Dispositivos semicondutores: diodos.

Diodo de juno PN.

Os diodos so dispositivos semicondutores confeccionados na maioria das vezes
por uma juno PN. A Fig. 1 mostra o esquema de uma juno de dois materiais
semicondutores, um do tipo P e o outro do tipo N. O semicondutor tipo P o anodo e o
semicondutor tipo N o catodo. O funcionamento do diodo ocorre na regio entre o
anodo e o catodo, chamada de juno.

Juno PN
i
D

+ -
P N + -
Anodo Catodo
Anodo Catodo

Fig. 1 Diodo de juno PN e smbolo eltrico.

A Fig.2a mostra os portadores majoritrios em cada material semicondutor:

lacunas no tipo P e eltrons livres no tipo N. A estrutura do diodo contnua de um lado
a outro da juno.Devido continuidade da estrutura cristalina do diodo, os portadores
podem se mover atravs da juno. Aps a formao do diodo, alguns eltrons podem
migrar para o anodo nas proximidades da juno. Ao encontrar as lacunas, ocorre a
recombinao do par eltron-lacuna e, consequentemente, o aniquilamento dos
portadores de carga majoritrios na juno. A regio formada pela neutralizao das
cargas denominada regio de depleo por no haver portadores de carga (Fig. 2b). A
regio de depleo no ir crescer muito alm da juno por causa do campo eltrico
formado. Na verdade, a regio de depleo funcionar como um capacitor e o campo
eltrico gerado impedir a migrao de novos eltrons livres difundidos do semicondutor
tipo N para se recombinar com as lacunas do lado P.

Juno
Juno
P N P N
+ + + - - - - - + - - -
+ + - + + -
+ - - + - - -
- + -
+ - - + + - -
+ + + - - - + + +
- -
- -
Lacunas Eltrons livres Regio de depleo

(a) (b)
Fig. 2 (a) Portadores de carga majoritrios em cada lado da juno, (b) difuso de
eltrons recombinando-se com as lacunas do anodo, formando a regio de depleo.

Assim, quando um diodo fabricado, alguns eltrons atravessam a juno e

preenchem as lacunas existentes no semicondutor tipo P criando uma barreira de
potencial na regio prxima juno. Como na regio de depleo no h cargas, de se
esperar que ela funcione como um isolante. Para vencer a barreira de potencial

Dispositivos semicondutores: diodos 1

necessrio aplicar um campo eltrico numa direo apropriada, de tal forma a colapsar a
regio de depleo preenchendo-a com portadores de carga. A Fig. 3 ilustra o processo
de colapso da regio de depleo atravs da aplicao de um campo eltrico com o
anodo polarizado positivamente e o catodo polarizado negativamente. O sentido
convencional da corrente o sentido das cargas positivas e contrrio ao sentido dos
eltrons livres.

Colapso da regio de depleo

P N
+ + + - - - -
+ - -
+ + - -
+ + - -
+ + - - - -

Corrente
+ -

Fig. 3 Polarizao direta do diodo de juno PN.

Com o colapso da regio de depleo, o diodo passa a conduzir corrente. A

condio de operao do diodo mostrada na Fig. 3 denominada polarizao direta
(forward bias). Em Eletrnica, a polarizao (bias) uma tenso ou corrente aplicada a
um dispositivo para lig-lo. No caso do diodo, a tenso de polarizao aplicada para
vencer a barreira de potencial originada pela regio de depleo. Se o diodo for
polarizado reversamente, isto , se for aplicado um potencial com polaridade negativa no
anodo e positiva no catodo, a regio de depleo se alargar, como mostra a Fig. 4.

P N
+ + + - -
+ - -
+ + - -
+ +
- -
+ + - -

Alargamento da
regio de depleo

- +

Fig. 4 Efeito da polarizao reversa sobre a regio de depleo.

Como a regio de depleo isolante, o seu alargamento causar o bloqueio do

fluxo de corrente pelo diodo. Na realidade, uma nfima corrente flui devido aos
portadores minoritrios. O semicondutor tipo P possui alguns eltrons minoritrios que
sero empurrados para a juno por causa da repulso causada pelo terminal negativo da
fonte de tenso. O semicondutor tipo N, por sua vez, tambm possui algumas lacunas
minoritrias, que sero empurradas para a juno. Dessa forma, uma corrente de fuga se
estabelece quando o diodo est polarizado reversamente.

Dispositivos semicondutores: diodos 2

Curvas caractersticas de diodos de juno PN.
Os diodos conduzem numa direo mas no na outra. Esta a caracterstica mais
importante do diodo e que a torna importante em Eletrnica. A curva corrente-tenso ou
curva I-V a curva caracterstica de um dispositivo eletrnico, seja ele um resistor, um
capacitor ou um diodo. Enquanto a curva I-V de um resistor que obedece a lei de Ohm
(resistor hmico) uma reta, a curva caracterstica de um diodo apresenta uma forma
no-linear, como a mostrada na Fig. 5.
Quando uma tenso positiva aplicada entre o anodo e o catodo, uma corrente iD
flui atravs do diodo, desde que essa tenso seja superior a um valor VD determinado
pelo tipo e pelo material utilizado na fabricao do diodo. Para um diodo de silcio, esse
valor de tenso cerca de 0,6 V, enquanto que um diodo de germnio, a tenso de
polarizao cerca de 0,3 V (Fig. 5). medida que a corrente iD aumenta, a tenso VD
tambm aumenta, porm, a maior queda de tenso no diodo devido sua polarizao.
Se uma tenso reversa negativa VR aplicada sobre o diodo (do anodo para o
catodo), o dispositivo exibe uma grande resistncia passagem de corrente e esta
corrente denomina-se corrente de fuga reversa (iR). Se a intensidade da tenso reversa
exceder um valor crtico, ocorre uma avalanche de corrente quando os portadores
minoritrios adquirem energia suficiente para colidir com os eltrons de valncia e lev-
los para a banda de energia de conduo. Este processo causa uma avalanche de
portadores de carga e a corrente aumenta rapidamente. A tenso em que ocorre a
avalanche de corrente denominada tenso de ruptura reversa (VBR) e para o diodo de
silcio est compreendido entre 50 e 1000 V, dependendo do processo de fabricao do
diodo.

Fig. 5 Curvas caractersticas I-V para diodos de germnio e silcio

A temperatura afeta as caractersticas operacionais do diodo, como mostra a

Fig.6, por causa da influncia da ativao trmica sobre a juno e na criao de

Dispositivos semicondutores: diodos 3

portadores majoritrios. Normalmente, quanto maior a temperatura, maior ser a
condutividade eltrica e menor ser a tenso de polarizao do diodo. Este fato concorda
com as caractersticas de coeficiente negativo da temperatura (NTC) para os materiais
semicondutores.

Fig. 6 Curvas caractersticas I-V para o diodo de silcio mostrando a influncia da

temperatura.

Quando o diodo est conduzindo no sentido direto, isto , do anodo para o

catodo, e a corrente reverte abruptamente, ele se esquece de bloquear esta corrente
reversa durante um curto intervalo de tempo, chamado tempo de recuperao reversa trr.
Durante este tempo, uma grande corrente conduzida pelo diodo e esta corrente
denomina-se corrente de recuperao reversa irr.

Processo de fabricao de diodos.

Os diodos atualmente so fabricados utilizando-se tcnicas desenvolvidas para a
fabricao de dispositivos semicondutores, como os transistores e circuitos integrados. A
Fig. 7 mostra o fluxograma de fabricao de diodo empregando tecnologia planar.
Empregam-se etapas de deposio de polmeros, reao qumica no estado gasoso e no
estado slido, utilizando-se fornos de crescimento de cristal e de reao qumica por
vapor (CVD). Alguns desses equipamentos esto ilustrados nas Figuras 8, 9 e 10.
O aspecto real de um diodo est apresentado na Fig. 11, onde se observa a
estrutura de camadas crescidas, depositadas e difundidas, para a fabricao da juno PN
e das conexes eltricas externas.

Dispositivos semicondutores: diodos 4

 Camada epitaxial

Deposio N

N+ N+
Oxidao
SiO2 isolante
Substrato
(Si monocristalino dopado)
N

N+

Luz ultravioleta

Mscara Fotolitografia

N
Resina fotoresistiva
N+

Ataque qumico
do isolante

Impurezas tipo P
Contatos metlicos

Dopagem P Metalizao
N N

N+ N+

Fig. 7 Processo de fabricao de diodo de juno PN com tecnologia planar

(Rezende, 1996).

Fig. 8 Esquema de deposio de vapor e crescimento epitaxial.

Dispositivos semicondutores: diodos 5

 Fig. 9 Forno de crescimento epitaxial.

Fig. 10 Forno para deposio e difuso de dopante em cristal semicondutor.

M eta l
Isolan te (SiO2 )

T ip o P (a nod o)
T ip o N (catod o)

M eta l

Fig. 11 Esquema de um diodo de juno PN real.

Dispositivos semicondutores: diodos 6

Diodo Schottky
A Fig. 12 mostra um diodo Schottky. A sua aparncia bastante semelhante do
diodo de juno PN, mas, ao invs de ter uma camada P implantada, ele possui uma
barreira metlica denominada barreira Schottky, formando uma juno metal-
semicondutor. As guardas constituem-se em anis metlicos, cuja funo tornar as
caractersticas de ruptura reversa do dispositivo mais robustas. Tanto o metal quanto o
semicondutor so materiais do tipo N, de modo que a conduo de carga ocorre apenas
atravs de portadores majoritrios, sem haver injeo, armazenamento ou recombinao
de portadores minoritrios. Isto explica a ausncia de recuperao reversa do diodo
Schottky, tornando-o ideal para aplicaes em altas freqncias, tais como circuitos
detectores de alta freqncia ou em circuitos de chaveamento rpido. As caractersticas
da curva I-V so semelhantes s do diodo PN.

M eta l
Ba rreira S chottky

Iso la nte (S iO2 )

G u arda
C ama da epita xia l tipo N-

Su bstrato tipo N +

M eta l

Fig. 12 Estrutura do diodo Schottky.

O que diferencia as caractersticas de conduo dos diodos comuns em relao

aos diodos Schottky a tecnologia de fabricao e o material usado. Desse modo, para
obter uma barreira de conduo baixa existem diversas tecnologias que so empregadas,
determinando outras caractersticas do componente. Enquanto os diodos PN apresentam
uma caracterstica de operao de alta temperatura, baixas fugas e uma queda de tenso
no sentido direto relativamente alta, os diodos Schottky so projetados para operar em
temperaturas mais baixas (< 125oC) apresentando correntes de fugas mais elevadas e
uma queda de tenso no sentido direto menor.
Nos diodos Schottky de barreira alta o metal usado na barreira o nicromo
(Ni-Cr), enquanto que no de barreira baixa o material o nicromo-platina. O tipo de
geometria usada na estrutura do diodo que vai determinar as caractersticas eltricas
bsicas do componente. A baixa tenso direta, da ordem de microvolts, e o baixssimo
tempo de recuperao da ordem de picossegundos, devem-se ao metal usado no ponto
em que se tem a barreira de potencial. Na Fig. 13 mostrada a curva caracterstica I-V
para este componente, observando-se a tenso muito baixa em que ele comea a
conduzir quando polarizado no sentido direto.
A barreira metlica tambm responsvel pela baixa tenso de polarizao direta
do diodo Schottky. A sua desvantagem a corrente de fuga, muito superior ao do diodo
de juno PN. Em algumas aplicaes, esta corrente de fuga pode levar ao dispositivo a
exceder sua temperatura de juno. medida que a temperatura da juno aumenta, a
tenso de polarizao direta cai, enquanto que a corrente de fuga aumenta.

Dispositivos semicondutores: diodos 7

 Fig. 13 Curva caracterstica I-V do diodo Schottky.

A Fig. 14 mostra o grfico comparativo entre o tempo de recuperao reversa

para o diodo PN e o diodo Schottky.

(a) (b)
Fig. 14 (a) Recuperao reversa de um diodo PN comum e (b) recuperao reversa de
um diodo Schottky.

Diodo Zener
Um diodo Zener um tipo especial de diodo que opera na regio de tenso
reversa de ruptura. O efeito avalanche foi observado por Clarence Zener, que props a
sua utilizao como elemento de regulao de tenso. A Fig. 15 mostra o smbolo do
diodo zener.

Fig. 15 Smbolo do diodo zener.

Dispositivos semicondutores: diodos 8

 No circuito da Fig. 16, o diodo zener 1N4743 utilizado como regulador de
tenso. Observe que, para tenses reversas maiores do que a tenso de ruptura zener
(VZ), um pequeno incremento na tenso causa uma grande variao na corrente reversa
no zener. Suponha que a fonte de tenso Vin no seja uma fonte regulada, que fornea
uma tenso de 21 V. Esta fonte est conectada a uma carga de resistncia RL , para a
qual desejamos aplicar uma tenso fixa de +15 V. Observe que o diodo zener escolhido
tem tenso zener VZ = 15 V. O resistor R colocado para limitar a corrente e o seu valor
pode ser calculado para limitar a corrente em 20% da corrente mxima do zener
(IZ max = 61 mA). Supondo que a corrente para alimentar a carga seja de 150 mA, ento
podemos calcular R partir de:

Vin VZ 21 15
R= = = 37
i L + 0,2I Z max 150.10 + 0,2.61.10 3
3

R iL

Diodo zener 1N4743

Vin = 21 V
+
VZ R VZ = 15 V, 1 W
-
ZZ = 17 a IZ = 17 mA
IZ (mx) = 61 mA

Fig. 16 Circuito regulador de tenso com diodo zener.

Assim, o diodo zener 1N4743 limita a tenso entre os seus terminais em 15 V. A

diferena para a tenso de alimentao de 21 V dissipada sobre o resistor de 37 ,
limitando a corrente no diodo zener em 12,2 mA (que corresponde a 20% de IZ mx).
Se for necessrio limitar uma tenso maior, pode-se colocar vrios diodos zener
em srie, de forma que a tenso de regulao a soma das tenses zener de cada um dos
diodos.

Diodo Varicap
O diodo varicap um tipo especial de diodo obtido atravs do controle das
condies de fabricao da juno PN. Neste caso, a concentrao de dopante na juno
gradual, isto , a concentrao de dopante aumenta de um lado da juno em relao
ao outro, de modo que a capacitncia da juno varia com a intensidade da tenso
reversa. Todos os diodos de juno PN exibem esta caracterstica, porm, no caso do
varicap, este comportamento mais pronunciado, como mostra a Fig. 17. Assim, um
varicap um capacitor controlado por tenso (VCC) e utilizado em circuitos de
sintonia de rdio-freqncia no lugar de capacitores variveis de ar tipo borboleta.

Dispositivos semicondutores: diodos 9

 100

Capacitncia do diodo (pF)

Diodo varicap

10

Diodo normal

1
0,1 1 10 100

Tenso reversa, VR (V)

Fig. 17 Curvas de capacitncia para um diodo normal e um diodo varicap.

Diodo Tnel
O diodo tnel feito com uma concentrao de impurezas acima do normal.
Como resultado, a curva caracterstica I-V diferente daquela apresentada pelo diodo de
juno PN de silcio, como mostra a Fig. 18.

Fig. 18 Curvas I-V para um diodo normal e um diodo tnel.

Dispositivos semicondutores: diodos 10

 O comportamento do diodo tnel caracterizado pela presena de um pico (Ip e
Vp) e de um vale (Iv e Vv) na curva I-V. A regio entre Vp e Vv chamada de regio de
resistncia negativa porque a corrente diminui com o aumento da tenso. Na regio
alm do vale, o diodo tnel comporta-se como um diodo normal. Se colocarmos o diodo
para operar no ponto do meio do vale da curva I-V, ele funcionar como um oscilador
de alta freqncia. O nome diodo tnel foi dado porque o fenmeno quntico de
tunelamento de eltrons atravs da barreira da juno foi usado para explicar o seu
funcionamento.
A Fig. 19 mostra os smbolos eletrnicos de alguns diodos especiais, como o
diodo Schottky, diodo varicap e diodo tnel.

- +

Diodo Schottky Diodo Varicap Diodo Tnel

Fig. 19 Smbolos para alguns diodos especiais.

Tipos e especificao de diodos comerciais

A Tabela 1 apresenta os principais tipos e especificaes de diodos para
aplicaes eletrnicas. De maneira simples, os diodos para aplicaes eletrnicas so
divididos em trs tipos bsicos:

1N4148 (diodos de pequeno sinal)

Famlia 1N5400 (diodos retificadores)
Famlia BZX61 (diodos Zener)

TABELA 1 Tipos e aplicaes de diodos.

TIPO USO CORRENTE VR mx. (V)
1N914 detector/alta velocidade 75 mA 75
1N4148 detector/alta velocidade 200 mA 75
BB119 varicap usado em CAF ------ ------
BB809 varicap usado em VHF ------ ------
1N4001 retificador 1A 50
1N4002 retificador 1A 100
1N4003 retificador 1A 200
1N4004 retificador 1A 400
1N4005 retificador 1A 600
1N4006 retificador 1A 800
1N4007 retificador 1A 1000

Dispositivos semicondutores: diodos 11

Diodo emissor de luz (LED)
A emisso de luz num dispositivo semicondutor ocorre por um processo diferente
daquele que ocorre em lmpadas incandescentes. Enqunato nesta, o processo de emisso
de luz ocorre por aquecimento de um filamento, no semicondutor a emisso se baseia em
processos qunticos de radiao denominado luminescncia. A luminescncia a
emisso de ftons que ocorre quando um tomo passa de um nvel energtico excitado
para outro de menor energia. A excitao pode-se dar por absoro de luz
(foto-luminescncia), bombardeamento com feixe de eltrons (catodo-luminescncia) e
pela aplicao de campo ou corrente eltrica (eletro-luminescncia). A
foto-luminescncia o princpio de funcionamento dos lasers de estado slido; a
catodo-luminescncia a base de operao dos cinescpios de aparelhos de TV e a
eletro-luminescncia acontece nos diodos emissores de luz (LED light emitting diode).
O funcionamento do LED baseado na eletro-luminescncia causada pela injeo
de portadores numa juno PN. Quando a juno PN diretamente polarizada, as
lacunas do semicondutor tipo P e os eltrons livres do semicondutor tipo N movem-se
em sentidos opostos em relao camada de depleo. As lacunas injetadas no lado N
recombinam-se com os eltrons livres que chegam da camada de depleo, enquanto que
os eltrons livres injetados no lado P recombinam-se com as lacunas vindas da camada
de depleo. Assim, todos os portadores recombinam-se nas imediaes da camada de
depleo. Se o semicondutor tiver um gap de energia direto, a recombinao de cada par
eltron-lacuna resulta na emisso de um fton. Por no haver dissipao de energia, o
processo de emisso de luz num diodo extremamente eficiente.
Os materiais utilizados na fabricao de LEDs so as ligas ternrias GaxAl1-xAs e
GaAs1-xPx, alm da liga GaAs.
Os LEDs que operam no visvel so muito utilizados para a confeco de painis
indicadores de equipamentos eltricos e eletrnicos e na fabricao de displays digitais
constitudos de segmentos.

(a) (b)
Fig. 20 - (a) Fotodiodo e (b) diodo PIN (fotosensor de raios x)

Diodo laser
A radiao produzida por uma lmpada incandescente ou por um LED
composta por ftons emitidos espontaneamente por tomos ou molculas independentes.
No processo de emisso espontnea, um sistema quntico passa de um nvel energtico

Dispositivos semicondutores: diodos 12

para outro de menor energia devido a flutuaes aleatrias. Conseqentemente, a fase do
campo resultante varia aleatoriamente no tempo e espao, fazendo com que a radiao
seja incoerente. Num laser, a radiao produzida por amplificao estimulada da luz.
Ela resulta das emisses de tomos e molculas estimuladas por um campo
eletromagntico. Neste processo, as fases dos campos dos ftons emitidos esto
correlacionados e, em conseqncia, a radiao coerente. Alm disso, a radiao
tambm altamente monocromtica, isto , o seu espectro de freqncia bastante
estreito.

Estrutura do diodo laser (Halliday, 1993)

Diodo laser (Halliday, 1993).

Diodos de potncia
Os diodos de potncia apresentam alm das duas camadas P e N, uma terceira
camada (Fig. 21a). A camada N extra e intermediaria s duas convencionais de baixa
dopagem (N-) e sua funo aumentar a capacidade do componente quando aplicado
em tenses elevadas. Essa camada acrescenta uma parcela resistiva ao diodo quando em

Dispositivos semicondutores: diodos 13

conduo. Alm disso, a rea da seo transversal das junes maior do que a de um
diodo normal, pois a corrente circulante tambm maior e isso agrega urna parcela
capacitiva ao diodo quando em bloqueio (Fig. 21b). Essas caractersticas so indesejveis
porque introduzem distores na forma de onda da comutao de um diodo de potncia,
conforme mostra a Fig. 7. Entretanto, como o dispositivo suficientemente robusto,
essas caractersticas no devero afetar o seu funcionamento. Mesmo assim,
recomendvel utilizar-se algumas tcnicas de filtragem e amortecimento dos transientes
provocados pela comutao dos diodos de potncia.

(a) (b)
Fig. 21 (a) Estrutura de um diodo de potncia, (b) circuito equivalente de um diodo real.

A resistncia e a capacitncia parasitas formadas em um diodo de potncia

podem gerar sobretenses no circuito, principalmente quando so chaveadas cargas
indutivas. Os novos diodos, denominados soft-recovery, minimizam esses efeitos,
sendo que sua resposta da ordem de alguns s. Apenas como comparao, os diodos
mais antigos apresentavam dezenas e at centenas de s de atraso na comutao.

Fig. 19 Formas de onda na comutao do diodo.

Dispositivos semicondutores: diodos 14

Modelos comerciais de diodos de potncia (Aegis)
Recuperao Normal

  
 
       
  
             
   ! " # $  # % % & ' ( ) * * + _ ` a b a c d e f `g ` h i b a d e c b e j c a k e d i l
, - . - / 01 2 3 4 5 6 7 8 09 - m e c g d `i n e o f a p a d n e `a b e p li h i n e f q l `h i
: ; < = > = ? @ A B= a j b `c c ` p i b a d i le f i b a
C D E F G H I J K LF G M N O P r s s t u vw x y t z w { w |} |w z w { w ~ w vt { } s
Q RQ S T U V W V U T XT YZ [ Q R \ S ]T ^V W V U T u t {{}  } s
XTYZ

}  s y t {} } {s w w

Recuperao rpida


  
  

 
   
   

  

        
    
        


           

Diodo Schottky
    ! "    # $ % & '   ( )  $ % 


  
*
  +

, - . / 0 1 2 - 3 - 2 / 4 4 5 6 7 8 9 Z [ \ ] W ^ _ R ` W R Y R

: 4 ; 4 3 <= 2 1 > - 5 ? @ <A 4 a W U b X SR c W \ ] [ V [ X c W S[ Y W V dR ^ R c W ] e d S^ R

B 4 / - = - A 1 C 2 - [ f Y SU U S V R Y [ X R dW ] R Y [

D 1 / A 4 > 6 5 2 <A 4 - ; 1 @- E 4 = 4 Z [ \ ] W W c ^ [ c f \ S^ R g h [

F G H I J K L M L K J N J O P

Q R ST R U V W X Y R U

Press Fit
i j k l m n o j i k p q m r s t l j n u k q m r j

v W \ U h [ X W ` W X U R R ] w x y z z { } ~   

| } ~   } ~  }  ~ 

 ~ ~ 

 } }   ~  }  ~       

  ~ }

Dispositivos semicondutores: diodos 15

 Fig. 23 Diodo retificador de potncia tipo rosca

Fig.24 Diodo retificador de potncia tipo disco

Dispositivos semicondutores: diodos 16

 Fig.25 Diodo retificador de potncia tipo press fit

Fig. 26 Pontes retificadoras compactas

Fig. 27 Pontes retificadoras montadas com dissipadores

Dispositivos semicondutores: diodos 17

 Fig. 28 Mdulo de diodos de potncia

Referncias bibliogrficas
AEGIS Semicondutores Ltda. Disponvel online http://www.aegis.com.br/produtos.htm

BARANAUSKAS, V.Tcnicas instrumentais de caracterizao de semicondutores.

Campinas: Editora da UNICAMP, 1989.

DIEFENDERFER, A.J. Principles of electronic instrumentation. Philadelphia, PA:

Sauders College Publishing, 1979.

HALLIDAY, D., RESNICK, R., WALKER, J. Fundamentals of physics Extended

with modern physics. New York: John Wiley, 1993.

MILLMAN, J. & HALKIAS, C.C. Electronic devices and circuits (International student
edition). Tokyo: McGraw-Hill Kogakusha, 1967.

SCHULER, C.A. Electronics principles and applications. New York: McGraw-Hill,

1985.

REZENDE, S.M. A fsica de materiais e dispositivos eletrnicos. Recife, PE: Editora

Universitria da UFPE, 1996.

Dispositivos semicondutores: diodos 18