Ty a tensfio introduzida seré de
compressio (<0) . Se a barra for resfriada (Tf < To) a tensdo imposta ao material
serd de tragdo (0 > 0 ).
Tabela 5.3
(propriedades térmicas de alguns materiais)
[Material GORER) [CCI ]_ECWinRY
‘METALS € LIGAS
‘Aluminio 300 236 27
‘Cobre 386; 179 398
‘Ouro 128 142 315
Ferro) a8 118 30
Niguel 443 13,3 90
Prata 235 197 428
Tungstéaio 138 45 178
“Ago 1025 “486 12,0 31.9
‘Ago puro 316 302 16,0 ie
Latao(70Cu-30Zn) 375 20,0 120
Kovar (54Fe-29Ni-17C0) |__460__| 5,1 1
Tavar (64Fe-36Ni) 500. i
‘CERAMICOS
Alumina (ALO3) 7, 76 3
Magnesia (MgO) 940 13,5 31,7
Silica fundida (SiO) 740. 14
Vidro Pyrex 850 La
idro soda-cal 340 9.0 ir
POLIMEROS
Polietileno (alta 1850 106-198 0,46-0,50
densidade)
Polipropileno 1925 145-180 O12
Teflon 1050 126-216 0,25
Baquelie 1590-1760 12 Os
Nylon 6.6 1670 lad O24
Tabela adaptada de William D. Callister Jr. ~ “Citncia ¢ Engenharia de Materiais: Uma
Introdueto” - LTC Editora-SP
35 MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA - VOL. 1
CONCEITOS CHAVES
‘Temperatura Escalas termométricas
Caloria Capacidade calorifica
Capacidade calorifica especifica Coeficiente de condutividade térmica
Condugao térmica por convecg0 Condugao térmica por irradiagao
Coeficiente linear de expansio térmica ‘Tensdes térmicas
QUESTOES PARA ESTUDO
5.1 ~ Caleule a quantidade de energia necesséria para elevar a temperatura de 20 para 150°C de 5 kg.
dos seguintes materais:aluminio, fero e polietileno.
5.2 ~ Qual a elevagtio de temperatura necesséria para que uma amostra de ago (steel 1025, veja tabela),
‘com 25 libras de massa ea 25 °C, absorva 125 BTU de energia térmica. ?
5.3 - Enuncie quais sto as diversas formas que o calor pode ser transmitido e destaque qual destas
Formas & a mais largamente utilizada para o arrefecimento dos equipamentos eletro-eletrOnicos,
54 — Uma parede com 12,5 om de espessure possui uma condutividede térmica de 0,000495
calemfem? °C, Qual a perda de calor por hora, através desta parede, se a temperatura interna € de 55
Cea externa de 20°C
5.50 coeficiente médio de dilatago térmica de uma barra de ago € de 13,5 x 10°C. Qual variagho
de temperatura ¢ neessia para produzir a mesma variago linear que uma tensBo de 63 kgf?
5.6 ~ Os sistemas de arrefecimento dos dispositivos eletro-cletrGnicos so extremamente importantes
na definigdo da poténcia que pode ser posta em jogo pelos equipamentos, sem prejuizo da estabilidade
térmica dos materiais que os constituem, especialmente os dielétricos © semicondutores. Explique
porque um diodo tem sua potencia aumentada quando se coloca sobre ele uma “aleta” metalica. Qual a
natureza da dissipagdo térmica que se verifica e qual o fator predominante que concorre para esse
aumento ?
5.7 « Um condutor com isolagio de PVC € colocado no interior de um eletroduto metélico fechado,
‘exposto ao tempo. Descreva como a energia térmica gerada pelo condutor energizado ¢ dissipada no
meio ambiente. Quais 0s recursos que poderiam ser utiizados para aumentar a poténcia de dissipayao
com o mei de ambiente?
5.8 ~ Descreva os mecanismos tmicos de arrefecimento de um transformador. Indique quai s80 os
agentes geradores de calor neste tipo de equiparnento ?
56
O66 OOOOH AAEAEAAEAEAAAEHOHAABADALE MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA - PROF. AELFO MARQUES LUNA - VOL. I
7 MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA - VOL. I
CAPITULO VI
PROPRIEDADES ELETRICAS
As propriedades clétricas dos materiais decorrem da interagio de campos
elétricos com as particulas eletricamente carregadas existente no seio do
material,
6.1 -CONDUTIVIDADE E RESISTIVIDADE ELETRICA.
A condutividade elétrica revela a facilidade do material transmitir uma corrente
elétrica quando sujeito 2 um gradiente de tensio elétrica,
A lei de OHM relaciona a intensidade da corrente elétrica I (carga elétrica por
unidade de tempo que atravessa a segdo reta do material condutor) com a fensao
elétrica aplicada U.
U=R (6.1)
onde R é a resisténcia que o material oferece a passagem da corrente, U ¢ expresso
em volts (1/C), a corrente I em ampéres (C/s) eR em ohms (U/A).
A grandeza de R ¢ influenciada pela natureza do material ¢ pela geometria do corpo.
Deste modo:
R=pWVA,onde: (6.2)
p € a resistividade, ou seja, a caracteristica do material que independe da sua
geometria, | a distancia entre os dois pontos na qual a tensio elétrica é aplicadae a
segdo transversal A. Tem-se assim:
p =RA/L 63)
As unidades da resistividade so expressas em ohm.metro. O conceito de
condutividade elétrica também é usado para caracterizar o material. A condutividade
elétrica € simplesmente o inverso da resistividade assim como 2 condutincia é 0
inverso da resisténcia , expresso no SI pela unidade Siemens. E um indicativo da
maior ou menor facilidade de condugao elétrica que o material apresenta. As unidades
de condutividade sio (ohm.m) “! ou Sicmens/m,
os =l/p (6.4)
Na discussdo sobre as propriedades elétricas dos materiais ambos os conceitos de
condutividade e resistividade serdo considerados. Aduz-se ainda que a lei de Ohm
pode ser também assim formulada:
J=0E (6.5)
56 MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA ~ VOL. I
Onde J é a densidade de corrente do espécime (ou seja VA) e E representa a
intensidade do campo elétrico, ou seja, a tensio elétrica aplicada entre os dois pontos
do material dividida pela distancia que os separa, isto é:
E-uA (5.6)
‘A demonstragao da equivaléncia das duas expresses da lei de Ohm & deixada aqui
como um exerefcio para o leitor.
Os materiais apresentam uma fantastica série de valores de condutividade elétrica,
estendendo-se sobre 27 ordens de grandeza. Provavelmente nao hé outra propriedade
fisica que exiba uma to larga faixa de variago quanto a condutividade elétrica.
De fato uma das maneiras de classificar os materiais é de acordo com a sua maior ou
menor facilidade com que conduzem a corrente elétrica. Desta forma os materiais
podem oor agrupados om condutorat, somicondutores o ixolantes ou dialétricos.
Os metais se apresentam como os methores condutores, com uma condutividade
tipica de 10’ (Q.m)'. No outro extremo desta série esto os materiais de baixa
condutividade, variando de 10" a 107° (Q.m)', sio os denominados materiais
isolantes. Materiais com condutividade intermediéria, geralmente de 10° a 10°
(Q.m)''sio chamados de semicondutores,
6.2 - BANDAS DE ENERGIA NOS MATERIAIS SOLIDOS
Como jé foi abordado no capitulo 2 para cada stomo individualmente existem niveis
discretos de energia que sio ocupados pelos elétrons, arranjados em camadas ¢
subcamadas. As camadas so designadas por nimeros inteiros (1,2,3, etc.) ; as sub-
camadas pelas letras (s, p ,d ,¢ f). Para cada uma dessas subcamadas existem,
respectivamente, um, trés, cinco e sete estados energéticos. Os elétrons, na maioria
dos dtomos preenchem primeiramente os estados de mais baixos niveis de energia,
Iembrando ainda que apenas dois elétrons, de spins opostos, podem ocupar cada
estado energético, conforme o principio de exclusdio de PAULI. A configuragio dos
elétrons em um dtomo isolado é representada pelo amranjo.desses elétrons dentro dos
estados permitidos
O material sélido pode ser concebido como constituido de um elevado mimero de
fitomos, N dtomos, que inicialmente esto separados uns dos outros ¢ que sto
reunidos, juntos uns aos outros ¢ ligados entre si por ligagdes interatomicas, de modo
a formarem um arranjo atOmico ordenado, como por exemplo, nos materiais
cristalinos, Quando os dtomos esto separados entre si por relativas longas distancias,
cada étomo independente um dos outros e ele tera niveis e configuragdes energéticas
dos seus elétrons como se fosse isolado. Entretanto, quando se avizinham de outros
tomas, os elétrons de cada étomo so perturbados ou agitados pelos elétrons ¢
niicleos dos tomos adjacentes. Essa influéncia é tal que cada distinto estado atémico
pode desdobrar-se em uma serie de novos estados dos elétrons, bastante préximos uns
dos outros, entretanto, espacados entre si, de tal forma que se obtém 0 que se
denomina de banda de energia dos elétrons. A largura dessa banda depende da
separagao interatémica e comega com os elétrons da camada mais externa, desde que
eles so os primeiros a serem perturbados quando os étomos sto aproximados. E
¢ dentro de cada banda os estados de energia so ainda
37 MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA - VOL. 1
discretos, muito_embora as_diferencas entre estados _adjacentes_sejam
‘sxtremamente pequenas. © nimero de estados dentro da cada banda sera igual a0
total de todas contribuigdes. proporcionados pelos N dtomos que foram reunidos
juntos. Por exemplo, uma banda s consistiré de N estados, com 2N elétrons; uma
banda p de 3N estados, com 6N elétrons, etc..
Na distancia interatémica de equilibrio, pode ocorrer a ni formagio de bandas para
0s elétrons que se encontram em estados energéticos muito proximos do niicleo, com
ilustrado na Fig. 6.1
Contudo, intervalos (ou gaps) podem existir, entre bandas adjacentes, tal como
ilustrado na fig. 6.1. Normalmente os niveis energéticos existentes no interior dessas
bandas proibidas nao sto dispontveis para serem ocupados pelos elétrons.
O modo convencional de representar a estrutura das bandas de energia dos materiais
solidus esta indicado da Fig, 6.2. Observa-se que so exibidas apenas as bandas de
valéncia, ou seja, aquelas que contém os mais altos niveis de energia e pela banda de
condugdo que € a banda seguinte de mais alta energia e que na maioria das
circunstncias encontra-se virtualmente desocupada de elétrons.
As propriedades elétricas do um material sélido so, portanto, uma conseqiléncia das
estruturas das bandas de energia de seus elétrons, ou seja, do arranjo dos elétrons da
camada mais externa, ou seja, mais especificamente, da banda de valéncia e da
maneira como ela ¢ preenchida pelos elétrons.
Evargy
Earn seston
‘eecg
a w
Fig. 6.1 — (a) Representacto convencional da estrutura das bandas de energia dos elétrons num
material sélido, na posiglo de separasdo interatomiea de equilibrio. (b) Nesta parte da figura
observa-se as energias dos elétrons versus a sua separagio interatdmica para um agregado de
tomos, ilustrando como a estrutura de banda de energia é gerada na posigao de separagio
interatdmica equilibrads, visto na parte esquerda (a) do desenho. (adaptado de 2.D. Jastrzebski
= “The nature and properties of engineering materials” - Edt. John Wiley and Sons ~ 1987 —
EUA).
Sio possiveis quatro diferentes tipos de estruturas das bandas de energia, conforme
Fig. 6.2.
a) A banda de valéncia ¢ somente parcialmente preenchida pelos elétrons. A energia
correspondente ao mais alto estado preenchido pelo elétron é denominado de nivel
58 MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF, AELEO MARQUES LUNA ~ VOL. 1
de Fermi ( Ej) como indicado na figura mencionada por iltimo. Esse tipo de
estrutura de bandas de energia € tipico de alguns metais, em particular daqueles
que tém uma camada s com apenas um elétron, (exemplo: o cobre). A estrutura do
cobre é 1s°2s°2p°3s°3p°3d!°4s'. Assim, cada atomo de cobre tem apenas um
elétron na banda 4s, entretanto quando juntos N dtomos. a banda 4s é capaz de
acomodar 2N elétrons. -Dessa forma somente metade das posigdes dentro da
valéncia 4s esté preenchida. Como existem estados de energia vazios adjacentes
aos estados ocupados, a aplicagio de um campo elétrico pode acelerar faciimente
60s elétrons produzindo a.corrente elétrica.
) O segundo tipo € também encontrado nos metais cuja banda de valéncia esta
totalmente preenchida, porém essa banda recobre a banda de condugao, a qual,
como € sabido na auséneia desta superposigao seria completamente vazia. O
megnéaio 6 wm motal que pode servis de exemplo para esto caso: 12289p/e,
cada tomo isolado de magnésio tem dois elétrons de valéncia, entretanto, quando
© sblido formado as bandas 3s ¢ 3p se sobrepem. Os elétrons de valéncia
podem ter suas enetgias aumentadas, pela ago do campo elétrico, dentro da banda
3p, de tal forma que o magnésio conduz eletricidade muito facilmente. A situagio
ilustrada na Figura 6.2, letras (a) e (b) sto peculiares dos metais, onde a passagem
de elétrons da banda de valéncia para a banda de condugdo ¢ relativamente facil
de ser efetivada.
©) Finalmente as duas iltimas estruturas de bandas (Fig. 6.2, letras c) e d) sd0
semelhantes: para cada uma delas todos os estados energéticos na banda de
valéncia esto completamente ocupados, contudo, néo ha superposigao entre elas.
Entre elas existe uma banda proibida. A diferenga entre esses dois tipos de bandas
epende da magnitude de suas respectivas larguras. Para materiais denominados
de isolantes, a banda proibida ¢ relativamente larga (> 2eV), enquanto que para os
materiais chamados de semicondutores ¢ estreita (<2eV). O nivel de Fermi para
esses dois tipos de bandas situa-se perto da parte central da banda proibida.
Years
‘nna
a ©
Fig, 6.2 —-As possivels e variiveis possibilidades de estruturas de bandas de energia nos sélidos.
(a) A estrutura de banda de energia dos elétrons encontrada em metais tais como 0 cobre, na
qual esto disponiveis estados energéticos acima e adjacente aos estados preenchidos na mesma
banda, (b) A estrutura de banda de energia dos elétrons tipiea de metals tais como o magnésio, na
qual ha uma superposie#o da banda preenchida de valencia com a banda vazia de condugSo. (c)
Estrutura de banda de energia de materiais isolantes; a banda preenchida de valencia é separada
da banda vazia de condugo por uma relativamente grande banda proibida (“gap"> 2eV). (0) A
estratura de banda de energia de elétrons ¢ encontrada em semleonautores, com a mesma
configuragho dos isolantes, excetuando neste caso que a largura dla banda proibida ("gap") &
relativamente estreita (< 2eV). (Adapatado de William D. Callister Jr ~ “Ciéneia e Engenharia
de Materiais ~ Uma Introduc0” ~ Kditora LTC - Sao Paulo)
39
ae ee OOO OOOO EOOOEAOAADKLABAADAEAEABEOOE MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA — PROF. AELFO MARQUES LUNA — VOL. I
6.3 - CONDUCAO ELETRICA EM TERMOS DAS BANDAS DE ENERGIA
E importante anotar que somente os elétrons com niveis de energia maiores que o
nfvel. de Fermi podem ser influenciados © acelerados na presenga de um campo
elétrico(num metal o nivel de ‘Fermi é a energia que corresponde ao estado eletrénico
preenchido mais elevado a 0 K) .Esses elétrons que participam do proceso de
condugo elétrica stio denominados de “elétrons livres”.
Para os materiais que exibem o modelo de ligagGes metélicas, supde-se que os
elétrons de valencia tém liberdade de movimento e formam o chamado “gés
eletrénico” que € distribuido de forma uniforme através da estrutura cristalina cujos
vértices so ocupados pelos fons formados pelos nicleos dos étomos metélicos. Muito
embora eo0es elétrons ndo estejam vinouladoo a nenhum étomo em partioular, oles
devem experimentar alguma excitago externa para tomarem-se portadores de carga.
Os materiais semicondutores ¢ isolantes exibem modelos de ligagdo tipo iénica ou
covalente, onde todos elétrons da camada de valéncia esto comprometidos.
Os estados energéticos vazios adjacentes ao topo da banda de valéncia preenchida no
sto disponiveis. Para tomar-se livre 0 elétron tem de ser algado através da banda de
energia proibida, na diresdo dos estados energéticos vazios que existem na banda de
condugdo, Iss0 somente sera possivel com o aporte ao elétron de uma certa quantidade
de energia que é igual a diferenga entre esses dois estados, ou seja aproximadamente
igual a diferenga entre as energias das bandas de valencia e condugao. Como jé visto,
em muitos materiais a banda proibida apresenta uma largura relativamente grande,
expressa em elétron-volts ( eV = 1,602 x 10"! J). Muitas vezes esse aporte de energia
pode ser de origem nao elétrica, tais como: calor, radiagSes (lu2), sendo mais usual
esse aporte ser de natureza elétrica,
niimero de elétrons que podem ser excitados termicamente para alcangarem a banda
de condugo depende da largura da banda bem como da temperatura. Para uma dada
temperatura, quanto maior for a largura da banda proibida, menores serlio as
probabilidades de que um elétron de valéncia alcance um novo estado energético
dentro da banda de condugdo, isso resulta em muitos poucos elétrons condutores, Em
outras palavras, numa dada temperatura uma banda proibida de grande largura resulta
em baixa condutividade elétrica.
A distingdo basica entre semicondutores e isolantes reside, portanto, na largura da
banda proibida; para os semicondutores ela € estreita e para os materiais isolantes ela
é relativamente larga. Acrescente-se que nos materiais isolantes as ligagdes atémicas
sio idnicas ou covalentes e deste modo os elétrons sio fortemente ligados aos seus
dtomos individuais.
Por outro lado aumentando-se a temperatura, de um semicondutor ou de um isolante,
resultaré num aumento da energia térmica que € disponivel para a excitago do
elétron, Deste modo mais elétrons podem ser algados para a banda de condugao, o que
resulta num engrandecimento da condutividade elétrica do material.
Nos semicondutores as ligagdes sto covalentes (ou predominantemente covalentes) €
relativamente fracas, o que significa que os elétrons de valéncia nao estao fortemente
vinculados aos seus tomos individuais. Consequentemente esses elétrons podem ser
removidos mais facilmente por uma excitagfio térmica do que nos isolantes.
60 MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA - VOL.
6.4 - MOBILIDADE DOS ELETRONS
A interagio do campo elétrico aplicado com os elétrons livres existentes no seio do
material determina uma aceleragiio dessas particulas, em direg&o oposta ao sentido do
campo, em virtude de ser uma carga negativa.
De acordo com a teoria quantica ndo existe nenhuma interago entre um elétron livre
acelerado ¢ os atomos que constituem uma rede cristalina perfeita. Como se sabe 0
elétron € uma particula pertencente a familia dos “leptons”, ou seja, das particulas
vigjantes © se desloca com uma velocidade escalar média de 10° em/s Em tais
condigdes todos os elétrons livres poderiam ser acelerados continuamente pelo
‘campo, enquanto sua ago perdurasse, o que acarretaria uma elevagdo continua da
corrente com a tempo,
Entretanto, observa-se que a corrente elétrica busca um valor constante, a partir do
instante que o campo ¢ aplicado, indicando assim que existe 0 que poderia ser
denominado de “forgas friccionais” que contrariam a aceleragio dos elétrons pelo
campo extern.
Essas “forgas friccionais” decorrem do espalhamento ou as deflexdes no percurso
dos elétrons provocadas pelas imperfeigdes existentes na rede cristalina, tais como:
impurezas de tomos,(étomos intersticiais ou substitucionais), vacdncias,
deslocamentos ¢ vibragdes térmicas dos proprios étomos. Quando da ocorréncia de
um evento de espathamento, o elétron perde energia cinética e muda de dirego de seu
movimento, conforme esti ilustrado na Fig. 6.3. Contudo, registra-se um
deslocamento real do elétron, na direg%o oposta a do campo e ¢ este fluxo direcionado
de portadores de carga que constitui a corrente elétrica, Esse deslocamento efetivo do
elétron sob a ago do campo (drifty velocity, ou velocidnde de arraste)) é designado
de vj e sua ordem de grandeza é da ordem de 107 em/s
Seating eves
bags
Fig. 63 — Diagrama esquemstico mostrando © caminho percorrido por um elétron que sofre deflexdes
provocadas pelos eventos de espalhamento a que & submetido.( Adaptadp de William D. Calister ~“Ciéncia
« Engenharia de Materiis- Uma Introdusao * ~ Editora LTC ~ Sio Paulo)
© fendmeno da dispersio sofrida pelos elétroris é a manifestagdo da resisténcia
oferecida pelo material a passagem da corrente elétrica
Varios parametros podem descrever este fenémeno do espalhamento dos elétrons. O
primeiro deles é a velocidade va de deslocamento efetiva do elétron (arraste) sobre a
ago do campo elétrico . Ela representa a velocidade média de deslocamento do
a
ant tn eee eeneenaee MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA - VOL. I
elétron na diregdo imposta pelo campo. Esta velocidade ¢ proporcional ao campo
elétrico.
Va =He-B (67)
A constante de proporcionalidade jig € denominada de “mobilidade” e é uma medida
com que se desenvolve o movimento de arraste das cargas (clétrons). Sua unidade & 0
metro quadrado por volt.segundo (m’/ V.s).
Acondutividade o da maioria dos materiais pode ser expressa como:
o =n. ee (6.8)
onde, m representa o numero de clétrons livres por unidade de volume ¢ representa
carga elétrica do elétron ( valor absoluto ) que é de 1,6 x 10” C.
Conelui-se assim que a condutividade ¢ proporeional ao nimero de elétrons livres ¢ a
mobilidade do elétron.
6.5 — RESISTIVIDADE DOS METAIS
Como ja observado anteriormente os metais so excelentes condutores de eletricidade.
A tabela a seguir apresentada relaciona a condutividade, na temperatura ambiente, dos
prineipais metais condutores utilizados pela industria elétrica.
Tabela 6.1
Metal ‘Condutividade (Q-m)"" x 10"
Prata 68
|__—“Cobre 60
Ouro a3
lumtnio 38 1
Ferro io
Plating 094
‘Ago puro 02
Sabe-se que a alta condutividade dos metais decorre da clevada quantidade de elétrons
livres existentes neste tipo de material e que podem ser facilmente excitados para
‘ocuparem estados energéticos vazios, acima do nivel de Fermi,
Nesta altura é conveniente discutir a condutividade dos metais em termos da
resistividade, a reciproca da condutividade, ou seja:
p= lle =1/n.e. pe (6.9)
Desde que as imperfeigdes da rede cristalina atuam como principais causadores do
espalhamento dos elétrons, o aumento delas determina o aumento da resistividade do
metal, A concentraglo dessas imperfeigbes depende dos seguintes fatores:
temperatura, composigao ¢ grau de encruamento do metal.
a MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA ~ VOL. 1
‘Tom-se notado experimentalmente que a resistividade total de um metal ¢ a soma das
contribuigdes oriundas das vibragdes (érmicas, das impurezas e das deformagdes
plasticas sofridas pelo material..
Isso pode ser assim representado:
Prout = Pr + pit Pa (6.10)
nas quais p, pr, pa representam as contribuigdes individuais das vibragdes
térmicas, imperfeigdes e deformagées, respectivamente. Esta expressio & conhecida
como “regra de Matthiessen”. A influéncia de cada uma das p varidveis da equagdo
6.10 sobre o total da resistividade do material é demonstrada pela Fig. 6.4, a qual
representa aa variagSee da resistividade verous temperatura do cobre © do algumas
ligas deste metal com o niquel (estados recozido e encruado). A natureza dos
aumentos individuais de cada uma das parcelas da regra de Mathiesen esto
indicadas para a temperatura 100 °C , na figura mencionada.
Temperate)
400-300-200 =190_ oso
cos saz
hei vests (2m x 10-6)
Tiss 100 $50
Tempers)
Fig, 64 Grito representativo da variacdo da resstividade versus a temperatura para o cobre puro e tris
liges de cobre-niquel tem fuma eles submetide a wm processo de deformarae mecdnica, AS
uigbes pera aumento da resistividade decorrentes da excitagho térmica, impurczas ¢ deformacio
estao indicadas na ordenada de -100C — (Adaptado de William D. Callister Jr. ~“Citncia e Engenharia
de Materiais - Uma Lotrodugao" - Editora LTC ~ Sao Paulo)
6.5.1 - INFLUENCIA DA TEMPERATURA
Para os metais puros a resisti
‘equago abaixo:
idade varia linearmente com a temperatura, conforme a
Pr = Po + Pot(T To) (6.11)
a MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA - VOL. I
Nesta expresso anterior cy representa o coeficiente de variagdo da resistividade do
metal com a temperatura, peculiar a cada metal e é definido por:
a=AT/p,Ap (12)
Essa dependéncia do componente de resistividade térmica é decorrente do aumento da
vibragio da rede cristalina e das outras irregularidades do cristalino, que funcionam
como centro de eventos de espalhamento dos elétrons.
6.5.2- INFLUENCIA DAS IMPUREZAS.
A introdugio de impurezas no metal, sob forma de solugdo sélida, determina um
acréscimo de sua resistividade do material. Na temperatura ambiente, a influéncia
produzida no cobre puro pela introdugdo de um impureza como 0 niquel pode ser
vista na Fig. 6.5. verifica-se que um porcentagem de niquel acima de 50% toma-o
solivel no cobre. Os dtomos de niquel no cobre agem como centro de espalhamento
dos elétrons livres. Eo aumento da concentragao de niquel resultaré num aumento da
resistividade.
eleuicaeisthaty (10 A= md
CSCS
Corocetin vt Ni
Fig. 6.5 ~ Grafica representative da variagfo da resistividade do cobre versus a composigo da
liga cobre-iquel, na temperatura ambiente. ~ (Adaptado de William D. Callister Jr ~“Ciéncia e
Engenharia de Materiais — Uma Introdugio” ~ Editora LTC ~ Sio Paulo)
6.5.3 - INFLUENCIA DAS DEFORMAGOES PLASTICAS
As deformasées plisticas também determinam a clevagio da resistividade dos
materiais, como resultado de um acréscimo do nimero de deslocamentos na rede
cristalina’ do metal, provocando um aumento da freqiiéncia de cspalhamento dos
elétrons, O efeito das deformagdes plisticas sobre a resistividade pode ser também
observada na Fig. 6.4. MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA - VOL.
6.6 - SEMICONDUTIVIDADE
A condutividade dos materiais semicondutores nfo é tio alta como a dos metais,
entretanto, eles apresentam caracteristicas outras que tornam o seu emprego
especialmente itil no campo da Microeletrénica.
As propriedades elétricas desses materiais sio extremamente sensiveis a presenga de
concentragdes minimas de impurezas em sua composigao.
Denominam-se semicondutores intrinsecos aqueles materiais cujo comportamento
elétrico é baseado na estrutura intrinseca do material puro; quando as caracteristicas
clétricas sio ditadas pelas impureza neles introduzida, o semicondutor é chamado de
axtrincaco.
Em capitulos mais adiante este assunto serd estudado com mais detalhes.
6.7 - OS MATERIAIS ISOLANTES (DIELETRICOS
Sido considerados isolantes aqueles materiais que apresentam uma _baixa
condutividade, ou em outras palavras, materiais que exibem uma alta resistividade e
sto utilizados para impedir a passagem da corrente elétrica, conforme ja foi visto nas,
segdes 6.1 ¢ 6.3.
Dicionétio Brasileiro de Eletricidade, da ABNT, define isolante como "wm
‘material no qual a banda de valéncia é uma banda cheia, separada da banda de
conducdo por uma banda proibida, de largura tal que, para passar elétrons da
banda de valéncia para a banda de conducao, é necesséria uma energia tho grande
que & capaz de causar a ruptura do material”.
O dielétrico ou isolante pode também ser conceituado como um material cuja
propriedade fundamental é a de ser polarizével por um campo elétrico.
Os dipolos nos materiais isolantes decorrem de um arranjo assimétrico das cargas
positivas e negativas dos atomos ou moléculas. Normalmente estas cargas tém uma
simetria elétrica, ou seja, os centros de cargas negativas e positivas coincidem. Sob a
ago de um campo elétrico estas cargas experimentam uma distorgao dessa simetria
criando pequenos dipolos elétricos, denominados de dipolos “induzidos”. Pode
cocorrer que determinados tipos de materiais, em virtude de uma natural assimetria
elétrica exibem a presenga de dipolos “permanente”, cuja existéncia independe da
agio do campo elétrico externo.
A interago dos dipolos com 0 campo elétrico resulta em uma das mais importantes
aplicagdes dos dielétricos que so os capacitores.
6.7.1. ~ CAPACITANCIA E CONSTANTE DIELETRICA
Quando uma tensio clétrica é aplicada num capacitor, uma das placas toma-se
positivamente carregada e a outra negativamente carregada, com o sentido do campo
elétrico do positive para o negative.
65
2a ee eee nnnanangesancanannnananannaantansanananea MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA ~ VOL. 1
A capacitincia C é definida como a relagio entre a carga elétrica Q das placas por
unidade de tensto aplicada V, tem-se assim: :
c=Qiv (6.13)
A unidade de capacitancia é coulomb/volt ou farad. Ao se considerar um capacitor de
placas paralelas, conforme Fig. 6.7(a), tendo o vacuo na regio entre as placas, a
capaciténcia pode ser calculada pela expresso:
Cos eeA/L 14)
Der 6
/
Diiete
i
Fig, 6.6 ~ Um capacitor de placas paralelas. (2) quando o vicuo esti presente; (b) quando um
dielétrico € inserido entre as placas. (Adaptado de K.M. Ralls, T.H. Courtney and J. Wulff
“Introduction to Materials Science" Edt. John Wiley and Sons ~ EUA)
Onde A representa a area das placas ¢ | o espagamento entre elas. A constante 6 ¢
chamada de permissividade elétrica absoluta do vicuo € é uma constante universal,
cujo valor € 8,85 x 10"? farad/metro.
Se um material dielétrico for inserido na regidio entre as placas do capacitor ora
considerado na Fig. 6.7(b), entao, a capacitincia ¢-determinada por:
CHeA/l (6.15)
66 MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA ~ VOL. I
Onde ¢ € a permissividade absoluta do meio dietétrico interposto, ¢ © qual exibe uma
grandeza bem maior que €, Denomina-se permissividade relativa, muitas vezes
também chamada de constante dielétrica a seguinte relagao:
= 8/ & 616
A constante dielétrica pode também ser definida como a relag&o entre as capacitincias
Ce Co, anteriormente estabelecidas pelas equagdes 6.15 ¢ 6.14, respectivamente.
Outrossim, pode-se caracterizar a constante dielétrica como a relagao entre as energias
armazenadas pelo capacitor nas situagdes (b) e (a) da Fig. 6.7, ou seja:
er (UCVAV/UEN?) (6.17)
A energia armazenada refere-se a0 trabalho realizado pelo campo elétrico no
deslocamento relativo das cargas elétrica (positiva ¢ negativa) existentes no seio do
material dielétrico. Esse fenémeno, que serd estudado mais adiante se denomina
polarizagao.
‘A constante dielétrica é uma grandeza adimensional ¢ maior que a unidade. Ela
representa o aumento da carga clétrica armazenada no capacitor pela insergao do meio
dielétrico entre as suas placas.
A constante dielétrica é uma das propriedades de importincia fundamental a ser
considerada no projeto de um capacitor. Na tabela abaixo esto indicados os valores
da constante dielétrica de alguns materiais sélidos:
Tabela 6.3
Material €,(60hz) |__e (1Mbhz)
Mica 48 15-1000
Porcelana 60 6.0
Vidro 69 6.9
Nylon 6,6 40 3,6
Polietileno 23 2,3
Teflon 21 2
Para os gases a constante dielétrica é aproximadamente igual a 1; para os liquidos
varia numa faixa maior que a dos sdlidos. Exemplos: dgua 80; dlcool etilico 26; dleo
mineral isolante 2,2 ete.
significado fisico da constante dielétrica pode ser mais bem entendido como sendo
‘uma caracteristica de elasticidade elétriea do dielétrico. Nessa hipétese os elétrons
orbitdrios, parecem estar elasticamente ligados ou restritos ao niicleo do étomo, como
se fossem presos por tiras elésticas. Conquanto esses elétrons possam ser
relativamente deslocados das suas drbitas, 0 deslocamento ¢ limitado ¢ diretamente
proporcional ao campo eléirico a que esto submetidos.
Deste modo, considere-se um capacitor de placas paralelas em presenga de um
dielétrico de espessura d, sendo A a area das placas e Q a carga acumulada em cada
uma delas. Como a intensidade do campo € uniforme, tem-se que:
07 MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA — PROF. AELFO MARQUES LUNA ~ VOL.
Q=CV=c(AM).V (6.180
Ou fazendo um novo algébrico:
QA = (Vid) =
ee (Vd) (6.19)
Donde extrai-se a expressio:
& = (QUA)! (Vid) (6.20)
Analisando a expresso acima obtida, observa-se que a constante dielétrica pode ser
assoclada analogicamente com o Inverso da relayau mecauica tcnsao/(deformagao)
(modulo de elasticidade de Young) que rege as deformagées elasticas dos materiais
(lei de Hooke). Assim 0 esforgo do campo elétrico V/d produz a deformagao elétrica
na estrutura do material expressa pela densidade de carga elétrica acumulada (Q/A).
Isso mostra que a concepgio de atribuir aos materiais diclétricos uma clasticidade
elétrica é apropriada.
6.7.2, ~ RIGIDEZ DIELETRICA
Quando um campo elétrico, bastante clevado, é aplicado através de um material
dielétrico, um grande mimero de elétrons pode subitamente ser excitado para niveis de
energia da banda de condugdio. Como resultado deste fendmeno a corrente elétrica
através do dielétrico aumenta de forma considerével dramética, podendo acarretar
irreversiveis degradagées no material ¢ talvez sua perda definitiva, Esse aumento
considerivel da corrente conduz a formagSo de um arco elétrico (centelha) e
conseqdente perfuragiio do material. Este fendmeno é conhecido como “disrupgdo
dielétrica”.
A rigidez dielétrica representa a grandeza do campo elétrico necessério para produzir
a disrupgao dielétrica do material
Sendo um campo elétrico, a rigidez dielétrica é expressa pelo gradiente da tensiio
elétrica, ou seja, volt por unidade comprimento do Sistema Internacional (SI). Pode-se
também dizer que a rigidez dielétrica é o valor limite de campo elétrico que o material
isolante pode suportar sem romper-se cletricamente.
Normalmente a tensio elétrica é medida em kV e a medida de comprimento, no caso a
propria espessura do dielétrico, em cm ou mm. Nos Estados Unidos costuma-se medir
a rigidez dielétrica em Volt/mil (mil corresponde a um milésimo da polegada; 1 mil =
0,001 polegada).
No caso dos materiais sblidos, quando da disrupgio dielétrica, ocome a sua
perfuragdo, verificando-se a destruigao parcial ou total do dielétrico, os quais ndo
mais recuperam as suas propriedades isolantes originais, mesmo com a retirada do
campo elétrico, A danificago do material tem caracteristicas irreversiveis. Entretanto,
nos materiais gasosos ¢ liquidos a perfuragio dielétrica nao tem caracteristicas
inreversiveis. Cessada a ag3o do campo elétrico o material regenera-se e readquire sua
68 MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA ~ VOL. I
propriedade dielétrica. Mais adiante esses aspectos serdo abordados quando do estudo
mais detalhado dos materiais dielétricos.
Varios fatores influem no valor da rigidez dielétrica de um material isolante,
podendo-se alinhar de forma suméria os seguintes:
a) Natureza do proprio material;
b) Espessura do material dielétrico;
©) Temperatura;
d) Natureza do campo elétrico (constante ou alternado);
©) Geometria dos eletrodos;
1) Freqiiéncia;
g) Progressto da carga aplicada.
Na scopic dedicada a0 ostude dos materiais dielétricas estes fatores sero mais
estudados e avaliados.
CONCEITOS CHAVES
Condutividade elétrica Resistividade elétrica
Resisténcia elétrica Densidade de corrente
Material condutor Material semicondutor
Material isolante (dielétrico) Banda de energia
Banda de valencia Banda de condugdo
Nivel de Fermi Mobilidade dos elétrons
Espalhamento dos elétrons na rede cristalina Forgas friccionais
Velocidade de arraste dos elétrons Regra de Mathiessen
Capaci Constante dielétrica
Permissividade elétrica absoluta do vacuo Permissividade elétrica relativa
Rigidez dielétrica
QUESTOES PARA ESTUDO
6.1 —A que temperatura a prata tem a mesma resistividade do ouro a 50°C?
6.2 ~ Determine a temperatura na qual a resistividade da prata é 10 ohm.nm (atengto para as
unidades)?
6.3 ~ A resistividade do cobre dobra entre 20°C @ 300 °C. A que temperatura a resistividade do
aluminio se iguala ao valor maior para 0 cobre?
6.4 -Um fio de cobre possui um didmetro de 0,0027 em. O cobre possui uma resistividade p de 1,7 x
10° ohm.cm, Quantos metros de fio so necessérios para se obter uma resistencia de 3,0 ohm ?
6.5 ~ Se se usar um flo de cabre puro (resistividade ~ 1,7 x 10% ohm.cm) com 0,1 em de didmetro em
‘um cireuito eltrico transportande uma corrente de 10 A, quantos watts de calor sfo perdidos, por
‘metro de fio? Quantos watts mais sero perdidos, e o fio de cobre for substituldo por um de latdo (liga,
de cobre + zinco) de mesmo diametro (resistividade do latfo = 3,3 x 10 ohm.cm)?
69
2220222 OOEEOEAAEEDKEDEEAEADHRHADADRHADEODSOADDADE ‘MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA - PROF, AELFO MARQUES LUNA - VOL. 1
6.6 ~ Defina 0 que é constante dielética e explique o seu significado flsico fazendo uma analogia com
lei de Hooke,
6.7 A constante dielétrica de uma tira de vidro é 5,1. Um capacitor usando esta tira de vidro com 0.01
‘em de espessura deveria ter maior ou menor capacitancia que um outro semethante (com mesma area
‘das placas) usando um isolante plastico com 0,005 cm de espessura e de constante dielétrica igual a2. ?
{6.8 — Defina o que é rigidez dielética e quais so os_principais fatores que afetam sua determinaglo?
© que se entende perfuragio dilétrica de carder “imreversivel” "reversivel”?
6.9 — Dois materiais isolantes A ¢ B tém rigidez dieietrica de 20 ¢ 40 kV/cm, respectivamente, ¢ s80
utilizados como dieléiricos em dois capacitores de mesmas dimensGes geométricas ¢ associados em
paralelo, Indaga-se qual o valor da rigidez dielétrica do conjunto?
6.10 Qual a constant dielétricarequerida para um capacitor reter a mesma intensidade de carga, s¢ 0
espayamento entre as duas placas for reduzido de 0.10 mm para 0,06 mm, sem alteragSo da tensdo
clética aplicada ? 0 isolamento atual possui uma constant dielétria de 3,3
6.11 — A pesquisa no campo dos materiais plasticos levou a um novo tipo de isolante. A sua rigidez
dielétrca 6 de 38 V/u, na frequéncia de 60 c’s. Que espessura deve ter uma camada deste novo plastico
para isolar um fio na tenstio de 18500 volts, na mesma freqaéncia e um fator de seguranga de 15% ?
6.12 ~ Considerando como valida a variagio linear da rigidez dielétrica, obtenha a espessura minima
para 0 isolamento de um cabo de 25 kV, com uma rigidez dieldtrica de 10 V/u e adotando um
coeficiente de seguranga de 20% ?
6.13 — Um capacitor de placas paralelas com um dielétrico de Sxido de tintalo, de espessura de 1 um,
tem uma capacitincia de | uF . Pede-se calcular : a) Qual a tensio maxima de operago do capacitor ?
») Calcutar a densidade de cargas livres quando a tensdo aplicada € de 10 V. ( dados: permissividade
relativa do éxido de tintalo 28 e rigidez dielétrica de 100 x 10° V/cm.)
6.14 - Um capacitor de placas paralelas, usando um dielétrico de permissividade elétrica relativa de
2,2, tem um espagamento intereletrodico de 2 mm, Se um outro material isolante, com uma constante
ielétrica de 3,7 € inserido entre as placas do capacitor dado, pergunta-se qual seré 0 novo espagamento
nevessério entre as placas para que a sua capacit6ancia permanega constante ?
6.15 ~ Uma carga de 2,0 x 107” coulombs e armazenada em cada uma das placas paralelas de um
capacitor, cujas placas tém uma érea de 650 mm e um espagamento de 4,0 mm. Pergunta-se: a) Qual 0
valor da tensdo elétrica requerida para aquela acumulacfo de carga se entre as placas for inserido um
‘material de constante dielétrica igual a 3,5 7 b) Qual a tensio elétrica requerida se fosse © vacuo
utitizado como dielétrico? Para esta Ultima hipdtese pergunta-se qual seria 0 valor da capaciténcia ? c)
Caleule os valores do deslocamento eltrico (D) ¢ da polarizagao (P) para a hipétese proposta em a)?
70 MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROP. AELFO MARQUES LUNA - VOL. 1
CAPITULO VII
PROPRIEDADES MAGNETICAS
Uma compreenséo dos mecanismos que explicam 0 comportamento magnético dos
materiais permite alterar ou moldar as suas propriedades magnéticas, de modo a
atender as conveniéncias de um projeto,
71-083 FENOMENOS MAGNETICOS
© magnetismo ¢ um fendmeno pelo qual alguns materiais apresentam uma forga de
atrasdo ou de repulsio, ou uma certa influéncia sobre outros materiais, a qual ¢ conhecido
pelos homens ha milhares de anos,
Os principios e mecanismos que explicam os fendmenos magnéticos so complexos ¢
sutis, © a sua completa compreensdio ainda escapa aos cientistas atuais. Entretanto,
‘numerosos dispositives usados pela tecnologia modema tm o seu funcionamento
respaldado nas propriedades magnéticas dos materiais, tais como geradores, motores,
ttansformadores, rédio, televisto, computadores, telefones, sistemas de som e video etc.
0 ferro, alguns tipos de ago e alguns minerais como, por exemplo, as magnetitas, so os
mais conhecidos exemplos de materiais que exibem propriedades magnéticas.
Entretanto, um aspecto nfo muito familiar € 0 fato de que todas substincias so
influenciadas, num grau maior ou menor pela presenga do campo magnético.
Neste capitulo seré abordado as principais grandezas que quantificam os fendmenos
magnéticos, ou seja, os varios vetores de campo e outros pardimetros magnéticos, bem
como uma répida descrigao de sua origem. Este tema seré mais desenvolvido no estudo
especifico dos materiais magnéticos, em capftulos mais adiante.
7.2-DIPOLOS MAGNETICOS
E conveniente supor as forgas magnéticas em termos de campos, ou seja, de linhas de
foreas imagindrias que podem ser desenhadas para indicar a dirego e sentido que elas
podem atuar em posigdes préximas a fonte geradora do campo magnético.
E importante no esquecer que as forgas magnéticas sfio geradas pelo movimento de
particulas eletricamente carregadas.
A Fig. 7.1(a) ilustra a distribuigaio de campos magnéticos, representados por suas linhas
de forga e produzidos por duas fontes: a circulagao de uma corrente elétrica numa espira
toroidal © por uma barra de material magnético (ima).
Em varios aspectos os dipolos magnéticos sto anstogos aos dipolos elétricos. Os
magnéticos podem ser concebidos como sendo produzidos por uma pequena barra
magnética, composta de pélos norte ¢ sul a0 invés da-carga elétrica, positiva e negativa,
como ocorre nos dipolos elétricos. Os momentos magnéticos dos dipolos sao
rtepresentados por um vetor, como indicada na Fig. 7.1 (b).
0s dipolos magnéticos so influenciados pelos campos magnéticos de modo similar a0
que ocorre com os dipolos elétricos sob a agtio dos campos clétricos, ou seja, a forga do
n MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA ~ VOL. I
‘campo magnético exerce um torque no dipolo que tende a orienta-lo na diregtio do
campo. Um exemplo cldssico deste fendmeno é demonstrado por uma agulha magnética
(Dissola) que € orientada pela ago do campo magnético terrestre.
()
Fig, 7.1- (a) Linhas de forsa de campos magnéticos formadas em volta de uma espira circular ¢ de
uunia barra megnética. (b) O momento magnético de uma barra representado por um vetor, (
‘Adaptado de William D. Callister Jr. , obra Ja cltado em figuras anteriores)
7.3- CAMPOS MAGNETICOS E OUTROS PARAMETROS MAGNETICOS
s fonémenos magnéticos podem ser descritos por varios vectores de campo. O primeiro
deles é 0 campo magnético H que ¢ aplicado extemamente, chamado também de “campo
de excitagao magnético. Se 0 campo H ¢ gerado por meio de uma corrente I que circula
numa bobina cilindrica (ou num solendide), constituido de N espiras e com um
comprimento 1, conforme esquema da Fig. 7.2, tem-se a expressao 7.1 onde H é expresso
em amperé.espira por metro:
H=NI/I
thie noth
@
Fig. 7.2 ~(a) © campo de excitagto magnética H gerado pot uma bobina cilindriea, com N espiras ¢
‘um comprimento Le na qual circula uma corrente elétriea de intensidade 1. O vetor B, de densidade
de fluxo magnético, na presenga do vacuo, é y,H. (b) A densidade de fuxo magnético no material
sélido inserido na bobina é igual a ull. - (Adaptado de AG. Guy ~ “Essentials Materials Seience”-
Me Graw-Hill Book Co. — New York ~ EVA)
n
esmeaceeananeaneeeceseneataenennencte2eea£en’4e0n20e0220608 MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF, AELFO MARQUES LUNA ~ VOL.
Outro vector importante ¢ a “indugao magnética” ou “densidade de fluxo magnético”,
denotado pela letra B e que representa a grandeza do campo interno no interior de um
‘material que é submetido & ago de um campo de excitagao H.
A unidade de B 0 Tesla ou weber por metro quadrado (Wb/m?). Os vetores B e H so
relacionados entre si pela equagaio seguinte;
B=pH (7.2)
© pardimetro p € denominado de “permeabilidade magnética absolua” , 0 qual & uma
propricdade cspecifica de um melo no qual H € introduzido e no qual B é mensurado,
tudo conforme ilustrado na Fig. 7.2. A permeabilidade tem dimensdes de henry por metro
‘ou weber por amperé.metro.
No vacuo tem-se
B= pH (73)
Onde po “permeabilidade magnética absoluta do vacuo” e se constitui numa constante
universal, cujo valor é 4m x 107 (1,257 x 10°) henry/metro © vector Bo representa a
densidade de fluxo no vacuo, como indicado na Fig. 7.2.
Outros parémetros sio usados para descrever as propriedades magnéticas nos sélidos, um
destes € a denominada “permeabilidade magnética relativa” que é mensurada pela
relagio entre a permeabilidade magnética absoluta de um material e a permeabilidade
‘magnética absoluta do vacuo, Trata-se de um nimero adimensional
Hr = WI Ho 7A)
A permeabilidade magnética relativa é a medida do grau de maior ou menor facilidade
pelo qual um material pode ser magnetizado, ou seja, a maior ou menor facilidade com a
qual o vector B pode ser induzido no material ante a presenga do vector H
Outra grandeza vectorial magnética é a “magnetizag@o” que é denotada pela letra M ¢
definida pela expressio:
B=p,H + p.M (7.5)
Na presenga do campo H, os dipolos magnéticos existentes no interior do material
tendem a se alinhar com o campo extemo H, reforgando sua ago magnetizante. O termo
HoM na equagao 7.5 representa a medida desta contribuigao.
‘A grandeza de M é proporcional ao campo externo aplicado, tem-se assim:
M= nH . (7.6)
B MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA ~ VOL. 1
A constante Ym ¢ chamada de “susceptibilidade magnética” e € uma. grandeza
adimensional. A susceptibilidade magnética e a permeabilidade relativa sfo relacionadas
entre si pela expressio:
to = wee 1 a7)
As grandezas magnéticas podem ser eventualmente fontes de algumas confusdes porque
texistem dois sistemas de unidades de uso muito corrente. O primeiro ¢ 0 SI (Sistema
Internacional MKS racionalizado, cujas unidades primarias so metro, quilograma ¢ 0
segundo) O outro ¢ oriundo do sistema cgs-uem, ou seja, sistema baseado nas unidades
centimetro, grama, segundo e unidade eletromagnética). As unidades de ambos, s{mbolus
¢ 05 fatores apropriados de conversio esto indicados na Tabela 7.1
Tabela 7.1
Grandeza | Simbolo | Unidades SI | Unidades | Fatores de conversio
egs.vem
Indugao B ‘Tesla ou Gauss T Woim? = 10° gauss
magnética Weber/m?
(densidade de
fluxo)
Excitagfio H “Amperé.espira Oersted Tamp.espira/m=
magnética por metro 4m x 10° oersted
Magnetizagio | M | Amperé.espira | Maxwell por Tamp.espira/m =
por metro centimetra 10° maxwell/cm™
quadrado
Permeabilidade |p, Fienry/m ‘Adimensional | 4nx 107 henry/m=
no vacuo Juem
Permeabilidade |, | Adimensional | Adimensional rey
relativa | w’(ogs)
‘Susceptibilidade | y,,(S1) | Adimensional |” Adimensional n= Hw
magnética | 7°m (cgs)
7.4- NOGOES SOBRE A ORIGEM DOS FENOMENOS MAGNETICOS
‘As propriedades magnéticas macroscépicas dos materiais derivam dos momentos
magnéticos associados aos elétrons de seus étomos.
‘So conceitos complexos e que envolvem principios da mecanica quantica, os quais
fogem do escopo deste trabalho.
Em decorténcia disso algumas simplificagdes serio introduzidas para facilitar a
compreensio do leitor.
"
2k 2 OOS OABEEAEAAEALADAGALORAASSOESEDAAADTEDDEDDSD -MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA ~ VOL. 1
Cada elétron num dtomo tem momentos magnéticos que sto oriundos de duas fontes. A
imeira esti relacionada com 0 movimento orbital do clétron em toro do niicleo do
tomo; constituindo-se no movimento de uma carga, um elétron pode ser considerado
como sendo uma pequena espira toroidal (loop), produzindo um pequeno magneto ¢
tendo um momento magnético a0 longo de seu eixo de rotagao, como esté representado
‘esquematicamente na Fig, 7.3(a).
Pesivecurent direction ue
j=
7 2
ts
a wy
Fig. 73 ~ (a) Dipoto magnético produzido por elétron orbital. (b) Dipolo magnético produride pelo
spin” do elétron. (adaptado de Arthur L. Ruoff —*Materials Science” )
Por outro lado, a cada elétron pode esta associado com 0 momento magnético do “spin”.
“Spin’ & uma palavea inglesa, consagrada pela literatura técnica e que significa giro,
volta, movimento em parafuso etc, Este movimento pode ser entendido como se o elétron
fosse suposto como um esfera de carga elétrica negativa girando em torno do seu proprio
eixo, conforme Fig. 7.3 (b). Deste modo cada elétron pode ser concebido como um
pequeno dipolo magnético, produzindo momentos magnéticos permanentes (ao longo do
€ixo de rotagdo), oriundos do movimento orbital e do spin. © momento magnético gerado
pelo spin pode ser somente numa direcao chamada “up” ou numa diregio anti-paralela
chamada de “down”
0s atomos dos materiais magnéticos constituem assim dipolos magnéticos permanentes,
decorrendo dai que magnetismo € um fendmeno de polarizagio envolvendo dipolos
magnéticos, podendo scr descrito com muita semelhanga com os fenémenos dielétricos,
05 quais esto associados aos dipolos elétricos.
7.8— CLASSIFICAGAO DOS MATERIAIS MAGNETICOS
Em cada dtomo os pares de elétrons orbitais situados num mesmo estado energético
(principio de Pauli), orbitam em sentidos contririos de modo que 0s efeitos magnéticos
produzidos se anulam, bem como os momentos magnéticos produzidos pelos spins
também se cancelam entre si (spin up x spin down).
75 MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA - VOL. I
Para a grande maioria dos materiais magnéticos © campo magnético eriado pelas
correntes orbitais e pelo spins dos elétrons apresenta uma resultante fraca e, portanto, no
€ observado nenhum efeito final expressivo.
Assim sendo 0s materiais apresentam os seguintes tipos de magnetismo: diamagnetismo,
paramagnetismo e ferromagnetismo.
© diamagnetismo é uma forma muito fraca de magnetismo que no é permanente ¢
somente persiste enquanto um campo de excitago externo ¢ aplicado. A grandeza do
momento magnético induzido é extremamente pequena e de diregio oposta ao campo
externo aplicado. A permeabilidade relativa é menor que a unidade e a sua
susceptibilidade magnética negativa, isto é, a grandeza do campo B é menor no interior
do material diamagnético do que no véeuo.
O paramagnetismo também é uma forma muito fraca de magnetismo e resulta do fato de
que cada tomo possui um momento de dipolo permanente como resultado de um
cancelamento incompleto dos momentos magnéticos orbitais e de spin. Na auséncia de
um campo externo, a orientagao destes dipolos magnéticos é randdmica, de tal forma, que
uma porgdo macroscépica desse material apresenta uma magnetizagdo resultante nula.
Entretanto, esses dipolos so livres para se rotacionarem e se alinharem com a diregdo do
campo extero, quando aplicado. Esses dipolos se alinham de forma individual e no
interagem com os dipolos adjacentes (formagio de dominios). Esse alinhamento dos
dipolos faz com que haja um aumento da permeabilidade relativa, que se manifesta com
6 MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA ~ VOL. 1
grandezas maiores que a unidade, porém de valores bem préximos a ela. A
susceptibilidade magnética dos paramagnéticos é po:
iva.
Os materiais diamagnéticos e paramagnéticos oferecem apenas interesse cientifico €
pouca ou quase nenhuma aplicagdo importante pela engenharia elétrica.
Os materiais ferromagnéticos sfo aqueles que possuem momento magnético
permanente, mesmo na auséncia de um campo extemno aplicado, ou seja, apresentam uma
permeabil
idade relativa magnética muito elevada, muitas vezes maior do que a unidade.
Trés meiais apresentam pronunciadas propriedades magnéticas: o ferro, o niquel € 0
cobalto. A susceptibilidade magnética destes materiais ¢ elevada, da ordem de 10°.
‘Tabela 7.2
Tipos Permeabilidade Exemplos
magnética
DIAMAGNETICOS ‘Cobre,prata,ouro,merciirio,chumbo,gdlio
,bismuto, os metaldides, com excegde do
oxigénio, et.
PARAMAGNETICOS oT ‘Aluminio,
paladio.platina,oxigénio,berilio,estanho,
ccromo,s6dio,potissio,manganés, etc.
FERROMAGNETICO| —_>>>>1 Ferro, niquel e cobalto (érbio, térbio,
s hélmio, disprésio, gadolinio).
‘Assim sob 0 ponto de vista prético os materiais podem ser classificados em materiais
ferromagnéticos (permeabilidade magnética relativa muito alta) e materiais n&o
ferromagnéticos (permeabilidade magnética relativa aproximadamente igual a 1).
Em capitulo mais adiante estes assuntos serfio abordados com mais detalhes, inclusive 0
estudo dos chamados materiais ferrimagnéticos e antiferromagnéticos, que se
constituem em uma subclasse do ferromagnetismo.
PALAVRAS CHAVES
Dipolo magnético
Campo de excitagtio magnético
Permeabilidade magnética absoluta
Magnetizagao
Spin
Diamagnetismo
n
Momento magnético
Densidade de fluxo magnético
Perteabilidade magnética relativa
Susceptibilidade magnética
Paramagnetismo
Ferromagnetismo MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA - VOL. I
QUESTOES PARA ESTUDO
7.1 ~0 que te entende por permeabilidade magnética absoluta 7 Em quais unidades ela ¢ expressa ?
7.20 que se entende por permeabilidade magnética relativa ? Ela é uma grandeza dimensional ?
7.3 ~ Defina o que ¢ forga magnetomotriz ea unidades uilizada para expressa-la no SI?
74 — Fecreva a firmula que relaciona as trés grandezas magnéticas seguintes: vetor Bde densidade
magnética de fluxo (ou vetor indugo magnética) ; vetor H campo de excitago magnético e o vetor M de
magnetizacto.
7.5 ~ Como se classificam 0s materiais magnéticos a luz da permeabilidade magnética.?
7.6 — Uma bobina com niicleo de ar, com 1200 espiras, tem 60 cm de comprimento ¢ uma seglo de 100
‘em?, Quais sfo 0s valores da induydo magnética e do fluxo magnético, sabendo-se que ela é percorrida por
uma corrente elétrica de 0,5 ampére. (adotar a permeabilidade do ar igual a do vacuo, ou seja, 1,256 x 10*
him)?
7.1 ~O que se entende por materiais paramagnéticos e diamagnéticos ?
7.8 — Quais os trés materiais ferromagnéticos mais importantes ?
7.9 Como se expressa o momento magnético de um dipolo consttuido por uma espira circular de rea A
qual circula uma corrente 17
7.10 ~ Qual a relagao clissica entre o campo de excitagdo He 0 vetor B de indugo magnética ?
18 MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AFLFO MARQUES LUNA ~ VOL. I
CAPITULO VIII
PROPRIEDADES OTICAS
Quando os materiais sio expostos a radiagio eletromagnética & importante ser capaz
de prever e alterar as respostas desses materiais. Isso é possivel quando estamos
familiarizados com as suas propriedades e compreendemos os mecanismos
responsdveis pelos seus comportamentos.
8.1 - CONCEITOS BASICOS
Entende-se por propriedades dticas as respostas que os materiais oferecem quando
interagem ou so expostos as radiagdes eletromagnéticas, em particular a luz visivel.
No sentido clissico as radiagbes so consideradas ondas, constituidas de componentes de
campos elétricos e magnéticos, que séio perpendiculares entre si e também a diregdo de
propagagio, conforme Fig. 8.1.
‘
Fig, 8.1 ~ Uma onda eletromagnética, mostrando seus componentes, 0 campo elétrico E, 0 campo
magnético H e 0 comprimento de onda 2, ( adaptado de Wiliam D. Callister Jr, de obra ja citada em
figuras anteriores).
A luz, calor (radiago térmica), radar, ondas de radio, raios-X so todas as formas de
radiages eletromagnéticas conhecidas. Cada um destes tipos de radiagdio ¢ caracterizado
priméria por uma especifica ordem de comprimento de onda e de acordo com a técnica
usada para gera-las.
O espectro eletromagnético das radiagdes, apresentado pela Fig. 8.2 exibe os comprimentos
de ondas das radiagdes, desde os raios-y (emitidos por materiais radioativos), com
comprimentos de onda da ordem 10m, passando, pelos raios-X, ultravioleta, visivel,
infravermelho ¢ finalmente as ondas longas, com comprimentos da ordem de 10° m.
‘A luz visivel ocupa uma faixa bastante estreita do espectro das radiagdes luminosas,
ficando num intervalo entre 0,4 ¢ 0,7 um. A percepgio das cores da luz visivel € uma
fungdo pelas variagdes do comprimento de onda no interior desta faixa do espectro. Por
exemple, uma radiagéo com 0,4 jm aparece como violeta, enquanto verde ¢ vermelho
0 - MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF, AEJLFO MARQUES LUNA - VOL. |
ocorrem proximos de 0,5 ¢ 0,65 jum, respectivamente. A luz branca é uma mistura de todas
as cores (vide experiéncia do disco de Newton).
‘Todas as radiagdes magnéticas atravessam 0 vacuo com a mesma velocidade, que €
chamada de velocidade da luz e cujo valor & 3 x 10° mvs. Esta velocidade, denotada pela
letra ¢ é uma constante universal e esté relacionada com a permissividade elétrica absoluta
do vacuo €, ¢ a permeabilidade magnética absoluta do vacuo [M., pela seguinte expresséo:
1/ Veet (1)
Lunidade X
1A
Ane
Aum
‘Ondas médias AM Lem
‘Ondas longs
e rkdio
Fig. 8.2 ~ Espectro de radiagtes eletromagnéticas. (Adaptado da livro de "
‘Zemansky e H.D. Young)
a" de F.Sears, MW.
Verifica-se, portanto, a existéncia de uma associagao entre a constante ¢ (velocidade da luz)
«© essas outras constantes (elétrica e magnética).
Por outro lado observa-se que a freqiléncia ve o comprimento de onda 4 numa radiagio
magnética so uma funedo de e, conforme expressio abaixo:
Yo © c=2) (82)
A freqiiéncia ¢ expressa em hertz (Hz), onde | Hz= | ciclo por segundo.
Va = veboutont Le dove
f°
@r=™
QAAAHEALHEHREACEHAEEAHGAAHRACLALLLABLAaARaALRRAAHRALAARALE MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA - VOL. |
‘Muitas vezes ¢ mais conveniente observar uma radiagdo eletromagnética sob a perspectiva
da mecfinica quéntica, Sob este enfoque a radiago é vista como composta de grupos de
pacotes de energia, que so chamados de fotons. A energia E do foton é quantizada, ou seja,
somente pode ter valores especificos, definidos pela relagdo abaixo:
E = hy shea (83)
Onde h é a constante universal chamada de “constante de PLANCK”, a qual tem um valor
de 6,63 x 10™ J.s. Deste modo a energia do féton € proporcional a freqiiéncia da radiagao,
‘ou entio, ersamente proporcional ao comprimento de onda.
Quando ‘da descriga0 de determinados fenomenos Oticos, envolvendo Interagoes entre a
matéria © as radiagSes, uma explicagéo dos mesmos pode ser mais bem facilitada se
considerarmos a radiag&o em termos de fétons. Em outras ocasides, uma radiagao sob
forma de onda pode ser mais apropriada.
8.2 - INTERACOES DA LUZ COM OS SOLIDOS
‘Quando a luz passa de um meio para outro meio (exemplo: do ar para o uma substéncia
s6lida) muitas coisas podem acontecer. Certa parte da radia¢do luminosa pode ser
transmitida através do meio, outra parcela poderd ser absorvida ¢ finalmente uma outra
poderd ser refletida na interface entre os dois meios considerados. Deste modo a
intensidade de luz I, incidente na superficie do sélido deve ser igual a soma das
intensidades de luz que foram transmitida, absorvida e refletida, denotadas por ly, ls € I
respectivamente. Tem-se assim a expressio;
h=h+h+k (4)
A intensidade da radiago luminosa pode ser expressa por watts por metro quadrado €
corresponde a energia que esté sendo transmitida por unidade de tempo através de uma
unidade de area perpendicular a diregao da propagagao.
Uma forma alternativa de apresentar a equago 8.4 pode ser a seguinte;
THAR
(8.5)
Onde T, A e R representam respectivamente a “transmitincia” (relago IyI,), a absortncia
(i/l,) € a refleténcia (W/I,), o¥ seja, as fragdes da luz incidente que so transmitidas,
absorvidas e refletidas pelo material; a soma destas parcelas é igual a unidade.
Com relago a estas caracteristicas os materiais podem apresentar os seguintes
comportamentos, resumidos na Tabela 8.1.
Na Fig. 8.3 € mostrada uma fotografia da transmitancia da luz em trés espécimes diferentes
de oxido de aluminio,
a - MATERIATS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA ~ VOL. I
8.3 - POLARIZACAO ELETRONICA
Uma das caracteristicas da onda eletromagnética ¢ a répida flutuagdo do campo elétrico.
Para a faixa de freqliéncia das radiagdes visiveis, este campo elétrico variével interage com
os elétrons que formam a nuvem eletrGnica existente em volta do niicleo de cada étomo
induzindo uma polarizagio eletrénica, ou seja, acarreta um deslocamento da nuvem (no
sentido oposto do campo) em relago ao micleo de cada étomo 0 qual muda de dirego com
‘a mudanga de diro¢o da componente de campo elétrico. Duas consequéncias derivam deste
fenémeno: a) parte da energia pode ser absorvida; b) as ondas de luz tém sua veloi
retardada quando passam através do material
Tabela 8.1
Materiais que sto capazes de transmitir a] Séo chamados de materiais
luz, com relativamente pequena absorgdo | TRANSPARENTES,
reflexdio (pode-se ver através deles)
Quando @ luz através do material é|Sa0 chamados materiais
transmitida de forma difusa, isto é, a luz é) TRANSLUCIDOS
espalhada pelo seu interior. Os objetos ndo so claramente distinguidos
quando vistos através de um espécime do
material
Quando “0 material & impenetravel a] Séo chamados de materials
transmissdo da luz OPACOS
‘Os metais em sua grande maioria so opacos
para todo 0 espectro visivel. A radiagio &
absorvida ou refletida
Po" y = lattice parameter: unit cell +
w Shear strain (6.2) :
die!
~ Da esquerda para diceita: um monocristal de Sxido de aluminio (safira) que é transparente;
jum mesmo espécime desse material, entretanto, policristaling, bastante denso (nio poroso) que é
translicido e finalmente uma outra mesma espécime desse material, também policristaling, vontendo
sproximadamennte 5% de porosidade que é opaco.(Adaptado de William D. Callister Jv de obra jd
citada em figuras anteriores)
2
COMO O88 OO 008004442 4404028 004844464400 8044282 0202222244 MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA - VOL. 1
A absorgio ¢ a emissio de radiago eletromagnética pode envolver transigdes de elétrons
de um estado energético para outro. Considere-se, para um melhor entendimento do
assunto, um étomo isolado, com o diagrama de energias representado pela Fig. 8.4
Pela absorgao de um féton um elétron pode ser excitado e passar de um estado E para um
estado energético vazio Ex, de tal forma que a mudanga de estados energéticos
experimentada pelo elétron, AE depende da freqliéncia v da radiagio, de acordo com a
seguinte equago, onde h é a constante de Planck:
AE=hv (8.6)
Alguns conceitos importantes depreendem-se da equago acima. Primeiro, desde que as
bandas de energia sto discretas, somente valores especificos de AE’s existem entre os
&
exciton,
age Ba
ie
Inge ake 5, —e—
bs
Hig. 8.4 — Esquema Mlustrando a absorgto de f6ton por um dtomo isolado, decorrente da exeitagao de
lum elétron de um estado energético para outro, A energin do féton (hva) deve ser exatamente igual a
dliferensa de energia entre os dois estados Ey E>, (Adaptado de William D, Clallister Je. de obra ji
citada em figuras anteriores).
niveis energéticos, deste modo somente fotons de freqliéncia correspondente a possiveis
AE's para o tomo, podem ser absorvidas para que ocorra a transigdo dos elétrons.
Segundo, o elétron estimulado nao pode permanecer em estado excitado indefinidamente;
depois de um certo tempo ele decai para seu estado energético anterior, ou seja, para um
nivel ngo excitado com a reemissdo de radiag&o eletromagnética. A conservagao da energia
deverd ser observada tanto na absoredo como na emissdo dos elétrons em transig&o,
8.4— PROPRIEDADES OTICAS DOS METAIS.
‘Os metais sto opacos para quase toda extenso do espectro eletromagnético, desde as
tadiagdes de baixa freqléncia ( ondas de radio, infravermethos, radiagao visivel ) até cerca
da metade do espectro da radiado ultravioleta, sendo, entretanto, transparentes para as
Tadiagdes de alta freqiiéncia ( raios X e y ). A opacidade dos metais decorre do fato da
8 ‘MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA - VOL. I
continua disponibilidade de estados energéticos desocupados, a qual permite mais
facilmente as transigdes de elétrons, conforme a equagio (8.6) e por conseqléncia a
radiagao € absorvida.
‘A maioria da energia absorvida reemitida pela superficie sob forma de radiagao visivel
(luz) com o mesmo comprimento de onda, aparecendo sob forma de luz refletida. A
refletincia dos metais é da ordem de 0,90 a 0,95; pequenas fragdes de energia no processo
de decaimento do elétron é dissipada sob forma de calor.
8.5 — PROPRIEDADES OTICAS DOS NAO METAIS
Os materiais nio metilicos podem ser transparentes a luz visivel, tal fato decorre dos
elétrons de sua estrutura de bandas de energia, entretanto, além dos fenOmenos de reflexio
© absorgdo ja comentado no caso dos metais, os fendmenos de refragéio precisam ser aqui
considerados.
A. luz que é transmitida pelo interior dos materiais transparentes experimenta um
decréscimo em sua velocidade, e como resultado, a sua diregdo de propagacdo sofre uma
deflexdo na interface que separa os dois meios. Este fendmeno é conhecido como refragdo
da luz. O indice de refragdo n de um material é definido pela relagto entre a velocidade da
luz no vacuo ¢ ea velocidade da luz no meio considerado, v . Tem-se assim:
= ely (8.7)
Pode-se demonstrar que a expressdo acima pode também ser assimn escrita
n=Veu/ Vepo = Ven (8.8)
considerando que py = 1, tem-se:
ns ve 8.9)
Entdo, para os materiais transparentes h uma relagdo entre o indice de refragio e a
constante dielétrica. Como jé foi mencionada anteriormente a redug80 da velocidade da
radiagdo no meio resulta da polarizagao eletrénica e do tamanho dos 4tomos ou fons
constituintes da estrutura do material considerado. Quanto maior o étomo ou fon, maior
serd a polarizacdo eletrénica e por conseqiiéncia menor a velocidade da radiaco no meio e
maior o indice de refracao.
A Tabela 8.2 exibe indices médios de refrago de alguns materiais transparentes.
Tabela 8.2
Viddto de si Las
‘Quartz 147
‘Alumina 1,76
Teflon 1,35
Polimetilmetaerilato 1.49
Polipropileno 1,49
Polietileno 1.49
84
AHRARARARAAARAAHRAAAAALARADLAAAAARAAAARAAAH ALZADO ‘MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA ~ VOL. 1
8.6 - FENOMENOS DE LUMINESCENCIA
Alguns materiais so capazes de absorver energia e reemiti-la sob forma de luz visivel num
fendmeno chamado de /uminescéncia. A energia & absorvida quando um clétron é
promovido para um estado de excitagdo energética. A energia absorvida pode ser suprida
por radiagdes eletromagnéticas de alta energia, por aquecimento (calor), energia de origem
mecinica ou quimica,
Contudo, a luminescéncia ¢ classificada de acordo com a extensio do tempo entre os
eventos da absorgao e da reemissdo. Se a reemisso ocorre em um tempo menor que um
segundo, 0 fendmeno € chamado de fluorescéncia. Quando ocorrer em um tempo superior
é chamado de fosforescéncia.
A luminescéncia oferece um numeroso campo de aplicagdes comerciais, como por
exemplo, as denominadas lampadas fluorescentes que so constituidas por um tubo em
cujas paredes ¢ fixado um material fluorescente ¢ no interior do qual ocorre uma descarga.
clétrica, a baixa pressdo, em presenga de vapor de mereirio, Produz-se, entio, uma radiago
ultravioleta que, na presenga do material fluorescente existente nas paredes, se transforma
em luz visivel.
Outros exemplos: as imagens produzidas nos tubos de TV sao produtos da luminescéncia.O
lado intemo da tela ¢ revestido com um material que fluoresce & medida que um feixe de
elétrons dentro do tubo de imagens atravessa muito rapidamente a tela.
Algumas jungdes retificadoras p-n, também podem ser usadas para gerar luz visivel,
segundo um processo conhecido por eletroluminescéncia. Tais diodos que emitem luz
visivel sto os familiares light-emitting diodes (LED), usados nos mostradores digitais..
Outros fenémenos éticos importantes e suas aplicagdes tais como o laser (light
amplification stimulated emission radiation), cabos éticos e fotocondutividade.podem
ainda ser citados.
LASERS
‘Um elétron decai de um estado de alta energia para um estado de menor energia sem qualquer provocagio
‘externa. Esses eventos de transigfo ocorrem independentemente uns dos outros e em momentos aleatérios,
produzindo uma radiagto que ¢ incoerente, ou seja, as ondas de luz esto fora de fase umas com as outras
Com os lasers uma luz coerente & gerada por transigbes eletrBnicas que s4o iniciadas por um estimulo externo.
Por esta razio a expresso Laser significa simplesmente o acrénimo em inglés para ampliagio da luz por
emissto estimulada de radiagao ( ight amplification by stimulated emisson of radiation).
Embora existam varios tipos diferentes de laser, os principios de operaglo sertio explicados utilizando-se
‘conto referéncia um laser de rubi em estado sélido. O rubi é simplesmente um monoeristal de Al,O; (sefira)
‘0 qual foi adicionado um teor de fons de Cr (de aproximadamente), 05%. Esses fons de Cr além de
conferir 20 rubi a sua colorago vermelha caracteristica proporcionam também estados eletrénices essenciais
‘para o funcionamento do laser.
© laser de rubi encontre-se na forma de um bastio, cujas extremidades s8o planas, paralelas, e altemente
polidas. Ambas as extremidades sio prateadas, de modo tal que uma das extremidades é totalmente reflexiva,
enquanio a outra é parcialmente transmissora, O rubi éiluminado com a luz oriunda de uma lampada de flash
de XenGnio, conforme ilustrado na Figura 8.5
85 ‘MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA — PROF. AELFO MARQUES LUNA - VOL. I
Extremidade planat,
semiprateada
Extremidade
plana prateada /
Nel ARRARE
Feixe de luz
monocromatica
Coerente
Lampada “fash”
Fig. 8.5 — Esquema de um “laser”. A energia dos fotons é absorvida pelo rubi e reemitida na forma de
tum feixe intenso de luz monocromatiea cocrente(adaptado do livro "Prinelpios de Ciéncia dos
Materiais" de Lawrence H. Van Viack - Edt. Edgard Blicher- SP)
Estado excitado
Excitaslo do elétron
Foton incidente
(lampada de xenénio) Foton de laser
Estado fundamental a
Fig. 8.6 - Diagrama esquemitico da energia para o laser de rubi, mostrando as trajetérias para
excitacto e o decaimento dos elétrons.
‘Antes de ser exposto a luz do flash todos os fons de Cr” encontram-se em seus estados fundamentais, isto 6
6s elétrons preenchem os niveis de energia mais baixos, como esté representado esquematicamente na Fig.
86:
Entretanto, os fotons da limpada de xendnio, com comprimento de onda de 0,56 jim, exeitam 05 elétrons dos
fons de Cr para estados de energia mais altos. Esses eléirons podem decair novamente para o seu estado
fundamental conforme duas trajetérias diferentes. Alguns decaem diretamente; as emissbes de fotons que
estBo associadas com esse tipo de decaimento nfo fazem parte do feixe de laser. Outros elétrons decaem para
um estado intermediério metaestivel (trajetiria FM da figura), onde eles podem ficar por até 3 ms antes de
hhaver uma emissio espontinea ( trajetGria MG). Em termos de processos eletrénicos 3 ms & um tempo
relativamente longo, o que significa que grandes nimeros desses estados metaestveis podem ficar ocupados.
A emissio espontinea inicial de fStons por uns poucos desses elétrons € o estimulo que dispara uma
avalanche de emiss6es dos demais elézrons no estado metaestével. Dos fétons direcionados paralelamente 20
longo do eixo do bastio do rubi, alguns so transmitidos através da extremidade parcialmente prateada;
‘outros,que incidem contra a extremidade totalmente prateada sto refletidos, Os fStons que néo s8o emitidos ‘MATERIAIS DE ENGENHARIA ELETRICA ~ PROF. AELFO MARQUES LUNA ~ VOL. I
nessa direglo axial sfo perdidos. O feixe de luz viaja repetidamente para frente © para trés ao longo do
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