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5(a)
10 de novembro de 2018
Exercício 5.4
5.4 Design a gain-of-25 current mirror employing identically designed
transistors with the minimum number of transistors.
Sabendo que:
(W/L)2
IOUT = IIN = Ai IIN
(W/L)1
Para combinação de transistores em
série/paralelo:
(W/L)eq2
IOUT = IIN = Ai IIN Figura: Esquemático de um espelho de
(W/L)eq1 corrente genérico de série-paralelo. Com
ganho Ai=(PS)/(QR). Fonte: FIORELLI, Rafaella; ARNAUD,
Paralelo → Weq = ni=1 Wi e Leq = L
P
Alfredo; GALUP-MONTORO, Carlos. Series-parallel association of transistors
Série → Weq = W e Leq = ni=1 Li
P
for the reduction of random offset in non-unity gain current mirrors.
Cont’d Exercício 5.4
Utilizando a combinação de P, R, Q e S
transistores em serie e paralelo mostrada,
temos que:
PS
Ai = 25 =
QR
Para Q=R=1, temos que a combinação
para o menor número de transistores
ocorre quando P=S=5, com 10
transistores.
1 PS QR
Ai = = ⇒ = 24 Input(paralelo) Output(série) Número de Trans.
24 QR PS Q=1 R=24 25
Por exemplo, para uma das opções com 24 Q=24 R=1 25
Q=12 R=2 14
transistores em paralelo na entrada:
Q=2 R=12 14
Q=3 R=8 11
Q=8 R=3 11
(W/L)eq2 (W/L) IIN
IOUT = IIN = IIN = Q=4 R=6 10
(W/L)eq1 (24W/L) 24 Q=6 R=4 10
Cont’d Exercício 5.5(a)
Referências:
• M. C. Schneider and C. Galup-Montoro, CMOS Analog Design Using All-Region
MOSFET Modeling. Cambridge: Cambridge University Press, 2010.