Para os fsicos e amigos da fsica.

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Resumo
Neste artigo pretende-se demonstrar as vantagens das
propriedades da tecnologia de bra ptica no desenvolvi-
mento de lasers e amplicadores. apresentado o estado
actual da tecnologia, bem como os factores com maior
impacto na limitao actual do desempenho dos lasers de
bra ptica, e as solues desenvolvidas ou em estudo para
os ultrapassar. So tambm apresentados alguns exemplos
de aplicao destes lasers, particularmente em termos de
processamento de materiais.
Introduo
Desde que foram pela primeira vez demonstrados no incio
dos anos sessenta, quando ainda permitiam a emisso de
apenas alguns miliwatts num comprimento de onda de 1 m
[1], os lasers e amplicadores de bra ptica tm sido tema
de grande actividade cientca. S a partir dos anos seten-
ta, com a signicativa reduo das perdas de propagao
de sinal em bra ptica, e principalmente a partir dos anos
oitenta, com o desenvolvimento dos amplicadores de bra
ptica dopada com rbio (EDFA Erbium Doped Fiber Am-
pliers) operando na janela de telecomunicaes de 1,5 m
[2], que esta tecnologia recebeu um forte impulso. Desde
muito cedo que os lasers e amplicadores de bra ptica
tm sido estudados para aplicaes que podem ir desde as
telecomunicaes ao mapeamento e posicionamento laser,
passando pelo processamento de materiais, imagiologia e
medicina, usando para tal combinaes de diferentes meios
de ganho, esquemas de bombagem e desenhos de cavida-
des [3]. A elevada ecincia, a excelente qualidade modal,
a abilidade, o connamento da radiao, a ausncia de
manuteno e o facto de serem extremamente compactos,
so algumas das principais vantagens dos lasers de bra
ptica quando comparados com tecnologias convencionais
de estado slido ou gs. nestas propriedades nicas,
combinadas com o enorme potencial em termos de escalo-
namento de potncia, que o desenvolvimento actual desta
tecnologia suportado [4]. De facto, com o surgimento de
bras pticas de elevada rea modal (LMA - Large
Mode Area) com dupla bainha foi possvel obter um
signicativo avano em termos de escalonamento
de potncia [5], tornando possvel atingir actual-
mente potncias mdias da ordem dos quilowatt
mantendo operao no modo espacial transversal
monomodo. O grco da Figura 1 ilustra a evoluo
recente dos lasers de bra ptica CW
1
com opera-
o no modo espacial transversal monomodo em
termos de potncia de sada. importante referir
que no ano de 2010 um novo mximo de 10 kW foi
atingido [6].
Fig. 1 Evoluo da potncia de lasers CW de fibra ptica de
dupla banha com operao monomodo [7].
Apesar da constante evoluo cientca vericada,
apenas nos ltimos anos os lasers de bra ptica
ganharam um importante posicionamento industrial.
Os lasers baseados em tecnologia de bra ptica
competem, hoje em dia e para muitas aplicaes,
directamente com os lasers de estado slido con-
vencionais e de gs, sendo em muitos casos, j
considerados como candidatos ideais sua subs-
tituio. Na realidade, apesar do avanos obtidos,
ainda existe uma enorme margem de progresso
desta tecnologia sendo que o maior desao
melhorar o seu desempenho, ultrapassando alguns
factores limitadores [8]. Alguns desses factores so:
Lasers de Fibra ptica de Alta
Potncia: conceito, limitaes e
aplicaes
M. Melo, J. M. Sousa, M. O. Berendt, S. T. Hendow, J. R. Salcedo

Multiwave Photonics, S.A., Rua Eng. Frederico Ulrich, 2650, 4470-605 Maia
mmelo@multiwavephotonics.com
artigo geral
V O L . 3 4 - n . 1
22
1
Abreviatura de Continuous Wave, expresso que designa um laser contnuo.
2
Processo quando qualquer objecto se torna escuro (no-transparente) devido sua iluminao.
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23
o aparecimento precoce de efeitos no-lineares, a
degradao da qualidade modal do feixe de sada
e o photodarkening
2
. Neste artigo, so inicialmente
apresentados os conceitos e as propriedades gerais
dos lasers e amplicadores de bra ptica de alta
potncia. Alguns dos factores limitativos para o
escalonamento de potncia so depois descritos,
nomeadamente os efeitos no-lineares de espa-
lhamento estimulado de Raman (SRS stimulated
Raman scattering) e de Brillouin (SBS stimulated
Brillouin scattering). Tambm o desempenho, com
especial ateno para a preservao da qualidade
modal do feixe e o photodarkening, so objecto de
referncia neste trabalho. Por ltimo, so apresen-
tados alguns exemplos de aplicao destes lasers,
particularmente em termos de processamento de
materiais.
Conceito e propriedades dos lasers
e amplicadores de bra ptica de
alta potncia
O esquema simplicado de um laser de bra ptica
apresentado na Figura 2.
Fig. 2 Laser de fibra ptica.
O conceito deste tipo de lasers relativamente
simples, baseando-se num meio de ganho constitu-
do por um segmento de bra ptica cujo ncleo
dopado com ies de terras raras, e numa cavidade
formada por espelhos dicricos acoplados ao topo
da bra ou por espelhos integrados em bra, como
por exemplo redes de Bragg em bra ptica ou
espelhos em anel. A radiao de bombagem pode
tambm ser injectada por intermdio de componen-
tes totalmente em bra recorrendo a acopladores
multiplexadores de comprimento de onda (WDM
Wavelength Division Multiplexers). Esta integrao
totalmente em bra torna estes lasers extremamente
compactos e proporciona uma excelente estabilida-
de ao longo do tempo, uma vez que no so neces-
srios componentes nem alinhamentos adicionais.
Inicialmente, perante a existncia de bras constitu-
das pelo ncleo e apenas uma bainha, a radiao
de bombagem era acoplada directamente no ncleo
requerendo fontes de bombagem espacialmente co-
erentes, como o caso dos lasers semicondutores
monomodo, que ainda hoje se encontram limitados
a algumas centenas de miliwatts de potncia de
emisso. Com o aparecimento de bras pticas de
elevada rea modal (LMA - Large Mode Area) com
dupla bainha, surgiu um novo conceito que permitiu aumen-
tar em muito a potncia de bombagem injectada na bra.
Neste caso, o ncleo dopado rodeado por um segundo
guia de onda altamente multimodo. Neste segundo guia,
normalmente designado por bainha interna, lasers semicon-
dutores de bombagem com baixa coerncia e potncias
muito elevadas podem ser utilizados para acoplamento de
radiao numa rea maior quando comparada com a do
ncleo. Esta radiao de bombagem gradualmente ab-
sorvida ao longo do comprimento da bra e convertida em
radiao laser de sinal de elevada coerncia e alta potncia.
O conceito simplicado deste tipo de bra encontra-se ilus-
trado na Figura 3.
Fig. 3 Fibra ptica de dupla bainha.
Por forma a eliminar os raios helicoidais, que tm uma baixa
sobreposio com o ncleo, so utilizadas geometrias do
ncleo e/ou da bainha interna de forma a quebrar a simetria
do guia de onda cilndrico. De entre as vrias conguraes
possveis, destacam-se a forma em D, as formas octogo-
nal, hexagonal e rectangular, e a do ncleo descentrado. A
Figura 4 ilustra as diferentes geometrias e demonstra que
uma geometria no circular permite uma maior absoro da
radiao de bombagem ao longo do comprimento da bra.
As formas em D, octogonal e hexagonal so as que melhor
combinam um bom acoplamento modal com uma assem-
blagem de baixas perdas dada a maior compatibilidade com
bras padro de geometria circular.
Fig. 4 Absoro de bombagem para as diferentes geometrias utilizadas
em fibras pticas de dupla bainha. ( A. Tnnermann)
As bras de dupla bainha podem tambm ser fabricadas
como bras microestruturadas [9], conforme representado
na Figura 5.
Fig. 5 Fibra microestruturada com uma bainha de ar.
As bras microestruturadas oferecem diversas vantagens
em relao s bras convencionais, e por isso que as
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modo espacial transversal fundamental, e abilidade
sem degradao dos parmetros iniciais so facto-
res cada vez mais solicitados pela indstria. Neste
contexto, os temas abordados nesta seco, e que
mais impacto tm nestes factores, so os efeitos
no-lineares, a qualidade modal e o photodarkening.
Efeitos no-lineares
O forte connamento da radiao laser no ncleo
da bra ptica dopada, juntamente com o longo
comprimento de interaco (que pode ir de alguns
metros a algumas dezenas de metros), reforam o
aparecimento de efeitos no-lineares, constituindo o
factor mais limitativo em termos de escalonamento
de potncia neste tipo de arquitectura laser [13,14].
A mais importante classe de efeitos no-lineares
resulta de processos de espalhamento estimulado
inelstico, segundo o qual, acima de um determina-
do limiar, a radiao transfere parte da sua energia
para o hospedeiro usado no vidro sob a forma de
modos vibracionais excitados. Na regio de com-
primento de onda de 1 m, um grande desvio de
frequncia (~13 THz) observado devido excita-
o de fones pticos, processo designado como
espalhamento estimulado de Raman (SRS), en-
quanto que a excitao de fones acsticos origina
um desvio de frequncia bem menor (~17 GHz),
designado por espalhamento estimulado de Brillouin
(SBS). Os coecientes de ganho para SRS e SBS
so de, pelo menos, duas ordens de grandeza
mais baixos que em qualquer outro meio no-linear
comum. Contudo, devido ao elevado produto entre
a intensidade da radiao e o comprimento de in-
teraco no ncleo da bra, estas no-linearidades
podem ser observadas at mesmo para baixos valo-
res de potncia, o que limita a potncia extrada no
sinal, muito antes das limitaes devido a problemas
termo-pticos.
As frmulas que derivam o aparecimento destes
efeitos no-lineares [15] demonstram uma propor-
cionalidade directa com o comprimento da bra
e com a intensidade do sinal no ncleo, e uma
proporcionalidade inversa com a rea modal da
radiao guiada na bra. Portanto, um alargamento
do dimetro do campo modal (MFD Mode eld
diameter), conseguido normalmente pelo aumen-
to do dimetro do ncleo e/ou pela diminuio da
abertura numrica (NA numerical aperture), e uma
reduo do comprimento da bra ajudam a evitar
que estes efeitos surjam precocemente. Outras
formas de reduzir ou eliminar estes efeitos incluem o
uso de bombagem contra-propagante [16], a utiliza-
o de bras com determinados pers de ndice de
refraco [17], a criao de gradientes de tempera-
tura ao longo da bra [18] e a injeco simultnea
de radiao noutros comprimentos de onda [19].
Qualidade do feixe
Uma elevada qualidade do feixe crucial quando se
pretende focar o feixe laser num ponto de redu-
bras de cristais fotnicos (PCF - Photonic Crystal Fibers)
tm sido alvo de intensa actividade cientca nos ltimos
anos. Estas bras apresentam caractersticas inovadoras
bastante interessantes, incluindo a capacidade de serem
intrinsecamente monomodo para uma larga gama de com-
primentos de onda da radiao [10].
Como se pode ver na Figura 5, estas bras consistem num
ncleo de slica pura rodeado por uma matriz regular de
orifcios de ar que actua como a bainha interna, pela qual a
radiao de bombagem no consegue escapar. A bainha
interna depois rodeada por uma rede de pontes de slica
que so substancialmente mais estreitas que o comprimen-
to de onda da radiao guiada. Esta estrutura resulta numa
abertura numrica elevada (at 0,8, para a radiao de
bombagem), o que reduz ainda mais o requisito de serem
usadas fontes de bombagem com elevada coerncia. A es-
pessura dos orifcios de ar pode ser escolhida para que se
obtenha simultaneamente boa estabilidade mecnica, boa
condutividade trmica e perdas mnimas de bombagem. Tal
como nas bras de dupla bainha convencionais, o meio de
ganho de um laser ou amplicador usando estas bras pode
ser fabricado introduzindo dopagens com ies de terras
raras no ncleo [11].
Tal como descrito, as bras de dupla bainha de elevada rea
modal (LMA) e as de cristais fotnicos (PCF) formam neste
momento as duas grandes classes de desenhos de bras
pticas usadas em lasers e amplicadores de bra ptica
de alta potncia [12]. No entanto, importante notar que
quase todos os laser e amplicadores de bra ptica dispo-
nveis comercialmente hoje em dia usam a tecnologia LMA,
uma vez que as PCF ainda levantam alguns problemas de
integrao com outros componentes do sistema, como por
exemplo acopladores de bombagem e bras de sada. A
escolha do dopante do ncleo determinada pelo compri-
mento de emisso desejado. A Fig. 6 mostra as bandas de
emisso para os diferentes ies terras raras.
Fig. 6 Bandas de emisso dos diferentes ies terras raras.
Da Fig. 6 destacam-se trs janelas de emisso mais fre-
quentemente usadas em lasers e amplicadores de bra
ptica de alta potncia: 1 m, 1,55 m e 2 m. Neste
contexto, o itrbio (Yb3+), o rbio (Er3+) e o tlio (Tm3+) so
os elementos mais utilizados como dopantes, devido aos
elevados nveis de ecincia obtidos.
Principais limitaes de escalonamento
de potncia e de desempenho
A ateno despertada pela tecnologia de lasers e ampli-
cadores de bra ptica exige um constante e forte desen-
volvimento. Dispositivos com maior potncia de sada, boa
qualidade do feixe, garantida pela propagao apenas do
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zidas dimenses. O processamento de materiais
(por exemplo, para impresso, marcao, corte e
perfurao) um exemplo de uma aplicao que
tem esse requisito, necessitando assim de lasers
com boa qualidade modal. A qualidade do feixe de
um laser essencialmente uma medida de quo
fortemente o feixe consegue ser focado dentro de
certas circunstncias (isto , com uma divergncia
limitada). As formas mais usadas para quanticar a
qualidade do feixe so atravs do Beam Parameter
Product (BPP) e do M
2
(M quadrado). O BPP
dado pelo produto do raio do feixe, w
0
, na cintura
do feixe, com o ngulo de divergncia do feixe no
campo longnquo, (metade do ngulo):
. (1)
O factor M
2
, de acordo com a norma ISO 11146
[20], denido como o quociente entre o BPP e
produto correspondente a um feixe gaussiano de
difraco limitada, BPP
0
=/, com o mesmo com-
primento de onda, , como:
. (2)
O factor M
2
, tambm designado como factor de
qualidade do feixe ou factor de propagao do feixe,
actualmente a medida mais comum da qualidade
do feixe de um laser. Um feixe diz-se como tendo
difraco limitada quando corresponde a um M
2
=1,
e um feixe gaussiano. Este valor pode ser atingido
por lasers de estado slido convencionais a operar a
baixa potncia e num nico modo espacial transver-
sal, por lasers de bra baseado em bras monomo-
do, e por alguns dodos laser de baixa potncia. Por
outro lado, alguns lasers de alta potncia podem ter
valores muito elevados de M
2
, muitas vezes acima
de 100 e em alguns casos muito perto de 1000. Em
lasers de estado slido convencionais, este elevado
valor frequentemente resultado de distores da
frente de onda induzidas termicamente no meio de
ganho. No caso dos lasers semicondutores de alta
potncia, a baixa qualidade do feixe resulta da ope-
rao com um guia de onda altamente multimodo.
Em ambos os casos, a baixa qualidade do feixe est
associada excitao de modos de ordem superior.
A Figura 7 apresenta os valores de BPP em funo
da potncia para diferentes tipos de tecnologia laser.
Como se pode vericar, os lasers de bra so os
que apresentam melhor qualidade do feixe, mesmo
quando escalados a altas potncia.
Tal como descrito na sub-seco anterior, o limiar
de aco para efeitos no-lineares em bras
inversamente proporcional densidade de potncia
e portanto ao Mode Field Diameter (MFD) da bra.
De forma a diminuir a densidade de potncia, o di-
metro do ncleo da bra deve ser aumentado e/ou o NA
reduzido. No entanto, um valor baixo de NA torna a bra
bastante sensvel a curvaturas, diminuindo a guiagem e
causando perdas, e um dimetro do ncleo maior pode
resultar na propagao de modos de ordem superior, e con-
sequentemente na degradao da qualidade do feixe. Por
forma a melhorar a qualidade do feixe, torna-se, portanto,
necessrio recorrer a tcnicas de ltragem para supresso
de modos de ordem superior, permitindo assim operao
monomodo em bras LMA ligeiramente multimodo. A tc-
nica mais utilizada a aplicao de perdas por curvatura,
que so signicativamente maiores para modos de ordem
superior quando comparadas com as induzidas no modo
fundamental LP
01
. Portanto, um adequado enrolamento da
bra pode proporcionar operao monomodo nestas bras
[21]. Outras tcnicas que permitem ltrar modos de ordem
superior incluem a excitao apenas do modo fundamental
[22,23], a manipulao do perl de dopagem criando um
ganho preferencial para o modo fundamental [24-26] e a
adaptao do campo modal [27].
Photodarkening
O photodarkening (tambm designado por absoro foto-
induzida) um fenmeno pelo qual as perdas de potncia
ptica num meio podem aumentar quando esse meio irra-
diado. Vrios meios, partida opticamente transparentes tal
como bras pticas, cristais laser e cristais no-lineares po-
dem exibir photodarkening quando irradiados a determina-
dos comprimentos de onda. Com isto, as perdas de trans-
misso resultantes de absoro ou espalhamento crescem
com o tempo. Os mecanismos envolvidos e os parmetros
caractersticos, como a perda, a forma espectral, a depen-
dncia na intensidade da radiao, e a sua durao podem
variar bastante, dependendo do material. Normalmente, o
efeito de photodarkening envolve transformaes estruturais
microscpicas no meio, como a formao de centros de cor
[28]. O mecanismo para a formao destes centros de cor
ainda levanta bastante discusso na comunidade cientca,
sendo objecto de diferentes teorias [29,30].
Como j foi descrito, a reduo do comprimento da bra
num laser ou amplicador de alta potncia de extrema
importncia dado que previne o aparecimento precoce de
efeitos no-lineares. Se a concentrao de dopantes for au-
mentada, resultando numa maior absoro de bombagem,
o comprimento da bra dopada pode ser bastante reduzido.
Por outro lado, concentraes mais elevadas podem ser
prejudiciais para outros efeitos, como o caso do photo-
darkening, limitando assim a ecincia e o tempo de vida
dos dispositivos de bra de alta potncia. De facto, o photo-
Fig. 7 Qualidade do feixe em funo da potncia, para diferentes
tipos de tecnologias laser [7].
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1,2, em todas as condies de operao. O laser
permite a gerao de impulsos pticos com uma
taxa de repetio desde um nico impulso at
500 kHz, e duraes de impulso pr-seleccionadas
que podem variar entre 10 e 250 ns. A potncia
ptica mdia de emisso do laser de 20 W a um
comprimento de onda de 1064 nm. A sada coli-
mada do laser apresentado na Figura 8 depois
integrada num sistema com um scanner uma lente
de focagem que permite efectuar o trabalho deseja-
do em diferentes materiais.
Para investigar os efeitos de largura de impulso e
potncia de pico na marcao de ao inoxidvel,
pequenas reas so preenchidas usando os impul-
sos entre 10 e 200 ns apresentados na Figura 8-c),
com uma energia constante de 100 J. O material
utilizado uma folha de ao inoxidvel (#304) com
0,5 mm de espessura. O dimetro do feixe focado
na superfcie do material 56 m. Os resultados so
apresentados na Figura 9, usando tambm diferen-
tes velocidades de varrimento.
Fig. 9 Marcao de cor em ao inoxidvel #304 com espessura
de 0,5 mm, (a) usando sete larguras de impulso, como repre-
sentado na Figura 8-c), e quatro velocidades de varrimento do
scanner: 1850, 370, 92,5 e 37 mm/s; e (b) usando uma largura
de impulso fixa de 200 ns mas variando a potncia mdia de
emisso do laser entre 6 e 10 W.
Existe um efeito bvio da potncia de pico e da lar-
gura de impulso na intensidade da regio marcada
em ao inoxidvel. Como se pode vericar na Figura
9, a combinao de diferentes larguras de impulso
com diferentes potncias de pico e as diferentes
velocidades de varrimento, bem como a variao
da potncia mdia ptica, permitem a obteno de
marcao de um padro bastante diferenciado de
cores em ao inoxidvel. Este apenas um exem-
plo em como a possibilidade de manipulao dos
diferentes parmetros de um laser de bra ptica
permite a obteno de uma gama alargada de re-
sultados. Assim, da mesma forma que no exemplo
da Figura 9-b), a Figura 10 apresenta resultados de
marcao de cor em titnio, usando uma durao
de impulso de 200 ns e diferentes potncias mdias
(6-10 W). So tambm usadas diferentes velocida-
des de varrimento do scanner e em alguns casos
mltiplas passagens de forma a obter uma gama
mais alargada de cores.
darkening em bras dopadas com ies terras raras tem sido
observado para diferentes dopantes, como por exemplo
para o Tm
3+
, Ce
3+
, Pr
3+
, Eu
3+
, sendo que mais tempo tem
sido dedicado caracterizao deste fenmeno para bras
LMA dopadas com Yb
3+
[31] devido ao elevado interes-
se para lasers e amplicadores nesta banda de espectral
emisso. Algumas tcnicas j bem conhecidas para atenuar
ou mesmo eliminar este efeito baseiam-se na co-dopagem
com outros materiais. Assim, o photodarkening pode ser de
certa forma atenuado usando co-dopagem com alumnio
e fortemente reduzido, at nveis negligenciveis, atravs
de co-dopagem com fsforo [32]. Na realidade, as bras
comercialmente disponveis actualmente fazem uso destas
tcnicas de co-dopagem, tendo permitido enormes avanos
nos lasers e amplicadores de bra de alta potncia no que
a este efeito diz respeito.
Aplicaes
O campo de aplicaes dos lasers de bra ptica vasto,
mas onde de facto podem ter grande vantagem onde as
suas propriedades fazem a diferena em relao a outros
tipos de lasers. Um exemplo claro disso o processamento
de materiais, onde a excelente qualidade do feixe e a exibi-
lidade de operao podem ser requisitos essenciais. Nesta
seco so apresentados alguns exemplos de impresso,
marcao e perfurao em vrios tipos de materiais usando
um laser comercial pulsado da empresa Multiwave Photo-
nics especialmente desenvolvido para este tipo de aplica-
es. Uma fotograa do laser apresentada na Figura 8,
bem como o perl do feixe e os impulsos de sada.
Fig. 8 Laser de fibra ptica da srie MOPA-M da empresa Multiwave Pho-
tonics com uma potncia ptica mdia de sada de 20 W e comprimento
de onda de emisso a 1064 nm. (a) Fotografia do laser com a respectiva
sada em fibra e colimador, (b) perfil do feixe de sada (M
2
=1,2), e (c)
perfis temporais das diferentes possibilidades de impulsos de sada,
mantendo energia constante (100 J).
O laser representado na Figura 8 permite controlar e con-
gurar independentemente as larguras de impulso, a frequn-
cia e a potncia de sada. Esta exibilidade possibilita uma
optimizao de todos os parmetros am de se obterem os
melhores resultados para cada aplicao. A distribuio de
energia do feixe gaussiana e a qualidade do feixe (M
2
) de
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27
Fig. 10 Marcao de cor em folha de titnio com 0,5 mm de
espessura usando uma largura de impulso fixa de 200 ns mas
variando a potncia mdia de emisso do laser entre 6 e 10 W.
Como se pode vericar o material permite a obten-
o de cores mais vvidas e brilhantes, sendo que
a exibilidade no controlo dos parmetros do laser
mais uma vez permite a denio da tonalidade a
marcar.
A Figura 11 apresenta marcao de vrias linhas
num lme no de alumnio, 0,6 m, depositado num
substrato de silcio mono-cristalino. A energia do
impulso mantida constante nos 50 J e o feixe
focado na superfcie do material com um dimetro
de 20 m.
Fig. 11 Efeitos de ablao num filme fino de alumnio de 0,6
m depositado num substrato de silcio usando diferentes
larguras de impulso.
A inscrio destas linhas tambm foi efectuada
directamente em silcio mono-cristalino obtendo-se
profundidades da ordem dos 15 m numa passa-
gem do feixe a uma velocidade de 1 m/s. Os resul-
tados so apresentados na Figura 12. Neste caso
a energia dos impulsos de 100 J e a potncia
mdia de 10 W. Mais uma vez, os impulsos mais
curtos, que tm uma potncia de pico superior, pro-
vocam maiores danos, originando mais detritos.
Fig. 12 Marcao em silcio mono-cristalino com diferentes
larguras de impulso.
A Figura 13 apresenta resultados de marcao em
silcio poli-cristalino. O substrato de silcio cortado
e um microscpio electrnico de varrimento utili-
zado para diagnstico do perl e profundidade de
ablao. Os impulsos aplicados em todos os casos
tm uma energia de 100 J, a potncia mdia de
10 W e o feixe na superfcie tem um dimetro de 20
m. Como se verica pela Figura 13, impulsos lon-
gos, apesar de com potncias de pico mais baixas,
apresentam maior profundidade de penetrao. A
profundidade obtida neste caso, com uma nica passagem
a uma velocidade de 1 m/s, varia entre 11 e 45 m para
larguras de impulso entre 10 e 150 ns, respectivamente.
Fig. 13 Vista do corte (seco cruzada) de uma amostra de silcio poli-
cristalino marcado com diferentes larguras de impulso a uma energia
constante de 100 J, e com uma taxa de repetio de 100 kHz.
Para se conseguir perfurao em silcio poli-cristalino as
condies de operao do laser so alteradas para potn-
cia de pico constante, ou seja, todas as larguras de impulso
tm a mesma potncia de pico, sendo a taxa de repetio
ajustada por forma a ter-se sempre a mesma potncia m-
dia. A espessura do material de 200 m e o dimetro do
feixe focado na superfcie inferior (sada do feixe) do material
de 20 m. Impulsos de 10, 50, 100 e 250 ns so usados,
mantendo a mesma potncia de pico de 10 kW e a mesma
potncia mdia de 10,5 W. O tempo de emisso o mesmo
para todos os impulsos. De notar que dimetro do furo de
entrada com 10 ns menor e com mais detritos, enquanto
que com 250 ns maior e bastante mais limpo. Os furos de
sada tm dimetros que vo desde os 18 m para 10 ns
at aos 25 m para 250 ns.
Fig. 14 Furao num substrato de silcio poli-cristalino com uma espes-
sura de 200m, com diferentes larguras de impulso a uma potncia de
pico constante de 10kW.
Por ltimo, apresenta-se um exemplo de marcao em
cermica. Os materiais cermicos no so fceis de marcar
devido sua elevada temperatura de fuso, sua compo-
sio no-uniforme e elevada reectividade que reduz a
energia absorvida. Consequentemente, impulsos com alta
potncia de pico so desejados de forma a produzir uma
marca consistente na superfcie. A Figura 15 demonstra
a escrita num material
cermico, usando uma
potncia de pico de 10
kW, uma largura de im-
pulso de 250 ns a uma
taxa de repetio de 21
kHz e uma energia de
0,5 mJ.
Fig.15 Escrita num substrato cermico com uma profundidade de 30
m, usando vrias passagens com uma largura de impulso de 250 ns,
uma energia de 0,5 mJ e 10 W de potncia mdia.
Como se verica pelos exemplos demonstrados existe um
conjunto de parmetros ideais para cada aplicao. Neste
contexto, a exibilidade em termos de operao do laser
um factor essencial para a optimizao da tarefa.
Para os fsicos e amigos da fsica.
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28
Concluso
Neste artigo foram apresentados os conceitos, as proprie-
dades e as principiais limitaes actuais dos lasers e am-
plicadores de bra ptica. Foram tambm demonstrados
alguns exemplos de aplicao destes lasers em processa-
mento de materiais. O seu elevado desempenho associado
sua exibilidade permite processar diversos tipos de mate-
riais e efectuar os ajustes necessrios para uma optimizao
do trabalho. Esta tecnologia prova ser, hoje em dia, capaz
de competir directamente com os lasers de estado slido
convencionais em muitos casos com vantagens acrescidas.
O advento das bras pticas de dupla bainha proporcio-
nou o escalonamento de potncia deste tipo de lasers, por
vezes limitado pelo aparecimento precoce de efeitos no-
lineares. Tambm a qualidade do feixe e o photodarkening
so factores que podem afectar o comportamento destes
lasers. Estes factores esto intimamente ligados entre si
e devem ser vistos como um todo quando se procura um
elevado desempenho em lasers ou amplicadores de bra
ptica de alta potncia.
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Opt. Express 16,15540 (2008).
Miguel Melo Licenciado em Optoelectrnica
e Lasers e mestre em Engenharia Electrotcnica
e de Computadores pela Universidade Porto
actualmente Engenheiro de Desenvolvimento na
empresa Multiwave Photonics SA. Anteriormen-
te participou como investigador em projectos
nacionais e europeus no INESC Porto e integrou
a diviso de lasers de bra ptica da empresa Multiwave
Networks Portugal. Possui aproximadamente 10 anos de
experincia na investigao e desenvolvimento de dispositi-
vos, amplicadores e lasers de bra ptica. Tem mais de 10
artigos publicados em revistas e conferncias internacionais.
Joo M. Sousa Doutorado em Fsica pela
Universidade do Porto co-fundador e actualmen-
te Director de I&D da Multiwave Photonics SA.
Anteriormente foi tambm co-fundador e Director
de Engenharia da Multiwave Networks Portugal
Lda. Foi Professor Auxiliar na Universidade de
Aveiro e na Universidade de Trs-os-Montes e
Alto Douro. Tem aproximadamente 20 anos de
experincia em Investigao e Desenvolvimento de Lasers
e Amplicadores de Alta Potncia em Fibra ptica, publicou
mais de 30 artigos em jornais e conferncias internacionais e
autor de 5 patentes. Na Multiwave tem liderado o desen-
volvimento da tecnologia base da empresa tendo resultado
j no lanamento de mais de 15 novos produtos ao longo
dos ltimos anos.
Martin O. Berendt Doutorado pela
Universidade Tcnica da Dinamarca actualmente
Cientista Snior na empresa Multiwave Photonics
SA. Anteriormente foi Engenheiro de Sistemas de
Comunicaes pticas na Siemens SA, respon-
svel pela diviso de lasers de bra ptica na
empresa Multiwave Networks Portugal e cientista
snior na Corning Incorporated. Teve ainda a
oportunidade de desenvolver trabalho no mbito de douto-
ramento e de ps-doutoramento no NKT Research Center,
e na Specialty Fibers Lucent Danmark, na Dinamarca, no
Optoelectronic Research Centre University of Southampton,
no Reino Unido e no Instituto de Fsica Gleb Wataghin,
Universidade de Campinas (UNICAMP), no Brasil. Tem vrios
artigos publicados e vrias patentes concedidas na rea dos
lasers e da tecnologia ptica.
Sami T. Hendow Doutorado em Optical
Sciences pela Universidade de Arizona actu-
almente Director Snior na empresa Multiwave
Photonics SA. Anteriormente foi responsvel de
engenharia na Spectra-Physics, cientista snior
na Northrop Grumman, e director de engenharia
na Southampton Photonics e na Ditech Commu-
nications. Tem vrios artigos publicados e vrias
patentes concedidas na rea dos lasers e da tecnologia
ptica.
Jos R. Salcedo Doutorado pela Universi-
dade de Stanford actualmente CEO da empresa
Multiwave Photonics SA. Fundador da Multiwave
aps 15 anos de actividade de I&D em optoelec-
trnica, lasers e bras pticas na Universidade do
Porto (onde foi Professor Catedrtico na FEUP
e Professor Associado na FCUP) e no INESC
Porto (tendo sido co-fundador em 1984 e onde
tambm co-fundou a Unidade de Optoelectrnica em 1990).
Anteriormente desenvolveu uma larga actividade prossio-
nal nos EUA durante cerca de 10 anos Tem vrios artigos
publicados e vrias patentes concedidas principalmente na
rea dos lasers.