1.00E+02 0.00E+00

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FT 5.55E+08