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figura 2teremos uma capacitância total em paralelo com L dado pela equação (1).
" #
gm
Ctotal = C + Cµ 1 + (1)
gπ + R1 //R1 2 +rx
O efeito dos parâmetros do transistor sobre ωo pode ser reduzido a um mı́nimo se for
possı́vel fazer Cduas ou três ordens de grandezas maior do que Cµ .
gm = 0, 2mho
rπ = 400Ω
rx = 30Ω
Cπ = 50pF
Cµ = 2, 5pF
Logo,
ft
fβ = βo = 7, 5M Hz
Como esta frequência é bem superior a 455kHz, podemos desprezar as capacitâncias
internas do transistor.
Sabemos que na ressonância teremos, para qualquer filtro passa-faixas, apenas carga
resistiva, logo o ganho do amplificador na frequência de ressonância
Vo rx
=− .gm .RL (2)
Vi R1//R2//(rx + rπ )
Vo rx
=− .gm .RL (4)
Vi rx + rπ + R s
AEDB Introdução as Telecomunicações 13 de março de 2004
Princı́pios de Telecomunicações 3 Arlei Fonseca Barcelos
Vo 400
=− .(0, 2.500) = −59 (5)
Vi 30 + 400 + 250
f req. central ωo
Q= = (6)
larg. da f aixa ∆ω
logo
455.103
Q= = 45, 5 (7)
10.103
e
R 500
L= = = 3, 85µ.H (8)
ωo .Q 2.π.455.103 .45, 5
de
1
ωo = √ (9)
LC
temos que
1 1
C= 2
= 3 2 −
= 3, 18.104 pF (10)
L.ωo (455.10 ) .3, 84 6