Americo de Almeida Filho - Tese

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AUTARQUIA ASSOCIADA A UNIVERSIDADE DE SO PAULO
"ELABORAO E ESTUDOS DE RECRISTALIZAO DE LIGAS ALUMNIO-MAGNSIO-TRIO E ALUMNIO-MAGNSIO-NIBIO"
AMRICO DE ALMEIDA FILHO
Tese apresentada como parte dos requisitos para obteno do Grau de Doutor em Cincias na rea de Tecnologia Nuclear - Materiais. Orientador: Dr. Waldemar Alfredo Monteiro
So Paulo 2005
138
Instituto de Pesquisas Energticas e Nucleares

A U T A R Q U A ASSOCIADA UNIVERSIDADE D E S O PAULO
AMRICO DE ALMEIDA FILHO
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Tese apresentada como parte dos requisitos para obteno do Grau de Doutor em Cincias na Area de Tecnologia Nuclear Materiais. Orientador: Dr. Waldemar Alfredo Monteiro
So Paulo 2005
AGRADECIMENTOS
Ao Instituto de Pesquisas Energticas e Nucleares pela oportunidade para a realizao deste trabalho.
Ao Instituto de Qumica e Escola Politcnica da Universidade de So Paulo, pelos equipamentos utilizados.
Ao Dr. Waldemar Alfredo Monteiro pela orientao e amizade, sem as quais no seria possvel a realizao deste trabalho.
Ao Dr. Jan Vatavuk, pela amizade e colaborao durante o decorrer deste trabalho.
Ao amigo Dr. Sidnei Jos Buso, pelo valioso auxilio em vrias etapas deste trabalho.
Ao Dr. Rodrigo Estevam Coelho, pelo auxlio prestado no incio deste trabalho.
CAPES, pelo suporte financeiro.
Aos tcnicos dos laboratrios do IPEN, pela disponibilidade e auxlio na soluo dos problemas.
minha famlia, pelo apoio incondicional oferecido durante a realizao deste trabalho.
Amrico de Almeida Filho
RESUMO
Nas ltimas dcadas, a necessidade de materiais leves com elevada resistncia mecnica, aplicados na industria automobilstica, naval e aeroespacial, propiciou o
desenvolvimento de novas ligas metlicas, principalmente de alumnio. Dentre estes materiais, podem ser destacadas as ligas Al-Mg-X, onde X um elemento de liga, que apresentam melhoras significativas nas propriedades gerais das ligas de alumnio. Este trabalho tem por objetivo a produo de ligas Al-2Mg-lTh e Al-2Mg-lNb por metalurgia do p, alm de estudos relativos ao comportamento das ligas quanto a tratamentos termomecnicos, caracterizando suas propriedades e relacionando-as s respectivas estruturas. O processo adotado para produo das ligas gerou um produto com distribuio homognea dos elementos de liga. Foram acompanhadas as mudanas estruturais causadas por diferentes tratamentos trmicos, aps reduo de 89% em rea por laminao a frio. Os tratamentos trmicos tiveram uma influncia muito significativa nas propriedades das ligas, com destaque para a resistividade eltrica, que na liga Al-Mg-Th se apresentou menor que para o alumnio puro. As ligas apresentaram propriedades mecnicas mais elevadas do que as ligas comuns de alumnio, com densidade muito prxima desta ligas. O comportamento das ligas quanto aos tratamentos trmicos apresentou alguns desvios em relao ao esperado, devido ao processo de obteno das mesmas. As ligas em estudo apresentaram valores interessantes de propriedades, com evidente potencial tecnolgico. A relao entre caractersticas fsicas e tratamentos trmicos, em todas as medidas feitas, sugere que materiais produzidos por metalurgia do p apresentam importantes mudanas em suas propriedades com alteraes mnimas em suas condies estruturais.
11
"ELABORATION AND RECRYSTALIZATION STUDIES OF ALUMINUM-MAGNESIUM-THORIUM AND ALUMINUM-MAGNESIUM-NIBUM ALLOYS"
Amrico de Almeida Filho
ABSTRACT
In the last decades, the need of light materials with high mechanical resistance, applied in automobile, naval and aerospace industries, propitiated the development of new metallic alloys, mainly aluminum alloys. Among these materials, can be outstanding Al-Mg-X alloys, where X is an alloy element, that present significant improvements in the general properties of the alloys of aluminum. This work has for objective the production of Al-2Mg-lTh and Al-2Mg-lNb alloys by powder metallurgy, besides relative studies to the behavior of the alloys with relationship to termomechanical treatments, characterizing your properties and relating them to the respective structures. The process adopted for production of the alloys generated a product with homogeneous distribution of the alloy elements. The structural changes were accompanied caused by different thermal treatments, after reduction of 89% in area by cold rolling. The thermal treatments had a very significant influence in the properties of the alloys, with prominence for the electric resistivity, that in the alloy Al-Mg-Th came smaller than for the pure aluminum. The alloys presented higher mechanic properties than common of aluminum, with very close density of this alloys. The behavior of the alloys with relationship to the thermal treatments presented some deviations in relation to the expected, due to the process of obtaining of the same ones. The alloys in study presented interesting values of properties, with evident technological potential. The relationship between physical characteristics and thermal treatments, in all the done measures, suggests that materials produced by powder metallurgy present important changes in your properties with minimum alterations in your structural conditions.
ill
SUMARIO
AGRADECIMENTOS RESUMO ABSTRACT LISTA DE FIGURAS LISTA DE TABELAS
i ii iii vii xii
1. I N T R O D U O
01
2. REVISO BIBLIOGRFICA 2.1. Ligas alumnio-magnsio 2.1.1. Ligas alumnio-magnsio-trio 2.1.2. Ligas aluninio-nibio 2.1.2. Ligas alummo-magnsio produzidas por metalurgia do p 2.2. Materiais em estado deformado 2.2.1. Energia armazenada na deformao a frio 2.2.2. Relao entre energia armazenada e microestrutura 2.2.2.1. Energia armazenada e densidade de discordncias 2.2.3. Estrutura e energia de contornos de baixo e de alto ngulo 2.2.3.1. A energia em contornos 2.2.3.1.1. Contornos de baixo ngulo 2.2.3.1.2. Contornos de alto ngulo 2.2.4. Interao de segundas fases com contornos 2.2.4.1. Fora de arrasto devido a uma partcula 2.2.4.2. Presso de arraste para uma distribuio de paitculas 2.2.5. Mobilidade e migrao de contornos 2.2.5.1. Micromecanismos de migrao de contornos 2.2.5.2. Estruturas compactas 2.2.5.3. Conceito de mobilidade em contorno de gro 03 04 06 07 07 07 09 09 10 11 11 12 12 13 14 14 15 16 18
2.2.5.3.1. Mobilidade de contornos de baixo ngulo 2.2.5.3.2. Mobilidade de contornos de alto ngulo 2.2.6. Conformao mecnica e recristalizao 2.2.6.1. Recristalizao de metais puros 2.2.6.2. Cintica de recristalizao 2.2.6.3. Recristalizao de ligas com presena de segundas fases 2.3.Tcnicas de caracterizao 2.3.1 Calorimetria exploratria diferencial
18 20 22 24 25 26 27 33
3. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL 3.1.Preparao da liga 3.2. Conformao mecnica (Laminao) 3.3. Tratamentos trmicos 3.4. Preparao de amostras para observao por microscopia ptica e microscopia eletrnica de varredura 3.5. Preparao de amostras para observao por microscopia eletrnica de transmisso 3.6. Caracterizao qumica 3.7. Medidas de dureza Vickers 3.8. Anlise por Mapeamento por Calorimetria Diferencial (DSC - Differential Scanning Calorimetry) 3.9. Determinao da resistividade eltrica 3.10. Determinao da densidade relativa
34 3D 38 38 38
39 39 39 41
42 42
4. RESULTADOS 4.1. Conformao mecnica 4.2. Processamento em moinho de alta energia 4.3. Anlises feitas por microscopia ptica 4.4. Anlises feitas por microscopia eletrnica de varredura 4.5. Anlises feitas por microscopia eletrnica de transmisso 4.6. Dureza Vickers 4.7. Anlise Trmica por DSC 4.8. Clculo da energia de ativao para o processo de recristalizao 4.9. Resistividade eltrica
43 43 43 43 54 65 76 78 79 80
4.10. Medida da densidade relativa
81
5. DISCUSSO 6. CONCLUSES
82 85
APNDICE A - Tabelas relativas aos grficos apresentados APNDICE B - Seqncia de micrografias pticas APNDICE C - Seqncia de micrografias obtidas por MEV REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
86 87 107 112
VI
LISTA DE FIGURAS
2.1 Diagrama de fases Magnsio-Trio 2.2 Diagrama de fases Alumnio-Trio 2.3 Diagrama de fases Alumnio-Nibio 2.4. Um contorno de gro entre dois cristais com diferena de orientao por um ngulo 6 em relao ao eixo normal pgina. 2.5. Interao entre um contorno de gro e uma partcula esfrica. 2.6. Falha de empilhamento em cristal CFC: a) intrnseca eh) extrnseca. 2.7. Diagramas esquemticos da interao entre soluto e contorno: a) o potencial U(x), b) a fora de interao F(x) entre um tomo soluto e o contorno, c) a distribuio resultante de tomos solutos para um contorno estacionrio (linha cheia) e para um contorno movendo-se da esquerda para a direita (linha tracejada), d) Difusividade D(x) na regio de contorno. 2.8. Diagrama de recristalizao como funo do grau de deformao e temperatura de recozimento. 2.9. Representao da profundidade de penetrao. 2.10. Representao dos parmetros na profundidade de penetrao. 2.11. Representao dos parmetros descarregamento 2.12. Impresso gerada pelo penetrador Vickers. 3.1. Fluxograma mostrando o procedimento experimental utilizado. 3.2. Representao esquemtica de um moinho de alta energia. 3.3. Curva de carregamento e descarregamento do ensaio de dureza Vickers. 3.4. Curva de carregamento e descarregamento do ensaio de dureza Vickers. 4.1. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 100 "C (200X). 4.2. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 100 "C (lOOOX). 4.3. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 200 "C (200X). 4.4. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 200 "C (lOOOX). 4.5. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 300 "C (200X). 4.6. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 300 "C (lOOOX). e descarregamento.
04 05 06
10 13 17
22
24 29 29 30 32 34 37 40 41 44 44 45 45 46 46
vu
4.7. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 400 "C (200X). 4.8. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 400 "C (lOOOX). 4.9. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 500 "C (200X). 4.10. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 500 "C (lOOOX). 4.11. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 100 "C (500X). 4.12. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 100 "C (lOOOX). 4.13. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 200 "C (500X). 4.14. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 200 "C (1OOOX). 4.15. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 300 "C (500X). 4.16. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 300 "C (lOOOX). 4.17. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 400 "C (500X). 4.18. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 400 "C (lOOOX). 4.19. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 500 "C (500X). 4.20. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 500 "C (lOOOX). 4.21. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 100 "C. 4.22. EDS de um precipitado da liga Al-Mg-Th tratada a 100 "C. 4.23. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 200 "C. 4.24. EDS de um precipitado da liga Al-Mg-Th tratada a 200 "C. 4.25. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 300 "C. 4.26. EDS de um precipitado da liga Al-Mg-Th tratada a 300 "C. 4.27. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 400 "C. 4.28. EDS de um precipitado da liga Al-Mg-Th tratada a 400 "C 4.29. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 500 "C. 4.30. EDS de um precipitado da liga Al-Mg-Th tratada a 500 "C. 4.31. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 100 "C. 4.32. EDS de um precipitado da liga Al-Mg-Nb tratada a 100 "C. 4.33. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 200 "C. 4.34. EDS de imi precipitado da liga Al-Mg-Nb tratada a 200 "C. 4.35. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 300 "C. 4.36. EDS de um precipitado da liga Al-Mg-Nb tratada a 300 "C. 4.37. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 400 "C. 4.38. EDS de um precipitado da liga Al-Mg-Nb tratada a 400 "C. 4.39. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 500 "C
47 47 48 48 49 50 50 51 51 52 52 53 53 54 55 55 56 56 57 57 58 58 59 59 60 60 61 61 62 62 63 63 64
viu
4.40. EDS de um precipitado da liga Al-Mg-Nb tratada a 500 "C 4.41. Distribuio do elemento alumnio na liga Al-Mg-Th. 4.42. Distribuio do elemento magnsio na liga Al-Mg-Th. 4.43. Micrografia da liga Al-Mg-Th sem tratamento. 4.44. Micrografia da liga Al-Mg-Th a 100 "C. 4.45. Micrografia da liga Al-Mg-Th a 300 "C. 4.46. Micrografia da liga Al-Mg-Th a 500 "C. 4.47. Micrografia da liga Al-Mg-Nb sem tratamento. 4.48. Micrografia da liga Al-Mg-Nb a 500 "C. 4.49. Micrografia da liga Al-Mg-Nb aps resfriamento. 4.50. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 100"C. 4.51. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 300 "C. 4.52. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 500 "C. 4.53. Padro de difrao relativo estrutura da figura 4.76. 4.54. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 100 "C. 4.55. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 100"C. 4.56. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 300 "C. 4.57. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 500 "C. 4.58. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 500 "C. 4.59. Padro de difrao relativo estrutura da figura 4.58. 4.60. Perfil de dureza Vickers das amostras em estudo aps tratamentos trmicos. 4.61. Mdulo de elasticidade das amostras em estudo aps tratamentos trmicos. 4.62. Curva obtida por DSC para amostra da liga Al-2Mg-lTh. 4.63. Curva obtida por DSC para amostra da liga Al-2Mg-lNb. 4.64. Resistividade eltrica em funo da temperatura para as ligas em estudo. B . l : Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 100"C. B.2: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a lO'C. B.3: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a lOCf'C. B.4: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 100"C. B.5: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 200'C. B.6: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 20(fC. B.7: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 200"C. B.8: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 20(fC.
64 65 65 66 67 67 68 69 69 70 71 71 72 72 73 74 74 75 75 76 11 11 78 19 80 87 87 88 88 89 89 90 90
IX
B.9: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 300"C. B.IO: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 300"C. B . l l : Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 300"C. B.12: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 30(f'C. B.13: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 40ff'C. B.14: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 400'C. B.IS: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 400"C. B.16: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 400'C. B.17: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 500"C. B.18: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 500"C. B.19: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 50O'C. B.20: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 500"C. B.21: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 100'C. B.22: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a lOO'C. B.23: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a lOO'C. B.24: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 100"C. B.25: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 200"C. B.26: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 200"C. B.27: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 20O'C. B.28: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 20O'C. B.29: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 300"C. B.30: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 300"C. B.31: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 300"C. B.32: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 30O'C. B.33: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 400"C. B.34: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 400'C. B.35: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 40O'C. B.36: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 40O'C. B.37: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 500"C. B.38: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 500'C. B.39: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 500"C. B.40: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 500"C. C.l: Imagem por MEV de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a lOOC.
91 91 92 92 93 93 94 94 95 95 96 96 91 97 98 98 99 99 100 100 101 101 102 102 103 103 104 104 105 105 106 106 107
c.2: Imagem por MEV de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a lO'C. C.3: Imagem por MEV de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 200'C. C.4: Imagem por MEV de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 20'C. C.5: Imagem por MEV de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 30'C. C.6: Imagem por MEV de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 30'C. C.7: Imagem por MEV de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 400'C. C.8: Imagem por MEV de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 400'C. C.9: Imagem por MEV de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 500'C. CIO: Imagem por MEV de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 50O'C.
107 108 108 109 109 110 110 111 111
XI
LISTA DE TABELAS
3.1. Composio qumica do alumnio em p (Alcoa) 3.2. Composio qumica do magnesio em farpas (IPEN) 3.3. Composio qumica do nibio em barra (IPEN) 3.4. Massas utilizadas na preparao da liga Al-2Mg-lTh. 3.5. Massas utilizadas na preparao da liga Al-2Mg-lNb. 3.6. Presses utilizadas durante os processos de compactao e extruso. 3.7. Parmetros utilizados nos ensaios de dureza Vickers. 4.1. Densidades tericas e medidas para as ligas em estudo. A.l. Dados referentes figura 4.60 A.2. Dados referentes figura 4.61 A.3. Dados referentes figura 4.64
35 36 36 36 37 37 40 81 86 86 86
Xll
1. INTRODUO
Na ltima dcada, materiais leves tm sido amplamente estudados e utilizados em componentes de peas e estampos nas indstrias: automobilstica, naval e aeroespacial. Sua aplicao possibilita: reduo da massa, aumento da capacidade de carga, aumento da velocidade e, quando h possibilidade, melhoria das propriedades mecnicas. Os principais critrios para seleo desses materiais para aplicaes estruturais so: resistncia mecnica especfica (relao resistncia-peso) e a rigidez especfica, que difere em muito entre os vrios materiais de liga leve Dentre esses materiais, as ligas de alumnio tm
destaque especial, devido no somente leveza do material, mas tambm a certas propriedades mecnicas e a reciclabilidade deste ~.
As ligas Al-Mg enquadram-se na classe das ligas "no tratadas termicamente", i.e., que no alteram suas propriedades fsicas, por tratamento trmico. Contudo, algumas
concentraes de magnsio (acima de 7%) aumentam discretamente sua resistncia mecnica por tratamento trmico Tais ligas apresentam boas propriedades mecnicas, com
destaque a situaes de esforos mecnicos moderados (400 a 700 MPa) e boa resistncia corroso '. A adio de magnsio nas ligas de alumnio, faz com que o metal fique suscetvel a oxidao durante os processos de fuso, moldagem e solidificao, podendo resultar na formao de filmes de xidos na estrutura da liga. Para a preveno deste efeito pode utilizarse Be que, entretanto, causa um aumento do tamanho de gro. Este pode ser prevenido pela adio de Ti. Adies desse elemento tambm auxiliam no controle do envelhecimento natural, que causa a perda de ductilidade^"^. Ligas produzidas por metalurgia do p so, em geral, geradas pela compactao (presso de compactao da ordem de 400 MPa para ligas de alumnio) de partculas a altas taxas de solidificao e, em particular no caso das ligas Al-Mg, a temperaturas na faixa de 400 a 450C. O produto gerado tem como caractersticas principais: homogeneidade na microestrutura e composio qumica alm de pequeno tamanho de gros. Neste tipo de processo, possvel elevar as quantidades de elementos que tm solubilidade baixa em torno de 5 vezes a sua solubilidade mxima em estado slido.
Diversas propriedades dos materiais so fortemente dependentes da microestrutura, tais como: limite de escoamento, limite de resistncia, alongamento, tenacidade, temperatura de transio dctil - frgil, resistncia ao impacto, resistncia ao desgaste. Deformaes plsticas introduzidas durante os processos de conformao mecnica promovem tanto alteraes dimensionais como modificaes nas propriedades mecnicas do material. Essas propriedades tambm so influenciadas pela temperatura, pela taxa de deformao no processamento e pelo modo como o material deformado ^.
2. REVISO BIBLIOGRFICA
2.1. Ligas aluminio-magnesio
O fato do aluminio e o magnesio serem elementos que esto muito prWirnus na tabela peridica faz com que as ligas binarias (i.e. Al-x%Mg, onde x% a porcentagem em peso de magnesio) geradas por estes dois elementos sejam do tipo "soluo slida substitucional", sendo base para a srie 5XXX das ligas de aluminio. Tais ligas apresentam boas propriedades mecnicas, com destaque a situaes de esforos mecnicos moderados (400 a 700 MPa) e boa resistncia corroso '. As ligas Al-Mg enquadram-se na classe das ligas "no tratadas trmicamente"; devido a estes fatos, utilizam-se mtodos puramente mecnicos (deformao plstica) para aumentar a resistncia mecnica dessas ligas O encruamento tem aplicaes limitadas em vista da perda da ductilidade, sendo que tais ligas normalmente so utilizadas no estado recozido. As temperaturas usuais para o recozimento esto numa faixa entre 350 e 420C. Altas concentraes de magnesio implicam concentraes maiores da fase MgaAla, incrementando a resistncia mecnica de 110 MPa (Al-5Mg) a 340 MPa (Al-6Mg), porm notado um decrscimo no alongamento relativo entre 20-28%. A adio de magnesio nessas ligas faz com que o metal fique suscetvel oxidao durante os processos de fuso, moldagem e solidificao, o que pode resultar na formao de filmes de xidos na estrutura da liga. Em razo disto, pode ulizar-se Be para prevenir a oxidao. Entretanto, o Be causa um aumento do tamanho de gro, que pode ser prevenido pela adio de Ti ou Zr, o que essencial quando se trata de propriedades mecnicas. Adies desses elementos tambm auxiliam no controle do envelhecimento natural, que causa a perda de ductilidade. A adio de Zr, tambm reduz a susceptibilidade corroso sob tenso nas ligas de alumnio '
2.1.1.
Ligas alumnio-magnsio-trio
A partir da dcada de 1930, foram desenvolvidas ligas de magnesio contendo torio, com o objetivo de melhoria das propriedades mecnicas e resistncia fluencia. O desenvolvimento destas ligas no apresentou progresso durante cerca de vinte anos, aps os quais a necessidade de materiais para aplicaes nucleares fez com que ligas magnesio - torio despertassem interesse '. O magnesio e o trio so completamente miscveis no estado lquido. O diagrama de fases (fifura 2.1) apresenta um ponto euttico, cuja composio soluo slida contendo 4,5% de trio e precipitados de Mg4Th ou MgjTh, a 582C, sendo que temperatura ambiente, a solubilidade do trio no magnesio de 0,1%. Este fato responsvel por um acentuado processo de endurecimento por precipitao ^. Existem ligas comerciais "magnesio - trio", com composio variando entre 1,5 a 4,5% de trio, algumas com pequenas adies de outros elementos, principalmente zircnio '. A literatura traz poucas informaes sobre ligas alumnio - trio, sendo que seu diagrama de equilbrio (figura 2.2) s se encontra bem estabelecido na poro rica em alumnio.
Magnesio - % em peso
l.
\
S
3
\
OtL
1000
^
Tf
I I y-ti II II
II
O 20 40 60 80
Magnesio - % atmica
Figura 2.1 Diagrama de fases
Magnsio-Trio
10
Alumnio - % em peso
3 5 10 20
20
40
60
Alumnio - % atmica
Figura 2.2 Diagrama de fases
Alumnio-Trio
10
A mxima solubilidade do trio no alumnio de 2% em peso, a 525C, caindo para 0,001% temperatura ambiente. Foram identificados seis intermetlicos: Th2Al, Th3Al2, ThAl, ThAl2, ThAl3 e um composto estvel somente a altas temperaturas, de composio entre ThAl eThA^. A obteno da liga alumnio - magnsio - trio pode ser realizada a partir da reduo do xido de trio (Th02), diretamente em contato com alumnio e magnsio fundidos, atravs das seguintes reaes:
Th02(s) + 4/3 Al(i) ^ Th(s) + Al203(s)
(1) (2) (3) (4)
Th + 3 Al ^ ThAl3
2 Th02(,s) + 4 Mg(i) 2 Th(s) + 4 MgO
Th + 4 Mg
Mg4Th
Estas reaes possuem rendimentos bem conhecidos, podendo-se calcular os excessos de alumnio e magnesio necessrios para a obteno de determinada composio ^.
2.1.2.
Ligas alumnio-nibio
O diagrama de fases alumnio-nibio mostrado na figura
2.3. Trs
fases
intermedirias so encontradas neste sistema; duas delas, NbÂl e NbAfi, entram em processo de fuso a 1800 C e 1750 C, respectivamente. A terceira fase, Nb3Al, decompe-se a 2120 C. O sistema parcial Nb2Al e NbA^ inclui um euttico temperatura de 1520 C. Nibio praticamente insolvel no aluminio metlico em temperaturas normais, mas a solubilidade do aluminio no nibio cerca de 3 % a 20 "C.
Nibio - % em peso
50 60 70 80
- r
85
90
2400 -
O Al
20
40
60
100
Nb 10
Nibio - % atmica
Figura 2.3 - Diagrama de fases
Alumnio-Nibio
Quando o teor de aluminio corresponde regio do composto NbÂl, a entalpia de soluo de 138 + 21 kJ/mol de aluminio. Para solues com propores equiatmicas entre nibio e alumnio, a entalpia de soluo de 92 12 kJ/mol de alumnio. O composto Nb3Al ganhou importncia prtica, devido a esta fase e correspondentes ligas ternrias apresentarem propriedades de supercondutividade eltrica.
2.1.3. Ligas Al-Mg produzidas por metalurgia do p
As ligas produzidas por metalurgia do p so geradas pela compactao (presso de compactao da ordem de 400 MPa para ligas de alumanio) de partculas geradas a altas taxas de solidificao e, em particular no caso das ligas Al-Mg, a temperaturas na faixa de 400 a 450C. O dimetro das partculas para compactao est numa faixa que abrange desde alguns micrmetros at milmetros, sendo que os produtos produzidos por estas tm estruturas de gros finos e baixo grau de segregao, que pode ser eliminada facilmente por tratamentos trmicos convencionais. Considerando uma alta taxa de resfriamento, a estrutura dos materiais uma soluo slida supersaturada em que os componentes podem exceder de 2,5 a 5 vezes o limite de solubilidade normal Verifica-se que a precipitao de fases intermetlicas durante a etapa de compactao ocupa, em geral, um lugar de destaque sobre todas as outras transformaes de fase, pois proporciona ligas com propriedades fsicas diferenciadas, tais como aumento da temperatura de recristalizao e da resistncia mecnica da liga a temperaturas usuais e elevadas ".
Alm da vantagem do baixo peso, as ligas alumnio-magnsio (e as ligas de aluminio em geral) produzidas por metalurgia do p apresentam boa resistncia corroso, resistncia mecnica no mnimo igual, comparando-se a muitas ligas de ferro a meia densidade ou densidade a verde, menor energia para produo, considerando que o processo de sinterizao ocorre a menores temperaturas e mais rapidamente ^.
2.2. Materiais em estado deformado
2.2.1. Energia armazenada na deformao a frio
A maior parte da energia aplicada na deformao de um metal liberada sob a forma de calor e apenas uma pequena quantidade (cerca de 10%) permanece como energia armazenada. Esta energia armazenada, que fonte de todas as mudanas nas propriedades fsicas dos metais deformados, derivada dos defeitos puntiformes e das discordncias geradas durante a deformao. Entretanto, a mobilidade das lacunas e intersticiais to alta
que, com exceo no caso de deformao a temperaturas muito baixas, os defeitos puntiformes no contribuiro significativamente para a energia armazenada na deformao. No caso de deformao temperatura ambiente, praticamente toda a energia armazenada deriva-se do acumulo de discordncias, sendo a diferena entre o estado deformado e recozido o nmero de discordncias e seu tipo de arranjo Devido a isto, a discusso referente microestrutura de deformao durante os processos de recuperao e recristalizao, pode ser baseada na densidade, distribuio e arranjo das discordncias. O aumento da densidade de discordncias devido ao continuo aprisionamento de novas discordncias por discordncias existentes e sua incorporao nos vrios sistemas microestruturais caractersticos do estado deformado, sendo um dos sistemas mais simples o formato do gro. Durante a deformao, os gros de um metal policristalino mudam sua forma, resultando no aumento da rea do contorno de gro. A energia associada com o aumento de rea representa uma parte significativa da energia armazenada durante o processo de deformao a frio, sendo maior para pequenos tamanhos de gro e grandes tenses. A taxa do aumento de rea de contorno de gro por unidade de volume depende do modo da deformao. Gros de uma folha laminada so esticados, os gerados na fabricao de fios em forma de agulha e aqueles de amostras que passaram por compresso tm forma de disco '"\ Um segundo sistema da microestrutura de deformao baseia-se na estrutura interna dos gros. Esta pode tomar muitas formas, mas em todas envolve a criao de contornos do mesmo tipo. Muitas das discordncias geradas so localizadas nesses contornos internos Uma outra fonte de discordncias e de energia armazenada est associada a partculas de segunda fase que iro deformar menos, se comparado deformao do material de base. Esta incompatibilidade resulta na formao de discordncias adicionais Num metal pouco deformado a energia armazenada aproximadamente 10^ J/m"*, o que um valor baixo. Isto representa apenas 0,1 % do calor latente de fuso de muitos metais e muito menor que as variaes de energia associadas a transformaes de fase. Como conseqncia, estas transformaes de fase podem ocorrer a temperaturas de recristalizao, sendo que precipitaes de segundas fases ou uma reao de reordenao, podem ter profundo efeito no processo.
Como j mencionado anteriormente, o aumento na densidade de discordncias durante a deformao provem da criao de novas discordncias, bem como do ancoramento das existentes. Durante a deformao, as discordncias (de vetor de Burgers b) movem-se a uma distncia mdia I e a densidade (p) relaciona-se com a deformao verdadeira e por: e = p.b.I equao 2.1.
O valor atribudo a I e sua variao com a deformao responsvel por muito da incerteza na teoria de endurecimento por deformao
2.2.2. Relao entre energia armazenada e microestrutura
2.2.2.1. Energia armazenada e densidade de discordncias
Em materiais em que a densidade de discordncias baixa, o contedo de discordncias pode ser medido diretamente por microscopia eletrnica de transmisso. Entretanto, a densidade de discordncias em metais moderadamente deformados tal que no possvel uma contagem precisa e heterogeneidades na distribuio tomaro ainda mais difcil esta Uma expresso que pode dar uma estimativa da densidade de discordncias obtida das propriedades mecnicas do material, sendo dado por:
a = Ci.G.b.p''^
equao 2.2.
onde a a tenso de escoamento, ci uma constante de ordem de 0,5 e G o mdulo de cisalhamento. Se a energia do ncleo de discordncias for desprezada e se assumir uma elasticidade isotrpica, ento a energia por:
Edis
por unidade de comprimento da linha de discordncia dada
Edis = (471)"'
.G.b-./(v). ln(R/Ro)
equao 2.3.
onde R o raio de separao superior (usualmente considerado pela separao de discordncia p'"'^), Ro o raio de separao inferior (usualmente entre b e 5b) e /(v), funo da razo de Poisson que uma mdia populacional de discordncias em cunha e em hlice v/2)/(l-v)). [15] ( = (1 -
Para uma densidade p a energia armazenada dada por:
ED = P-Edis
equao 2.4.
Em casos onde apenas valores aproximados da energia armazenada so necessrios, pode-se aproximar a expresso acima para:
ED = 0,5.p.G.b-
equao 2.5.
2.2.3. Estrutura e energia de contornos de baixo e de alto ngulo
Considerando um contorno de alto ngulo como o da figura 2.4., ento a geometria do contorno definida pela orientao do plano AB do contorno em relao a um dos dois cristais (dois graus de liberdade) e pela menor rotao (6) necessria para fazer os dois cristais coincidentes (trs graus de liberdade). Desta forma, existem cinco graus de liberdade macroscpicos que definem a geometria do contorno. Adicionalmente, a estrutura ao contorno dependente de trs graus de liberdade, que so translaes paralelas e perpendiculares do corpo em relao ao contorno. A estrutura do contorno depende tambm de deslocamentos locais a nvel atmico e influenciada por variveis externas, tais como temperatura e presso, e parmetros internos tais como ligao, composio e defeitos estruturais
Figura 2.4. Um contorno de gro entre dois cristais com diferena de orientao por um ngulo 6 em relao ao eixo normal pgina.
10
Como muitas das propriedades dos contornos so dependentes da sua estrutura, o contiecimento da estrutura do contomo requisito para entender seu desenvolvimento. Para o estudo convenciona-se dois tipos de contomos: os de alto ngulo e de baixo ngulo. Os contornos de baixo ngulo podem ser considerados aqueles que so compostos de redes de discordncias, enquanto os de alto ngulo caractersticos dos contornos de gro. A orientao relativa de dois cristais cbicos formalmente descrita pela rotao de um cristal que o levar mesma orientao do outro cristal. Isto pode ser definido pela matriz de rotao:
11
12
a a a
21
22
equao 2.6.
31
32
onde ij so os vetores coluna dos co-senos diretores entre os eixos cartesianos. As somas dos quadrados de cada srie e de cada coluna so unidades, o produto escalar entre os vetores coluna zero, ento apenas trs parmetros independentes so envolvidos. O ngulo de rotao 9 dado por:
2.cose -I- 1
=a
+ a22 +
a.?.?
equao 2.7.
e a direo do eixo de rotao [u v w] dada por:
[(fl?2
a23),
(ai3
aiu),
( 2 / -
a2)\
Em materiais cbicos, devido a sua simetria, as orientaes relativas de dois gros podem ser descritas de 24 maneiras diferentes. Alm da relao anterior, existem outras maneiras de expressar a relao entre as orientaes, incluindo os ngulos de Euler e o espao Rodrigues-Frank
2.2.3.1. A energia em contornos
2.2.3.1.1. Contornos de baixo ngulo
11
o tipo mais comum deste tipo de contorno aquele em que h uma simetria em ambos os lados do contorno. Neste caso, verifica-se a orientao sobre o eixo o qual coincide com o plano do contorno. O contomo consiste de urna parede de discordncias em cunha, peiralelas, alinhadas perpendicularmente ao plano de escorregamento. A energia do contorno aumenta com o aumento da diferena de orientao, porm com o aumento de 6, a energia por discordncia diminui, mostrando que o material obter uma menor energia se o mesmo nmero de discordncias estiver arranjado em menor nmero de contornos de alto ngulo
2.2.3.1.2. Contornos de alto ngulo
De acordo com modelos estmturais, poder-se ia esperar que a energia de um contomo deveria ser mnima para uma exata relao de coincidncia, do ngulo de orientao, e que poderia aumentar tanto quanto a orientao desviar-se deste ponto, devido a energia da rede de acomodao de discordncias; entretanto, verifica-se que esta correlao entre geometria e energia de um contorno possui mais variveis a serem analisadas, criando um sistema de difcil soluo Desta forma, necessria alguma precauo na interpretao de medidas
experimentais da energia de contornos, tanto em seu estado de deformado quanto quando aplicados a processos de recozimento. Neste ltimo caso, as medidas so normalmente feitas a temperaturas homlogas muito altas de maneira ao equilbrio ser atingido, verificando-se, em alguns casos, que em certos tipos de contornos h uma mudana de fase, podendo ocorrer ou a perda da ordenao estmtural ou a transio para uma estmtura de diferente ordenao.
2.2.4. Interao de segundas fases com contornos
A disperso de partculas exerce uma fora de ancoramento em contornos de baixo e alto ngulo, influenciando nos processos de recuperao, recristalizao e crescimento de gro. Este efeito conhecido como arrasto Zener O estudo do efeito exercido por esta fora retardadora (ou de arrasto), passa pelas seguintes fases para sua melhor compreenso: a) a fora exercida por uma nica partcula b) a presso de arraste devido a uma distribuio de partculas.
12
2.2.4.1. Fora de arrasto devido a uma partcula
Considerando a interao de um contorno de energia especfica y com uma partcula, supostamente esfrica de raio r, que tem uma interface incoerente, se o contorno encontra esta a um ngulo P como mostra a figura 2.5., ento a fora retardadora no contorno :
F = 27i.r.Y.cos(P).sen(P)
equao 2.10.
Sendo o mximo efeito retardador obtido quando P = 45, dado por:
Fs = K.r.y
equao 2.11.
Figura 2.5. Interao entre um contorno de gro e uma partcula
esfrica.
Observa-se que quando um contorno intercepta uma partcula, esta remove uma regio do contorno igual rea de interseo, diminuindo a energia do sistema. Desta forma, os contornos so atratores para partculas. Verifca-se que a forma das partculas tem influencia na fora, bem como na interao de contornos com partculas coerentes, j que a energia encontrada numa superfcie incoerente maior que numa coerente Pesquisas mostram que pequenas partculas coerentes podem ser dissolvidas por um contorno em movimento,podendo reprecipitar coerentemente ou, alternativamente, pode ocorrer uma precipitao descontnua no contorno
13
Se a fora dirigida for insuficiente para que um contorno em movimento passe as partculas coerentes ou no seja suficiente para sua dissoluo, ento as partculas tomarse-o incoerentes ao longo do contorno. 2.2.4.2. Presso de arraste para uma distribuio de partculas
Considerando uma distribuio randmica de partculas esfricas de raio r, o nmero destas por unidade de volume dado por:
Ny = onde Fv a frao volumtrica.
3.F 43i.r-
2.12.
Se o contorno planar, ento partculas dentro de uma distncia r em cada lado do contorno iro intercept-lo. Portanto o nmero de partculas interceptando uma unidade de rea do contorno :
Ns = 2.r.Nv
equao 2.13.
A expresso de ancoramento exercida pelas partculas na unidade de rea do contorno dada por:
Pz = Ns.Fs Esta relao conhecida como presso de ancoramento Zener
equao 2.14.
2.2.5. Mobilidade e migrao de contornos
A anlise dos fundamentos da mobilidade e migrao de contornos proporciona os fundamentos para as anlises dos processos de recuperao, recristalizao e crescimento de gro. A migrao de contornos de baixo e de alto ngulo tem uma participao importante no processo de recozimento de metais deformados a frio. Migraes de contornos de baixo ngulo ocorrem durante o processo de recuperao e durante a nucleao na recristalizao e a migrao de contornos de alto ngulo ocorre tanto durante quanto aps a recristalizao primria.
14
Devido migrao de contornos envolver processos atomsticos, que ocorrem rapidamente a altas temperaturas e em algumas condies fora do equilbrio, estes so de difcil estudo experimental e tambm de relacionar com modelos tericos. Entretanto evidente o fato de que pequenas quantidades de soluto tm grande influncia na mobilidade de contornos.
2.2.5.1. Micromecanismos de migrao de contornos
Os contornos de baixo e de alto ngulo migram por meio de processos atmicos, que ocorrem nas proximidades do contorno, sendo que os mecanismos dependem de vrios parmetros, que incluem: estrutura do contorno, orientao, plano de contorno e condies experimentais, podendo-se, ainda, citar as foras no contorno e os defeitos cristalogrficos como fatores preponderantes nos mecanismos de migrao. Sabe-se que os contornos migram por movimentao de ascenso de discordncias que compreendem o contorno e, sob muitos aspectos, podem ser interpretados pela teoria de discordncias. J o processo bsico de migrao de contornos de alto ngulo a transferncia de tomos para e desde os gros, os quais esto adjacentes ao contorno, e em modelos baseados em saltos atmicos termicamente ativados. Alm disso, a estrutura do contorno est diretamente relacionada com a cristalografia do contorno, sendo, portanto, que os contornos podem migrar pelos movimentos de defeitos intrnsecos ou por discordncias em contorno de gro. Em muitos casos a migrao do contorno pode envolver processos que utilizam a movimentao de grupos ou conjuntos de tomos (transformao de fase sem difuso). Devido ao empacotamento atmico em contornos de gro ser menos denso do que num cristal perfeito, estes so relacionados com um livre excesso de volume que depende da cristalografia no contorno levando, assim, a uma forte interao com tomos solutos e a formao de uma atmosfera de solutos que move-se com o contorno e impede sua migrao (a velocidades baixas). A faixa de velocidades em contornos muito larga indo desde velocidades baixas, quando em processo de crescimento de gro, a altas, durante os processos de recristalizao, sendo que, neste ltimo, o contorno migra por um material altamente defeituoso e deixa atrs 10 dele um cristal perfeito .
15
2.2.5.2. Estruturas compactas
Duas formas de estruturas compactas: a cbica de face centrada (CFC) e a hexagonal compacta (HC), com nmero de primeiros vizinhos de 12, so observadas em metais do grupo I (Cu, Ag e Au) e tambm nos metais de transio do grupo V n . As estruturas CFC e HC apresentam grandes semelhanas, sendo a diferena pronunciada apenas na seqncia de empilhamento dos planos {111}. Na estrutura CFC as posies ocupadas na seqncia de planos compactos na direo <111> esto na ordem ABCABC, enquanto na HC ABABAB. Um deslocamento em um plano {111} por um vetor a/6.<l 12> produz uma falha de empilhamento "intrnseca" na estrutura CFC, i.e., uma camada HC com um tomo de espessura ABCAi-CABCABC. Uma falha de empilhamento produzida na estrutura HC de maneira anloga ABABICAC. A energia da falha de empilhamento y por unidade de rea mede (em duas dimenses) a diferena na energia Hvre entre os dois modos de empacotamento Se uma falha de empilhamento termina no interior de um cristal, seus contornos formaro discordncias parciais que, em geral, so do tipo Schockley, com o vetor de Burgers de discordncia situado no plano da falha Como os tomos de ambos os lados de uma falha de empilhamento no esto nas posies que normalmente ocupariam num reticulado perfeito, uma falha possui uma energia de superfcie que, em geral, pequena quando comparada a de um contorno de gro comum, mas que desempenha um importante papel na determinao de tamanho de uma discordncia propagada. Por outro lado, a energia total de superfcie associada falha de empilhamento de superfcie associada falha de empilhamento aumenta com a distncia entre as discordncias parciais. A separao entre as duas parciais ento representa um equiliTrio entre a energia repulsiva das discordncias e a energia da superfcie de falha A separao de um par de discordncias depende de um parmetro adimensional dado por:
H = y.c/G.b
equao 2.15.
onde y energia superficial de falha de empilhamento, c o espaamento de discordncias e G o mdulo de cisalhamento
16
Em certos metais CFC do tipo do Al, esse parmetro maior que 10"" e a separao entre as discordncias da ordem de uma distncia atmica. Desses metais diz-se que apresentam alta energia de falha de empilhamento. Quando o parmetro menor que 10"", o metal dito de baixa energia de falha de empilhamento. O movimento real pode ser bastante complexo. Em primeiro lugar, se uma discordncia em movimento encontrar um obstculo, a largura da falha de empilhamento deve variar. Em segundo lugar, vibraes trmicas podem fazer a largura da falha de empilhamento variar localmente ao longo da distncia, sendo a variao funo de tempo. Supondo que esses e outros efeitos complexos possam ser desprezados, uma discordncia propagada pode ser imaginada como um par de discordncias parciais, separadas por uma distncia finita, que se movem juntas pelo cristal. A primeira discordncia parcial, movendo-se, muda a ordem de empilhamento, enquanto a segunda restabelece a ordem para a seqncia original. Depois que ambas tiverem passada por um dado ponto de reticulado, o cristal ter sido cisalhado (no plano de escorregamento) de um valor igual ao vetor de Burgers b da discordncia.
B A C
^
_
.
-a
A C
B
'
C B A
^
^
f A = 1/3(ll1)
^
? ^
(A)
c
s ^
.
.
1
C
C
B /> =1/3(111)
C
B
c
B A
_
^~
.
-c
B A
Figura 2.6. Falha de emphamento em cristal CFC: a) intrnseca e b) extrnseca.
2.2.5.3. Conceito de mobilidade em contorno de gro
Um contorno de gro com uma velocidade (v) em resposta a presso lquida (P = ZPj) no contorno assume uma mobilidade M dada por:
M = v/P
equao 2.16.
Esta relao prevista pela teoria da taxa de reduo, se a mobilidade for independente da fora motora e se P migrao do contorno. Resultados experimentais mostram que para o alumnio v oc p" com n 1. kT e poder ser independente dos detalhes do mecanismo da
2.2.5.3.1. Mobilidade de contornos de baixo ngulo
Est muito bem estabelecido que a mobilidade de contornos de baixo ngulo so significativamente menores que as de alto ngulo. Entretanto h pouca informao disponvel sobre a mobilidade de tais contornos e o efeito na diferena de orientao relativa. Contornos de baixo e mdio ngulo em gros orientados recristalizados dentro de uns poucos graus de diferena na matriz crescem muito lentamente e so indicados como gros ilhas. Pesquisas utilizando uma tcnica para um tipo de bi-cristal (NaCl) verificou que a energia de contorno provem uma fora diretora para a migrao, reportada como um parmetro K' que produto da mobilidade M e energia de contorno y seja dada por
K'=2.y.M
equao 2.17.
Devido a energia e estrutura de contornos de baixo ngulo serem sensveis a diferena de orientao espera-se que a mobilidade de contorno intrnseca seja, tambm, dependente deste parmetro. A migrao destes contornos em geral requer a escalada de discordncias no contorno e espera-se que isto seja a taxa determinante do processo. Autores sugerem que a mobilidade de contornos de baixo ngulo e dada por:
M = C.Ds.b/kT
equao 2.18.
onde C uma constante da ordem de 1 e Ds o coeficiente de autodifuso
18
No aspecto da dependncia da orientao da estrutura do contomo na diferena de orientao 6, a mobilidade dos contornos de baixo ngulo mostra dependncia intrnseca com este parmetro, no demonstrado na anlise da equao anterior. Assim ao se considerar um contorno curvando para um raio R, a presso P no contorno devido a curvatura :
P = 2YS/R
equao 2.19.
onde ys a energia de contorno, sendo que para pequenos valores de 9, ys ~ ci.G.b.9, onde ci uma constante Assumindo que a velocidade de contorno uma variao infinitesimal em relao ao tempo ser:
VB = dR/dt = 2.M.ys / R = 2.c,.M.G.b.9 / R
equao 2.20.
Desta equao podemos verificar que h pelo menos trs anlises a serem feitas quanto ao parmetro 9:
a)
9-^0
b) 9 > 15 ~ 20 c) 0<9<15~20 a movimentao de contornos em que as
No primeiro caso, considerando
discordncias esto muito espaadas, pode-se assumir que a ao de discordncias individuais num contorno dominante. A fora por unidade de comprimento dada por:
F = G.b^ / 2.R
equao 2.21.
Para a escalada de discordncias sob condies de desprezvel supersaturao de lacunas, F.b^ k.T e a velocidade de escalada (VD) de uma discordncia sob influncia de
uma fora F dada por:
VD = Ds.Cj.F.b/k.T
equao 2.22.
19
onde Cj a concentrao de jogs. Substituindo F na equao:
VD
Ds.Cj.
G.blb/2.R.k.T
equao 2.23.
igualando VB a VD:
2.C1 .M.G.b.0
/R=
Ds.Cj.
G.b-.b/2.R.k.T
equao 2.24.
M = Ds.Cj.b^/4.Ci.k.T.e Neste caso limite v = M.P e M inversamente proporcional ao 9.
equao 2.25.
No segundo caso, onde ocorre a sobreposio de ncleos de discordancias, verifica-se que o mecanismo predominante o salto atmico atravs dos contornos e M independente de 9. No ltimo caso, considerado o mais importante para o processo de recuperao de policristais deformados, existem dois fatores opostos a serem considerados: o primeiro o decrscimo na mobilidade com o aumento de 0 devido ao movimento do contorno pela transferncia de tomos sendo, portanto, M 9; j no segundo caso o pequeno espaamento de discordncias e o fato da distncia de ancoramento de lacunas ser inversamente proporcional a 9 pode significar que o escalar toma-se mais rpido quanto 9 aumenta
2.2.5.3.2. Mobilidade de contornos de alto ngulo
A mobilidade de contornos de alto ngulo dependente da temperatura e freqente encontrar uma relao do tipo de Arrenius para representa-la. Para metais puros, tem-se, no caso mais simples:
M = Mo.e'*^^'^''"
equao 2.26.
onde Q a energia aparente de ativao Verifica-se que elementos solutos tm enorme influncia na migrao de contornos e poucas quantidades de impurezas podem reduzir a mobilidade em muitas ordens de grandeza.
20
Neste aspecto, a mobilidade para altas concentraes de soluto baixa e diminui mais ainda com o aumento da concentrao de soluto A combinao da temperatura e a quantidade de solutos mostram efeitos como uma diminuio no valor da energia aparente de ativao e um aumento na mobilidade a altas temperaturas. Evidncias mostram que a dependncia da mobilidade de contornos de gro surge, primariamente, de uma dependncia na orientao da segregao de soluto em relao ao contorno mais do que uma dependncia intrnseca da estrutura da mobilidade do contorno de gro. O modelo mais utilizado para explicar a mobilidade de contornos de gro em materiais cuja composio com o soluto toma forma de solues slidas e o de Cahn-Lcke-Stwe (CLS), o qual baseia-se no conceito de que tomos na regio de um contorno de gro tm uma diferena de energia (U) para aqueles que esto no interior do gro, devido diferena de arranjo atmico. Existe, portanto, uma fora (du/dx) entre o contorno e um tomo de soluto que pode ser positiva ou negativa, dependendo se soluto ou solvente . A fora total do
contorno para todos os tomos de soluto P = Zdu/dx, e uma fora igual e oposta exercida pelos tomos de soluto no contorno. O resultado desta interao um excesso ou dficit de soluto nas proximidades do contorno e a concentrao de soluto (c) dada por:
c = coe*'^^^^
equao 2.27.
onde Co a concentrao de soluto do equilbrio.
21
(a)
. u
. F
(c)
^ "
-a
(d)
Figura 2.7. Diagramas esquemticos da interao entre soluto e contorno: a) o potencial U(x), b) a fora de interao F(x) entre um tomo soluto e o contorno, c) a distribuio resultante de tomos solutos para um contomo estacionrio (linha cheia) e para um contorno movendo-se da esquerda para a direita (linha tracejada), d) Difusividade D(x) na regio de contorno
29
A figura 2.7. mostra a interao entre a energia U, fora F, concentrao c e o coeficiente de difuso em funo da distncia para um contorno estacionrio e cujos solutos so atrados para o contorno. Se contornos em movimento tm um maior volume livre que contomos estticos, ento espera-se que a solubilidade num contorno em movimento seja maior que num contorno esttico.
2.2.6. Conformao mecnica e recristalizao
Sabe-se que, a maioria dos materiais metlicos passa em alguma etapa de sua fabricao por processos de deformao a frio e a quente para que sejam obtidos produtos como chapas, arames, tubos, etc. Em alguns destes processos, podem ocorrer alteraes microestmturais simultneas como: encmamento, recuperao e recristalizao. Os
22
fenmenos supracitados ocorrem simultaneamente deformao quando o material est sob um campo de tenses e, por vezes, a temperatura elevada, acarretando diferenciaes nos materiais dependentes, sem dvida, de sua prpria temperatura de fuso. O acompanhamento destes fenmenos realizado de forma indireta, isto , por meio de curva tenso-deformao obtida durante ensaios mecnicos a quente (trao, compresso e toro). Sabe-se que diversas propriedades so fortemente dependentes da microestrutura, tais como: limite de escoamento; limite de resistncia; alongamento; tenacidade; temperatura de transio dctil frgil; resistncia ao impacto; resistncia ao desgaste. As deformaes plsticas introduzidas durante os processos de conformao mecnica promovem tanto alteraes dimensionais, como modificaes nas propriedades mecnicas do material. Essas propriedades tambm so influenciadas pela temperatura, pela taxa de deformao no processamento e como o material deformado. A figura 2.8 representa esquematicamente um diagrama de recristalizao como funo do grau de deformao e temperatura de recozimento^'. Verifica-se que a cintica de soluo e precipitao de segundas fases dependente da temperatura e do tempo, sendo tambm influenciada pela deformao. Obtm-se diferentes resultados em uma dada liga metlica, dependendo da sua histria termo-mecnica e a conseqncia disto uma variedade de microestruturas que pode ser favorvel a estudos por meio de microscopia eletrnica, pois uma tcnica que determina a orientao cristalogrfica local com maior preciso implicando, tambm, em uma anlise relacionada com a heterogeneidade local da deformao plstica e a correspondente subestrutura induzida por discordncias, de grande importncia em relao aos estudos de recristalizao'"'''^.
23
Grau de daform&o
Figura 2.8. Diagrama de recristalizao como funo do grau de deformao e temperatura de recozimento'\
2.2.6.1. Recristalizao de metais puros
Aps processos de deformao a frio, verifica-se que aproximadamente 10% da energia utilizada na deformao armazenada no metal, sendo grande parte desta energia na forma de defeitos cristalinos (puntiformes e discordncias). Sendo assim, quando metais so deformados a frio, tornam-se termodinamicamente instveis em relao ao estado de recozido. Pode-se eliminar parte dos defeitos por recozimento, abaixando a energia interna atravs dos processos de recristalizao e recuperao. Nos processos de recuperao pode-se ter recombinao de intersticiais e lacunas, rearranjo de discordncias reduzindo campos de tenses elsticas, aniquilamento de discordncias de sinais opostos e arranjos de discordncias formando subcontornos. Em relao aos processos de recristalizao, estes ocorrem por nucleao e crescimento de novos gros livres de deformao. A nucleao pode-se dar por crescimento ou rotao de subgros ou por migrao de contornos de gros preexistentes antes da deformao; o crescimento de regies livres se d pela migrao de contornos de alto ngulo eliminando defeito
C W S O ^ i O f i O FJF^J..^fojaE?VR/SP"IPM O SA C
24
2.2.6.2. Cintica de recristalizao
A recristalizao pode ser tratada como um processo de nucleao segundo o modelo de cintica de Johnson-Mehl, assumindo que dependendo da temperatura, inicialmente existiro domnios de ncleos por unidade de volume, ou seja, locais onde
preferencialmente ocorrero a nucleao. Este volume aumentar em todas as direes a uma taxa constante v at que os domnios entrem em contato uns com os outros. Entre o tempo t e t + dt cada domnio cresce um dV = 4jiv^t~dt e a frao de volume ordenado X aumenta pelo crescimento por:
dX = 47ivWdt(l
-X)
equao 2.28.
sendo (1 - X ) a frao no ordenada, integrando, temos:
- l n ( l - X ) = - ; i v'M'
equao 2.29.
ou X=\-e equao 2.30.
O nmero
de ncleos por unidade de volume que dever aumentar com o tempo = constante. Assim, de acordo com a expresso acima, a tempo caracterstico de recristalizao de
pode ser dado por N= N t, sendo frao

f
X
\
-1/4
segue uma curva com um
.Durante este tempo, o tamanho mdio de gro obtido pode ser dado por \ d, vr,. = j
V
Observa-se que v aumenta com o grau de deformao e e com o aumento da temperatura, entretanto, mostra crescer mais rapidamente com a deformao do que v, de
forma que existe um valor limite para este, e que tem sua dependncia com a temperatura menor do que o de v ^
25
2.2.6.3. Recristalizao de ligas com presena de segundas fases
Adies de elementos em metais proporcionam trs tipos de ligas, do ponto de vista da recristalizao: a) os elementos de liga encontram-se em soluo slida; b) os elementos de liga encontram-se na forma de precipitados de segunda fase; c) os elementos de liga encontram-se na forma de uma segunda fase e a frao volumtrica desta segunda fase alta Os efeitos desses elementos de segunda fase sobre a recristalizao podem ser tanto de estimular, como o de retardar a recristalizao, dependendo do modo como a partcula interage com a microestrutura durante o processamento termomecnico. Em ligas com disperso de precipitados de segundas fases existem evidncias que mostram o atraso do processo de recristalizao. Tais partculas atuam como barreiras para a movimentao dos contornos de alto ngulo devido fora de ancoramento exercida pelas partculas sobre os contornos de gro. Se esta fora for maior que a fora para movimentao de contornos, no haver migrao e conseqentemente o ncleo de recristalizao no poder crescer, impedindo a recristalizao Em ligas supersaturadas e com defeitos cristalinos, partculas de segunda fase (tais como nas ligas Al-Mg-X, onde X um microligante) precipitam na mesma faixa de temperatura na qual a recristalizao pode ocorrer. Desta forma, precipitao e recristalizao exercem influncias mutuamente. As partculas que se precipitam impedem o rearranjo de discordncias que vo dar lugar a frentes de recristalizao e a sua subseqente migrao. Os defeitos presentes na rede cristalina aceleram a nucleao de determinadas fases, que por sua vez podem afetar rearranjos de discordncias e a migrao de contornos de gro. Somente quando a recristalizao completada, antes do incio da precipitao, as duas reaes
6 8
ocorrero independentemente ' .
2.3.Tcnicas de caracterizao
Para caracterizao, anlise microestrutural e identificao de possveis precipitados, bem como a interao dos mesmos com os outros defeitos cristalinos, necessrio utilizar tcnicas de microscopia eletrnica
26
A grande vantagem da utilizao da microscopia eletrnica, que verdadeiramente uma ferramenta de diagnstico, comparando-a com os demais mtodos de caracterizao de materiais, a sua alta resoluo que pode chegar a nvel atmico, alm de sua capacidade em detectar e registrar os vrios eventos que ocorrem quando os materiais so bombardeados com eltrons (elstico, inelstico, coerente e incoerente), durante a investigao propriamente dita, de tal forma que possvel combinar-se o estudo da imagem (contraste), da difrao eletrnica (identificao da estrutura cristalina) e da espectroscopia (composio qumica) por raios X (EDS) e por perda de energia de eltrons (EELS) em um nico instrumento. Reforando o que foi afirmado anteriormente, sabe-se que uma das tcnicas experimentais que contribuem consideravelmente a microscopia eletrnica de transmisso (MET) pois, com ela, pode-se analisar a microestrutura das referidas ligas, com aumentos significativos (at 1.000.000 vezes), e melhor quanfificar os mecanismos que envolvem o processamento termomecnico e os mecanismos que regem a recristalizao de ligas metlicas com presena de segundas fases ^\
Ensaios mecnicos de trao, fluncia e outros, causam considerveis danos ao material, alm de serem relativamente complexos e despenderem considervel tempo. Este no o caso do ensaio de dureza Vickers, que mede a resistncia do material penetrao de uma pirmide de diamante, com ngulo de vrtice de 136. A dureza definida como o quociente entre a carga aplicada no teste e a rea de indentao produzida (medida em N/m^). Uma relao geralmente vlida entre dureza e limite de escoamento HV ~ 3co ^\ possvel relacionar-se o mdulo de elasticidade E com a dureza H, desde que providenciadas as seguintes condies: a recuperao do material deve apresentar um comportamento elstico; a rea de contato entre o indentador e a amostra deve permanecer constante.
Neste caso, as solues de Sneddon ^'^'^^ para o caso da indentao de um espao elsdco por um penetrador cilndrico aproximam-se do comportamento elstico. Uma delas conduz para uma simples relao entre a carga P e a profundidade h, da forma:
l-v
onde: a = raio do cilindro
equao 2.31
27
|X = mdulo de cisalhamento V = coeficiente de Poisson.
Sabendo-se que a rea de contato do crculo projetado na superfcie, Ac, igual a 7i:a^ e que o mdulo de cisalhamento relacionado ao mdulo de elasticidade pela seguinte equao:
E = 2/l{\
+ V)
equao 2.32
pode-se substituir a equao 2.32 na equao 2.31 e diferenciar a equao obtida em relao a
dh
'\-v'
equao 2.33
obtendo-se a rigidez de contato S = dP/dh. Devido ao fato do mdulo de elasticidade do indentador no ser infinito, a equao 2.33 deve ser escrita em termos do mdulo de elasticidade combinado entre amostra e indentador {Er), de acordo com a equao de Hertz:
1 Er
l-v"
E
l-v}
E, equao 2.34
onde E, Ei, v e v so, respectivamente os mdulos de elasticidade e de Poisson da amostra e do indentador. Portanto, para a penetrao de um slido rgido numa superfcie plana, a equao 2.33 pode ser reescrita:
dft";^^
' ^ " ^ 4
equao2.35.
A equao acima mostra que a relao entre a rigidez 5 e a rea de contato Ac no depende da geometria do indentador.
28
Pode-se determinar experimentalmente '^^ um fator de correo para penetradores no simtricos:
^7^
2
S equao 2.36.
onde P corresponde ao fator de correo relativo falta de simetria do indentador, que igual a 1,0124 para penetradores Vickers e A^- a rea projetada de contato. As figuras 2.9 a 2.11 mostram os principais parmetros utilizados na anlise dos dados de indentao.
_ . I k Figura 2.9. Representao da profundidade de penetrao.
Perfil d a s u p e r f c i e aps descarregamento Indentador S u p e r f c i e inicial
max
erfil d a s u p e r f c i e durante o carregamento
-7-
Figura 2.10. Representao dos parmetros na profundidade de penetrao.
29
Carregamento
Descarregamento
O
Figura 2.11. Representao dos parmetros decarregamento e
descarregamento.
Nas figuras 2.9 e 2.10,
hu,x
corresponde profundidade mxima, a corresponde
meia diagonal projetada na superfcie, hf profundidade residual, hc profundidade de contato e h , profundidade de deflexo. Na figura 2.11, 5 corresponde rigidez de descarregamento para
h = h,axh,iuu
Como o descarregamento de
para
hf
elstico, uma das solues de Sneddon
para um penetrador cnico, mostra que a deflexo da superfcie de contato :
30
' n - l
equao 2.37. Outra soluo de Sneddon mostra que, para h = deformao elstica:
h,ax,
a carga relacionada
(h-hA=2~
equao 2.38.
Substituindo (2.37) em (2.38) e notando que a rea de contato de interesse ocorre no pico de carregamento, P=Pua'-
' 2 { k - 2 )
K ou
(2.39)
h =dPIdh
(2.40).
Para determinar a profundidade de contato de dados experimentais, pode-se observar na figura 2.9:
K = h ^ . . - K
(2.41).
Portanto: (2.42).
dPIdh
Considerando-se que usualmente os penetradores no so cnicos, mas pirmides de bases quadradas ou triangulares, deve-se levar em conta que, para qualquer parabolide de revoluo, e cerca de 0,75 Pode ser visto na figura 2.12^ que a rea de contato, Ac, pode ser expressa como funo da diagonal d
'
(2.43).
31
(a)
2 V = 148<
(b)
Figura 2.12. Impresso gerada pelo penetrador Vickers.
32
Substituindo esta expresso em (2.36), obtm-se a diagonal como funo dos parmetros de indentao: = /?^Jf (2.44).
O valor da dureza Vickers pode ser determinado pela diagonal mdia, d, estimada de tais parmetros:
sen 22
H V = - ^
1,854368
(2.46).
2.3.1 Calorimetra exploratoria diferencial
Calorimetria exploratoria diferencial (Differential Scanning Calorimetry - DSC) uma tcnica na qual se mede a diferena de energia fornecida substncia e a um material de referncia, termicamente inerte, em funo da temperatura, numa programao controlada. A energia de ativao para o processo de recristalizao pode ser determinada por meio da relao desenvolvida por Kissinger
In
4
V ' max y
Tl
(2.47)
onde: <pa taxa de aquecimento em K/s;

T,ax
a temperatura mxima do pico exotrmico registrado no DSC, anterior fuso;
a energia de ativao e R a constante dos gases, 8,3 J/mol.
33
3. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL
O procedimento experimental obedeceu ao fluxograma mostrado na figura 3.1.
P elementar Al, Al-Th, Mg, Nb
Atritor 2 horas
P compactado a presso reduzida T=450C
Extruso T=450C
Laminao a frio Reduo 89%
Tratamentos trmicos
Caracterizao
Figura 3.1. Fluxograma mostrando o procedimento experimental
utilizado.
34
3.1.Preparao da liga O processo adotado foi o desenvolvido por Coelho com processamento do material na
forma de partculas em moinho de alta energia, compactao uniaxial a vcuo e extruso a quente. Partiu-se pela procura dos elementos de liga na forma de p, sendo que o p de alumnio foi fornecido gentilmente pela Alcoa, cuja granulometria mdia foi 25 jim. Quanto a magnesio, nibio e liga Al-19Th foram fornecidos pelo Centro de Cincia e Tecnologia de Materiais do IPEN (CCTM), esta ltima liga produzida durante a tese de doutorado do Dr. Francisco Abrozio Filho. O Nb e a liga Al-Th se encontravam na forma de barras, sendo que o material foi limado para remoo de cavacos, com tamanho da ordem de milmetros. O magnesio estava na forma de farpas grosseiras (cavacos de 5 a 10 mm), sendo necessria uma decapagem em soluo de cido ntrico 5%. O grau de pureza qumica dos elementos de liga, em todos os casos foi superior a 99%, conforme especificao dos fornecedores (Alcoa e IPEN) conforme mostram as tabelas 3.1, 3.2 e 3.3, sendo, portanto factvel preparao de ligas ternarias, tambm, com alto grau de pureza. Partiu-se, ento, para a anlise do processo mais adequado para a preparao da mistura, tendo sido escolhido o mtodo de mistura simples dos elementos e, em seguida, pela mistura dos elementos em moinho de alta energia por 2 horas em recipiente de Polietileno do dpo UHMW (Ultra-High Molecular Weight) e com esferas de ao, disponvel no Laboratrio de Metalurgia do P do CCTM cujo processo pode ser visualizado na figura 3.2. Como primeiro experimento, optou-se pela preparao da liga Al-2Mg-lTh (valores em peso), sendo que pela adequao do processo, este passar a ser o padro na preparao das demais ligas.
Tabela 3.1. Composio qumica do alumnio em p (Alcoa) Elemento Si Fe outros Al % em peso 0,05 0,15 <0,03 Bal.
35
Tabela 3.2. Composio qumica do magnsio em farpas (IPEN) Elemento ppm % em peso Cd B Fe Cr Ni Si Al Mn Cu C Mg <0,6 <30 200 30 30 500 30 800 20 150 Bal. <0,01 <0,01 <0,04 <0,01 <0,01 0,1 <0,01 0,16 <0,01 <0,03 Bal.
Tabela 3.3. Composio qumica do nibio em barra (IPEN) Elemento Cu Fe outros Nb % em peso 0,08 0,05 <0,03 Bal.
Para o processo de compactao a quente, utilizou-se um copo de aluminio de alta pureza (11(X)), sendo este preenchido com os elementos de liga, cujas massas estavam previamente medidas, e em mistura. Este processo permite a no insero de lubrificantes na mistura o que poderia de alguma forma ser prejudicial liga final. Em ambos os processos a temperatura utilizada foi de 450 C. As massas utilizadas para a preparao da liga Al-2Mg-lTh e Al-2Mg-lNb encontram-se, respectivamente, nas Tabelas 3.4 e 3.5.
TABELA 3.4. Massas utilizadas na preparao da liga AI-2Mg-lTh. Elemento Massa (g) Al 46,35 Mg 1,0 Al-Th 2,65
36
TABELA 3.5. Massas utilizadas na preparao da liga Al-2Mg-lNb. Elemento Massa (g) Al 48,5 Mg 1,0 Nb 0,5
As presses utilizadas nos processos de compactao e extruso se encontram na Tabela 3.6.
TABELA 3.6. Presses utilizadas durante os processos de compactao e extruso. Processo Compactao Extruso Presso (MPa) 400 60
Recipiente de polietileno UHMW
Haste giratria Esferas de ao inox
Camisa externa
Figura 3.2. Representao esquemtica de um moinho de alta energia.
O produto obtido deste processo foi uma barra de dimetro (|) ~ 15 mm e comprimento 1 ~ 20 cm, retirando-se a poro final da barra que fica deformada sem ter passado pelo processo de extruso (final do processo de extruso). Para obter a liga que estava dentro do copo de alumnio, tambm extrudado durante o processo, utilizou-se o processo de usinagem, para a retirada da camada superficial de cerca de 1 mm referente a este. O processo de mistura em moinho de alta energia fornece um material com
37
melhor distribuio qumica e distribuio granulomtrica mais homognea, com partculas mais fmas, o que importante nos processos de produo de ligas por metalurgia do p. Este processo foi padronizado para a preparao dos ps para as ligas Al-2Mg-lTh, e Al-2Mg-lNb (valores em peso) em estudo. Para obteno final da liga optou-se pelo processo de compactao uniaxial a quente e em presso reduzida e extruso a quente de forma a minimizar os problemas normalmente encontrados na metalurgia do p (poros e densidade relativa baixa, por exemplo).
3.2. Conformao mecnica (Laminao)
As amostras das ligas em estudo, inicialmente, passaram por processo de conformao mecnica, com o intuito de se verificar qual o grau possvel de deformao no material como produzido, sem tratamentos trmicos intermedirios. O processo de conformao mecnica foi o de laminao em laminador de ourives, disponvel no CCTM. Aps este procedimento inicial, as amostras das ligas Al-2Mg-lTh e Al-2Mg-lNb passaram por processo de laminao, sendo obtida reduo em rea de 89%.
3.3. Tratamentos trmicos
Amostras das ligas Al-2Mg-lTh e Al-2Mg-lNb, aps processo de conformao mecnica (laminao), passaram por tratamentos trmicos. O processo de tratamento trmico consistiu em manter as amostras no forno a partir da temperatura ambiente, retirando amostras nas temperaturas de 100C, 200C, 300C, 400C e 500C.
3.4. Preparao de amostras para observao por microscopia ptica e microscopia eletrnica de varredura
Foram preparadas amostras das ligas Al-2Mg-lTh e Al-2Mg-lNb que passaram por tratamentos trmicos (item 3.3) em que se seguiu a rota usual de cortes de partes da barra, embutimento, lixamento e polimento metalogrfico. Utilizou-se para revelar a microestrutura bruta, ataque qumico com soluo de cido fluordrico ( 1 % em soluo) por 120 s.
38
As amostras foram ento observadas em microscopio de varredura Philips XL30 SEM e microscopio ptico BX 60M pertencentes ao CCTM.
3.5. Preparao de amostras para observao por microscopia eletrnica de transmisso
Foram preparadas amostras das ligas em estudo, aps processos de conformao mecnica e tratamentos trmicos, para observao por microscopia eletrnica de transmisso. O processo de preparao de amostras seguiu a rota usual, obtendo-se como resultado final discos finos de 3 mm de dimetro, com espessuras na regio de transmisso da ordem de dezenas de [Lm. As amostras foram observadas em microscpio JEOL JEM200C disponvel no CCTM.
3.6. Caracterizao qumica
Para a caracterizao qumica do material, utilizaram-se tcnicas de espectroscopia de disperso de energia (EDS) sendo a anlise semiquantitativa. Anlises por mapeamento de raios-X foram feitas para verificar a distribuio dos elementos de liga majoritrios (alumnio e magnsio), bem como para determinar a composio dos precipitados presentes.
3.7. Medidas de dureza Vickers
Foram feitas anlises da dureza Vickers em amostras deformadas a frio por processo de laminao e aps cada etapa de tratamento trmico, em equipamento Fischerscope HlOO, pertencente ao departamento de Engenharia Mecnica da Escola Politcnica da Universidade de So Paulo. Com este equipamento tambm foi possvel estimar-se o mdulo de elasticidade das ligas em estudo, conforme descrito em 2.3. O ensaio se inicia com a escolha de uma regio, programando-se o aparelho para determinar a quantidade de indentaes, que sero realizadas em intervalos regulares de distncia, bem como a carga do ensaio e as velocidades de carregamento e descarregamento. Os parmetros utilizados se encontram na Tabela 3.7.
39
Tabela 3.7. Parmetros utilizados nos ensaios de dureza Viclers. Carga aplicada Razo de carregamento Tempo de permanncia do carregamento Razo de descarregamento Nmero de indentaes 100 mN 3,33 mN/s 20 s 2 mN/s 15
A carga de 100 mN utilizada no ensaio aplicada 1/60 do seu valor a cada 0,5 segundo e retirada 1/100 de seu valor a cada 0,5 segundo, sendo que para cada valor de carga o aparelho fornece a profundidade atingida pelo indentador, informaes que permitem desenhar um grfico semelhante ao da figura 3.3.
(O
n O 0,00 0,50 1,00 1,50 2,00

(^.m)
Profundidade de penetrao
Figura 3.3. Curva de carregamento e descarregamento do ensaio de dureza Vickers.
Por derivao das curvas de carregamento e descarregamento, o programa de funcionamento do aparelho fornece a relao E/{l-V) e o valor de dureza Vickers.
Para a medida da figura 3.3, o equipamento forneceu os seguintes valores:
HV = 430 N/mm' E = 188,76 GPa
(l-v^)
40
Considerando, para ligas de alumnio, v = 0,33 (recomendao do fabricante do aparelho), tem-se; = ( l - 0 , 3 3 ' ) x l 8 8 , 7 6 = 168,2 GPa O resultado final a mdia dos valores obtidos excluindo-se valores duvidosos, caracterizados por apresentarem singularidades nas curvas de carregamento e
descarregamento, como mostrado na figura 3.4.
120,00
100,00
0,00 0,00 2,00 4,00 6,00 8,00 10,00 12,00 Profundidade de penetrao (^m)
Figura 3.4. Curva de carregamento e descarregamento do ensaio de dureza Vickers.
Esta curva teve seu resultado desprezado devido ao incio do carregamento, onde ocorre um aprofundamento muito grande para uma aplicao quase nula de carga, da ordem de 1,7 mN, no registrado nas demais medidas das ligas em estudo.
3.8. Anlise por Mapeamento por Calorimetria Exploratria Diferencial (DSC Differential Scanning Calorimetry)
Foram analisadas amostras das ligas Al-2Mg-lTh e Al-2Mg-lNb por DSC em equipamento disponvel no Laboratrio de Anlise Trmica do Instituto de Qumica da Universidade de So Paulo. Este aparelho corresponde a um calormetro de explorao diferencial de fluxo de calor, em que os eventos endotrmicos so evidenciados por picos descendentes. As curvas DSC foram obtidas a partir da clula DSC-50 da marca Shimadzu, no
41
intervalo de temperatura de 25 a 500C, empregando razo de aquecimento de 10C/minuto, atmosfera dinmica de nitrognio (100 ml/minuto) e cadinho de alurm'nio parcialmente fechado.
3.9. Determinao da resistividade eltrica
A resistividade eltrica das amostras foi determinada por meio de medida da resistncia eltrica das mesmas e aplicao da seguinte equao:
^ = onde: R = Resistncia eltrica p = Resistividade eltrica L - comprimento da amostra A = rea da seo transversal
(3.1)
3.10. Determinao da densidade relativa
Para a determinao da densidade relativa das amostras utilizou-se o seguinte procedimento: 1. Determinou-se a massa de uma amostra do material em estudo, m. 2. Determinou-se a massa de uma proveta com gua at uma determinada marcao de volume, m/. 3. Determinou-se a massa da pro veta com gua at a mesma marcao de volume do item anterior, porm contendo a mostra do material em estudo, m2. 4. Obteve-se o resultado da densidade relativa da amostra, , por meio da seguinte expresso: ^= , (3.2)
42
4. RESULTADOS
4.L Conformao mecnica
Verificou-se uma reduo da barra de 12,0 mm (previamente usinada, sem a camada referente ao copo de alumnio extrudado junto com o material) para uma chapa de 12,6x1 mm", com uma reduo em rea de cerca de 89% nas ligas em estudo, preparadas no item 1 do procedimento experimental. As ligas apresentaram bom comportamento quanto laminao, sendo que a liga AlMg-Th apresentou comportamento mais dtil, com menor tendncia ao rompimento e exigindo quantidade menor de passes.
4.2. Processamento em moinho de alta energia
Foram feitas moagens preliminares das ligas para determinao do tempo de processamento, concluindo-se que o tempo de 2 horas seria suficiente para homogeneizao das ligas.
4.3. Anlises feitas por microscopia ptica
As figuras 4.1, 4.3, 4.5, 4.7 e 4.9 mostram as estruturas de amostras da liga Al-2MgITh tratadas termicamente a partir da temperatura ambiente at 100C, 200C, 300C, 400C e 500C. Pode-se notar a existncia de uma estrutura de gros parcialmente deformados, cujos tamanhos variam entre 10 |im e 50 |j,m, alm de pequenos precipitados dispersos pela matriz. As figuras 4.2, 4.4, 4.6, 4.8 e 4.10 mostram detalhes em maior aumento de um gro e dos precipitados.
43
Figura 4.1. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 100 "C (200X).
Figura 4.2. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 100 "C (lOOOX).
44
10
45
. y
46
<
f5
-l-
'
1- J.
V
47
48
Estrutura inicialmente composta por precipitados e gros parcialmente deformados, que tomam forma mais regular com o aumento da temperatura de tratamento, alm de apresentarem um aumento em seu tamanho. O aumento da temperatura de tratamento tambm provoca um aumento no tamanho dos precipitados, dispersos de maneira irregular na matriz. As figuras 4.11, 4.13, 4.15, 4.17 e 4.19 mostram a evoluo da estrutura da liga Al2Mg-lNb. As figuras 4.12, 4.14, 4.16, 4.18 e 4.20 mostram detalhes em maior aumento dos precipitados.
Figura 4.11. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 100 "C (500X).
49
17
"
Figura 4.12. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 100 "C (lOOOX).
.wVV*^*r.
. ^ ^ . y
^C'ft-V.^--
'
50
i 1-
- 1 0 um
.4'.--.:--v.<
Figura 4.15. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 300 "CiSOOX).
51
4' ' -
52
'-^
'
!!
^r^
ft '
>1
53
Figura 4.20. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 500 "C (lOOOX). No possvel observar a formao de gros, apenas uma precipitao muito intensa, dispersa de maneira regular pela estrutura. Os precipitados apresentam tamanhos diferentes, sempre menores que 15 |im. Os tratamentos trmicos efetuados parecem ter pouca influncia na condio estrutural, pois no se notam variaes estruturais significativas nesta magnitude de observao.
4.4. Anlises feitas por microscopia eletrnica de varredura
As figuras 4.21, 4.23, 4.25, 4.27 e 4.29 apresentam a evoluo da forma dos precipitados presentes nas amostras da liga Al-2Mg-lTh, tendo suas respectivas anlises por EDS mostradas nas figuras 4.22, 4.24, 4.26, 4.28 e 4.30.
54
Acc.V . S p o t Magn
2 0 O kV 4 0 2500X
Det WD BSE 10.5
10 M m
Figura 4.21. Micrografia da liga Al-Mg-Th tratada a 100 "C.
il
i-se
i.et
1.5
2.et
2.5e
3-e
Figura 4.22. EDS de um precipitado da liga Al-Mg-Th tratada a 100 "C.
55
Al
M i
Th Th
2.ee
4.eo
6.
s . i e l e . e e 12.e
56
Acc.V Spot Magn 20.0 kV 4.0 8000X
Det sr
WD H 2
Al
Th Th
2.SS
4.e
6.ee
s.ee l e . o e 12.01 1
57
Al
Th
Th
2.e
4.ee
fi.ee
e.ee l e . e e 12.ee
58
Ih
Al
Th
2-e
4.e
6.s
s.ee i e . 12.e ^
59
As figuras mostram uma imagem de precipitados nos contornos de gro, com presena de alumnio, magnesio e trio em todos. Pode-se notar que o aumento na temperatura de tratamento aumenta a proporo de trio nos precipitados. As figuras 4.31 a 4.40 mostram a evoluo estrutural da liga Al-Mg-Nb.
Acc V ;Spot Magn 0 0 k V 4 5 4000X
et SE
WD I 1 2 3 FT
Figura 4.31. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 100 "C.

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Al
Nb
.^^ 1.1
\ m
Figura 4.32. EDS de um precipitado da liga Al-Mg-Nb tratada a 100 "C.
60
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41
1.1
61
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41
Nb
M
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Nb
1.8S
2.70
3.6
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S.Ha
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7.20
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9.00
62
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Nb
0.48
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1.28
1.68
2.88
2.48
2.88
3.28
3.68
4.88
4.48
4.81
63
Figura 4.39. Micrografia da liga Al-Mg-Nb tratada a 500 "C
Untitled:2 Label A: M 60s CE
^1
Nb
.40
8.88 1.28
1.68
2.88 2.48 2.88
3.28 3.68 4.88 4.48
4.81
Figura 4.40. EDS de um precipitado da liga Al-Mg-Nb tratada a 500 "C
64
As figuras mostram uma grande disperso de finos precipitados, aparentando pouca influncia da temperatura de tratamento na condio estrutural. As anlises por EDS de vrios precipitados no registraram a presena de nibio em nenhum deles, devido ao fato de o nibio apresentar uma precipitao muito fina nos contornos dos precipitados. As figuras 4.41 e 4.42 mostram, respecdvamente, a distribuio dos elementos aluminio e magnesio na liga Al-Mg-Th. A distribuio homognea dos elementos indica que o tempo de processamento em moinho de alta energia e os demais parmetros do processo se mostraram adequados para a produo das ligas.
Figura 4.41. Distribuio do elemento aluminio na liga Al-Mg-Th.
Figura 4.42. Distribuio do elemento magnsio na liga Al-Mg-Th.
65
4.5. Anlises feitas por microscopia eletrnica de transmisso
As Figuras 4.43 a 4.46 mostram a evoluo da estrutura da liga Al-Mg-Th no ensaio de tratamento trmico in situ no microscpio eletrnico de transmisso.
Figura 4.43. Micrografia da liga Al-Mg-Th sem tratamento.
66
Figura 4.44. Micrografia da liga Al-Mg-Th a 100 "C.
67
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As figuras mostram uma movimentao dos precipitados de acordo com o aumento da temperatura, sendo que os mesmos tendem a se encontrar e unir em precipitados maiores. Observa-se a movimentao das discordncias, evidenciando processos de recuperao e recristalizao. As figuras 4.47 e 4.48 mostram a evoluo da estrutura da liga Al-Mg-Nb no ensaio de tratamento trmico in situ no microscpio eletrnico de transmisso.
68
Figura 4.47. Micrografia da liga Al-Mg-Nb sem tratamento.
Figura 4.48. Micrografia da liga Al-Mg-Nb a 500 "C.
69
Figura 4.49. Micrografia da liga Al-Mg-Nb aps
resfriamento.
Pelas figuras acima, possvel observar que no h uma mudana significativa na estrutura, at a temperatura de 500 C. Na temperatura de 550 C ocorre uma mudana brusca na estrutura. Para evitar o risco de ocorrer fuso do material, o ensaio foi bruscamente interrompido nesta temperatura e observou-se a estrutura aps o resfriamento (figura 4.49), onde a estrutura inicial composta de um emaranhado de discordncias foi subsfituda por uma estrutura composta de precipitados muito finos, de composio provvel NbAl3. As figuras 4.50 a 4.53 mostram a evoluo da estrutura das amostras da liga Al-Mg-Th que receberam tratamentos trmicos a temperaturas que variaram entre 100C e 500C.
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Figura 4.53. Padro de difrao relativo estrutura da figura 4.76.
72
Pode-se observar uma evoluo estrutural a partir de uma condio de material encruado, estrutura com uma grande densidade de discordncias e uma grande quantidade de precipitados, que, com o aumento da temperatura de tratamento trmico, vai apresentando uma estrutura mais ordenada, com o aparecimento de gros de pequeno tamanho e uma reduo na quantidade de precipitados dispersos. As figuras 4.54 a 4.59 mostram a evoluo da estrutura das amostras da liga Al-Mg-Nb que receberam tratamentos trmicos a temperaturas que variaram entre 100C e 500C.
73
74
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75
Figura 4.59. Padro de difrao relativo estrutura da figura 4.58.
Nota-se o aparecimento de precipitados com dimenses de ordem de 20 nm, sendo que a quantidade de precipitados aumenta com o aumento da temperatura de tratamento. A figura 4.58 mostra um detaliie da precipitao, que estabelece uma espcie de contomo na estrutura.
4.6. Dureza Viclers
A figura 4.60 mostra as medidas de dureza Vickers para amostras das ligas em estudo, a partir da condio inicial sem tratamento trmico e com tratamentos a temperaturas que variaram entre 100C e 5 0 0 T .
76
450 400 350 300 250 200
^^
\
Al-Mg-Th Al-Mg-Nb
100
200
300
400
500
Temperatura ( X )
Figura 4.60. Perfil de dureza Vickers das amostras em estudo aps tratamentos trmicos.
Nota-se que a liga Al-Mg-Nb apresenta uma queda de dureza muito discreta com o aumento da temperatura de tratamento at
AOQC,
apresentando uma queda brusca a 500C.
A liga Al-Mg-Th apresenta uma queda intensa no valor da dureza quando tratada a 100C, tomando um perfil de queda mais discreto at a temperatura de 500C. A figura 4.61 mostra o perfil do mdulo de elasticidade estimado para as amostras que receberam tratamentos trmicos entre 100C e 500C.
100
200
300
400
500
TEMPERATURA f C )
Figura 4.61. Mdulo de elasticidade das amostras em estudo aps tratamentos trmicos
11
Para temperaturas de tratamento at 200C, os valores do mdulo de elasticidade so muito prximos entre as duas ligas, sendo que acima desta temperatura de tratamento a liga Al-Mg-Th apresenta valores menores do que a liga Al-Mg-Nb.
4.7. Anlise Trmica por DSC
As figuras 4.62. e 4.63 mostram as curva da anlise feita por DSC para amostras das ligas em estudo sem tratamento trmico prvio.
DSC mWAng
-0.2C-3.84J/a
0.4C-
Detector: DSC6C Sample Name: Liga j^MgTh 0.60Sample Weight :1.640 fmq Ainotation: 0.00 100.00 200.00 300.00 Temp fCl 400.00
450.45C
500.00
Figura 4.62. Curva obtida por DSC para amostra da liga
Al-2Mg-lTh.
78
DSC mW/mg [ T e m p Program; T e m p R a t e Hold T e m p Hold T i m e [C/min ] 10.00 Detector: Sample Name: Cell: Atmosphere: [ C 500.0 DSC50 AIMgNb massa maio Aluminurr Nitrogen ] [min 0
Sample W e i g h t ; 13.850[mg:
-13.29J/g
231.04C
Temp [Cj
--
Figura 4.63. Curva obtida por DSC para amostra da liga
Al-2Mg-lNb.
A curva relativa liga Al-Mg-Th apresenta comportamento estvel at a temperatura de 450C, onde ocorre um pico endotrmico, relativo ao processo de recristalizao. A curva relativa liga Al-Mg-Nb apresenta comportamento estvel at a temperatura de 230C, onde ocorre um pico endotrmico devido ao inicio da precipitao do intermetlico NbAl3.
4.8. Clculo da energia de ativao para o processo de recristalizao
A energia de ativao para o processo de recristalizao da liga Al-Mg-Th foi calculada considerando-se o valor de temperatura 450C, com razo de aquecimento de 0,17 K/s. O valor obtido, 89,6 kJ/mol, prximo ao obtido em outras ligas de aluminio. No se determinou a energia de ativao para a recristalizao para a liga Al-Mg-Nb, pois a curva de DSC no indicou nenhuma singularidade que indicasse um processo de recristalizao nas temperaturas envolvidas no ensaio. Fazendo-se o clculo da energia de ativao para a temperatura de 500C, a mxima temperatura do ensaio, obtm-se o valor de 96,7 kJ/mol, indicando que, para esta liga, a recristalizao ocorre com uma quantidade maior de energia.
79
4.9. Resistividade eltrica
A figura 4.64 apresenta a variao da resistividade eltrica das ligas em estudo em funo da temperatura de tratamento trmico.
Al-Mg-Th Al-Mg-Nb
(O
100
200
300
400
500
TEMPERATURA (C)
Figura 4.64. Resistividade eltrica em funo da temperatura para as ligas em estudo.
Nota-se que a liga Al-Mg-Th apresenta um aumento na resistividade eltrica na temperatura de tratamento de 200C, regio onde ocorrem as mais bruscas mudanas de dureza e estrutura, aps a qual sofre uma reduo, permanecendo praticamente constante. A liga Al-Mg-Nb apresenta uma queda no valor da resistividade eltrica com o aumento da temperatura at 400C, sofrendo um brusco aumento na temperatura de 500C, onde comeam a acontecer as mais importantes alteraes na microestrutura.
80
4.10. Medida da densidade relativa
A tabela 4.1 apresenta as densidades tericas e medidas para as ligas em estudo.
Tabela 4.1. Densidades tericas e medidas para as ligas em estudo. Liga Al-Mg-Th Al-Mg-Nb Densidade terica 2,74 2,77 Densidade medida 2,74 2,77
As medidas foram efetuadas a 25C, e indicam uma densificao de 100%.
81
5. DISCUSSO
A compreenso dos fenmenos observados dependente do fato de que materiais produzidos por metalurgia do p apresentam complexas reaes de interface em uma grande quantidade de stios de nucleao, sendo que uma mudana sutil na estrutura do material pode significar uma variao importante nas suas propriedades. O pequeno tamanho de gro das ligas em estudo, ocorrncia comum em materiais produzidos por metalurgia do p, toma limitado o uso da microscopa ptica, sendo que por meio desta anlise pode-se avaliar a distribuio uniforme de precipitados nos materiais estudados, apresentando a liga Al-Mg-Th maior homogeneidade quanto ao tamanho dos precipitados, diferente da grande variao apresentada pela liga Al-Mg-Nb. A natureza e a morfologa das fases precipitadas pode ser determinada por meio de microscopa eletrnica de varredura, verificando-se que a maioria destas fases apresenta uma forma poligonal, tendo sua composio qumica dependente do tratamento trmico efetuado. A energia mecnica e a temperatura utilizada no processo de compactao permitiram a dissoluo de grande quantidade de trio na matriz da liga Al-Mg-Th, sendo que os tratamentos trmicos proporcionaram a precipitao compostos baseados neste elemento. Os precipitados presentes na liga Al-Mg-Nb apresentam formato mais arredondado, com dimenses muito diferentes, no apresentando teores apreciveis de nibio. A ocorrncia deste fenmeno devida a uma precipitao muito fina de NbAls (da ordem de 20 nm) no contorno destes precipitados maiores. A observao de amostras da liga Al-Mg-Th em microscpio eletrnico de transmisso permite um melhor detalhamento dos precipitados, que so formados por precipitados menores, sendo este agrupamento responsvel pela diminuio do valor da dureza registrado para cada aumento na temperatura de tratamento trmico. As propriedades mecnicas das ligas em estudo so muito superiores s registradas para a maioria das ligas de alumnio. Este fato ocorre devido grande deformao mecnica imposta s amostras, causando grande encruamento, e existncia de finos precipitados contendo os elementos trio e nibio, dispersos pela matriz metlica. Quando as amostras das ligas so submetidas a tratamentos trmicos, ocorre uma diminuio na dureza das ligas.
82
porm de maneira diversa. Na liga contendo trio, este elemento subtrado da matriz, formando precipitados que vo crescendo a custa de precipitados menores. Do incio do aquecimento at a temperatura de 100C, ocorre uma queda muito grande no valor da dureza, que depois disto diminui de maneira mais suave, indicando uma recuperao muito intensa antecedendo o processo de recristalizao, evidenciando que o processo de encruamento foi o principal mecanismo de endurecimento acima de 300 HV. No caso da liga contendo nibio, este elemento participa da constituio de uma quantidade muito grande de precipitados com dimenses pequenas e baixa mobilidade na matriz, sendo este o mecanismo predominante no endurecimento do material. O fato de que a dureza apresenta uma queda sbita a partir de 500C, indica que o processo de recristalizao deve ocorrer aps esta temperatura. A estimativa do mdulo de elasticidade deve ser analisada com cautela, uma vez que obtida por em mtodo indireto a partir de uma medida superficial. A liga contendo trio apresentou um comportamento de queda constante, tendncia que se reverteu na temperatura de 500C, podendo-se atribuir esta reverso a uma mudana estrutural mais intensa relacionada a um processo mais acentuado de recristalizao ocorrendo nesta temperatura. A liga contendo nibio apresenta uma queda no mdulo de elasticidade no incio do processo, apresentando um aumento quando a temperatura de tratamento alcana 300C. Considerando-se a existncia uma intensa precipitao do composto NbA^ na temperatura de 230C, pode-se atribuir a este intermetlico o efeito do aumento no mdulo de elasticidade. Em ambas as ligas em estudo, o principal mecanismo de endurecimento a interao de discordancias com precipitados dispersos na matriz. O elemento trio apresenta solubilidade no alumnio em estado slido, com boa mobilidade e facilidade para agrupar-se na forma de precipitados maiores. O elemento nibio insolivel no alumnio slido, permanecendo em uma condio instvel por meio do processo de elaborao mecnica da liga. Quando se aquece a cerca de 230C ocorre a precipitao do composto NbAb, que a fase mais estvel nesta condio de composio qumica e temperatura Devido ao fato
deste elemento possuir baixa mobilidade no alumnio, os precipitados gerados tm maior dificuldade para aumentar de tamanho, gerando um efeito de aumento significativo nas propriedades mecnicas. No ensaio de tratamento trmico in situ no microscpio de transmisso pode-se observar, na liga Al-Mg-Th, fenmenos relativos a processos de recuperao, com a movimentao de discordancias e precipitados durante o aquecimento. No caso da liga Al-
83
Mg-Nb, uma estrutura composta por um grande emaranhado de discordncias no apresenta variao at a temperatura de 500C, devido presena de precipitados muito finos que interagem com o processo de recuperao. A observao em microscpio eletrnico de transmisso da liga contendo trio, cujo tratamento trmico foi realizado em forno, mostra o gradativo arranjo da estrutura, que evolui para uma formao de pequenos gros, evidenciando que ocorre um processo definido de recristalizao at a temperatura de 500C. No caso da liga contendo nibio, procurou-se observar detalhadamente a formao dos precipitados, notando-se que possuem pequenas dimenses (entre 10 nm e 20 nm), agrupando-se de maneira a definir o contorno de um precipitado contendo apenas alumnio e magnsio. As resistividades eltricas das ligas em estudo apresentaram um comportamento diferente entre si. A condio de tratamento trmico efetivou grandes variaes nos valores da resistividade, ocorrncia que no se verifica em ligas produzidas por metalurgia convencional; para estas, considera-se vlida a regra de Matthiessen, que afirma que a resistividade eltrica de uma liga depende apenas de sua composio qumica e da temperatura em que se encontra, sendo que o efeito da estrutura teria influncia desprezvel (da ordem de 3 % no valor da resistividade) .
Quando se diminui a quantidade de defeitos cristalinos, espera-se uma diminuio na resistividade eltrica, devido a uma reduo da quantidade de pontos que propiciam um maior "espalhamento" dos eltrons, melhorando-se a mobilidade dos mesmos no sentido
proporcionado pela diferena de potencial eltrico aplicada. Na Uga Al-Mg-Nb observa-se uma queda no valor da resistividade maior do que seria esperado, devido s sutis transformaes estruturais ocorridas. Na temperatura de tratamento de 500C, observa-se um brusco aumento no valor da resistividade, devido s mudanas estruturais sbitas ocorridas a partir desta temperatura, onde se inicia o processo de recristalizao. Na liga Al-Mg-Th, observa-se um pico de resistividade na temperatura de tratamento de 200C, permanecendo praticamente constante nas demais temperaturas. Atribui-se este pico ao fato de haver um intenso processo de recuperao, promovendo uma condio estrutural que contribua para o "espalhamento" dos eltrons, seguido de um processo normal de recristalizao, havendo pouca alterao da resistividade. Os valores encontrados nesta liga so menores que o valor de resistividade eltrica do alumnio puro (2,9 fiXl.cm), fato incomum para a maioria das ligas, mas que pode ser explicado pelo fato de que alguns elementos, quando adicionados a um material condutor, proporcionam uma diminuio das chamadas "zonas proibidas" para a
84
circulao de eltrons, atravs da sobreposio de nveis energticos contendo eltrons '. O trio possui uma grande quantidade de eltrons distribudos em quase todos os subnveis energticos, facilitando esta sobreposio. O valor da energia de ativao para a recristalizao determinado para a liga Al-MgTh, 89,6 kJ/mol, prximo ao determinado para ligas Al-Mg-Zr (90,1 kJ/mol) produzidas da mesma forma bem abaixo do registrado pela literatura (204 kJ/mol) para ligas Al-Mg.
No caso da liga Al-Mg-Nb, levando-se em conta a observao em microscpio eletrnico de transmisso, pode-se atribuir uma temperatura de incio do processo de recristalizao de SSO^C, temperatura que sugere um valor de energia de ativao de 103,4 kJ/mol. Esta diferena na energia de ativao entre as ligas em estudo devida a baixa mobilidade do nibio no alumnio, dificultando a movimentao de discordancias, alm do prprio tamanho dos precipitados de NbAl, cujo tamanho (entre 10 e 20 nm) responsvel por uma grande reduo na cintica de recristalizao A energia medida pelo ensaio de DSC para a formao do precipitado NbA^ foi de 13,28 J/g, prximo ao valor encontrado na literatura de 14,52J/g. A condies geradas na
estrutura do material pelos processos de obteno e deformao a frio contriburam para a diminuio deste valor, atravs da gerao de uma grande quantidade de stios de nucleao e armazenamento de uma grande quantidade de energia. As densidades relativas medidas nas ligas em estudo foram iguais aos valores tericos, indicando uma densificao de 100%, de acordo com trabalhos anteriores Por fim, as ligas em estudo apresentaram valores interessantes de propriedades, com evidente potencial tecnolgico. A relao entre caractersticas fsicas e tratamentos trmicos, em todas as medidas feitas, sugere que materiais produzidos por metalurgia do p apresentam importantes mudanas em suas propriedades com alteraes mnimas em suas condies estruturais, um estudo que deve ser objeto de trabalhos futuros.
85
6. Concluses O processo de obteno das ligas em estudo se mostrou adequado, gerando produtos com composio qumica homognea e boas caractersticas de processamento. As propriedades mecnicas das ligas em estudo so muito superiores s registradas para a maioria das ligas de alununio. A liga Al-Mg-Nb apresenta propriedades mecnicas superiores s apresentadas pela liga Al-Mg-Th. A liga Al-Mg-Th apresenta um processo de recristalizao em temperaturas da ordem de 450C, enquanto a liga Al-Mg-Nb apresenta um processo de recristalizao acima de 550C. A energia de ativao para o processo de recristalizao determinada para a liga AlMg-Th de 89,6 kJ/mol, enquanto que para a liga Al-Mg-Nb estima-se ser maior que 103 kJ/mol. O ensaio de DSC da liga Al-Mg-Nb registrou um pico endotrmico correpondente a 13,28 J/g, prximo ao valor encontrado na literatura para a formao do precipitado NbAl3, 14,52J/g. Esta diferena devida s condies estruturais geradas pela elaborao do material. As diferenas nas propriedades mecnicas e condies de recristalizao podem ser atribudas maneira diferente de interao dos precipitados com a estrutura. A liga AlMg-Nb apresenta formao de precipitados com baixa mobilidade no alumnio, enquanto os precipitados presentes na liga Al-Mg-Th apresentam maior facilidade para rearranjarem-se. A resistividade eltrica da liga Al-Mg-Th apresenta um pico na temperatura de tratamento de 200C, com valor praticamente constante nas demais temperaturas, menor que a resistividade do alumnio puro. A presena do pico de resistividade est associado a uma fase mais intensa de recuperao no incio dos tratamentos trmicos. A presena do elemento trio propiciou uma reduo da resistividade eltrica em relao ao alumnio puro, devido a sua configurao eletrnica ser favorvel
86
diminuio de "zonas proibidas" circulao de eltrons. A resistividade eltrica da liga Al-Mg-Nb apresenta comportamento decrescente com o aumento da temperatura de tratamento trmico, apresentando um aumento sbito a 500C. O comportamento da liga Al-Mg-Nb quanto resistividade eltrica normal at temperaturas prximas a 500C, onde os fenmenos de recuperao e recristalizao apresentam uma sbita intensificao. As ligas apresentaram uma densidade igual terica, indicando que o processo capaz de produzir uma liga com densificao de 100%. As ligas em estudo apresentaram valores interessantes de propriedades, com evidente potencial tecnolgico.
87
APNDICE A - Tabelas relativas aos grficos apresentados Tabela A l - Dados referentes figura 4.60 Temperatura de tratamento trmico (C) 0 100 200 300 400 500 Dureza para liga Al-Mg-Th (HV) 408 304 300 270 259 244 Dureza para liga Al-Mg-Nb (HV) 430 428 420 390 386 285
Tabela A2 - Dados referentes figura 4.61 Temperatura de tratamento trmico (C) 100 200 300 400 500 Mdulo de elasticidade para liga Al-Mg-Th (MPa) 165,32 152,40 138,78 128,68 135,46 Mdulo de elasticidade para liga Al-Mg-Nb (MPa) 168,20 155,80 180,16 157,56 146,10
Tabela A3 - Dados referentes figura 4.64 Temperatura de tratamento trmico (C) 100 200 300 400 500 Resistividade eltrica para liga Al-Mg-Th (|iQ.m) 1,083 2,767 1,374 1,476 1,176 Resistividade eltrica para liga Al-Mg-Nb (^t.m) 3,491 3,318 2,720 1,261 6,914
88
APNDICE B - Seqncia de micrografias pticas
Figura B.l; Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 100'C.
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Figura B.2: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 100 C.
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Figura B.3: Imagem por MO de amostra da
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Figura B,4: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a lO'C.
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Figura B.5: Inmiem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 20O'C.
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Figura B.6: Imagem por MO de amostra da Uga Al-Mg-Th tratada a 200'C.
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Figura B.7: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 20O'C.
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Figura B.8: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 200'C.
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Figura B.IO: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 30'C.
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Figura B.14: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 400"C.
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Figura B.15: Imagem par MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 40O'C.
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Figura B.17: imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 500'C.
Figura B.18: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 50O'C.
97
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Figura B.19; Imagem por MO de amostra da Um Al-Mg-Th tratada a 500"C.
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A.
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Figura B.20; /mogem /ôr MO de amostra da Uga Al-Mg-Th tratada a 500"C.
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"^.J
Fiiura B.23: Inumcm nor MO le anio.stni du lii^ci Al-Mg-\h
tratada a lOO'C.
t.4 '
1 ^
Figura B.24: hnagem por MO de amostra da Uga Al-Mg-Nb tratada a lOO'C.
100
101
to "*
Fisura B.27: Inuiem nor MO de (unostro da liiio Al-Mg-Nh tratada a 2()(/'C.
Figura B.28: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 2O0'C.
102
Figura B.29; Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nh tratada a SOff'C.
;i
'
Figura B.30: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 300"C.
103
Figura B.31; Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-i\'h tratada a M)0'C.
%m ;;api
I
40 um
Figura B.32: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nb tratada a 30O'C.
104
Figura B.34: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nh tratada a 400"C.
105
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Figura B.35: Imagem nor MO de amosini Ja liga AI-Mg-.\'h tratada a 4(>i'C.

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Figura B.36: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Nh tratada a 40'C.
106
107
Figura B.39: Itmigeni por MO de timoslm da liga Al-Mg-Sh tratada a 500'C.
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Figura B.40: Imagem por MO de amostra da liga Al-Mg-Sh tratada a 500'C.
108
APNDICE C - Seqncia de micrografias obtidas por MEV
Figura C.2: Imagem por MEV de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a ]00"C.
109
Figura C.3: Imagem por MEV de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 20&'C.
Figura C.4: Imagem por MEV de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 200'C.
110
Figura C: Imagem por MEVde^^ amostra da Uga Al-Mg-T^^
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Figura C.6: Imagem por MEV de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 30C'C.
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Aoc
D V Spot Magn Det W '/O O kV A b P O x SE 14.2 OO

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10 2horas
p m
Figura C.7: Imagem por MEV de amostra da liga Al-Mg-'lh tratada a 400 (
RIKCC.V
0 . 0 kV
Spot Magn
4.5 2000X
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BSE 14.2 2horas
10
p m
Figura C.8: Imagem por MEV de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 400"C.
112
Figura C.9: Ima,
MEV de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a 5()(C.
Figura CIO: Imagem por MEV de amostra da liga Al-Mg-Th tratada a SOff'C.
in
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AUTARQUIA ASSOCIADA A UNIVERSIDADE DE SO PAULO

"ELABORAO E ESTUDOS DE RECRISTALIZAO DE LIGAS ALUMNIO-MAGNSIO-TRIO E ALUMNIO-MAGNSIO-NIBIO"

AMRICO DE ALMEIDA FILHO

Instituto de Pesquisas Energticas e Nucleares

"ELABORAO E ESTUDOS DE RECRISTALIZAO DE LIGAS ALUMNIO-MAGNSIO-TRIO E ALUMNIO-MAGNSIO-NIBIO"

AMRICO DE ALMEIDA FILHO

Ao Instituto de Qumica e Escola Politcnica da Universidade de So Paulo, pelos equipamentos utilizados.

CAPES, pelo suporte financeiro.

"ELABORAO E ESTUDOS DE RECRISTALIZAO DE LIGAS ALUMNIO-MAGNSIO-TRIO E ALUMNIO-MAGNSIO-NIBIO"

Amrico de Almeida Filho

"ELABORATION AND RECRYSTALIZATION STUDIES OF ALUMINUM-MAGNESIUM-THORIUM AND ALUMINUM-MAGNESIUM-NIBUM ALLOYS"

Amrico de Almeida Filho

AGRADECIMENTOS RESUMO ABSTRACT LISTA DE FIGURAS LISTA DE TABELAS

i ii iii vii xii

4.10. Medida da densidade relativa

107 108 108 109 109 110 110 111 111

2.1. Ligas aluminio-magnesio

Figura 2.1 Diagrama de fases

Figura 2.2 Diagrama de fases

Th02(s) + 4/3 Al(i) ^ Th(s) + Al203(s)

(1) (2) (3) (4)

O diagrama de fases alumnio-nibio mostrado na figura

Figura 2.3 - Diagrama de fases

2.1.3. Ligas Al-Mg produzidas por metalurgia do p

2.2. Materiais em estado deformado

2.2.1. Energia armazenada na deformao a frio

2.2.2. Relao entre energia armazenada e microestrutura

2.2.2.1. Energia armazenada e densidade de discordncias

por unidade de comprimento da linha de discordncia dada

Para uma densidade p a energia armazenada dada por:

2.2.3. Estrutura e energia de contornos de baixo e de alto ngulo

e a direo do eixo de rotao [u v w] dada por:

2.2.3.1. A energia em contornos

2.2.3.1.1. Contornos de baixo ngulo

2.2.3.1.2. Contornos de alto ngulo

2.2.4. Interao de segundas fases com contornos

2.2.4.1. Fora de arrasto devido a uma partcula

Sendo o mximo efeito retardador obtido quando P = 45, dado por:

Figura 2.5. Interao entre um contorno de gro e uma partcula

Ny = onde Fv a frao volumtrica.

Pz = Ns.Fs Esta relao conhecida como presso de ancoramento Zener

2.2.5. Mobilidade e migrao de contornos

2.2.5.1. Micromecanismos de migrao de contornos

2.2.5.2. Estruturas compactas

onde y energia superficial de falha de empilhamento, c o espaamento de discordncias e G o mdulo de cisalhamento

Figura 2.6. Falha de emphamento em cristal CFC: a) intrnseca e b) extrnseca.

2.2.5.3. Conceito de mobilidade em contorno de gro

2.2.5.3.1. Mobilidade de contornos de baixo ngulo

onde C uma constante da ordem de 1 e Ds o coeficiente de autodifuso

VB = dR/dt = 2.M.ys / R = 2.c,.M.G.b.9 / R

b) 9 > 15 ~ 20 c) 0<9<15~20 a movimentao de contornos em que as

No primeiro caso, considerando

uma fora F dada por:

onde Cj a concentrao de jogs. Substituindo F na equao:

M = Ds.Cj.b^/4.Ci.k.T.e Neste caso limite v = M.P e M inversamente proporcional ao 9.

2.2.5.3.2. Mobilidade de contornos de alto ngulo

onde Co a concentrao de soluto do equilbrio.

2.2.6. Conformao mecnica e recristalizao

2.2.6.1. Recristalizao de metais puros

2.2.6.2. Cintica de recristalizao

sendo (1 - X ) a frao no ordenada, integrando, temos:

ou X=\-e equao 2.30.