Memrias Semicondutoras

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Captulo I - Memrias Semicondutoras

1.1. INTRODUO A funo de uma memria, de maneira geral, armazenar informaes (palavras, nmeros, figuras, textos, etc.). Tal dispositivo pode ser semicondutor (RAM, ROM), magntico (disquete, fita magntica) ou tico (CD-ROM). Nos equipamentos digitais esta informao sempre armazenada na forma de PALAVRA DIGITAL, ou seja, um determinado nmero binrio. Uma observao importante que a palavra digital armazenada pode significar um nmero positivo, nmero negativo, uma letra, um smbolo, etc. Por exemplo, dependendo da aplicao, o nmero binrio 1110 1011 pode ser interpretado como: 235 decimal (converso direta de binrio para decimal); -21 decimal (representao de nmeros negativos em complemento 2); (tabela de caracteres ASCII (American Standard Code for Information Interchange) da IBM. Neste curso iremos estudar somente as memrias semicondutoras. 1.2.CARACTERSTICAS GERAIS Alguns dos parmetros que primordialmente descrevem uma memria semicondutora podem ser: 1. Capacidade : no de bits/rea fsica; 2. Tamanho da palavra digital : Nmero de bits de cada unidade de informao armazenada. 3. Tempo de acesso : Tempo para a memria apresentar dados vlidos aps ser endereada e selecionada. 4. Tempo de escrita / leitura : Tempo necessrio para efetuar uma escrita / leitura em memria. 5. Custo : preo/no de bits. OBS: As memrias so descritas da forma: [no de palavras digitais]X[tamanho da palavra digital] Ex: 1024 X 8 = 1024 palavras de 8 bits. 1.2.1. NOMENCLATURAS USUAIS Nibble = palavra ou dado de 4 bits; Byte = palavra ou dado de 8 bits; Word = palavra ou dado de 16 bits; Double-word = palavra ou dado de 32 bits; 1 Kilobyte = conjunto de 210 =1.024 bytes; 2 Kilobytes = conjunto de 211 = 2.048 bytes; 4 Kilobytes = conjunto de 212 = 4.096 bytes; 8 Kilobytes = conjunto de 213 = 8.192 bytes; 16 Kilobytes = conjunto de 214 = 16.384 bytes; 32 Kilobytes = conjunto de 215 = 32.768 bytes;

Memrias Semicondutoras 64 Kilobytes = conjunto de 216 = 65.536 bytes; 128 Kilobytes = conjunto de 217 = 131.078 bytes; 256 Kilobytes = conjunto de 218 = 262.144 bytes; 512 Kilobytes = conjunto de 219 = 524.288 bytes; 1 Megabyte = conjunto de 220 =1.048.576 bytes; 1.4. CLASSIFICAO

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Quanto forma de acesso

Seqenciais - para se chegar a um certo endereo preciso passar por todas as localidades intermedirias. Ex: fita magntica (que no memria semicondutora), FILO, FIFO. Aleatrias encontra-se a qualquer endereo imediatamente.

Quanto tecnologia
MOS Gates MOS para implementar os flip-flops de armazenamento. Bipolar Gates TTL para implementar os flip-flops de armazenamento. Tecnologia Velocidade Integrao Custo Exemplo MOS Lenta Grande Inferior Intel 2114 (SRAM 1KB) Bipolar Rpida Pequena Superior 74S400 (SRAM 4KB)

Quanto volatilidade
Volteis - Perdem suas informaes com o corte da alimentao. Ex: RAM (Memria de Leitura e Escrita) No volteis - Mesmo sem alimentao mantm seus dados. Ex: ROM (Read Only Memory). 1.5. DIAGRAMA GERAL DE UMA MEMRIA Apesar das diferenas existentes entre os vrios tipos de memrias, os princpios bsicos de operao permanecem os mesmos para todos estes sistemas. No entanto, cada sistema requer um conjunto de tipos diferentes de linhas de entrada e sada para realizar as seguintes funes: Seleo de endereo; Seleo de operao; Recepo, fornecimento e manuteno dos dados de E/S; Habilitao da memria.

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A figura abaixo ilustra estas funes bsicas para uma memria de leitura e escrita tipo 32 x 4 Dados Linhas de Endereos A0 A1 A2 A3 D0 D1 D2 D3 CE WE OE Linhas de Dados Habilitao de Chip Habilitao de Escrita Habilitao de Leitura Clulas de Memria 1.6. TIPOS DE MEMRIAS SEMICONDUTORAS Endereos

0 1 1 1 1 0
.

1 0 1 0 1 0
.

0 0 1 0 1 1
.

0 1 0 1 1 0
.

0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 1 0

0000 0001 0010 0011 0100 0101 .... 1101 1110 1111

1.6.1.

Memrias s de leitura - ROM (Read Only Memory)

So memrias no volteis. As memrias ROM classificam-se quanto ao modo de gravao de seus dados: ROM (Mscara) Os dados so gravados durante o processo de fabricao. Alm de no poder ser apagada e ROM; PROM; EPROM; EEPROM ou E2PROM; FLASH;

reprogramada, devido ao alto custo da mscara, s vivel se produzida em grande quantidade. PROM (Programmable Read Only Memory ROM Programvel) Neste tipo de memria, inicialmente todos os bits so iguais a 1 e o usurio, com um gravador de PROM, queima os 1s, deixando zeros lgicos. Uma informao importante que, feita a gravao esta no pode mais ser desfeita. Algumas PROMs populares so listadas na tabela a seguir. Fabricante Tecnologia Modelo Tempo Acesso Capacidade Cypress CMOS 7C225 40 ns 512 X 8 Signetics TTL 82HS187 45 55ns 1024 X 8 Signetics TTL 82S191 35 ns 2048 X 8 Signetics TTL 82HS321 45 ns 4096 X 8

EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory ROM Programvel Apagvel)

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Tem programao semelhante PROM e seus dados podem ser apagados para uma nova gravao. programada escrevendo-se os dados atravs de pulsos com determinada amplitude e tempo. O apagamento dos dados feito atravs da exposio do chip a luz ultravioleta. Neste dispositivo, o elemento da grade um transistor PMOS com gate flutuante. Quando a tenso Vds elevada, uma carga negativa deixada no gate flutuante e, assim, o PMOS conduz. Quando a luz ultravioleta aplicada ao gate, a carga negativa dissipada. A figura abaixo descreve a pinagem de uma EPROM 2732 o encapsulamento tpico desta memria, mostrando a janela para receber a radiao ultravioleta.

Algumas EPROMs populares so listadas na tabela a seguir. Fabricante Tecnologia Modelo V. Program. T. Acesso Capacidade Intel NMOS 1702A -40 V 1 ms 256 X 8 Intel NMOS 2708 26 V 450 ns 1024 X 8 Intel NMOS 2716 25 V 350 ns 2048 X 8 Texas NMOS TMS2732 25 V 170-450 ns 4096 X 8 Hyundai CMOS HY27C64 12,5 V 150-300 ns 8192 X 8 Texas CMOS 27C128 12,5 V 150-450 ns 16384 X 8 VLSI CMOS 27C256 12,5 V 170-450 ns 32768 X 8

E2PROM (Eletrically Erasable Programmable Read-Only Memory PROM Apagvel Eletricamente) Desenvolvidas no incio dos anos 80, so memrias onde tanto a gravao quanto o apagamento so feitos por sinais eltricos. Possui trs grandes vantagens em relao a EPROM, sejam elas: No necessita ser retirada do circuito para ser apagada; Pode-se apagar somente os bytes que forem necessrios, no a memria toda como no caso da EPROM; O tempo de apagamento total da memria muito menor que o da EPROM (na ordem de 10 ms contra 30 minutos).

Memrias Semicondutoras FLASH Muito semelhantes s E2PROMs, porm possuem tenso de programao diferenciada.

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A tabela abaixo relaciona algumas das memrias E 2PROMs e FLASH mais populares e seus parmetros comparativos. Fabricante Tecnologia Modelo V. Programao T. Acesso Capacidade Seeq CMOS 2816A 4,5 a 5,5 V 200 ns 2048 X 8 Intel CMOS 2864 4,5 a 5,5 V 200250 ns 8192 X 8 Exar CMOS 29C512 4,5 a 5,5 V 150 ns 65536 X 8 AMD Flash 29F256 5V 32768 X 8 AMD Flash 28F256 12 V 32768 X 8

1.6.2.

Memrias de Escrita e Leitura - RAM

So memrias que podem admitem tanto a operao de leitura quanto escrita, e normalmente so do

tipo volteis, ou seja, as informaes armazenadas so perdidas quando a energia do sistema for interrompida por qualquer motivo. Classificam-se em: RAM Esttica SRAM (Static RAM) RAM Dinmica DRAM (Dynamic RAM) NVRAM (RAM No Voltil)

RAM Esttica:
Cada bit corresponde a um flip-flop. Chama-se esttica pois, com o equipamento em operao, o dado uma vez guardado no precisa ser atualizado. A figura da pagina a seguir ilustra uma memria SRAM de 8k x 8.

Modo

WE CS CS2 OE

Pinos de E/S

RAM Dinmica:

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Cada bit corresponde a uma clula capacitiva. Chama-se dinmica pois de tempos em tempos a informao precisa ser atualizada. De modo a reduzir o nmero de pinos e o custo, as DRAMs multiplexam os endereos em 2 metades. A primeira metade chamada de endereo de linha, enquanto a outra denominada de endereo de coluna.

Decodificador 1 de 128

Decod ificad or 1 de 128

Mesmo com o equipamento ligado o capacitor de cada clula tende a se descarregar, por isso, a necessidade de refreshing peridico, ou seja, a recarga dos capacitores, implicando no uso de circuitos externos especficos. Durante o refreshing feita uma operao de leitura onde o dado reescrito. A cada 2 a 4 ms tal operao necessria e neste perodo no se tem acesso ao dado para qualquer outra operao (leitura ou escrita) que no seja o refreshing. No entanto a indisponibilidade do dado nestes instantes no nenhum problema srio, pois o intervalo de refrescamento do chip tipicamente menor que 2% do tempo entre refrescamentos. Em outras palavras, a memria do chip permanece disponvel 98% do tempo. Apesar da necessidade de refrescamento, a grande vantagem das memrias dinmicas sobre as estticas permitir uma grande densidade de clulas de memria na fabricao dos chips (quatro vezes maior que as estticas). Um exemplo da operao de refresh atravs da utilizao do sinal RAS ilustrado na figura abaixo.

L. 127 Linha 0 Linha 1 Linha 2

Ciclos de escrita/leitura

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Se referem aos instantes em que os sinais devem ser aplicados nos pinos da(s) memria(s) para que se possa ler ou escrever um dado.

Dado vlido

Dado vlido

Muitos fabricantes de memrias dinmicas desenvolveram CIs especiais para tratar do refresh e da multiplexao dos endereos, ambos necessrios para o bom funcionamento de um sistema de memria DRAM. Tais CIs so denominados controladores de RAM dinmica. O CI 3242 da Intel foi projetado para ser usado com DRAMs de 16k.

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[14]

[7]

Contador de 7 bits

1.7. ASSOCIAO DE MEMRIAS 1.7.1. Associao para aumentar o tamanho da palavra digital Exemplo de uma memria RAM de 16 x 8 composta pela associao de duas memrias RAM de 16 x 4

A A2 __ 3
R/W

A1
RAM-0

A0

A A2 __ 3
R/W CS

A1

A0

RAM-1

CS

16 x 4

16 x 4
I/O3 I/O2 I/O1 I/O0

I/O3 I/O2 I/O1 I/O0

Memrias Semicondutoras 1.7.2. Associao para aumentar a capacidade de armazenamento de dados

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Exemplo de uma memria RAM de 32 x 4 composta pela associao de duas memrias RAM de 16 x 4

A3

A2

A1

A0

A3

A2

A1

A0

RAM-0 16 x 4 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0

RAM-1 16 x 4 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0

(32 palavras) 00000 a 11111