UNIVERSIDADE FEDERAL RURAL DO SEMI-ÁRIDO

CAMPUS PAU DOS FERROS

BACHARELADO EM ENGENHARIA DE COMPUTAÇÃO
TÓPICOS ESPECIAIS EM SISTEMAS DIGITAIS

JORGIANIA VANÉRICA ALVES DIAS

PAU DOS FERROS

2018
INTRODUÇÃO
O transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transisor) é um
composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou do tipo P e é chamado
NMOSFET ou PMOSFET. A maioria dos fabricantes utilizam o Silício como
semicondutor, porém, outros começaram a usar uma mistura de silício e germânio nos
canais dos MOSFET’s (RAZAVI, 2000), (WESTE; HARRIS, 2011).

O eletrodo metálico do terminal da porta é separado do canal por uma camada

isolante do oxido, formando uma estrutura entre a porta e canal do tipo metal-oxido-
semicondutor (MOS).

Os MOSFET’s podem ser de dois tipos:

• MOSFET – tipo depleção
• MOSFET – tipo enriquecimento

MOSFET TIPO DEPLEÇÃO

O principio de funcionamento do MOSFET depleção é feito pelo controle da
largura do canal, através do potencial aplicado à porta do dispositivo (RAZAVI, 2000).
Inicialmente, será analisado um caso de um dispositivo com o canal p. Na Figura 1 é
apresentado o MOSFET do tipo depleção.

Figura 1: Estrutura do MOSFET do tipo depleção.

Fonte: SENAI, 2009

Na Figura 2 a) pode ser observado que se a porta for submetida ao mesmo

potencial do terminal fonte, há circulação de corrente fonte – dreno. Com aplicação de
uma tensão positiva, o canal será estreitado, reduzindo a corrente ID (RAZAVI, 2000),
(WESTE; HARRIS, 2011), como pode ser visto na Figura 2 b).
 Figura 2: Funcionamento do MOSFET tipo depleção, canal p, com potencial positivo
Fonte: SENAI, 2009

Assim, através do controle do potencial aplicado, pode-se controlar a corrente no

canal. Na Figura 3, pode ser observado que aplicando um potencial negativo à porta em
MOSFET’s do tipo p, provoca um aumento na corrente ID, nessa situação a região de
depleção é diminuída substancialmente no interior do canal.

Figura 3: Funcionamento do MOSFET tipo depleção, canal p, com potencial negativo

Fonte: SENAI, 2009

A curva característica do MOSFET tipo depleção indica que a porta pode ficar
submetida tanto a potenciais positivos como negativos, como pode ser observado na
Figura 4.
 Figura 4: Curva característica do MOSFET
Fonte: WESTE; HARRIS, 2011

MOSFET TIPO ENRIQUECIMENTO

O MOSFET do tipo enriquecimento é composto por duas regiões semicondutoras,
isoladas entre si por pelo mesmo material semicondutor do substrato. Nessa caixa esta
depositado uma camada de óxido isolante e uma cama formadora da porta de controle de
material metálico (RAZAVI, 2000), (WESTE; HARRIS, 2011).

Figura 5: Estrutura do MOSFET do tipo enriquecimento.

Fonte: SENAI, 2009

Quando a porta é submetida ao mesmo potencial da fonte não há fluxo de

corrente, que pode ser visto na Figura 6 a). Se aplicado um potencial negativo à porta, irá
propiciar a indução de cargas positivas na região do substrato que forma o canal de
condução entre o dreno e a fonte, permitindo assim o fluxo de corrente, como pode ser
observado na Figura 6 b).
 Figura 6: MOSFET do tipo enriquecimento, canal p com porta aterrada
Fonte: SENAI, 2009

CURVA CARACTERÍSTICA
Quando um potencial é aplicado à porta, a correbte irá depender diretamente
deste, uma vez que o fator determinante da quantidade de cargas que será induzida no
canal. Na Figura 7 pode ser observado a curvar característica do MOSFET tipo
enriquecimento, canal p.

Figura 7: Curva característica do tipo enriquecimento, canal p.

Fonte: SENAI, 2009
REFERÊNCIAS
Razavi, Behzad. Fundamentos de microeletrônica. Grupo Gen − LTC, 2000.

WESTE, Niel H. E.; HARRIS, David Money. CMOS VSLI DESIGN: A Circuits and
Systems Perspective. 4. ed. Boston: Pearson, 2011.

SENAI. TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE PORTA ISOLADA -

MOSFET. Sao Leopoldo: Senai, 2009.