INSTITUTO ENSINAR BRASIL

FACULDADES UNIFICADAS DOCTUM TEOFILO OTONI-MG

JOAB LEMOS RODRIGUES JUNIOR

A FORMAÇÃO DO CANAL ‘N’ INDUZIDO CRIADO ENTRE TERMINAS DE

FONTE E DRENO DOS TRANSISTORES MOSFET

TEÓFILO OTONI – MG
2013
 JOAB LEMOS RODRIGUES JUNIOR

A FORMAÇÃO DO CANAL ‘N’ INDUZIDO CRIADO ENTRE TERMINAS DE

FONTE E DRENO DOS TRANSISTORES MOSFET

Relatório apresentado ao quinto

período de Engenharia Elétrica das
Faculdades Unificadas Doctum Teófilo
Otoni - MG

TEÓFILO OTONI – MG
2014
A FORMAÇÃO DO CANAL ‘N’ INDUZIDO CRIADO ENTRE TERMINAS DE
FONTE E DRENO DOS TRANSISTORES MOSFET

Quando se aplica tensão positiva aos terminais dreno e fonte ligados a uma
massa toda a tensão do terminal porta aparece entre a porta e a fonte, sendo assim
a tensão positiva do porta possui dois efeitos.

Por um lado, origina que as cargas positivas sejam repelidas da região do

substrato situado por baixo da porta, tendo estas cargas positivas empurradas para
baixo, deixando atrás uma região esvaziada de portadores. Esta região de depleção
contém íons negativos correspondentes aos átomos aceitadores que perderam as
cargas positivas que foram repelidas. A tensão positiva da porta atrai elétrons das
regiões n+ da fonte do dreno, para a região do canal. O número de elétrons
acumulados junto da superfície do substrato por baixo da porta é suficiente,
constituindo de fato uma região ‘n’ ligado a fonte e dreno.

Ao aplicarmos uma tensão positiva entre o dreno e a fonte, a corrente irá fluir
nesta região ‘n’ induzida, transportada pelos elétrons que estão se movendo. A
região ‘n’ induzida forma, assim, um canal por onde a corrente flui do dreno para
fonte. Com esse canal ‘n’ criado podemos chamar o MOSFET de MOSFET de canal
‘n’ ou de transistor NMOS. Podemos observar que o canal ‘n’ é formado num
substrato do tipo p e o canal é criado invertendo a superfície do substrato do tipo p
para o tipo n, assim podendo chamar o canal induzido de uma camada de inversão.
REFERÊNCIA

Transistores de efeito de campo

http://paginas.fe.up.pt/~fff/Homepage/Ficheiros/E1_Cap5.pdf <acesso em:
09/05/2014>