MD_UDxxxxxx_V(11)Pt

Módulo II

Arquitetura de computadores II

4 Memória
UD006493_V(03)
 MEMÓRIA

ÍNDICE

MOTIVAÇÃO......................................................................................... 3 
OBJETIVOS .......................................................................................... 4 
INTRODUÇÃO ....................................................................................... 5 
1. O QUE É A MEMÓRIA......................................................................... 7 
2. OS DIFERENTES TIPOS DE MÓDULOS DE MEMÓRIA ........................... 11 
2.1.  SIMM DE 30 PINOS ................................................................ 11 
2.2.  SIMM DE 72 PINOS ................................................................ 12 
2.3.  MEMÓRIA EM PLACAS PCMCIA.................................................. 12 
2.4.  MÓDULOS DIMM ..................................................................... 13 
2.5.  SMALL OUTLINE DIMM (SO-DIMM) ............................................. 13 
2.6.  RIMM (RAMBUS INLINE MEMORY MODULE) .............................. 14 
2.7.  DDR, DDR2, DDR3 E DDR4 (DOUBLE DATA RATE) .................. 14 
3. FATORES CARACTERÍSTICOS DA MEMÓRIA ...................................... 16 
3.1.  INTEGRIDADE DE DADOS .......................................................... 16 
3.2.  O CONTROLADOR DE MEMÓRIA ................................................ 17 
3.3.  CONTROLO DE PARIDADE ......................................................... 17 
3.4.  ECC ...................................................................................... 17 
3.5.  ATUALIZAÇÃO ......................................................................... 17 
3.6.  VOLTAGEM ............................................................................. 18 
3.7.  MÓDULOS COMPOSTOS E NÃO COMPOSTOS ............................. 18 
4. DIFERENTES TIPOS DE MEMÓRIA RAM ........................................... 19 
4.1.  DRAM ................................................................................... 19 

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Unidade didática 4
 MEMÓRIA

4.2.  FPM...................................................................................... 21 

4.3.  EDO...................................................................................... 21 
4.4.  SDRAM ................................................................................ 22 
4.5.  PC-100 DRAM ..................................................................... 23 
4.6.  BEDO ................................................................................... 24 
4.7.  RDRAM ................................................................................ 25 
4.8.  SRAM ................................................................................... 26 
4.9.  DDR SDRAM ........................................................................ 26 
4.10.  SLDRAM............................................................................. 27 
4.11.  ESDRAM ............................................................................ 28 
5. COMO CONHECER A MARCA E A VELOCIDADE DA MEMÓRIA.............. 29 
6. MEMÓRIA ROM............................................................................. 30 
6.1.  PROM .................................................................................. 30 
6.2.  EPROM ................................................................................ 31 
6.3.  EEPROM .............................................................................. 31 
6.4.  FLASH MEMORY ................................................................. 32 
CONCLUSÃO...................................................................................... 33 
RESUMO ........................................................................................... 34 
AUTOAVALIAÇÃO ............................................................................... 37 
SOLUÇÕES ........................................................................................ 41 
PROPOSTAS DE DESENVOLVIMENTO DO ESTUDO ................................. 42 
BIBLIOGRAFIA .................................................................................... 43 

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Unidade didática 4
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MOTIVAÇÃO

A memória de acesso aleatório é o tipo de memória mais conhecido pelos utili-

zadores. É também a que teve mais alterações, ao longo do tempo, e é a que
pode ocasionar mais gastos aos mesmos.

Nesta unidade veremos o que é, o seu aspeto, como funciona e quais são os
diferentes tipos de memória existentes no mercado.

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Unidade didática 4
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OBJETIVOS

Esta unidade didática tem como objetivos:

 Saber o que é a memória RAM.

 Conhecer os diferentes modelos de memória RAM.
 Saber o que é a memória ROM.
 Reconhecer diferentes modelos de memória ROM.

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Unidade didática 4
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INTRODUÇÃO

Uma das partes mais importantes de um computador é a memória RAM. Quando

se executa um programa, ele é carregado na memória RAM, em conjunto com os
dados que o programa utiliza.

Inicialmente, os computadores tinham muito pouca RAM, mas como os

programas têm sido melhorados e os periféricos necessitam de melhores
desempenhos (melhores resoluções, maior número de cores, etc.), a neces-
sidade de aumentar a memória RAM foi crescendo.

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Unidade didática 4
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1. O QUE É A MEMÓRIA
De forma similar a um microprocessador, um módulo de memória é um circuito
integrado, fabricado com milhões de transístores e condensadores. Os compu-
tadores podem utilizar uma forma de memória denominada dynamic random
access memory (memória de acesso aleatório dinâmica – seguidamente desig-
nada por DRAM). Neste tipo de memória estão emparelhados um transístor e
um condensador para formar uma célula de memória. Esta célula de memória
representa um bit de dados.

O condensador armazena o bit de informação, enquanto o transístor age como

um interruptor, permitindo ao circuito de controlo de memória do chip ler esse
estado ou transformá-lo.

1 bit é um dígito binário, ou seja, um 0 ou um 1.

Um condensador é como um pequeno poço de dados que armazena eletrões.

Para armazenar um 1, deve estar cheio de eletrões; para armazenar um zero,
deve estar vazio. O problema é que um condensador é como um poço, mas
com um furo no fundo, quer dizer tem uma fuga contínua de eletrões, pelo qual
o condensador faz as descargas, com o tempo, seguindo também essa direção.
Em milissegundos, um condensador cheio fica vazio. Por esse motivo, o contro-
lador de memória tem de recarregar, de uma forma contínua, todos os conden-
sadores, antes que se descarreguem. Para realizar esta tarefa, o controlador de
memória lê todas as células de memória e depois reescreve-as com os mesmos
valores que tinham. Chama-se a esta operação “atualizar” a memória, e realiza-
se mil vezes por segundo.

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Unidade didática 4
 MEMÓRIA

É devido a esta operação de atualização que se chama a este tipo de

memória “dinâmica”. A DRAM tem que ser atualizada de forma contínua
ou, caso contrário, perderá a informação que está a armazenar.

As células de memória gravam-se numa placa de silício, em forma de matriz, com

colunas e filas. As colunas denominam-se bitlines e as filas wordlines. A interse-
ção de uma bitline e de uma wordline forma um endereço de memória. A carga
envia-se através da coluna para ativar os transístores de cada bit da coluna.
Quando se escreve nas células, as filas armazenam o estado do condensador. Se
a carga for superior a 50%, lê-se um 1, se for menor, lê-se um 0. O tempo neces-
sário para realizar esta operação expressa-se em nanossegundos.

Por exemplo, uma memória com um tempo de acesso de 70

nanossegundos precisa de 70 nanossegundos para ler e
recarregar completamente cada célula.

Contudo, as células, por si só, não poderiam realizar uma operação. Para isso
necessitam de alguns circuitos especializados em tarefas como:

 Identificar cada fila e cada coluna;

 Manter a ordem da sequência de atualização;
 Ler e restaurar o sinal de uma célula;
 Dizer a uma célula quando pode ter carga ou não.

Outras funções do controlador de memória incluem tarefas como identificar o

tipo, velocidade e quantidade de memória e a verificação de erros.

A memória estática utiliza uma tecnologia completamente diferente. Em vez de

condensadores e, para evitar o problema da atualização, esta memória utiliza
um elemento conhecido como flip-flop. Um flip-flop de uma célula de memória
utiliza 4 ou 6 transístores cablados.

Uma célula de memória estática ocupa mais espaço do que uma célula di-
nâmica, porque tem mais componentes. Isto leva-nos à seguinte conclusão:
num mesmo chip cabem menos células estáticas do que dinâmicas. Esta
questão refere-se ao facto de a memória estática ser muito mais cara do que
a dinâmica. A estática utiliza-se em cache e, sobretudo, em memórias de
pequena dimensão.

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Unidade didática 4
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Flip-flops
Uma das coisas mais interessantes que se podem fazer, utilizan-
do portas lógicas, é criar memória com elas. Se colocarmos uma
série de portas lógicas, ligadas corretamente, podemos fazer com
que estas recordem o valor de entrada. Este conceito tão simples
é a base da memória RAM. A memória baseia-se num conceito
denominado feedback ou retroalimentação em português, ou
seja, a saída de uma porta é utilizada novamente como entrada.
A retroalimentação mais simples utiliza inversores, como pode-
mos ver seguidamente.

Seguindo a seta, podemos ver que Q será 1 sempre que for 1, e 0

sempre que seja 0. Não tem muita utilidade, mas permite-nos ver
como funciona a retroalimentação.

Um exemplo de um circuito mais real é o que se utiliza nas

portas NAND.

Este circuito tem duas entradas (R e S) e duas saídas (Q e Q’). Devido

à retroalimentação, a tabela lógica pode parecer um pouco invulgar:

R S Q Q'
0 0 Ilegal
0 1 1 0
1 0 0 1
1 1 Armazena

A tabela mostra que:

Se R e S são opostos (1 e 0) Q entra por S e Q’ é inverso de Q.
Se ambas as entradas forem 1, o circuito recorda a entrada.

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Também existe um estado ilegal. Neste estado R e S valem 0,

que não chega para construir a memória. Para evitar esta
situação, teríamos que redesenhar o circuito, como se segue.

Neste circuito existem as duas entradas (D e E). Podemos asso-

ciar D a dados e E a ativado. Se E for 1 então Q passa a D. Se E
muda para 0, Q armazenará o dado seja qual for o último que
tenha chegado a D. Este tipo de circuito denomina-se flip-flop.

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2. OS DIFERENTES TIPOS DE MÓDULOS DE

MEMÓRIA

2.1. SIMM DE 30 PINOS

São as SIMM próprias das primeiras placas com micros de 32 bits (386 e 486).
Suponhamos que uma destas placas suporta 8 bits de dados e possui 30 pinos:
necessitaremos de 4 SIMM de 30 pinos para conseguir os 32 bits. Habitualmen-
te, estas placas têm 8 conexões divididas em duas áreas de 4 conexões cada
uma. O microprocessador só pode direcionar uma das duas áreas em cada
momento.

Figura 1. SIMM de 30 pinos.

Em alguns computadores, o facto de se misturar SIMM de diferentes capacida-

des na mesma área pode produzir efeitos, como uma má deteção da quantidade
de memória do sistema ou fazem com que o computador não arranque.

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Unidade didática 4
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2.2. SIMM DE 72 PINOS

Os SIMM de 72 pinos desenvolveram-se para satisfazer as necessidades cada
vez maiores de expansão da memória. Um SIMM de 72 pinos suporta 32 bits
de dados, o que quer dizer que é 4 vezes o número de bits de dados suporta-
dos pelas SIMM de 30 pinos. Nas placas com micros de 32 bits (Intel 386 e
486) é apenas necessário uma SIMM de 72 pinos por área, para proporcionar
ao microprocessador os 32 bits de dados.

Figura 2. SIMM de 72 pinos.

Os microprocessadores Pentium, com 64 bits para comunicações externas

(ainda que internamente tenham microprocessadores de 32 bits), necessitam de
utilizar grupos de 2 SIMM para proporcionar os 64 bits necessários.

2.3. MEMÓRIA EM PLACAS PCMCIA

As placas PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association),

do tamanho de um cartão de crédito, um pouco mais espessas, são desenhadas
para serem utilizadas em computadores portáteis, sendo o seu uso ideal em
computadores que se encontram em espaços limitados.

Figura 3. Placa PCMCIA.

Estas placas PCMCIA utilizam-se, entre outras coisas, para expandir a memó-
ria neste tipo de computadores. Existem outros tipos de placas PCMCIA para
portáteis, não necessariamente de memória, tais como as placas modem-fax
ou as placas de Ethernet.

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2.4. MÓDULOS DIMM

Os módulos DIMM (Dual In-Line Memory Module) são similares aos SIMM, ainda
que tenham diferenças notórias.

Como as SIMM, as DIMM instalam-se verticalmente nas ranhuras de memória

da placa principal.

Figura 4. Memória DIMM.

Contudo, uma DIMM dispõe de 168 pinos, metade em cada face, separados
entre si. As DIMM instalam-se nas placas que suportam habitualmente um bus
de memória de 64 bits ou mais.

Habitualmente, são os módulos que se montam em todas as placas Pentium II

com chipset LX, e, hoje em dia, converteram-se no padrão de memória.

2.5. SMALL OUTLINE DIMM (SO-DIMM)

Outro tipo de memória habitualmente utilizada em computadores portáteis é a

chamada SO-DIMM. Uma SO-DIMM é muito parecida com a SIMM de 72 pinos,
mas tem um tamanho reduzido e uma série de diferenças técnicas.

Figura 5. Memória SO-DIMM.

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2.6. RIMM (RAMBUS INLINE MEMORY MODULE)

Têm um barramento a 16 bits, com uma velocidade de relógio muito grande.

Usam uma voltagem de 2,5 Volt, internamente reduzidos a 0,5 Volt. Isto reduz
muitíssimo a temperatura.

O seu chip interno de controlo que monitoriza a temperatura e reduz a velocida-

de da mesma, no caso de sobreaquecimento, é a sua grande mais-valia. Este
chip pode ainda desligar as secções da memória que não estão a ser usadas.

Para usar RIMM’s temos de ocupar todos os slots da board. Os RIMM’s traba-
lham aos pares.

Figura 6. Memória RIMM.

2.7. DDR, DDR2, DDR3 E DDR4 (DOUBLE DATA RATE)

As primeiras memórias DDR duplicaram as taxas de transferência das suas

antecessoras SDRAM. Conseguiram-no trabalhando sincronizadas com o
clock do computador.

Uma das características mais interessantes das DDR é o DUAL DDR, que
consiste na capacidade que estas memórias têm de usar dois módulos
idênticos, em que estes trabalhem como se se tratassem de apenas um,
com a capacidade da soma das capacidades de ambos. Para usar Dual
DDR, a motherboard tem de possuir esta capacidade.

Figura 7. Encapsulamento DDR e Encapsulamento DDR2.

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As DDR2 aumentaram as velocidades em relação às DDR diminuindo os con-

sumos de energia para 1,8 Volt. Os módulos DD2 possuem 240 contactos.

A duração dos impulsos de clock foi reduzida a um terço entre as DDR266 e

as DDR2-800; isto é bem demonstrativo da evolução de DDR para DDR2. Já a
terceira geração de DDR eleva a largura de banda, reduz o consumo em 40%
e funciona a uma tensão de 1,5 Volt, reduzindo assim o consumo de potência
e a criação de calor, aumentando o desempenho. Outra vantagem, em relação
às gerações anteriores, é o seu bus de 8 bits, contrastando com os 4 bits
(DDR2) e 2 bits (DDR).

As DDR4 ou GDDR4 (G de graphics) foram desenvolvidas a pensar nas pla-

cas gráficas. Processam dados a 2,5Gb/s, em oposição aos 1,6Gb/das
DDR3. Possuem duas tecnologias que eliminam os atrasos de transferência,
que se verificavam nas gerações anteriores: a DBI (Data Bus Inversion) e a
Multi-Preamble.

3.

3.
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 MEMÓRIA

3. FATORES CARACTERÍSTICOS DA MEMÓRIA

3.1. INTEGRIDADE DE DADOS

Um dos aspetos, no desenho da memória, implica assegurar a integridade dos

dados nela armazenados. Atualmente existem dois métodos principais para
assegurar a integridade dos dados:

Paridade: é o método mais antigo, que apenas identifica as alterações nos dados
que entram nas memórias. A paridade consiste em adicionar um bit a cada byte
de memória (passam a ter 9 bits), sendo que este último tem a função de verificar
alterações nos dados.

Esta operação de verificação dos dados, através da paridade, é simples: os bits “1”
de cada byte são contados. Se a contagem for par, o bit de paridade assume o valor
“1”, se for ímpar, o 9º bit assume o valor “0”. Quando o processador os requisita, os
dados são verificados pelo circuito de paridade. O número de bits “1” tem de corres-
ponder ao número guardado no 9º bit.

Se for detetada alguma alteração nestes dados, o processador recebe uma

mensagem de erro.

Códigos de Correção de Erros (ECC): este método é mais completo que a paridade.
Além de verificar condições de erro, permite a recuperação de um bit com erro, de
forma automática.

Usando um algoritmo (sequência matemática) especial e trabalhando, em conjunto,

com o circuito controlador de memória do sistema, o ECC verifica a existência de
uma ou várias condições de erro. Se mais de um bit contiver erros, apenas um é
recuperado e o sistema recebe a indicação de erro de paridade.

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3.2. O CONTROLADOR DE MEMÓRIA

Também conhecido por MMU (Memory Manager Unit, unidade de gestão de

memória), é um componente essencial em qualquer computador. É simples-
mente um chip (atualmente pode estar integrado como parte de outro chip
ou do microprocessador) cuja função consiste em controlar o intercâmbio de
dados entre o microprocessador e a memória. O controlador de memória
determina o funcionamento do controlo de erros, se existirem.

É muito importante determinar a necessidade de introduzir ou não um sistema

de memória com controlo de integridade. Geralmente, implementa-se em
grandes servidores e computadores de alto rendimento, onde a integridade de
dados é um fator importante.

3.3. CONTROLO DE PARIDADE

Quando se implementa um sistema de paridade num sistema informático, arma-

zena-se um bit de paridade por cada 8 bits de dados. Existem dois tipos de
controlo de paridade: paridade par e paridade ímpar, dependendo do que se
controla: o número de zeros ou de uns em cada grupo de 8 bits em memória. O
método de controlo de paridade tem as suas limitações. Por exemplo, um sis-
tema de controlo de paridade pode detetar erros, mas não corrigi-los. Pode
inclusivamente dar-se o caso de vários bits estarem errados e o sistema não
detetar nenhum erro.

3.4. ECC

Este é um método que se instala em grandes servidores e equipamentos com

grande rendimento. A importância deste método é o facto de ser capaz de dete-
tar e corrigir erros de 1 bit. Tudo isto ocorre sem que o utilizador tenha consciên-
cia disso. Quando se detetam múltiplos erros, em vários bits, o sistema acaba por
devolver um erro de paridade na memória.

3.5. ATUALIZAÇÃO

Um módulo de memória é fabricado baseado em três células elétricas. O pro-

cesso de atualização recarrega essas células, que se distribuem no chip em
filas. A taxa de atualização refere-se ao número de filas que se devem atualizar.
Duas taxas de atualização típicas são as de 2 e 4 Kb.

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Os componentes DRAM, especialmente desenhados, são os que utilizam tecnolo-

gia de autoatualização, que faz com que os componentes se atualizem a si pró-
prios. Esta tecnologia de autoatualização encontra-se integrada dentro do próprio
chip, reduz drasticamente o consumo de energia e utiliza-se frequentemente em
computadores portáteis.

3.6. VOLTAGEM

As memórias do computador operam normalmente entre 5 e 1,5 Volts. Até há

pouco tempo, o standard era de 5 volts. Atualmente, os chips operam a até 1,5
Volts, são mais rápidos e consomem menos energia.

3.7. MÓDULOS COMPOSTOS E NÃO COMPOSTOS

Os termos composto e não composto referem-se ao número de chips usados

num determinado módulo de memória.

Um módulo não composto é o que utiliza poucos chips. Estes chips devem ter
uma grande densidade de integração. Isto é possível integrando uma maior
quantidade de memória no mesmo módulo, o quando antes. Com os módulos
compostos, seria necessário um maior número de chips para conseguir a mes-
ma quantidade de memória.

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4. DIFERENTES TIPOS DE MEMÓRIA RAM

4.1. DRAM

Dynamic RAM, ou simplesmente RAM, pois é “a original" e também a mais lenta.

Dinâmica significa que, num determinado intervalo de tempo, terá de ser feita a
atualização das células de memória, porque senão for deste modo perde-se
informação que contém, ou podem ocorrer más interpretações do conteúdo da
memória.

Usada até à altura do 386, a sua velocidade de atualização habitual é de 80 ou 70

nanossegundos (ns), tempo que demora a esvaziar-se para poder dar entrada à
série de dados seguinte, por isso, a mais rápida é a de 70 ns.

Fisicamente, tem a forma da SIMM. Necessita de uma atualização contínua,

porque mantém um dado durante muito pouco tempo.

Os chips de memória DRAM costumam estar principalmente em três formas:

DIP, SOJ e TSOP.

Os DIP (Dual Inline Package) eram um tipo de encapsulamento muito popular

nos tempos em que os circuitos de memória se colocavam diretamente na pla-
ca. Podiam estar soldados ou incrustados nas conexões da placa.

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Figura 8. Imagem de um DIP.

Os SOJ (Small Outlined J-Lead) são outro tipo de encapsulamento de memória

que se montam diretamente na superfície do circuito impresso. Têm 3 mm de
espessura.

Figura 9. Imagem de um SOJ.

Finalmente, os TSOP (Thin, Small Outlined Package) consolidaram-se no mer-

cado com o nascimento dos módulos SIMM, até se converterem atualmente na
forma do encapsulamento DRAM mais alargado.

Figura 10. Imagem de um TSOP.

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Dentro do TSOP existem duas formas:

 TSOP I: 1 mm de espessura, 0,5 mm de distância entre pins.

 TSOP II: 1 mm de espessura, 0,5 mm de distância entre pins no esquele-
to, que se amplia até 1,27 mm de distância no final do pin. As TSOP
RAM encontram-se sempre que a altura for reduzida, por exemplo em
placas de chips.

4.2. FPM

Fast Page Mode, ou Página de Modo Rápido: atualmente, já não se fabrica e

podemos encontrá-la apenas nos computadores Pentium em segunda mão. O
tempo de acesso deste tipo de memória é de 70 nanossegundos. Por isso, co-
meçou a chamar-se RAM normal ou padrão. Usada com os primeiros Pentium,
fisicamente aparece com 30 ou 72 pinos (os de 72 nos Pentium e em alguns
486).

Figura 11. Memória FPM.

4.3. EDO

Extended Data Output, ou Saída de Dados Alargada: é um padrão de memó-

rias. Esta memória permite que haja uma nova leitura, antes que a anterior se
complete, e o seu tempo de acesso é entre 40 e 60 nanossegundos. É claro
que quanto mais conhecida for a marca da memória, mais rápida ela será.

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Figura 12. Memória EDO.

Enquanto a memória tipo FPM só podia aceder a um único byte (uma instrução
ou valor) de informação de cada vez, a memória EDO permite mover um bloco
completo de memória, na cache interna do processador, para um acesso mais
rápido por parte deste.

A sua compatibilidade é muito alta e o seu preço muito baixo, o que a transformou
na opção mais popular hoje em dia. Instala-se sobretudo em SIMM de 72 pinos,
ainda que exista em forma de DIMM de 168.

4.4. SDRAM

Synchronous DRAM: é um tipo síncrono de memória que, logicamente, se

sincroniza com o processador, ou seja, o processador pode conter informa-
ção em cada ciclo de relógio, sem estados de espera, como no caso das
memórias anteriores.

A memória EDO foi criada para funcionar a uma velocidade máxima de BUS de
66 MHz (a máxima velocidade de bus do processador da Intel e o dobro da ve-
locidade da BUS PCI), chegando a alcançar 75MHz e 83 MHz (necessárias para
alguns processadores da CYRIX, ou para fazer OVERCLOCKING!) nos módulos
de 45 e 50 ns, embora seja algo instável. Contudo, a memória SDRAM pode
aceitar velocidades de bus até 100 MHz, chegando a alcançar velocidades de
10 ns. Apresenta-se em módulos DIMM de 168 pinos (64 bits).

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Unidade didática 4
 MEMÓRIA

Ser uma memória de 64 bits, igual à dos processadores Pentium, Pentium

Pro e Pentium II, implica que não é necessário instalar os módulos em pares
de módulos do mesmo tamanho, velocidade e marca (esta última é muito
recomendável e quase sempre imprescindível).

Este tipo de memória só é suportado pelos chipsets 430VX e 430TX da Intel

para Pentium, 440LX de Intel para Pentium II e os chipsets 580VP, 590VP e
680VP da VIA Technologies.

Figura 13. Imagem de uma SDRAM (em alçado e de perfil).

4.5. PC-100 DRAM

Este tipo de memória, em princípio com tecnologia SDRAM, embora também

exista com EDO, cumpre as especificações estabelecidas pela INTEL para o
funcionamento correto e estável da memória RAM, com o novo bus de 100MHz
implementado no seu chipset 440BX.

A especificação deste tipo de memória baseia-se sobretudo na utilização não só

de chips de memória de alta qualidade, mas também em circuitos impressos de
alta qualidade de 6 ou 8 camadas, ao contrário das habituais 4; relativamente ao
circuito impresso, este deve cumprir as tolerâncias mínimas de interferência
elétrica; por último, os ciclos de memória também devem cumprir especifica-
ções muito exigentes.

De maneira a evitar possíveis confusões, os módulos com este modelo devem

estar identificados deste modo: PC100-abc-def.

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Figura 14. Memória PC-100 DRAM.

4.6. BEDO

A Burst Extended Data Output foi desenhada originalmente para o conjunto de

chipsets de Intel 430HX para poder suportar maiores velocidades de BUS.

Como na memória SDRAM, esta memória é capaz de transferir dados ao

processador em cada ciclo de relógio, não de uma forma contínua, como a
anterior, mas em impulsos (burst), reduzindo sem suprimir totalmente os
tempos de espera do processador, para escrever ou ler dados de memória.

Figura 15. Memória BEDO.

Burst: concentração de bits numa unidade à qual se pode aceder

muito rapidamente. A velocidade de acesso a um burst geralmente
define-se em séries de números nas configurações da BIOS, onde
cada dígito descreve o número de ciclos de relógio necessários
para o acesso burst a um bit. O total de dígitos indica quantos bits
compreende o burst.

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Unidade didática 4
 MEMÓRIA

4.7. RDRAM

Rambus DRAM - DRAM de alta velocidade para a utilização da tecnologia

Rambus. As RDRAM contêm uma memória estática interna que integra a fila
de memória lida da última vez.

Figura 16. Memória RDRAM.

Rambus: conceito de bus de memória de alta velocidade. Este

tipo de tecnologia foi desenvolvido pela empresa Rambus Inc. e
comercializado pela Intel.

É um tipo de memória de 64 bits que pode produzir impulsos de 2 ns e pode

alcançar taxas de transferência de 533 MHz, com picos de 1,6 GB/s. É o
complemento ideal para as placas gráficas AGP, evitando os pontos críticos
na transferência entre a placa gráfica e a memória do sistema durante o
acesso direto à memória (DIME) para o armazenamento de texturas gráficas.

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Unidade didática 4
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4.8. SRAM

Static Random Access Memory, ou memória estática de acesso aleatório.

Por se chamar estática, não significa que se trata de memória somente de
leitura, mas sim que não é necessária a atualização dinâmica das células de
memória, que podem ser modificadas em qualquer momento. Com as SRAM
pode aceder-se à informação de uma forma mais rápida que com as DRAM.
Os tempos de acesso andam à volta de 10 ns. Trata-se de uma memória
muito cara e por isso pouco utilizada.

Figura 17. Memória SRAM.

4.9. DDR SDRAM

Double Data Rate SDRAM, ou SDRAM-II: funcionará a velocidades de 83, 100 e

125 MHz, podendo duplicar estas velocidades na transferência de dados para a
memória. No futuro, esta velocidade pode inclusive chegar a triplicar ou a qua-
druplicar, adaptando-se assim aos novos processadores e à bus AGP 100Mhz
x2 e x4.

Estes tipos de memória têm a vantagem de ser uma extensão da memória

SDRAM, facilitando a sua implementação pela maioria dos fabricantes, mesmo
que não disponham do apoio da INTEL e, além disso, por ser uma arquitetura
aberta, não teriam que pagar direitos à Intel nem a outro fabricante.

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Unidade didática 4
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Figura 18. Memória DDR.

Pode encontrar vários tipos de DDR.

4.10. SLDRAM

Funcionará a velocidades de 400MHz, alcançando em modo duplicado

800MHz, com transferências de 800MB/s, chegando a alcançar 1,6GHz, 3,2GHz
no modo de duplicação e até 4GB/s de transferência. Acredita-se que pode ser
a memória a utilizar nos grandes servidores, pela sua grande capacidade de
transferência de dados.

Figura 19. Memória SLDRAM.

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4.11. ESDRAM

Este tipo de memória é apoiado pela ALPHA, que pensa utilizá-la nos seus futuros
sistemas. Funciona a 133MHz e alcança transferências até 1,6 GB/s, podendo
chegar a alcançar em modo duplo, com uma velocidade de 150MHz, até 3,2 GB/s.

Figura 20. Memória ESDRAM.

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5. COMO CONHECER A MARCA E A VELOCIDADE

DA MEMÓRIA

Cada chip de memória tem gravadas letras e números. Normalmente, o último

número refere-se à velocidade da memória (-7/-70=70 nanossegundos, -6/60=
60ns, -10=10 nanossegundos) e as primeiras letras correspondem à sequência
de identificação do fabricante. Junto a cada uma destas siglas, os fabricantes
indicam o tipo de memória. Por exemplo, um 4 é a DRAM, 42 a VRAM e 45 a
SDRAM. Os módulos que trabalham com frequências de bus de 100 MHz inclu-
em PC100.

Muitas vezes, os fabricantes não incorporam o seu número nos chips, mas sim
o seu logótipo. Contudo, deve sempre aparecer a sequência de identificação.
Aqui está a sequência de identificação de alguns deles:

AAA NMB HY Hyundai M Intel MT Micron

ALL Generic HYB Siemens M5M Mitsubishi NEC NEC
National
AM AMD HYM Hyundai MB Fujitsu NMC
Semiconductor
Texas Instruments
D NEC HYM Siemens MC NEC SMJ
Military
EDI Elect.Dev. I Intel MCM Motorola TC Toshiba
F Fairchild IBM IBM MH Mitsubishi TM Texas Instruments
GM Goldstar IMS Inmos MK Mostek TMM Toshiba
Samsun
HB Hitachi KM MN Panasonic TMS Texas Instruments
g
National Samsun
HM KMM MSC OKI UPD NEC
Semiconductor g
HM Hitachi LH Sharp MSM OKI V Vitelic

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6. MEMÓRIA ROM
Esta memória, tal como indica a sua sigla em inglês, é apenas de leitura (Read
Only Memory) e, tal como a anterior, é também de acesso aleatório.

Este tipo de memória tem armazenada informação vital para o funcionamento

do computador. Esta informação não se pode alterar e o seu conteúdo não de-
saparece quando lhe cortamos o fornecimento elétrico, porque é alimentada
através de uma pilha.

A configuração do BIOS da placa principal, assim como a configuração dos

vários dispositivos instalados no equipamento, é guardada na memória ROM.
À informação dos dispositivos, escrita na memória ROM de cada um deles,
chama-se FIRMWARE.

A ROM padrão é escrita durante o processo de fabrico de um componente e

nunca pode ser alterada.

Tipos de memória ROM que podem ser alterados:

6.1. PROM

Programmable Read Only Memory, ou Memória programável - este tipo de

memória é somente de leitura e programável. Pode programar-se apenas uma
vez e o seu conteúdo não pode ser alterado.

Figura 21. Memória PROM.

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6.2. EPROM

Erasable Programable Read Only Memory - é uma memória reprogramável, ou

seja, é uma memória ROM que, através de um processo elétrico, se pode apagar
com uma luz ultravioleta e gravar dados nela tantas vezes quanto as necessárias.

Na parte superior da EPROM vemos um autocolante opaco que tem a função

de tapar a janela de observação. Se esse autocolante se descolar durante al-
gum tempo, uma quantidade mínima de luz pode danificar os dados. Este tipo
de memórias utilizava-se em placas antigas, para guardar a BIOS.

Figura 22. Memória EPROM.

Os fabricantes usam-na para poder corrigir erros de última hora na ROM. O uti-
lizador não pode modificá-la.

6.3. EEPROM

Electrically Erasable Programmable Read Only Memory - apaga-se e pode re-

programar-se através de uma carga elétrica, mas só se pode alterar um byte de
informação de cada vez.

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Figura 23. Memória EEPROM.

6.4. FLASH MEMORY

É um tipo de EEPROM que se pode reprogramar em blocos. Usa-se na BIOS

dos equipamentos e por isso é chamado de FLASH BIOS. A FLASH BIOS
permite atualizar e modernizar os parâmetros da CMOS através de drivers
fornecidas pelo fabricante.

A diferença das EPROM é poderem atualizar-se sem dispositivos adicionais.

Figura 24. Memórias Flash.

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CONCLUSÃO

A memória RAM é uma memória volátil, ou seja, permite a leitura e a escrita.

Sempre que o computador é desligado; tudo o que se encontra nesta memória
é apagado.

Uma das partes mais importantes de um computador é a memória RAM. Todos

os programas executados, e os dados por eles utilizados, são carregados nesta
memória.

Devido às características melhoradas de programas e periféricos, a capacida-

de da memória RAM tem vindo a aumentar, de forma a permitir um melhor
desempenho do computador.

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RESUMO

 A memória RAM é aquela em que a informação pode ser lida e modifi-

cada tantas vezes quantas se desejar. Apaga-se quando se desliga o
computador.
 A memória ROM é aquela em que a informação que contém não pode
ser modificada, só pode ser lida. Não se apaga quando se desliga o
computador.
 Tipos de memórias RAM:
 DRAM: memória dinâmica e modificável. 80 ou 70 nanossegundos.
 FPM: página de modo rápido. 70 nanossegundos.
 EDO: saída de dados alargada. 40 e 60 nanossegundos.
 SDRAM: memória dinâmica de acesso aleatório sincronizado. 10,
45 e 50 nanossegundos.
 PC-100 DRAM: memória para funcionar com o bus de 100 MHz.
 PC-133 DRAM: memória para funcionar com o bus de 133 MHz.
 BEDO: memória de acesso aleatório com saída de dados alargada
e acesso Burst.
 RDRAM: memória dinâmica de acesso aleatório para tecnologia
Rambus.
 SRAM: memória estática de acesso aleatório. 10 ns.
 DDR SDRAM: SDRAM-II: é uma extensão da memória SDRAM.
 SLDRAM: memória para grandes servidores.
 ESDRAM: tipo de memória apoiado por ALPHA.

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 Tipos de memórias ROM:

 PROM: memória programável apenas de leitura.
 EPROM: memória programável apenas de leitura e possível de
apagar.
 EEPROM: memória programável apenas de leitura e possível de
apagar eletricamente.
 FLASH MEMORY: em muitas placas-mãe, a BIOS do PC é
guardada nesta memória.

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AUTOAVALIAÇÃO

1. O que é a latência?

a) É o tempo necessário para localizar o endereço da memória.

b) É um tipo de célula.
c) É uma memória aleatória.
d) É um chip.

2. Que tempo nos indica o fabricante dos chips de memória?

a) Tempo de atualização.
b) Tempo de carga.
c) Tempo de acesso.
d) Tempo de redução.

3. Encontramos as memórias FPM em:

a) 30 pinos.
b) 72 pinos.
c) 30 e 72 pinos.
d) 172 pinos.

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4. O complemento ideal para as placas gráficas AGP são as:

a) Memórias SRAM.
b) Memórias SDRAM.
c) Memórias RDRAM.
d) Memórias SDPRAM.

5. Se num chip de memória se encontra gravado D4564163G5-A10-7, o

que indica?

a) Que tem uma velocidade de 70 ns.

b) Que é um tipo de memória SDRAM.
c) Que é uma memória RIMM.
d) Que se trata de uma memória de 128 MB.

6. Na pergunta anterior qual é o fabricante?

a) NEC.
b) INTEL.
c) GOLDSTAR.
d) IBM.

7. Se houver um corte de luz, apaga-se:

a) A memória RAM.
b) A memória ROM.
c) A memória PROM.
d) A memória EPROM.

8. Com uma luz ultravioleta podem apagar-se:

a) As memórias EPROM.
b) As memórias EEPROM.
c) As memórias FLASH MEMORY.
d) CPUs.

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9. Duas taxas de atualização típicas são:

a) As de 1 e 2 Kb.
b) As de 2 e 4 Kb.
c) As de 4 e 8 Kb.
d) As de 0.5 e 0.8 KB.

10. A memória RAM é:

a) Estática.
b) Não Volátil.
c) Volátil.
d) Secundária.

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SOLUÇÕES

1. a 2. c 3. c 4. c 5. c

6. a 7. a 8. a 9. b 10. c

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PROPOSTAS DE DESENVOLVIMENTO DO ESTUDO

 Qual é o conceito de atualização?

 O que é um flip-flop?

 O que é um MMU e qual é a sua função?

 Em que se baseia a tecnologia EDO?

 Que memória instalaria num Pentium II e porquê?

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BIBLIOGRAFIA

 Gouveia, José e Magalhães Alberto. Curso Técnico de Hardware 7ª

Edição Atualizada e aumentada. FCA.
 https://segmentosedatagramas.wordpress.com. Página atualizada a
20-03-2018.

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