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Transistores Professor Zanco
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Transistores Professor Zanco
IDIAS BSICAS
O transistor fabricado a partir de um cristal de silcio
com trs regies dopadas que podem ser NPN ou PNP. Em
cada regio ligado um terminal condutor, como mostra a
figura a seguir.
POLARIZANDO O TRANSISTOR
A figura a seguir mostra uma das vrias formas de
polarizarmos um transistor, conhecida como polarizao
base-comum. O temo base-comum deve-se ao fato de que o
terminal da base o terminal comum ente as malhas do DE
e do DC.
Observe que o diodo-emissor est polarizado
diretamente e o diodo-coletor polarizado reversamente. A
faixa cinza em torno da juno do DC representa a camada
de depleo expandida devido polarizao reversa.
Ie = Ic + Ib
Ie = Intensidade de corrente no emissor
Ic = Intensidade de corrente no coletor
Ib = Intensidade de corrente na base
Como mais de 95% dos eltrons que entram na base
vo para o coletor, podemos dizer que Ic >> Ib. Sendo
assim:
Ie Ic
Esta aproximao importante e ser muito utilizada
ao longo desta obra.
CC = Ic / Ie
POLARIZAO EMISSOR-COMUM
Se ao invs da base for o emissor o ponto comum entre
as malhas do DE e do DC, teremos a configurao emissorcomum. O funcionamento do transistor o mesmo da
configurao base-comum, porque o que importa no a
configurao em si que est sendo utilizada e sim a forma
como os diodos DE e DC esto polarizados. A polarizao
destes diodos que nos interessa no momento a
polarizao direta para DE e a reversa para DC. A figura a
seguir ilustra a idia.
CC = Ic / Ib
Para quase todos os transistores menos de 5% dos
eltrons que chegam na base vindos do emissor se
recombinam com as lacunas da base e saem pelo terminal
da base para produzir Ib. Sendo assim, podemos dizer que o
CC sempre maior que 20. Geralmente ele se encontra
entre 50 e 300 e em alguns transistores pode chegar a 1000.
O CC fornecido pelo fabricante do transistor no
datasheet do componente. No datasheet ele normalmente
encontrado com a denominao HFE e seu valor muito
influenciado pela temperatura.
Corte
Ativa
Saturao
ativa
direto
reverso
saturao
direto
direto
MODELO EBERS-MOLL
Este o modelo que utilizaremos para representar, em
baixas freqncias, o funcionamento do transistor na regio
ativa. Veja na figura a seguir que entre os terminais baseemissor vemos um diodo, enquanto que olhando para dentro
do coletor vemos uma fonte de corrente cuja intensidade
depende da intensidade da corrente de base. A figura a
seguir mostra tambm o smbolo utilizados para representar
os transistor NPN.
emissor e a malha de sada a malha formada por coletoremissor. A figura a seguir ilustra a idia.
Malha de entrada:
Malha de sada:
Como,
Bcc = Ic / Ib
Ento,
Ic = Bcc x Ib = 100 x 10
Ic = 1mA
ANALISANDO A MALHA DE SADA