UNIVERSIDADE DO ESTADO DE SANTA CATARINA - UDESC

FACULDADE DE ENGENHARIA DE JOINVILLE - FEJ

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA
LABORATRIO DE ELETRNICA I
PROF.: CELSO JOS FARIA DE ARAJO

Roteiro-Relatrio da Experincia No 4
CARACTERSTICAS DO TRANSISTOR BIPOLAR
1. COMPONENTES DA EQUIPE:
ALUNOS
1
2
3
4
5

NOTA

____________________________________________
____________________________________________
____________________________________________
____________________________________________
____________________________________________

Prof.: Celso Jos Faria de Arajo

Data: ____/____/____ ___:___ hs

2. OBJETIVOS:
2.1. Levantar, experimentalmente, as caractersticas de entrada e sada de um
transistor.
3. INTRODUO TERICA:
3.1. Encapsulamento
Um transistor basicamente constitudo de trs camadas de materiais semicondutores
(regies), formando as junes NPN ou PNP. Essas junes recebem um encapsulamento
adequado, conforme o tipo de aplicao e a ligao dos trs terminais para conexes
externas. A Figura 1 mostra alguns tipos de encapsulamentos conforme a faixa de potncia.

Figura 1 Encapsulamento de Transistores (a) baixa (b) mdia e (c) alta potncia.
3.2. Modos de Operao
A Figura 2 mostra a estrutura simplificada para os transistor de juno bipolar,
doravante chamado apenas de transistor. A estrutura consiste de trs regies de materiais
semicondutores. Regies de Emissor, Base e Coletor. Um terminal conectado em cada uma
das trs regies. Estes terminais so chamados Emissor (E), Base (B) e Coletor (C).
N

P
(a)

O TRANSISTOR BIPOLAR: Caractersticas

(b)
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Figura 2 Estrutura (a) NPN e (b) PNP

O transistor consiste de duas junes pn: a juno emissor-base (JEB) e a juno
coletor-base (JCB). Dependendo da condio de polarizao (direta ou reversa) em cada uma
dessas junes, diferentes modos de operao para o transistor so obtidas, como mostra a
Tabela 1.
MODO

JEB

JCB

Corte

Reversa

Reversa

Ativo

Direta

Reversa

Saturao
Direta
Direta
Tabela 1 Modos de Operao para o Transistor
O modo Ativo usada para fazer o transistor operar como um amplificador.
Aplicaes de chaveamentos (por exemplo, circuitos lgicos) utiliza os modos saturao e
corte.
3.3. Simbologia
Na Figura 3, tem-se representada a simbologia dos transistores PNP e NPN e as
correntes e tenses com polarizao.

(a)
(b)
Figura 3 Simbologia para os transistores (a) NPN e (b) PNP
3.4. Funcionamento
O funcionamento do trasistor PNP anlogo a NPN. Para o transistor PNP os
portadores de carga so as lacunas, invertendo o sentido de todas as correntes e tenses de
polarizao vistas para o transistor NPN.
Verifica-se que a corrente de emissor (iE) composta pela soma das correntes de base
(iB) e de coletor (iC).
i E = iB + i C
A tenso vBE (NPN) ou vEB (PNP) aparece nos terminais emissor e base pela aplicao
de uma polarizao direta na juno base-emissor. Essa tenso para os transistores de silcio
est compreendida entre 0,5 e 0,8 Volts.
Na regio ativa (modo ativo) o transistor, para fins de anlise, pode ser considerado
atravs da relao entrada-sada como um quadripolo. Considera-se um dos terminais como
referncia, comum entrada e sada. Baseado neste fato, pode-se ter trs configuraes
tpicas para o transistor: base comum, coletor comum e emissor comum. A figura mostra um
quadriplolo com as tenses e correntes indicadas.

Figura 4 Quadripolo Genrico

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Como o ganho do quadripolo definido pela relao entre os parmetros de sada e

entrada, pode-se escrever:
Av

v2
v1

ganho de tenso

Ai

i2
i1

ganho de corrente

A configurao base comum est mostrada na Figura 4, nela o terminal de base servir
como ponto comum entre a entrada e a sada.

Figura 5 Configurao Base Comum.

Neste tipo de configurao, pode-se escrever:
Ai

iC
1
iE

Av

vCB
1
v BE

A configurao coletor comum est mostrada na Figura 6, nela o coletor o ponto

comum.

Figura 6 Configurao Coletor Comum.

Para este tipo de configurao pode-se escrever:
Ai

iE
1
iB

Av

vCE
1
vCB

A configurao emissor comum est mostrada na Figura 7, nela o emissor o ponto

comum.

Figura 7 Configurao Emissor Comum.

Para este tipo de configurao pode-se escrever:
Ai

iC
1
iB

Av

vCE
1
v BE

Das trs configuraes mostradas, a com emissor comum a que apresenta ganho
maior que a unidade para os dois parmetros, sendo por isto a mais utilizada em circuitos
amplificadores.
A relao entre as correntes do transistor descrita matematicamente atravs dos
parmetros alfa () e beta ():

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iC
i
e C
iE
iB

Para fins de projetos com transistores, o fabricante fornece uma faixa de valores para
o parmetro ou para o parmetro . Esses parmetros podem ser relacionados atravs das
seguintes relaes:

e
1
1

Por ser a configurao emissor comum a mais aplicada em circuitos amplificadores,

necessrio relacionar, atravs de curvas caractersticas, seus principais parmetros de entrada
e sada, para a devida utilizao em projetos. Para levantar-se estas curvas, faz-se necessria
uma polarizao para fornecer ao transistor as condies para o modo de operao
apropriado. A Figura 8 mostra um transistor NPN polarizado, com os instrumentos de
medidas inseridos nas posies adequadas para o levantamento das curvas caractersticas.

Figura 8 Polarizao para o Levantamento das Curvas Caractersticas dos Transistores

Para levantar-se a curva caracterstica de entrada, deve-se variar a corrente de base e
medir a tenso entre a base e o emissor, mantendo-se uma determinada tenso entre coletor e
emissor constante. Essa caracterstica se apresenta como a que est mostrada na Figura 9.

Figura 9 Caracterstica de Entrada do Transistor

Para levantar-se a curva caracterstica de sada, deve-se fixar valores da corrente de
base, variar a tenso entre coletor e emissor e medir a corrente de coletor. Essa caracterstica
se apresenta como a que est mostrada na Figura 10.

Figura 10 Caracterstica de Sada do Transistor

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Nota-se por esta caracterstica que para iB = 0, aparece uma pequena corrente de
coletor que denominada de corrente de fuga e, normalmente representada por ICEO (corrente
entre coletor e emissor com a base em aberto).
Alm destas curvas caractersticas, o fabricante fornece valores limites dos
parmetros. So eles:
VCEOmx = Tenso mxima entre coletor e emissor com a base em aberto.
ICmx = Corrente mxima de coletor
PCmx = Potncia mxima dissipada (VCE. IC)
Hfe () = Ganho de corrente na configurao emissor comum.
Para exemplificar a Tabela 2 mostra esses parmetros para dois transistores comuns
de baixo sinal.
TRANSISTOR TIPO VCEOmx (V)
BC548

NPN

ICmx
PCmx (mW) Hfe () (IC = 2mA) TERMINAIS
(mA)

30

100

500

110 - 800

E
B

BC558

PNP

30

100

500

75 - 475

*
Tabela 2 Especificao para transistores de baixo sinal. *Vista Inferior (com os terminais para
cima)
4. MATERIAL UTILIZADO
4.1. Fonte de tenso varivel
4.2. Resistores: 22-1,15W; 2,7K-1/4W
4.3. Potencimetros: 100 (LIN) e 1K (LIN)
4.4. Multmetros: 1 Ampermetro; 1 Voltmetro; 1 Ohmmetro
4.5. Transistores: BC548 ou equivalente
5. PR-RELATRIO
5.1. Ler o item 6 (Parte Experimental) e resolver teoricamente os circuitos propostos
com os valores nominais para os parmetros necessrios preenchendo as Tabelas
nas linhas que se referem aos valores calculados.
6. PARTE EXPERIMENTAL:
6.1. CARACTERSTICAS DOS TRANSISTORES
6.1.1. Mea com o ohmmetro e anote na Tabela 3, a resistncia direta e reversa entre a
base e o emissor e entre a base e o coletor do Transistor.
Base e Emissor

Base e Coletor

Resistncia Direta

________

________

Resistncia Reversa

________

________

Tabela 3 Resistncia de Juno do Transistor

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6.1.2. Monte o circuito da Figura 11.

Figura 11 Circuito para Levantamento das Curvas Caractersticas do Transistor.

6.1.3. Variar a tenso vBE atravs do potencimetro de 1K, conforme a Tabela 4. Para
cada caso mea e anote a corrente de base, mantendo constante, atravs do
potencimetro de 100, a tenso VCE = 3V. Os valores devem ser medidos
simultaneamente.
VBE (V)

0,55

0,575

0,6

0,625

0,65

0,675

0,7

0,725

0,75

IC (mA)
Tabela 4 Levantamento das Caractersticas de Entrada do Transistor

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6.1.4. Ajuste a corrente de base em 0 mA atravs do potencimetro de 1K. Varie a

tenso VCE conforme a Tabela 5, atravs do potencimetro de 100. Para cada caso
mea e anote o valor da corrente IC. Os valores devem ser medidos
simultaneamente.
VCE (V)

IB (mA)
0
0,05

IC (mA)

0,10
0,15

0,20
Tabela 5 - Levantamento das Caractersticas de Sada do Transistor
6.1.5. Repita o item 6.1.4 para os demais valores de IB, conforme a Tabela 5, mantendo-o
constante para os valores ajustados de VCE.
6.2. Questes:
6.2.1. Como voc testaria um transistor com o ohmmetro?
____________________________________________________________________
____________________________________________________________________
____________________________________________________________________
____________________________________________________________________
____________________________________________________________________
6.2.2. Com os dados da Tabela 4, construa a caracterstica de entrada do transistor
iC = f(vBE). Use papel milimetrado para o grfico.
6.2.3. Com os dados da Tabela 5, construa a caracterstica de sada do transistor
iC = f(vCE). Use papel milimetrado para o grfico.
6.2.4. Escolha cinco pontos da caracterstica de sada e para cada um calcule o parmetro
(fora da saturao). Calcule tambm os valores de correspondente. Anote no
prprio esboo da funo caracterstica.

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7. QUESTIONRIO
7.1. O experimento se mostrou vlido? Explique por que?
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______________________________________________________________________
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______________________________________________________________________
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______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
7.2. Comente os resultados, erros encontrados e possveis fontes de erros.
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