21/03/2013

Histria da Microeletrnica

1907 Inveno da Vlvula

Autor: Lee De Forest
UNIVAC
(1951)
1.900 adds/sec

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1947 Inveno do Transistor

(Transistor de Ponto de Contato - Germnio)
Autores: Shockley, Bardeen e Brattain

1948 Inveno do Transistor de Juno

Autor: William Shockley

IBM System/360
(1964)
500.000 adds/sec

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1958 Inveno do Circuito Integrado

Jack Kilby
(Texas Instruments)

Robert Noyce
(Fairchild Semiconductor)

Primeiro circuito
integrado
comercial
(Fairchild, 1961)

1960 Inveno do Transistor MOS

(Transistor de efeito de campo de metal-xido-semicondutor)

Autor: D. Kahng and M. Atalla

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1962 Inveno do CMOS

(Transistor MOS complementar: par PMOS/NMOS)

Autor: Frank Wanlass (Fairchild)

1965 Primeiro Amplificador Operacional

(Fairchild)

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1970 Memria SRAM de 256 bits

(Fairchild)

1971 Microprocessador 4004 de 4 bits

(Intel)

Frequncia: 108 kHz

Tecnologia: 10 m
Transistores: 2.300
rea: 13,5 mm2

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1972 Microprocessador 8008 de 8 bits

(Intel)

Arquitetura: 8 bits
Frequncia: 200 kHz
Tecnologia: 10 m
Transistores: 3.500
rea: 15,2 mm2

1972 Microprocessador 8080 de 8 bits

(Intel)

Arquitetura: 8 bits
Frequncia: 2 MHz
Tecnologia: 6 m
Transistores: 6.000
rea: 20 mm2
Tenso: 5 V
Potncia: 2 W

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1979 Microprocessador 8086 de 16 bits

(Intel)

Arquitetura: 16 bits
Frequncia: 4,77 a 10 MHz
Tecnologia: 3 m
Transistores: 29.000
rea: 16 mm2
Tenso: 5 V
Potncia: 2 W

1981 Primeiro PC da IBM

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1982 Microprocessador 80286 de 16 bits

(Intel)

Arquitetura: 16 bits
Frequncia: 6 a 12 MHz
Tecnologia: 1,5 m
Transistores: 134.000
rea: 68,7 mm2
Tenso: 5 V
Potncia: 2 W

1985 Microprocessador 80386-DX de 32 bits

(Intel)

Arquitetura: 32 bits
Frequncia: 16 a 33 MHz
Tecnologia: 1,5 a 1,0 m
Transistores: 275.000
rea: 104 mm2
Tenso: 5 V
Potncia: 2 W

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1992 Microprocessador 80486-DX2 de 32 bits

(Intel)

Arquitetura: 32 bits
Frequncia: 50 a 80 MHz
Tecnologia: 0,8 m
Transistores: 1.200.000
rea: 76 mm2
Tenso: 5 V
Potncia: 8 a 16 W

1993 Microprocessador Pentium de 32 bits

(Intel)

Arquitetura: 32 bits
Frequncia: 50 a 80 MHz
Tecnologia: 0,8 m
Transistores: 1.200.000
rea: 76 mm2
Tenso: 5 V
Potncia: 8 a 16 W

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1995 Microprocessador Pentium Pro de 32 bits

(Intel)

Arquitetura: 32 bits
Frequncia: 150 a 200 MHz
Tecnologia: 0,6 a 0,35 m
Transistores: 5.500.000
rea: 196 mm2
Tenso: 3,3 V
Potncia: 29 a 47 W

1997 Microprocessador Pentium 2 de 32 bits

(Intel)

Arquitetura: 32 bits
Frequncia: 233 a 300 MHz
Tecnologia: 0,35 m
Transistores: 7.500.000
rea: 204 mm2
Tenso: 2,8 V
Potncia: 25 a 35 W

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1999 Microprocessador Pentium 3 de 32 bits

(Intel)

Arquitetura: 32 bits
Frequncia: 500 a 1133 MHz
Tecnologia: 180 e 130 nm
Transistores: 28.100.000
44.000.000
rea: 106 e 80 mm2
Tenso: 1,5 a 1,8 V
Potncia: 11 a 35 W

2000, 2001, 2004 Microprocessador Pentium 4

(Intel)

Arquitetura: 32 bits
Frequncia: 1,3 a 3,8 GHz
Tecnologia: 180, 130 e 90 nm
Transistores: 42.000.000
55.000.000
125.000.000
rea: 217, 146 e 112 mm2
Tenso: 1,25 a 1,7 V
Potncia: 54 a 151 W

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Frequncia de clock

Dissipao de potncia

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Densidade de potncia (potncia / rea)

2006 Microprocessador Core Duo (Yonah)

(Intel)

Arquitetura: 32 bits
Frequncia: 1,06 a 2,33 GHz
Tecnologia: 65 nm
Transistores: 151.000.000
rea: 91 mm2
Tenso: 0,9 a 1,3 V
Potncia: 9 a 31 W

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2007 Microprocessador Core 2 Duo (Conroe)

(Intel)

Arquitetura: 64 bits
Frequncia: 1,8 a 3 GHz
Tecnologia: 65 nm
Transistores: 291.000.000
rea: 143 mm2
Tenso: 1,5 V
Potncia: 65 W

2007 Microprocessador Core 2 Duo (Wolfdale)

(Intel)

Arquitetura: 64 bits
Frequncia: 2,66 a 3,16 GHz
Tecnologia: 45 nm
Transistores: 410.000.000
rea: 107 mm2
Tenso: 1,3 V
Potncia: 65 W

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2007 Microprocessador Core 2 Extreme (Penryn)

(Intel)

Quad core processor

Arquitetura: 64 bits
Frequncia: 3 GHz
Tecnologia: 45 nm
Transistores: 820.000.000
Tenso: 1,3 V
Potncia: 80 W

2009 Microprocessador Core i3, i5 e i7

(Intel)

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Lei de Moore

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Lei de Moore
O nmero de transistores dobra a cada dois anos

Escalas de Integrao
SSI (Small Scale Integration): 1 a 10 transistores
MSI (Medium Scale Integration): 11 a 100 transistores
LSI (Large Scale Integration):101 a 1.000 transistores
VLSI (Very Large Scale Integration):
1.001 a 1.000.000 transistores
ULSI (Ultra Large Scale Integration):
acima de 1.000.000 transistores
VLSI = sinnimo de MICROELETRNICA

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21/03/2013

Microprocessadores Pentium 4

Metalizao Multinvel

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21/03/2013

Seco transversal de um circuito integrado

Fotomicrografia de um Circuito Integrado (corte)

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21/03/2013

Fotomicrografias de Transistores MOS de 65 nm

Processo de Fabricao de Circuitos Integrados

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21/03/2013

Obteno de Silcio Monocristalino

Mtodo Czochralski (CZ)

Tarugos de silcio monocristalino (99,999999999%)

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21/03/2013

Evoluo do dimetro das lminas de silcio

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21/03/2013

Processo litogrfico (Litografia ptica)

Substrato

Substrato

Limpeza
Aplicao do
fotorresiste

UV

Fotomscara

Exposio
Substrato

Fotorresiste positivo

Fotorresiste negativo

Substrato

Imagem
latente

Substrato

Substrato

Revelao

Substrato

Leiaute de
um circuito
integrado

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Fotomscara

A fotomscara composta por uma placa de quartzo ou
vidro ptico e a regio opaca feita de cromo. A
fotomscara obtida por litografia de feixe de eltrons.

Fotomscara
de uma
memria
DRAM de
4 Mbits

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Transferncia de padres


Aps a litografia, realiza-se a etapa de corroso.

 Corroso mida: utiliza uma soluo qumica.
 Corroso seca: utiliza um plasma frio.
A=0

A=1

Fotomicrografias (microscpio eletrnico de varredura)

de estruturas obtidas com a corroso seca ou por plasma:

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Estruturas dos capacitores para memrias DRAM

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Clulas de memrias DRAM

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Da areia ao chip

 Obteno do silcio
 Limpeza qumica
 Oxidao trmica
 Difuso
 Implantao inica
 Litografia

 Deposio
 Crescimento epitaxial
 Metalizao
 Corroso
 CMP
 Recozimento trmico

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