Semicondutores

Estrutura cristalina dos semicondutores

Quando os átomos se unem para formarem as moléculas de uma substância, a distribuição e

disposição desses átomos pode ser ordenada e organizada e designa-se por estrutura cristalina.
O Germânio e o Silício possuem uma estrutura cristalina cúbica como é mostrado na seguinte
figura.

Átomo de silício

Ligação covalente

Nessa estrutura cristalina, cada átomo

(representado por Si) une-se a outros
quatro átomos vizinhos, por meio de
ligações covalentes, e cada um dos
quatro electrões de valência de um
átomo é compartilhado com um electrão
do átomo vizinho, de modo que dois
átomos adjacentes compartilham os dois
electrões.

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Estrutura cristalina dos semicondutores

Na prática, a estrutura cristalina

ilustrada na figura só é conseguida
quando o cristal de silício é submetido à
temperatura de zero graus absolutos (ou
-273ºC). Nessa temperatura, todas as
ligações covalentes estão completas os
átomos têm oito electrões de valência o
que faz com que o átomo tenha
estabilidade química e molecular, logo
não há electrões livres e,
consequentemente o material comporta-
se como um isolante.

Semicondutor intrínseco

Um semicondutor intrínseco é
um semicondutor no estado
puro. À temperatura de zero
graus absolutos (-273ºC)
comporta-se como um isolante,
mas à temperatura ambiente
(20ºC) já se torna um condutor
porque o calor fornece a energia
térmica necessária para que
alguns dos electrões de valência
deixem a ligação covalente
(deixando no seu lugar uma
lacuna) passando a existir
alguns electrões livres no
semicondutor.

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Semicondutor extrínseco

Há diversas formas de se provocar o aparecimento de pares electrão-lacuna livres no interior de

um cristal semicondutor. Um deles é através da energia térmica (ou calor). Outra maneira,
consiste em fazer com que um feixe de luz incida sobre o material semicondutor.
Na prática, contudo, necessitamos de um cristal semicondutor em que o número de electrões
livres seja bem superior ao número de lacunas, ou de um cristal onde o número de lacunas seja
bem superior ao número de electrões livres. Isto é conseguido tomando-se um cristal
semicondutor puro (intrínseco) e adicionando-se a ele (dopagem), por meio de técnicas
especiais, uma determinada quantidade de outros tipos de átomos, aos quais chamamos de
impurezas.
Quando são adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrínseco) este passa a denominar-
se por semicondutor extrínseco.

Processo de dopagem

Quando são adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrínseco), este passa a ser um
semicondutor extrínseco.
As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor intrínseco podem ser de dois tipos:
impurezas ou átomos dadores e impurezas ou átomos aceitadores.

Átomos dadores têm cinco electrões de valência (são pentavalentes):

Arsénio (AS), Fósforo (P) ou Antimónio (Sb).

Átomos aceitadores têm três electrões de valência (são trivalentes): Índio (In),
Gálio (Ga), Boro (B) ou Alumínio (Al).

Semicondutor do tipo N

A introdução de átomos
pentavalentes (como o Arsénio)
num semicondutor puro
Electrão (intrínseco) faz com que
livre do apareçam electrões livres no seu
Arsénio interior. Como esses átomos
fornecem (doam) electrões ao
cristal semicondutor eles
recebem o nome de impurezas
dadoras ou átomos dadores.
Todo o cristal de Silício ou
Germânio, dopado com
impurezas dadoras é designado
por semicondutor do tipo N (N
de negativo, referindo-se à
carga do electrão).

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Semicondutor do tipo P

A introdução de átomos trivalentes

(como o Índio) num semicondutor
puro (intrínseco) faz com que
apareçam lacunas livres no seu
interior. Como esses átomos
recebem (ou aceitam) electrões
eles são denominados impurezas
aceitadoras ou átomos
aceitadores. Todo o cristal puro
de Silício ou Germânio, dopado
com impurezas aceitadoras é
designado por semicondutor do
tipo P (P de positivo, referindo-se
à falta da carga negativa do
electrão).

Portadores maioritários e minoritários

Num semicondutor extrínseco do tipo N os electrões estão em maioria designando-se por

portadores maioritários da corrente eléctrica. As lacunas (que são a ausência de um electrão), por
sua vez, estão em minoria e designam-se por portadores minoritários da corrente eléctrica.

Num semicondutor extrínseco do tipo P as lacunas estão em maioria designando-se por

portadores maioritários da corrente eléctrica. Os electrões, por sua vez, estão em minoria e
designam-se por portadores minoritários da corrente eléctrica.

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Movimento dos electrões e das lacunas nos semicondutores do tipo N

Num cristal semicondutor tipo N o fluxo de electrões será muito mais intenso (sete larga) que o
fluxo de lacunas (sete estreita) porque o número de electrões livres (portadores maioritários) é
muito maior que o número de lacunas (portadores minoritários).

Electrões Electrões

A lacuna comporta-se como se fosse uma partícula semelhante ao electrão, porém com carga
eléctrica positiva. Isto significa que, quando o semicondutor é submetido a uma diferença de
potencial, a lacuna pode mover-se do mesmo modo que o electrão, mas em sentido contrário,
uma vez que possui carga eléctrica contrária. Enquanto os electrões livres se deslocam em
direcção ao pólo positivo do gerador, as lacunas deslocam-se em direcção ao pólo negativo.

Movimento dos electrões e das lacunas nos semicondutores do tipo P

Num cristal semicondutor tipo P o fluxo de lacunas será muito mais intenso (sete larga) que o
fluxo de electrões (sete estreita) porque o número de lacunas livres (portadores maioritários) é
muito maior que o número de electrões livres (portadores minoritários).

Electrões Electrões

A lacuna comporta-se como se fosse uma partícula semelhante ao electrão, porém com carga
eléctrica positiva. Isto significa que, quando o semicondutor é submetido a uma diferença de
potencial, a lacuna pode mover-se do mesmo modo que o electrão, mas em sentido contrário,
uma vez que possui carga eléctrica contrária. Enquanto os electrões livres se deslocam em
direcção ao pólo positivo do gerador, as lacunas deslocam-se em direcção ao pólo negativo.

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