Captulo 5 Projeto dos Controladores

Capitulo 5 Projeto dos Controladores

Esse Captulo tem com objetivo apresentar o projeto e a simulao em
Matlab/Simulink dos controladores desenvolvidos na tese. Primeiramente ser
apresentado o projeto e a simulao do controlador PI com anti-windup para as
resistncias de aquecimento da RTC. Em seguida sero apresentados os projetos
dos controladores LQR e H-infinito para a RTC.

5.1. Projeto do controlador PI das resistncias de aquecimento

O sistema de gerao de gua quente da RTC do laboratrio utiliza
resistncias (R1 e R2) blindadas de 5kW de potncia para cada linha, permitindo ao
sistema atingir valores de temperatura da gua de aproximadamente 70C. Como
caracterstica do projeto da RTC, existe um reciclo da gua que deixa cada trocador
de calor e que retorna para o tanque de aquecimento. Percebeu-se que,
independentemente de qual varivel de processo fosse alterada, o comportamento
das variveis de sada sempre apresentava uma resposta de primeira ordem. Essa
variao ocorreu justamente em razo deste reciclo, onde a temperatura de sada
quente (THOUT) passa a influenciar o valor da temperatura de entrada (THIN) por
causa justamente do tanque de aquecimento e do reciclo.
Um sistema de aquecimento sem a utilizao do reciclo poderia ter sido
desenvolvido, porm exigiria uma quantidade maior de energia eltrica para aquecer
a gua a uma temperatura aceitvel para os ensaios, com a vazo fornecida pelas
bombas instaladas nas linhas quentes.
A reduo dos efeitos do reciclo foi obtida utilizando um controlador PI com
anti-windup, com o objetivo de manter estvel a temperatura de entrada quente
manipulando a potncia da resistncia de aquecimento. Dessa forma, o sistema
passa a operar com as temperaturas de entrada quente praticamente constantes,
mesmo com a presena de distrbios.
Utilizando o procedimento clssico, onde a partir de uma resposta degrau na
dissipao de potncia na resistncia, observou-se o comportamento de THIN ao
longo do tempo, o que permitiu obter a funo de transferncia simplificada do
conjunto resistncia + tanque de aquecimento. Os degraus foram aplicados nos
instantes t=500s e t=1500s, respectivamente, modificando o valor da potncia
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dissipada nas resistncias, alterando o valor da tenso de controle fornecida para o

controlador de potncia de 5V para 10V, conforme apresentado na Figura 5.1.

Figura 5.1 Tenso de controle das Resistncias 1 e 2 Mudana de 5 para 10V.

As Figuras 5.2 e 5.3 apresentam os perfis de THIN para cada linha quente da
rede. A constante de tempo para cada conjunto (tanque + resistncia) foi de 119s e
125s, obtendo-se uma amplitude em THIN igual a 12.6C e 15.7C, para a resistncia
da linha 1 e para a resistncia da linha 2, respectivamente. As funes de
transferncia que sero utilizadas para o projeto do controlador PI, obtidas a partir
da resposta degrau, so apresentadas pelas Equaes 5.1 e 5.2:

Figura 5.2 Resposta dinmica de THIN1.

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Figura 5.3 Resposta dinmica de THIN2.

GP 1 s

2.52
,
119s 1

(5.1)

GP 2 s

3.14
.
125s 1

(5.2)

O controlador a ser empregado, conforme j mencionado, um controlador PI

com um sistema anti-windup. O sistema anti-windup se faz necessrio porque o
conversor de potncia apresenta uma limitao (saturao) do valor de tenso que
pode ser aplicado (0V a 10V). A Figura 5.4 mostra a estrutura PI + anti-windup
empregada no controle da temperatura de entrada THIN de cada linha quente.

Figura 5.4 Estrutura de controle PI com anti-windup.

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Os valores de KP e KI so as constantes do controlador PI e o valor de KT

define a sensibilidade do sistema para a percepo da saturao do sinal de sada.
O valor da constante A permite alterar os ganhos KP e KI simultaneamente,
permitindo assim realizar ajustes finos posteriormente na RTC.
O projeto do controlador PI considerou basicamente trs propostas distintas: a
primeira delas contempla a alocao do zero do compensador esquerda do plo
do processo; a segunda contempla a alocao do zero do compensador direita do
plo do processo; a terceira contempla o cancelamento do plo do processo com o
zero do compensador. Essa posio definir comportamentos dinmicos distintos do
conjunto planta + compensador, onde com o zero do compensador mais para a
esquerda ou mais para a direita do plo do sistema, o lugar das razes definir uma
dinmica de primeira ou de segunda ordem.
Como a principal funo desse controlador ser de rejeitar possveis
distrbios para um valor de setpoint fixo do valor da temperatura THIN, o
compensador dever proporcionar ao sistema a eliminao das possveis
perturbaes com o menor tempo possvel, utilizando um esforo de controle
compatvel com a faixa de operao do atuador. A partir do exposto, o projeto foi
desenvolvido para apresentar uma resposta dinmica de segunda ordem, com um
pequeno sobressinal. Os valores empregados para as constantes KP, KI, KT so
apresentados pela Tabela 5.1.
Tabela 5.1 Constantes dos controladores PI, projeto para dinmica de segunda ordem

Constantes dos Controladores PI Resistncias 1 e 2, Segunda Ordem

Resistncia 1

Resistncia 2

KP1 = 0,6412

KP2 = 0,5094

KI1 = 6,668x10-3

KI2 = 5,094x10-3

KT1 = 10

KT2 = 10

As funes de transferncia de cada compensador so apresentadas pelas

Equaes 5.3 e 5.4

6,668 x103
,
GC1 s 0,6412
s
GC 2 s 0,5094

5,094 x10 3
,
s

(5.3)

(5.4)

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enquanto que os resultados das simulaes realizadas so apresentados pelas

Figuras 5.5 e 5.6. As linhas em vermelho representam o sistema em malha fechada,
com o controle proporcional KP igual a 1.

Figura 5.5 Resposta ao degrau, sistema com controle PI e sem controle PI: R1.

Figura 5.6 Resposta ao degrau, sistema com controle PI e sem controle PI: R2.

Analisando as Figuras 5.5 e 5.6 possvel observar que o termo integral foi
capaz de eliminar o erro de valor final existente (apresentado pelas curvas em
vermelho, que no possuem o controlador PI) e de estabelecer um novo estado
estacionrio em aproximadamente 200s. Esse tempo de resposta apresentado pelos
controladores considerado adequado, pois a dinmica da RTC est na ordem de
aproximadamente 600s.

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5.2. Projeto do controlador LQR para a RTC do laboratrio

Nesta seo ser desenvolvido o projeto do controlador LQR atravs dos
procedimentos j apresentados no Captulo 2. Sero apresentados o projeto e a
simulao do controlador LQR para a RTC.
Para o projeto do controlador, as parametrizaes necessrias para o modelo
so apresentadas pelas Tabelas 5.2 e 5.3. Elas fornecem os valores de regime
estacionrio das variveis de processo, de entrada e sada, para a operao da
RTC.
Tabela 5.2 Dados de entrada da RTC.

Condio Nominal das Variveis de Entrada

Temperatura de Entrada gua Fria (TCIN)

21C

Temperatura de Entrada gua Quente Corrente 1 (THIN 1)

55C

Temperatura de Entrada gua Quente Corrente 2 (THIN 2)

55C

Vazo Mssica de gua Fria (mC)

0,16kg.s-1

Vazo Mssica de gua Quente (mH 1) Corrente 1

0,16kg.s-1

Vazo Mssica de gua Quente (mH 2) Corrente 2

0,16kg.s-1

Vlvula 1 Bypass Fluido Quente (fhi1) Corrente 1

Vlvula 1 Bypass Fluido Quente (fhi2) Corrente 2

Vlvula 1 Bypass Fluido Frio (fci1) Corrente 1

Vlvula 2 Bypass Fluido Frio (fci2) Corrente 1

Tabela 5.3 Dados de sada da RTC

Condio Nominal das Variveis de Sada

Temperatura de Sada gua Fria (TCOUT)

31,17C

Temperatura de Sada gua Fria Parcial (TCOUT parcial)

26,53C

Temperatura de Sada gua Quente Corrente 1 (THOUT 1)

50,37C

Temperatura de Sada gua Quente Corrente 2 (THOUT 2)

49,47C

Vazo Mssica de gua Fria (mC)

0,16kg.s-1

Vazo Mssica de gua Quente (mH 1) Corrente 1

0,16kg.s-1

Vazo Mssica de gua Quente (mH 2) Corrente 2

0,16kg.s-1

O projeto desenvolvido contempla o controle das temperaturas de sada fria

de cada um dos trocadores de calor da rede. As variveis manipuladas do projeto
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sero as posies das vlvulas dos bypasses da corrente fria sobre cada trocador.
As simulaes apresentam o desempenho do controlador mudana de setpoint
das temperaturas frias TCOUT

e TCOUT

temperaturas de entrada quente THIN

e tambm, rejeio de distrbio nas

e THIN

e na vazo fria mC. O tempo de

simulao adotado foi igual a 2000s para a mudana de setpoint e de 3000s e de

2000 s para as rejeies de distrbios em THIN e em mC, respectivamente. Os
resultados obtidos com as simulaes realizadas sero apresentados em trs
sees distintas: a) mudana de setpoint; b) rejeio de distrbio a variaes na
vazo fria (mC); c) rejeio de distrbio a variaes nas temperaturas quentes (THIN).
O controlador LQR foi projetado contemplando duas modificaes na
estrutura apresentada no Capitulo 2, que possui os integradores para a
realimentao das variveis de sada: adicionou-se um observador de estados de
Luenberger e tambm a ao anti windup para os integradores, resultando na
estrutura de controle apresentada pela Figura 5.7.

Figura 5.7 Estrutura de controle LQR da RTC, com anti windup e observador de estados.

a) Desempenho do controlador LQR mudana de setpoint em TCOUT1 e

TCOUT2:
As Figuras 5.8 e 5.9 apresentam a resposta dinmica das temperaturas de
sada da RTC e o esforo de controle, respectivamente.

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Figura 5.8 Perfil de TCOUT 1, TCOUT 2: Mudana de setpoint, LQR.

Figura 5.9 Esforo de controle: Mudana de setpoint, LQR.

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b) Desempenho rejeio de distrbio na vazo mC:

As Figuras 5.10 e 5.11 apresentam o perfil das temperaturas de sada da RTC
e o esforo de controle, respectivamente.

Figura 5.10 Perfil de TCOUT 1, TCOUT 2: Rejeio de distrbio na vazo fria mC, LQR.

Figura 5.11 Esforo de controle: Rejeio de distrbio na vazo fria mC, LQR.
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c) Desempenho rejeio de distrbio nas temperaturas de entrada quente

THIN 1 e THIN 2:
As Figuras 5.12 e 5.13 apresentam o perfil das temperaturas de sada da RTC
e o esforo de controle, respectivamente.

Figura 5.12 Perfil de TCOUT 1,TCOUT 2: Rejeio de distrbio em THIN 1, THIN 2, LQR.

Figura 5.13 Esforo de controle Rejeio de distrbio em THIN 1 e THIN 2

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Analisando as Figuras apresentadas anteriormente, possvel concluir que o

controlador LQR mostrou um desempenho satisfatrio para mudanas de setpoint e
tambm para as rejeies de distrbio, com um esforo de controle compatvel com
as exigncias das vlvulas de bypass. O tempo de resposta foi adequado para a
dinmica da rede, obtendo um novo regime estacionrio em 250s para a mudana
de setpoint e de 200s para as rejeies aos distrbios aplicados. Os valores das
matrizes de ponderao Q e R para o controlador projetado foram iguais a:
Q 10 6.I 27 x 27

R 10 2.I 2 x 2 , onde I a matriz identidade

A alterao da resposta transitria, caso a constante de tempo obtida no

atenda os requisitos de projeto e de funcionamento da planta, pode ser obtida
atravs da mudana dos valores das matrizes Q e R: mantendo-se o mesmo valor
da matriz Q e diminuindo a penalizao das entradas R, observa-se nas simulaes
realizadas que a resposta transitria melhora significativamente, porm aumentando
o esforo de controle. Essa melhora pode ser levada em considerao, pois impacta
diretamente na rejeio do distrbio, demandando um tempo menor para a
estabilizao dos perfis de temperatura de sada, desde que os esforos de controle
sejam compatveis com o sistema fsico.

5.3. Projeto do controlador H-infinito para a RTC do laboratrio

Nesta seo ser desenvolvido o projeto do controlador H-infinito atravs da
tcnica de model matching apresentada no Captulo 2, para a RTC do laboratrio.
Para o projeto do controlador, as condies de operao da RTC, em regime
permanente, necessrias para a parametrizao do modelo foram as mesmas
apresentadas pelas Tabelas 5.2 e 5.3 do projeto do controlador LQR.
O projeto do controlador H-infinito para a RTC possui a mesma caracterstica
do projeto LQR, que de controlar as temperaturas de sada fria de cada um dos
trocadores de calor da rede, atravs da manipulao da posio (abertura) das
vlvulas dos bypasses da corrente fria sobre cada trocador. As simulaes
desenvolvidas para a verificao do desempenho do controlador H-infinito foram as
mesmas j realizadas anteriormente para o LQR: desempenho do controlador
mudana de setpoint e tambm o desempenho rejeio de distrbios.

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Os tempos de simulao envolvidos foram de 1500s para a mudana de

setpoint, 2500s para as rejeies de distrbios em THIN e 1500s para as rejeies de
distrbios em mC, onde os resultados obtidos sero apresentados em trs sees
distintas: a) mudana de setpoint; b) rejeio de distrbio a variaes na vazo fria
(mC); c) rejeio de distrbio a variaes nas temperaturas quentes (THIN).
O controlador H-infinito foi projetado acrescentando integradores planta
juntamente com o sistema anti-windup, resultando na estrutura de controle
apresentada pela Figura 5.14, e tambm utilizando uma ponderao W 1(s) constante
e igual a 50 para todas as faixas de frequncia. O modelo de referncia GREF(s)
utilizado foi obtido a partir da malha G(s).KLQR(s) do projeto LQR, onde G(s) o
modelo linearizado do trocador de calor e KLQR(s) o controlador obtido pelo projeto
LQR.

Figura 5.14 Estrutura de controle H-infinito da RTC, com anti windup.

a) Desempenho do controlador H-infinito mudana de setpoint em TCOUT1 e

TCOUT2:
As Figuras 5.15 e 5.16 apresentam a resposta dinmica das temperaturas de
sada da RTC e o esforo de controle, respectivamente.

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Figura 5.15 Perfil de TCOUT 1, TCOUT 2: Mudana de setpoint, H-infinito.

Figura 5.16 Esforo de controle: Mudana de setpoint, H-infinito.

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b) Desempenho rejeio de distrbio na vazo mC:

As Figuras 5.17 e 5.18 apresentam a resposta dinmica das temperaturas de
sada da RTC e o esforo de controle, respectivamente.

Figura 5.17 Perfil de TCOUT 1, TCOUT 2: Rejeio de distrbio na vazo fria mC, H-infinito.

Figura 5.18 Esforo de controle: Rejeio de distrbio na vazo fria mC, H-infinito.
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c) Desempenho rejeio de distrbio nas temperaturas de entrada quente

THIN 1 e THIN 2:
As Figuras 5.19 e 5.20 apresentam a resposta dinmica das temperaturas de
sada da RTC e o esforo de controle, respectivamente.

Figura 5.19 Perfil de TCOUT 1, TCOUT 2: Rejeio de distrbio em THIN 1 e THIN 2, H-infinito.

Figura 5.20 Esforo de controle Rejeio de distrbio em THIN 1 e THIN 2, H-infinito.

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Analisando as Figuras apresentadas anteriormente, possvel concluir que o

controlador H-infinito tambm apresentou um desempenho satisfatrio para
mudanas de setpoint e tambm para as rejeies de distrbio, demonstrando um
esforo de controle compatvel com as exigncias das vlvulas de bypass. O tempo
de resposta foi adequado para a dinmica da rede, obtendo um novo regime em
250s para a mudana de setpoint e de 200s para as rejeies aos distrbios
aplicados. Os valores das matrizes AK, BK, CK, DK do controlador K(s) obtido atravs
do projeto H-infinito usado nas simulaes apresentadas foram iguais a:

0.6026

16.62
0.7138
AK
4
1.812E

BK

1.173
1.05
2.572
2.517
0.8971
0.4651

7.84E 3
CK
2.882

16.62
0.6488

0.7137
2.832E 3

4.87E 4
0.6456

0
0

2.836E 3
0.6458

0.6005
15.21

15.21
0.6513

0
0

0
0

0
0

0
0

5.712E 14
6.883E 15

0
,
0

1.843E 14

1.088E 14
0
0

2.633
2.682
0.993
,
1.121
0.4672

0.8959
0.1248
2.878

2.754
0.1319

2.756
6.697E 3

1.691E 12
2.856E 12

1.21E 12
,
4.547E 13

0 0
DK
.
0 0
O projeto dos controladores LQR e HINFINITO apresentados anteriormente
contemplaram apenas os resultados obtidos em simulao. As rotinas Matlab para o
projeto desses controladores encontram-se nos Anexos II e V, respectivamente.
O Captulo 6 apresentar os resultados experimentais obtidos com esses
projetos aplicados sobre a planta piloto RTC.

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