O circuito de teste que apresentei na passada quarta-feira mostrado na gura 1.

Figura 1: Par diferencial a) Como referi, sendo este um par diferencial perfeitamente equilibrado em termos tericos (transstores MOSFET canal N teoricamente iguais e Rd teoricamente iguais) a corrente Ibias igual ao dobro da corrente que passa . Como queremos 5mA em cada em cada ramo, ou seja, IDS 1 = IDS 2 = Ibias 2 ramo, queremos Ibias = 10mA. Sendo assim, Ibias = kN (VGS Vth )2 (1 + ) 10mA = 5 103 (VBIAS 0.8)2 (1 + 0.03) Agora s tirar VBIAS b) O funcionamento correto do circuito acontece quando M1 e M2 operam na zona de saturao. Notar que um amplicador requer que os MOSFETS trabalhem na zona de saturao e um quando o MOSFET destinado a trabalhar como switch opera-se na regio de corte e trodo. Logo, neste caso, tem que ser cumprida a condio vds vgs Vt que o mesmo que dizer vd vg Vt Sendo assim, substituindo vd e vg tem-se: VDD IBIAS RD 2 VCM Vt

Reparem que vg substitudo por VCM visto que estamos a analisar o circuito para corrente contnua, da no considerarmos vd . Agora s calcular: VDD VCM Vt + IBIAS RD VDD 2 30.8+5mA1K |VDD | 7.2V

d d c) Por denio CM RR = | AA | ou CM RR(dB ) = 20log | AA |. Sendo CM CM assim temos que calcular o ganho diferencial e o ganho em modo comum

(quando a mesma tenso aplicada nas duas gates). Comecemos por calcular o ganho em modo comum: Podemos redesenhar o circuito da seguinte forma, colocando a mesma tenso aplicada em ambas as gates. Para este caso no interessa vd j que o nosso foco est no modo comum e no no diferencial.

Figura 2: Anlise modo comum Para calcularmos este ganho temos que saber a resistncia de cada source massa, o que o mesmo que dizer que queremos saber qual a resistncia entre o dreno e a source do transstor MBIAS . Esta resistncia corresponde ao r0 do transstor MBIAS . Podemos calcul-la j que temos o valor de . 1 = 0.031 = 3.3K Agora podemos dividir o par r0_M BIAS = IBIAS 10mA diferencial em dois ramos separados, j que simtrico. Quando dividimos os ramos a resistncia que cada source v para a massa 2 ro (Representadas na gura por 2RSS ). Reparem que se ligarmos as sources na gura 3 as duas resistncias de source cam em paralelo originando ro . Este apenas um truque para podermos analisar os dois ramos em separado. Ficamos assim

Figura 3: Diviso em dois ramos 2

com dois circuitos amplicadores em source comum com resistncia de source. Sendo assim, aplicando o ganho deste amplicador: RD2 vo2 = vcm 1 2RSS gm RD1 vo1 = vcm 1 2RSS gm Havendo uma variao de 0.05% nas resistncia de dreno, podemos considerar que RD1 = 1005 e RD2 = 995. Assim, como vo = vo2 vo1 tem-se vCM vo = 1 (995 1005) 2RSS gm Assim o ganho em modo comum, ACM = vo vCM No nosso caso RSS ro , logo vo = vCM =
1 gm vo vCM

dado por

10 2RSS

1 gm

10 2 3.3K

Como podem ver este ganho em modo comum ser baixo, como se espera de um amplicador diferencial. importante reter que mesmo sendo um amplicador diferencial tem ganho em modo comum que no nulo, logo o CMRR no ser innito. Passamos agora ao ganho em modo diferencial. Neste caso o ganho calculado curto circuitando todas as fontes de tenso contnua (estamos a analisar em sinal) e as sources dos MOSFETS tambm so um ponto de massa, j que este ponto no apresenta variao de tenso, logo para sinal considerado um ponto nulo. Podemos assim, para esta anlise, representar o circuito na forma da gura 4. Reparem que no so nada mais que dois circuitos na congurao source comum, sem resistncia de source. Como sabemos nesta congurao vo = vi gm (RD //ro ) Assim, para o nosso caso: vd gm (RD //ro ) 2 vd vo1 = gm (RD //ro ) 2 vo = v02 v01 = vd gm (RD //ro ) vo2 = vo = gm (RD //ro ) = gm (1K //3.3K ) vd 3

Figura 4: Ganho em modo diferencial Finalmente, CM RR = Ad gm (1K //3.3K ) = = 10 ACM 1 23.3K

gm

2 3.3K (1K //3.3K ) = 506.5V /V = 54dB 10 Se tiverem dvidas nesta resoluo tiro-as na quarta. Na quarta vou continuar com um circuito de MOSFETs que inclui MOSFETs de canal N e de canal P e se j tiverem introduzido os bipolares fazemos um exerccio de bipolares.