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17/07/2016

Memria ash Wikipdia, a enciclopdia livre

Memriaflash
Origem:Wikipdia,aenciclopdialivre.

Memriaflashumamemriadecomputadordotipo
EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableReadOnly
Memory),desenvolvidanadcadade1980pelaToshiba,cujos
chipssosemelhantesaodaMemriaRAM,permitindoque
mltiplosendereossejamapagadosouescritosnumas
operao.Emtermosleigos,tratasedeumchipreescrevvel
que,aocontrriodeumamemriaRAMconvencional,
preservaoseucontedosemanecessidadedefontede
alimentao.[1][2]Estamemriacomumenteusadaem
cartesdememria,flashdrivesUSB(pendrives),SSD,MP3
Players,dispositivoscomoosiPodscomsuporteavdeo,
PDAs,armazenamentointernodecmerasdigitaisecelulares.
Memriaflashdotiponovoltil,oquesignificaqueno
precisadeenergiaparamanterasinformaesarmazenadasno
chip.Almdisso,amemriaflashofereceumtempodeacesso
rpido,emboranotorpidocomoamemriavoltil(DRAM
utilizadasparaamemriaprincipalemPCs),emelhor
resistnciadoquediscosrgidos.Estascaractersticasexplicam
apopularidadedamemriaflashemdispositivosportteis.
Outracaractersticadamemriaflashque,quandoembaladas
em"cartesdememria",soextremamentedurveis,sendo
capazesderesistirapressointensa,variaesextremasde
temperatura,eatmesmoimersoemgua.[3]
Umalimitaoqueamemriaflashtemumnmerofinitode
modificaes(escrita/excluso).Pormesteefeito
parcialmentecompensadoporalgunschipsfirmwareoudrivers
dearquivosdesistemadeformadinmicaeescrevecontandoo
remapeamentodosblocos,afimdedifundirasoperaes
escritasentreossetores.[3]

ndice

Tiposdememriadecomputador
Memriasvolteis
DRAM,porexemploDDRSDRAM
SRAM
Prximas
TRAM
ZRAM
TTRAM
Histricas
Delaylinememory
tuboSelectron
tubodeWilliams
Memriasnovolteis
ROM
PROM
EPROM
EEPROM
Memriaflash
Prximas
FRAM
MRAM
CBRAM
PRAM
SONOS
RRAM
Racetrackmemory
NRAM
Millipede
Histricas
Memoriadetambor
Memriadeferrite
Platedwirememory
Memriabolha
Twistormemory

1 Histria
2 Vantagens
3 FlashNANDeNOR
3.1 FlashNOR
3.2 FlashNAND
3.2.1 Tamanhostpicosdosblocos
3.3 PrincipaisdiferenasentreNOReNAND
4 SistemadeArquivosFlash
5 Padronizao
6 TaxasdeTransferncia
7 Substitutoparadiscosrgidos
8 Referncias
9 Vertambm
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Histria
Amemriaflash(ambosostipos,NOReNAND),foiinventadapelo
Dr.FujioMasuokaenquantotrabalhavaparaaToshibaem1980.De
acordocomaToshiba,onome"flash"foisugeridoporumcolegadoDr.
Masuoka,Sr.ShojiAriizumi,poisoprocessodeapagamentodo
contedodamemriaseassemelhavaaoflashdeumacmera
fotogrfica.ODr.MasuokaapresentouainvenoaoIEEE1984
Exemplodeumamemriaflash
InternationalElectronDevicesMeeting(IEDM)realizadaemSan
utilizadaemumflashdriveUSB(ou
Francisco,Califrnia.AIntelviuoenormepotencialdainvenoe
pendrive).
introduziuoprimeirochipflashcomercialdotipoNORem1988.O
flashbaseadoemNORlevamuitotempoparagravareapagar,porm
fornececompletamenteoendereoeobarramentodedados,permitindooacessoaleatrioaqualquerposio
damemria.IssootornaumsubstitutoadequadoparaoantigoschipsROM(ReadOnlyMemory),queso
utilizadosparaarmazenarocdigodoprogramaqueraramenteprecisaseratualizado,comoaBIOSoua
firmwaredosettopboxesdeumcomputador.Suaresistnciade10.000a1.000.000deciclosdelimpeza.O
NORbaseadoemflashfoiabasedoinciodamdiaremovvelbaseadaemflash,ocompactflashveioaser
baseadonele,emboramaistardeoscartestenhamdeixadodecustarcaroigualaosflashbaseadoemNAND.

Vantagens
Asmaioresvantagensdessetipodememriasuaocupaomnimade
espao,seubaixoconsumodeenergia,suaaltaresistncia,sua
durabilidadeesegurana,contandocomrecursoscomoECC(Error
CorrectingCode),quepermitedetectarerrosnatransmissodedados.A
tecnologiafazusodesemicondutores(solidstate),sendoassim,notem
peasmveis,evitandoproblemasdecausamecnica.[1][2]
Tambmvemcomeandoaserchamadodediscoslidopelogrande
futuroquetempelafrente,jquealmdesermuitomaisresistenteque
osdiscosrgidosatuais,apresentamenorconsumodeenergiaeltrica,
latnciasepesomuitomaisbaixos.Chegaautilizarapenas5%dos
recursosnormalmenteempregadosnaalimentaodediscosrgidos.

Cartodememriaqueutilizaa
tecnologiaflash

Comtantasvantagens,atendnciafuturaqueosfabricantesdecomputadorestendemasubstituirosdisco
rgidosporunidadesflash.Oquepoderserexpandidaparaosdesktopnosprximos5anos,poisasua
fabricaoaindadealtocustoparaasempresas.[1]

FlashNANDeNOR
Existemdoistiposdememriasflash,aNANDeaNOR.

FlashNOR
AmemriaflashNOR(NotOR)permiteacessarosdadosdamemriademaneiraaleatria,comalta
velocidade.Foiaprimeiraasepopularizar,chegandoaomercadoem1988,seuschipspossuemumainterface
deendereossemelhantedaRAM,sendoutilizadoparaarmazenaroBIOSdasplacasmeetambm
firmwaresdevriosdispositivos,queanteseramarmazenadosemROMouEPROM.Algunsdosproblemas
nessetipodememriadevemseaoseualtocusto,eaoseualtotempodegravaonasclulas.Masembora
essesproblemasexistam,elalargamenteutilizadaathojeemcelulares,palmtopsefirmware.Chegaramaser
empregadasnafabricaodasmemriasPCMCIAeCompactFlash,mascomaintroduodotipoNAND,
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desapareceramdesteramo.[2][4]

FlashNAND
AmemriaflashNAND(NotAND)trabalhaemaltavelocidade,faz
acessosequencialsclulasdememriaetrataasemconjunto,isto,
emblocosdeclulas,emvezdeacesslasdemaneiraindividual.[2]
EssaarquiteturafoiintroduzidapelaToshibaem1989.Cadabloco
consisteemumdeterminadonmerodepginas.Aspginasso
tipicamente512,1024,2048ou4096bytesemtamanho.Apgina
associadaaalgunsbytes(tipicamente1216bytes).Atualmentesoos
tiposdememriamaisusadosemdispositivosportteis.[4]
Tamanhostpicosdosblocos
Doischipsdememriaflashem
32pginasde512bytesparacadatamanhodeumblocode16kB
comparaocomumamoeda
64pginasde2048bytesparacadatamanhodeumblocode128
kB
64pginasde4096bytesparacadatamanhodeumblocode256kB
128pginasde4096bytesparacadatamanhodeumblocode512kB

Emboraaprogramaosejarealizadaemumapginabase,aexclusodosdadosspodeserexecutadaemum
blocobase.OutralimitaodoflashNANDqueumblocodedadosspodeserescritosequencialmente.
NmerodeOperaes(NOPs)onmerodevezesqueossetorespodemserprogramados.Amaiorpartedos
dispositivosNANDsaemdafbricacomalgunsblocosdefeituosos,quenormalmentesoidentificadose
classificadosdeacordocomumadeterminadamarcaodeblocodefeituoso.Aopermitirquealgunsblocos
defeituosossaiamosfabricantesalcanammaisrendimentosdoqueseriapossvel,casotodososblocosfossem
bons.IstoreduzsignificativamenteoscustosdaMemriaflashNANDediminuiligeiramenteacapacidadede
armazenamentodaspartes.[3]

PrincipaisdiferenasentreNOReNAND
Asconexesdasclulasindividuaisdememriasodiferentes.
AdensidadedearmazenamentochipsatualmentemaiselevadoemmemriasNAND.
OcustodaNORmuitomaiselevado.
ANORpermiteacessosaleatrios,enquantoaNANDpermiteapenasacessosequencialmemria.
AleituramuitomaisrpidanaNOR.

SistemadeArquivosFlash
Oconceitobsicodossistemasdearquivosflashoseguinte:quandoosdadosarmazenadosvoser
atualizados,osistemadearquivosfazumacpiadelesparaumnovoblocodememria,remapeiaosponteiros
dearquivoedepoisapagaoantigoblocoquandotivertempo.Naprtica,essesistemadearquivosutilizado
emdispositivoscommemriaflashembutidaquenopossuemcontroladores.
OscartesdememriaedrivesUSBflashsoincorporadosdecontroladoresedevemdesempenharcorreo
deerros,entoousodeumououtrosistemadearquivosflashpodenoacrescentarnenhumbenefcio,entoos
dispositivosflashremovveisutilizamosistemadearquivosFATuniversal,permitindoassimacompatibilidade
comcmeras,computadores,PDAseoutrosdispositivosportteiscomslotsparacartesdememria.[3]

Padronizao
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UmgrupochamadoOpenNandFlashInterfaceWorkingGroup(ONFI)desenvolveuumainterfacepadronizada
paraoschipsNANDflash,tornandopossvelainteroperabilidadeentredispositivosNANDdediferentes
fornecedores.Averso1.0daespecificaoONFIfoiliberadaemDezembrode2006,comasseguintes
especificaes:
interfacefsicanormalizada(pinout)paraNANDflashemTSOP48,LGA52eBGA63.
umcomandopadroestabelecidoparaler,escrevereapagardadosnoschipsNAND.
mecanismodeautoidentificao,comparvelaoSerialPresencedetection(caractersticasdosSDRAM)
OgrupotemapoiodosprincipaisfabricantesdememriaNANDtaiscomoaIntel,MicronTechnologye
SonyedosprincipaisfabricantesdedispositivosqueintegramchipsNAND.Algunsfornecedores,incluindo
Intel,DelleMicrosoft,formaramumgrupoparaproporcionarumpadrodesoftwareehardwareprogramando
interfacesparasubsistemasdememrianovoltil,incluindoaflashcache,dispositivoligadoaoPCI
Express.[3]

TaxasdeTransferncia
Geralmenteanunciadasomenteavelocidademximadeleitura,poisoscartesdememriaNANDsomais
rpidoslendodoqueescrevendodados.Otempodeacessoinfluencianodesempenho,masnotemtanta
importnciacomparandocomodiscorgido.svezesdenotadoemMB/s(megabytesporsegundo),ouem
nmerodeXcomo60x,100xou150x.OXsereferevelocidadecomqueumanicaunidadedeCD
entregariaosdados,1xomesmoque150kilobytesporsegundo.Porexemplo,umcartodememria100x
vaia150KiBx100=15000KiBporsegundo=14,65MiBporsegundo(Avelocidadeexatadependeda
definiodeMegabytequeocomercianteoptaporutilizar).[3]

Substitutoparadiscosrgidos
Umaextensobviadamemriaflashseriaumsubstitutoparaosdiscosrgidos,jqueelanopossuias
limitaesmecnicaselatnciadosmesmos.Aideiadeumdrivedeestadoslido,ouSSD,tornaseatraentese
considerarmosvelocidade,rudo,consumodeenergiaeconfiabilidade.Porm,aindaexistemalgumas
desvantagensquedevemserconsideradas.Porexemplo,ocustoporgigabytedememriaflashaindamaior
doquedosdiscosrgidos.Algumastcnicasestosendoutilizadasnatentativadecombinarasvantagensdas
duastecnologias,usandoaflashcomoumacachedealtavelocidadeparaarquivosdodiscoquesomuito
referenciadosmaspoucomodificados,taiscomoaplicativosearquivosexecutveisdosistemaoperacional.[3]

Referncias
1.EspeciaisATA,SATA,barramentoseafins(http://wnews.uol.com.br/site/noticias/materia_especial.php?id_secao=1
7&id_conteudo=483)Visitadoem6demarode2008.
2.EmersonAlecrimCartesdememriaFlash(12dejunhode2005)(http://www.infowester.com/cartoesflash.php)
Visitadoem8demarode2008
3.WikipediaenglishFlashmemory(http://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory)Visitadoem17dejunhode2008.
4.CarlosE.Morimoto.Memriaflash(16demaro2007)(http://www.guiadohardware.net/tutoriais/memoriaflash/)
Visitadoem6demarode2008.

Vertambm
Cartodememria
USBFlashdisk
SSD
ADATA
Readyboost
Superfetch
https://pt.wikipedia.org/wiki/Mem%C3%B3ria_ash

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Categorias: Componenteseletrnicos Hardware Armazenamentodeestadosoldo InvenesdoJapo
Estapginafoimodificadapelaltimavez(s)02h23minde18dejunhode2016.
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consulteasCondiesdeUso.

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