Universidade Federal de Santa Maria Engenharia Elétrica

Centro de Tecnologia Departamento de Eletromecânica e Sistemas de Potência

.D
ESP 1002 - Materiais Elétricos
Primeira Avaliação
1) a) O diodo zener 1N4700 conduz sob tensão direta de 1,2V. Se o diodo é construído com uma difusão n
em uma lâmina tipo p dopada com 9x1019 átomos de boro/cm3, qual a concentração de dopantes utilizada na
   
   
 Vn −V p   Vn −V p 

(1,45.10 )
 kT   kT   1, 2 
10 2
p.n kT   ni2 kT    
camada n? 2 = e  q 
∴n = e  q 
∴n = e  0 , 025 
= 1,6.1021 cm-3
ni q p q 9.1019

b) Por que os elétrons são bloqueados nas junções p-n? São bloqueados pela região de depleção. Esta,
bloqueia a passagem de corrente por dois motivos: 1) A região é isolante, não possui portadores de
corrente; 2) A região é dividida em duas zonas com cargas fixas (núcleos ionizados) de sinais opostos. Entre
as cargas existem fortes campos elétricos que se opõe à passagem da corrente.
c) Calcule a capacitância dessa junção quando uma tensão reversa de 1,2V é aplicada.

1,6.10 −19.11,7.8,85.10 −14 ( F .C.cm −1 ) 1,6.10 21.9.1019 cm −6 F

Cj = . −3
= 1,713.10 −6
2(2,4)(V ) (1,6.10 + 9.10 )cm
21 19
cm 2
= 17,13 fF / µm 2

2) A curva de transferência DC de um amplificador construído com um transistor NMOS é apresentada no

verso desta página, juntamente com a família de curvas Ids x Vds,Vgs do componente:
a) Qual o valor aproximado da tensão limiar Vth do transistor? 1,4V
b) Qual o ganho do amplificador para Vin= 2,5V? ~1,9V/0,5V ≅ 3,8
c) Qual o valor aproximado do resistor de carga usado na construção do amplificador? A
transcondutância é dada por aproximadamente 63µA/0,5=126µS
Como Av=Gm.R, R=Av/Gm = 3,8/126.10-6 = 30k
3) Partindo de uma lâmina tipo p contendo uma camada de óxido de silício em sua superfície, ilustre a
sequência com os principais passos para a construção de um transistor MOS.
Fotolitografia: Cada vez que for Gate: é construído abrindo-se o
Implantação iônica: íons são
Necessário fazer uma abertura no óxido com a técnica anterior, e
“bombardeados” sobre a lâmina ,
Óxido ou “recortar” uma camada é crescendo-se um óxido fino,
dopando as regiões expostas.
feita a fotogravação da área sobre a depositando-se silício policristalino
Metalização: Após nova oxidação a
camada em questão projetando-se sobre toda a lâmina e eliminando-se
lâmina é recoberta com metal (Al ou
luz U.V. sobre o fotoresiste, revê- as regiões indesejáveis (toda lâmina
Cu) e as regiões que não são
lando-se e corroendo-se as regiões menos Gates, capacitores, conexões)
conexões são removidas com
indesejáveis. com a fotolitografia)
fotolitografia.

4) O alumínio possui um raio atômico de 1,43 Å e organiza-se em uma rede cúbica de face centrada
(CFC). Qual a distância entre planos {1 1 1} no cristal desse material? Qual o comprimento de onda
da fonte de raios-x para uma interferência construtiva com equipamento regulado para um ângulo
de 68o em uma amostra com a superfície cortada no plano ( 1 1 1)?
a2 4,04
, mas na rede cúbica a = 2. 2 .R = 4,04 Å. Portanto: d 111 = = 2,33 Å
d hkl =
[
h +k +l
2 2 2
] 3
Aplicando a lei de Bragg, teremos: 2.d.sinθ = n.λ , λ= (2.2,33.sen34)n =2,6Å/n = 2,6; 1,3; 0,86 Å...
Vgs= 3,0V

Vgs= 2,75V

Vgs= 2,50V

Vgs= 2,25V

Vgs= 2,00V

Vgs= 1,75V
Vgs= 1,50V

Vgs= 0,00V;
0,25V; 0,50V;
0,75V; 1,00V
1,25V