Instituto Tecnológico de Aeronáutica

Divisão de Engenharia Aeronáutica

ELE-16 LAB

Estudo da Curva Característica de Diodos

Semicondutores

Professores:
Autores:
Cel Wenceslau Baltor
Marcus Vinicius Rodrigues de Lima
Dra Monica Matsumoto
Mateus de Paula Ribeiro
Dra Neusa Oliveira

20 de Agosto de 2018
 ELE-16L: Estudo da Curva Característica de Diodos Semicondutores

Sumário
1 Introdução 2
1.1 Metais, isolantes e semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2 Tipos de Semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3 Diodo Semicondutor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.4 Polarização Direta e Inversa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

2 Objetivos 4

3 Materiais e Metodologia 4
3.1 Materiais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
3.2 Metodologia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

4 Resultados 6

5 Conclusões 12

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 ELE-16L: Estudo da Curva Característica de Diodos Semicondutores

1 Introdução
1.1 Metais, isolantes e semicondutores
Segundo a teoria de bandas de energia, os elétrons de um material possuem certos níveis de
energia permitidos, de tal forma que, existem dois tipos de bandas possíveis: as bandas de valên-
cia, que está totalmente completa por elétrons, e as bandas de condução, que está parcialmente
preenchida pelos elétrons. Entre tais bandas, existe um gap, região na qual não é permitida a
presença dos elétrons, ou seja, para que um elétron consiga sair da banda de valência e alcance
a banda de condução, ele deve possuir a energia necessária para dar o salto, tal energia recebe o
nome de εgap . Dessa maneira, quanto menor for o gap de energia, mais fácil o elétron conseguir
saltar para a banda de condução e, consequentemente, maior a sua condutividade, de tal forma
que podemos classificar os tipos de materiais baseados nesse gap como mostra a Fig.1:

Figura 1: Representação das bandas de valência e condução para os diferentes tipos de materiais.

Na Fig.1, a chave {1} representa a banda de condução, já a chave {2} é a banda de valência, e
∆E é o gap de energia.

1.2 Tipos de Semicondutores

Existem alguns tipos de semicondutores muito comuns utilizados atualmente, como o silício e o
germânio, que por possuírem ligações covalentes, seus cristais em alguma temperatura acima do 0
K, se quebram e liberam elétrons e “buracos”, portadores de cargas, que permitem a condução. Este
tipo de semicondutor é chamado de intrínseco, todavia, pode-se através da dopagem com outro
elemento com número de átomos na camada de valência diferente do original, que possui um elétron
fracamente ligado ao átomo, que permite a condução de eletricidade através da liberação deste
elétron, tal semicondutor é chamado de extrínseco, e seu efeito é somado ao efeito do intrínseco.

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Dependendo do número de elétrons na camada de valência do dopante define-se se a dopagem é do

tipo p (portadores majoritários são lacunas) ou do tipo n (portadores majoritários são elétrons).

1.3 Diodo Semicondutor

Neste contexto, um diodo semicondutor consiste de uma junção de uma camada semicondutora
extrínseco do tipo n com outra semicondutora extrínseca do tipo p. Sabe-se que na região da
junção, ocorre um fenômeno onde elétrons do lado n se combinam com lacunas do lado p através
de uma difusão na união, tornando aquela região praticamente isolante, é a chamada região de
depleção. A separação das cargas gera um campo elétrico naquela região que impede a passagem
de elétrons com mostra a Fig.2.

Figura 2: Em (a) está a representação da junção de dois semicondutores tipo p e tipo n, inclusive
mostrando a difusão de elétrons na junção com a formação do campo elétrico na região de depleção.
Em (b) temos a representação de um diodo em um circuito elétrico.

1.4 Polarização Direta e Inversa

Diz-se que um diodo está ligado em polarização direta se o pólo positivo está ligado ao cristal P
e o negativo ao cristal N, a região de depleção se tornará mais estreita aumentando a condução. Já
a polarização inversa, acontece quando o pólo positivo está ligado no N, e o negativo no P, o que
acarreta em uma maior região de depleção e, consequentemente, maior dificuldade de passagem de
corrente. No caso de diodos Zener, a região de depleção se comporta como um capacitor, de tal
forma que um campo elétrico muito intenso poderá quebrar as ligações covalentes em cadeia, que
gera o processo denominado de avalanche.
Desta forma, para tais tipos de diodos comentados, espera-se a curva característica como mos-
trada na Fig.3

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Figura 3: Curva característica de diodo de junção PN.

Por fim, através da teoria mencionada, é possível com uma fonte de corrente contínua - le-
vantando a curva ponto a ponto com ajuste manual - e outra de corrente alternada - através da
variação natural - obter a curva de Id vs Vd , que nos forneceria a curva característica dos diodos
analisados.

2 Objetivos
Este laboratório consiste do estudo da curva característica de diodos semicondutores, para tal
tem-se tal objetivo:

• Obter a curva característica de diodos de junção PN.

3 Materiais e Metodologia
3.1 Materiais
• Multímetro

• Fonte de Alimentação

• Matriz de Contato (Protoboard )

• Diodo zener: 1N4736 (Vz=6,8V ; Iz(min)=37 mA; Iz(max)=147 mA)

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• Diodo zener: BZX79C4V7

• Diodo de sinal: 1N4148

• Diodo LED FLV110

• Resistores: 220Ω/1W, 1kΩ/1/4 W

3.2 Metodologia
Primeiramente, montou-se o circuito da Fig.4, utilizando-se para tal o diodo zener de 6V8,
conectando-o em polarização direta.

Figura 4: Esquema representativo do circuito utilizado no experimento de levantamento ponto a

ponto.

Após realizada a montagem corretamente, para se obter os dados necessários, utilizou-se o

voltímetro medindo a tensão Vd no diodo e, para diferentes valores de Vd , mediu-se a tensão na
fonte e no resistor, de tal forma que obteve-se os dados presentes na Tab.1. Vale ressaltar que dado
que a resistência R1 é conhecida, basta utilizar a Eq.1 e calcular a corrente Id no circuito, da qual
pelas Eq.2 e 3, podemos calcular as chamadas resistências estática e dinâmica média do diodo, Rd
e rd respectivamente. Todos estes resultados estão presentes na Tab.1.

VR1
Id = (1)
R1

Vd
Rd = (2)
Id
∆Vd
rd = (3)
∆Id
Em seguida, conectou-se a fonte de tensão na polarização reversa do diodo e realizou-se o
mesmo procedimento descrito para a primeira configuração, obtendo-se os dados da Tab.2.

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Por fim, utilizou-se de um osciloscópio, através do circuito da Fig.5, para três diferentes tipos
de diodos: diodo de sinal, LED e zener de 4V7. Assim, com o auxílio do osciloscópio, fez-se o
levantamento da curva de tensão/corrente do diodo, os gráficos obtidos podem ser vistos na Fig.9
à 12.

Figura 5: Esquema representativo do circuito utilizado no experimento utilizando corrente alter-

nada.

4 Resultados
Para o caso da polarização direta, as medidas ponto a ponto para o diodo zener de 6V8, jun-
tamente com os valores obtidos pelas Eq.1 à 3 estão representados na Tab. 1. Verifica-se pelos
valores de voltagem medidos que há o respeito à lei das tensões de Kirchhoff. Usando os valores
das colunas Id e Vd determina-se a curva característica para tal diodo em polarização direta. Essa
curva está representada na Fig.6.

Tabela 1: Resultados das tensões e correntes referentes à curva tomada ponto a ponto.

Vd VBAT1 VR1 Id Rd rd
mV mV mV mA Ω Ω
0 0 0 0 ∞ ∞
102 102 0 0 ∞ ∞
303 303 0 0 ∞ ∞
399 399 0 0 ∞ ∞
503 503 0 0 ∞ ∞
549 550 1 0,0045 120780 10120
604 608 4 0,0182 33220 4033
652 675 23 0,1045 6236 556
701 846 145 0,6591 1064 88
749 1601 852 3,8727 193 15

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Figura 6: Gráfico da curva característica em polarização direta.

Analisando essa curva é possível verificar a concordância com a Fig.3 quanto ao ponto que
marca o início da condução nesse caso para Vd = 0, 7 V o que era esperado para o diodo de silício.
Além disso, embora o diodo seja um componente não linear, as regiões de condução podem ser
linearizadas, ou seja, podem ser expressas pela lei de Ohm.
Esse procedimento é o responsável pela definição das resistências estática (DC) e dinâmica
média (AC) representadas na Tab.1 para o caso analisado. No caso do experimento com a fonte
DC, a resistência associada ao diodo no circuito é do tipo estática. Essa resistência independe
do formato da curva característica e é decrescente com o aumento da voltagem no diodo. Já a
resistência dinâmica média está associada a operação do diodo com uma fonte AC. Ela depende
do formato da curva característica e é decrescente com o aumento da voltagem no diodo.
Para o caso da polarização reversa, as medidas ponto a ponto para o diodo zener de 6V8,
juntamente com os valores obtidos nas Eq.1 à 3 estão representados na Tab.2. Verifica-se pelos
valores de voltagem medidos que há o respeito a lei das tensões de Kirchhoff. Usando os valores
das colunas Id e Vd determina-se a curva característica para tal diodo em polarização reversa. Essa
curva está representada na Fig.7.

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Tabela 2: Resultados das tensões e correntes referentes à curva tomada pela fonte ponto a ponto,
para a polarização reversa.

Vd VBAT1 VR1 Id Rd rd
V V V A Ω Ω
-1 -1 0 0 ∞ ∞
-2 -2 0 0 ∞ ∞
-4,02 -4,02 0 0 ∞ ∞
-6 -6 0 0 ∞ ∞
-6,49 -6,49 0 0 ∞ ∞
-6,6 -6,6 0 0 ∞ ∞
-6,64 -6,65 -0,01 -5.10−5 146080 880
-6,71 -6,77 -0,06 -3.10−4 24603 303
-6,75 -8,17 -1,42 -0,006 1046 6,5
-6,8 -9,81 -3,01 -0,014 497 6,9
-6,85 -11,73 -4,88 -0,022 309 5,9
-6,89 -13 -6,12 -0,028 248 7,1
-6,95 -16,01 -9,05 -0,041 169 4,5
-7 -18,3 -11,29 -0,051 136 4,9
-7,1 -21,57 -14,47 -0,066 108 6,9

Figura 7: Gráfico da curva característica em polarização reversa.

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A partir essa curva é possível verificar a concordância com a Fig.3 quanto ao fenômeno de
avalanche. Ainda nessa curva o ponto que marca o início desse fenômeno, Vd = −6, 75 V , é muito
próximo do que era esperado para o diodo zener 6V8. Nesse caso, novamente, a resistência associada
ao diodo no circuito é do tipo estática. Para a região antes da ruptura ela possui valor elevado, mas
após esse ponto a resistência diminui drasticamente indicando a condução em polarização reversa.
De modo semelhante, a resistência dinâmica média diminui drasticamente após a ruptura.
Por fim, a associação dos dados de Id e Vd para a polarização direta e reversa permite a
construção da curva característica do diodo zener 6V8. Essa curva está representada na Fig.8.

Figura 8: Gráfico da curva característica.

A curvas características para os diodos 1N4148, FLV110 e zener 4V7 foram determinadas
dinamicamente de acordo com o circuito da Fig.5 e observadas no osciloscópio. Deve ser observado,
entretanto, que a medida de tensão sobre o dispositivo é feita no sentido oposto ao adotado. Isso
ocorre porque o terminal de referência do osciloscópio é comum para ambos os canais. Se as pontas
de prova sobre o diodo fossem trocadas, os dois terminais do dispositivo seriam interligadas pelo
ponto comum do osciloscópio anulando a medida da tensão sobre o diodo. Isso justifica as curvas
características no sentido oposto ao esperado. As curvas observadas estão representadas nas Fig.11
à 12.

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Figura 9: Curva característica observada no osciloscópio para o diodo sinal - 1N4148

Figura 10: Curva característica observada no osciloscópio para o diodo sinal - 1N4148, em uma
região mais restrita.

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Figura 11: Curva característica observada no osciloscópio para o LED - FLV110

Figura 12: Curva característica observada no osciloscópio para o diodo zener - BZX79C4V7
Ao final a analise dessas curvas permitiu completar os valores na Tab. 3. Esses valores são
referentes a região de condução para os três diodos, e no caso do zener 4V7 também a região
após a ruptura.

Tabela 3: Valores observados no osciloscópio

Id -15 mA -10 mA -5 mA 10 mA 20 mA Componente X: canal 1 Y: canal 2

Vd — — — 0,67 V 0,75 V Diodo Sinal - 1N4148 1,0V/Div. 10,0V/Div.
Vd — — — 2,2 V 2,4 V FLV110 1,0V/Div. 10,0V/Div.
Vd -5 V -4,7 V -4,5 V 0,8 V — zener - BZX79C4V7 1,0V/Div. 10,0V/Div.

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5 Conclusões
O experimento permitiu a determinação das curvas características para diferentes diodos. Foi
possível aplicar dois métodos distintos, um baseado no circuito com fonte DC e coleta ponto a
ponto manual e outro dinamicamente com o uso de um circuito com fonte AC e observações no
osciloscópio.
A curva determinada ponto a ponto para o diodo zener 6V8 mostrou-se condizente com o que
era esperado. Foi possível determinar o ponto de condução e o ponto de ruptura. Além disso,
determinou-se a resistência associada ao diodo que no caso do circuito DC é a estática.
Já as curvas obtidas dinamicamente permitiram observar as peculiaridades de cada diodo usado
no experimento. Nesse caso a Tab. 3 mostra os valores de condução para os três diodos e a ruptura
para o diodo zener 4V7.

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