17/08/2020 Exercícios de apoio 1 - Semana 3: ELETRÔNICA DIGITAL - EED001

ELETRÔNICA DIGITAL

Famílias NMOS, pseudo-NMOS, BiCMOS e

3 ECL

EXERCÍCIOS DE APOIO

Apenas para praticar. Não vale nota.

1. Apresentar a função na família NMOS.

RESPOSTA:

2. Considere o inversor da família NMOS abaixo, em que é um NMOS de enriquecimento e

, um NMOS de depleção:

https://cursos.univesp.br/courses/3131/pages/exercicios-de-apoio-1-semana-3?module_item_id=252221 1/7
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Sabe-se que à jusante se ligam portas TTL cujas entradas sugam/fornecem as correntes IIH
=15μA e IIL = 100μA. Considere que a porta NMOS coloca nas entradas das portas TLL as
tensões de 4,8 V e 0,2 V quando essas entradas estão nos níveis lógicos alto e baixo,
respetivamente.

Obtenha as dimensões de M1 e M2 para a porta NMOS poder atuar 10 portas à jusante com
as características anteriores.

Equações:

Na saturação

No tríodo

Com

RESPOSTA:

Com e

Como , , então e,
por isso, conduz e está em tríodo.

Como está em corte.

Nessas condições:

Então

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Observação: considere correto desde 33 até 33,5.

Com

Como , e , então e,
por isso, conduz e está em saturação.

Como , conduz e está em tríodo. tem de conseguir

conduzir a corrente que sai da porta TTL à jusante juntamente com uma corrente
vinda do NMOS de depleção.

A corrente vinda do NMOS de depleção (saturado) é:

Parece estranho que a corrente vinda de tenha aumentado, mas isso se deve a ele ter
deixado de funcionar em tríodo para funcionar em saturação. O importante é que, quando
está em tríodo, ele consegue suprir um mínimo de para a porta TTL.

A corrente total que flui no NMOS de enriquecimento (em tríodo) é:

é a soma de , arredondada à segunda casa decimal.

Observação: considere correto desde 36 até 36,5./

3. Considere o inversor ECL a seguir:

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Obtenha a potência total do circuito.

RESPOSTA:

4. Complete corretamente cada lacuna:

A tecnologia CMOS apresenta como vantagens, __________ e ________, porém apresenta

capacidade limitada de corrente. Por outro lado, a tecnologia bipolar é capaz de fornecer
_________. Com isso, ao utilizarmos ambas as tecnologias juntas, integradas em um
mesmo substrato, temos o que chamamos de dispositivos BiCMOS. Essa tecnologia oferece
as vantagens da tecnologia CMOS com a tecnologia bipolar.

RESPOSTA:

alta impedância de entrada; alta densidade de integração ; alta capacidade de corrente

5. Em comparação com os CMOS, os circuitos pseudo-NMOS são utilizados:

a. Em aplicações em que a saída fique chaveando entre os níveis alto e baixo

constantemente, pois a dissipação de potência estática é alta.
b. Em aplicações em que a saída fique no nível baixo constantemente, pois a
dissipação de potência estática é alta.

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c. Em aplicações em que a saída fique no nível alto constantemente, pois a dissipação

de potência estática é baixa.
d. Em aplicações em que a saída fique no nível baixo constantemente, pois a
dissipação de potência dinâmica é alta.

RESPOSTA:

A resposta correta é a alternativa c) - "Em aplicações em que a saída fique no nível

alto constantemente, pois a dissipação de potência estática é baixa."

6. Assinale Verdadeiro ou Falso:

a. Nos dispositivos ECL, os transistores nunca saturam, proporcionando uma

velocidade mais alta de funcionamento em comparação com os dispositivos CMOS.
Por outro lado, devido às suas margens de ruído, esses dispositivos são apropriados
para uso industrial.
b. Nos dispositivos ECL, os transistores nunca saturam, proporcionando uma
velocidade mais alta de funcionamento em comparação com os dispositivos CMOS.
Por outro lado, devido às suas margens de ruído, esses dispositivos não são
apropriados para uso industrial.
c. Nos dispositivos ECL, os transistores trabalham saturados, proporcionando uma
frequência mais baixa de funcionamento em comparação com os dispositivos CMOS.
Por outro lado, devido às suas margens de ruído, esses dispositivos não são
apropriados para uso industrial.
d. Nos dispositivos ECL, os transistores nunca saturam, proporcionando uma
frequência mais baixa de funcionamento em comparação com os dispositivos CMOS.
Por outro lado, devido às suas margens de ruído, esses dispositivos são apropriados
para uso industrial.
e. Nos dispositivos ECL, os transistores nunca saturam, proporcionando uma
frequência mais baixa de funcionamento em comparação com os dispositivos CMOS.
Por outro lado, devido às suas margens de ruído, esses dispositivos não são
apropriados para uso industrial.
f. Nos dispositivos ECL, os transistores trabalham saturados, proporcionando uma
velocidade mais alta de funcionamento em comparação com os dispositivos CMOS.
Por outro lado, devido às suas margens de ruído, esses dispositivos não são
apropriados para uso industrial.

RESPOSTA:

a) Falso

b) Verdadeiro

c) Falso

d) Falso

e) Verdadeiro

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f) Falso

7. A figura a seguir representa um inversor pseudo-NMOS.

Quando a tensão Vin for igual a Vdd, Vf tem um valor baixo. O transistor NMOS opera na
região de tríodo enquanto o PMOS limita a corrente, pois está saturado. Sabendo-se que:

Qual o valor da relação entre largura e comprimento de canal do transistor PMOS?

RESPOSTA:

A resposta correta é: 1.11

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ESCONDER
GABARITO

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